JPH05313354A - レチクル・マスクの欠陥修正方法 - Google Patents
レチクル・マスクの欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPH05313354A JPH05313354A JP11658092A JP11658092A JPH05313354A JP H05313354 A JPH05313354 A JP H05313354A JP 11658092 A JP11658092 A JP 11658092A JP 11658092 A JP11658092 A JP 11658092A JP H05313354 A JPH05313354 A JP H05313354A
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- JP
- Japan
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- defect
- shielding film
- pattern
- region
- residual
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- Withdrawn
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造工程において使用されるレ
チクル・マスクの欠陥修正方法に関し、修正部分の透過
率が低下しないように高い精度をもってレチクル・マス
クの欠陥部を修正する方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 レチクル・マスクの遮光膜よりなるパターン
１に接して形成された残留遮光膜欠陥２のパターン１に
接する領域３に収束イオンビームを照射してこの領域３
の残留遮光膜欠陥２を除去し、次いで、残余の島状の残
留遮光膜欠陥４にレーザを照射して除去するようにす
る。
チクル・マスクの欠陥修正方法に関し、修正部分の透過
率が低下しないように高い精度をもってレチクル・マス
クの欠陥部を修正する方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 レチクル・マスクの遮光膜よりなるパターン
１に接して形成された残留遮光膜欠陥２のパターン１に
接する領域３に収束イオンビームを照射してこの領域３
の残留遮光膜欠陥２を除去し、次いで、残余の島状の残
留遮光膜欠陥４にレーザを照射して除去するようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において使用されるレチクル・マスクの欠陥修正方法に
関する。
において使用されるレチクル・マスクの欠陥修正方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板上に遮光膜を形成し、これを
パターニングしてレチクル・マスクのパターンを形成す
るときに、パターン形成領域以外の領域に遮光膜が除去
されずに残留することがある。これを残留遮光膜欠陥と
云う。通常遮光膜にはクロム膜が使用されるので、その
場合には、残留クロム欠陥と云う。
パターニングしてレチクル・マスクのパターンを形成す
るときに、パターン形成領域以外の領域に遮光膜が除去
されずに残留することがある。これを残留遮光膜欠陥と
云う。通常遮光膜にはクロム膜が使用されるので、その
場合には、残留クロム欠陥と云う。
【０００３】この残留クロム欠陥を修正する方法として
は、欠陥部にレーザ光を照射して熱的にクロムを蒸発さ
せて除去する方法や収束イオンビーム（ＦＩＢ）を照射
してスパッタエッチングによって除去する方法が知られ
ている。
は、欠陥部にレーザ光を照射して熱的にクロムを蒸発さ
せて除去する方法や収束イオンビーム（ＦＩＢ）を照射
してスパッタエッチングによって除去する方法が知られ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】レーザによる修正方法
においては、レーザ照射装置のレーザ照射領域を調節す
る矩形スリットを調節して、目視によりレーザの照射領
域を残留クロム欠陥に合わせなければならないが、パタ
ーン間にブリッジ状にまたがる欠陥を修正するような場
合には、矩形スリットの調節によってレーザ照射領域を
二つのパターンエッジに高い精度で合わせることは困難
である。
においては、レーザ照射装置のレーザ照射領域を調節す
る矩形スリットを調節して、目視によりレーザの照射領
域を残留クロム欠陥に合わせなければならないが、パタ
ーン間にブリッジ状にまたがる欠陥を修正するような場
合には、矩形スリットの調節によってレーザ照射領域を
二つのパターンエッジに高い精度で合わせることは困難
である。
【０００５】収束イオンビームによる修正方法において
は、ガラス基板がスパッタエッチングされることゝ、通
常ガリウムイオンが使用されるが、このガリウムイオン
がガラス基板の中に導入されることゝによってガラス基
板の透過率が低下する。そのため、このレチクル・マス
クを使用してウェーハ上にパターンを転写するときに修
正部分に対応する領域に欠陥が発生するという問題があ
る。
は、ガラス基板がスパッタエッチングされることゝ、通
常ガリウムイオンが使用されるが、このガリウムイオン
がガラス基板の中に導入されることゝによってガラス基
板の透過率が低下する。そのため、このレチクル・マス
クを使用してウェーハ上にパターンを転写するときに修
正部分に対応する領域に欠陥が発生するという問題があ
る。
