JPH03132662A - フォトマスク修正方法 - Google Patents
フォトマスク修正方法Info
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- JPH03132662A JPH03132662A JP1272621A JP27262189A JPH03132662A JP H03132662 A JPH03132662 A JP H03132662A JP 1272621 A JP1272621 A JP 1272621A JP 27262189 A JP27262189 A JP 27262189A JP H03132662 A JPH03132662 A JP H03132662A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩ等の半導体デバイスを製造するために
用いられるフォトマスク材料及びフォトマスクの黒欠陥
修正方法に関するものである。
用いられるフォトマスク材料及びフォトマスクの黒欠陥
修正方法に関するものである。
例えばＬＳＩの製造工程において使用されている従来の
フォトマスク材料を用いたフォトマスクの作製方法を第
３図、第４図を参照して説明する。
フォトマスク材料を用いたフォトマスクの作製方法を第
３図、第４図を参照して説明する。
第３図はこの従来のフォトマスク材料を示す断面図であ
シ、これは、光を透過する石英等のガラス基板１上に、
光を遮へいするためのＭｏ５１＋Ｃｒ等の厚さ１１００
ｎ程度の薄膜２が被着形成されている。
シ、これは、光を透過する石英等のガラス基板１上に、
光を遮へいするためのＭｏ５１＋Ｃｒ等の厚さ１１００
ｎ程度の薄膜２が被着形成されている。
また、第４図は、第３図に示す従来のフォトマスク材料
で作製されたフォトマスク上の黒欠陥（残留欠陥）を集
束イオンビームで修正する過程を示す工程断面図である
。ここで、３はガラス基板１上に形成された光遮へい用
薄膜２からなるＬＳＩのパターン、４はフォトマスクの
作製時に発生した光遮へい用薄膜２からなる黒欠陥、５
はこの黒欠陥４ｔ−スパッタ除去するための集束イオン
ビーム（ＦＩＢともいう）、６はこの黒欠陥４を修正し
た際にガラス基板１上に発生するダメージである。
で作製されたフォトマスク上の黒欠陥（残留欠陥）を集
束イオンビームで修正する過程を示す工程断面図である
。ここで、３はガラス基板１上に形成された光遮へい用
薄膜２からなるＬＳＩのパターン、４はフォトマスクの
作製時に発生した光遮へい用薄膜２からなる黒欠陥、５
はこの黒欠陥４ｔ−スパッタ除去するための集束イオン
ビーム（ＦＩＢともいう）、６はこの黒欠陥４を修正し
た際にガラス基板１上に発生するダメージである。
すなわち、従来の方法では、第３図に示すフォトマスク
材料を用いて、このフォトマスク材料に通常のマスクプ
ロセスを加えることによシ、第４図（＆）に示す如く、
ガラス基板１上に半導体素子を作るためのパターン３を
有するフォトマスクが作製される。そして、このフォト
マスク上にプロセス中に発生した黒欠陥４を高精度に修