【０００６】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、修正部分の透過率が低下しないように高い
精度をもってレチクル・マスクの欠陥部を修正する方法
を提供することにある。
ことにあり、修正部分の透過率が低下しないように高い
精度をもってレチクル・マスクの欠陥部を修正する方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、レチクル
・マスクの遮光膜よりなるパターン（１）に接して形成
された残留遮光膜欠陥（２）の前記のパターン（１）に
接する領域（３）に収束イオンビームを照射して前記の
パターン（１）に接する領域（３）の前記の残留遮光膜
欠陥（２）を除去し、残余の島状の残留遮光膜欠陥
（４）にレーザを照射して除去するレチクル・マスクの
欠陥修正方法によって達成される。
・マスクの遮光膜よりなるパターン（１）に接して形成
された残留遮光膜欠陥（２）の前記のパターン（１）に
接する領域（３）に収束イオンビームを照射して前記の
パターン（１）に接する領域（３）の前記の残留遮光膜
欠陥（２）を除去し、残余の島状の残留遮光膜欠陥
（４）にレーザを照射して除去するレチクル・マスクの
欠陥修正方法によって達成される。
【０００８】
【作用】残留遮光膜欠陥２のうち修正精度に影響するパ
ターン１のエッジ部に接する領域３はビーム径が０．１
μｍ以下の収束イオンビームを照射して除去されるの
で、パターンエッジ部は±０．１μｍ以下の高い精度を
もって修正される。また、収束イオンビーム照射領域は
小さいので、ガラス基板の透過率の低下領域は極めて僅
かとなり、露光時に欠陥が発生することはなくなる。
ターン１のエッジ部に接する領域３はビーム径が０．１
μｍ以下の収束イオンビームを照射して除去されるの
で、パターンエッジ部は±０．１μｍ以下の高い精度を
もって修正される。また、収束イオンビーム照射領域は
小さいので、ガラス基板の透過率の低下領域は極めて僅
かとなり、露光時に欠陥が発生することはなくなる。
【０００９】残余の残留遮光膜欠陥４は島状になってい
るので、これにレーザ照射領域５を合わせることは容易
であり、精度を気にすることなく、除去することができ
る。なお、レーザ照射によってガラス基板表面が粗くな
ることはないので、レーザ照射によるガラス基板の透過
率の低下はない。
るので、これにレーザ照射領域５を合わせることは容易
であり、精度を気にすることなく、除去することができ
る。なお、レーザ照射によってガラス基板表面が粗くな
ることはないので、レーザ照射によるガラス基板の透過
率の低下はない。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係るレチクル・マスクの欠陥修正方法について説明す
る。
係るレチクル・マスクの欠陥修正方法について説明す
る。
【００１１】図１（ａ）参照 図１（ａ）に、ガラス基板上に形成されたクロム膜より
なるレチクル・マスクの一例を示す。図において、１は
設計パターンであり、２は残留クロム欠陥である。
なるレチクル・マスクの一例を示す。図において、１は
設計パターンであり、２は残留クロム欠陥である。
【００１２】図１（ｂ）参照 収束ガリウムイオンビームの照射によってレチクルパタ
ーンから放出されるクローム分子を捕捉してレチクルパ
ターンを画像認識し、この画像により残留クロム欠陥２
の設計パターン１に接する領域を特定し、そこにビーム
径が０．１μｍの収束ガリウムイオンビームを照射して
図に記号３で示すように０．２μｍ幅に残留クローム欠
陥２を除去する。
ーンから放出されるクローム分子を捕捉してレチクルパ
ターンを画像認識し、この画像により残留クロム欠陥２
の設計パターン１に接する領域を特定し、そこにビーム
径が０．１μｍの収束ガリウムイオンビームを照射して
図に記号３で示すように０．２μｍ幅に残留クローム欠
陥２を除去する。
【００１３】図１（ｃ）参照 レーザ照射領域を調節する矩形スリット（図示せず。）
を移動してレーザ照射領域５が島状の残留遮光膜欠陥４
をカバーするように調節してレーザを照射する。このと
き、レーザ照射領域５のパターン１に対接する一辺は収
束イオンビームの照射によって残留クロム欠陥２の除去
された０．２μｍ幅の領域３の中に入るようにすればよ
いので、この矩形スリットによるレーザ照射領域の調節
は高い精度を必要とすることなく容易である。
を移動してレーザ照射領域５が島状の残留遮光膜欠陥４
をカバーするように調節してレーザを照射する。このと
き、レーザ照射領域５のパターン１に対接する一辺は収
束イオンビームの照射によって残留クロム欠陥２の除去
された０．２μｍ幅の領域３の中に入るようにすればよ
いので、この矩形スリットによるレーザ照射領域の調節
は高い精度を必要とすることなく容易である。
【００１４】図１（ｄ）参照 レーザ照射領域５内にレーザを照射して島状の残留クロ
ム欠陥４を除去した後のレチクルパターンを図１（ｄ）
に示す。設計パターン１の修正されたエッジ部はビーム
径が０．１μｍの収束イオンビームの照射によって修正
されているので、修正精度は±０．１μｍとなってい
る。さらに、収束イオンビーム（通常ガリウムイオンが
使用される。）の照射によってガラス基板中に導入され
たガリウムはレーザ照射により蒸発除去されるため、透
過率の低下の原因となるガリウムの除去のための特別の
エッチング処理は不必要である。
ム欠陥４を除去した後のレチクルパターンを図１（ｄ）
に示す。設計パターン１の修正されたエッジ部はビーム
径が０．１μｍの収束イオンビームの照射によって修正
されているので、修正精度は±０．１μｍとなってい
る。さらに、収束イオンビーム（通常ガリウムイオンが
使用される。）の照射によってガラス基板中に導入され
たガリウムはレーザ照射により蒸発除去されるため、透
過率の低下の原因となるガリウムの除去のための特別の
エッチング処理は不必要である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るレチ
クル・マスクの欠陥修正方法においては、まず、レチク
ル・マスクパターンの画像認識により、パターンエッジ
部に接する領域の残留遮光膜欠陥に収束イオンビームを
照射して除去し、次いで残余の残留遮光膜欠陥にレーザ
を照射して除去することによって欠陥を修正しているの
で、複雑な欠陥でも高い精度で修正することができ、し
かも、収束イオンビームによる修正領域が小さいので、
ガラス基板の透過率低下による転写時の欠陥は発生しな
くなる。また、レーザ照射時のレーザ照射領域を島状に
残留する欠陥に合わせることは容易であるため作業性が
良くなり、さらに、収束ガリウムイオンビーム照射時に
ガラス基板に導入されたガリウムはレーザ照射によって
蒸発除去されるので、ガリウム除去のためのガラス基板
のエッチング処理は不要となる。
クル・マスクの欠陥修正方法においては、まず、レチク
ル・マスクパターンの画像認識により、パターンエッジ
部に接する領域の残留遮光膜欠陥に収束イオンビームを
照射して除去し、次いで残余の残留遮光膜欠陥にレーザ
を照射して除去することによって欠陥を修正しているの
で、複雑な欠陥でも高い精度で修正することができ、し
かも、収束イオンビームによる修正領域が小さいので、
ガラス基板の透過率低下による転写時の欠陥は発生しな
くなる。また、レーザ照射時のレーザ照射領域を島状に
残留する欠陥に合わせることは容易であるため作業性が
良くなり、さらに、収束ガリウムイオンビーム照射時に
ガラス基板に導入されたガリウムはレーザ照射によって
蒸発除去されるので、ガリウム除去のためのガラス基板
のエッチング処理は不要となる。
【図１】レチクルの欠陥修正工程説明図である。
１ 設計パターン ２ 残留遮光膜欠陥（残留クロム欠陥） ３ 収束イオンビームによる残留クロム欠陥の除去領
域 ４ 島状の残留クロム欠陥 ５ 矩形スリットにより調節されたレーザ照射領域
域 ４ 島状の残留クロム欠陥 ５ 矩形スリットにより調節されたレーザ照射領域
Claims (1)
- 【請求項１】 レチクル・マスクの遮光膜よりなるパタ
ーン（１）に接して形成された残留遮光膜欠陥（２）の
前記パターン（１）に接する領域（３）に収束イオンビ
ームを照射して該接する領域（３）の前記残留遮光膜欠
陥（２）を除去し、残余の島状の残留遮光膜欠陥（４）
にレーザを照射して除去することを特徴とするレチクル
・マスクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11658092A JPH05313354A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | レチクル・マスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11658092A JPH05313354A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | レチクル・マスクの欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05313354A true JPH05313354A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14690647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11658092A Withdrawn JPH05313354A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | レチクル・マスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05313354A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335129B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing pattern defect, photo mask using the method, and semiconductor device manufacturing method employing the photo mask |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP11658092A patent/JPH05313354A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335129B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for repairing pattern defect, photo mask using the method, and semiconductor device manufacturing method employing the photo mask |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |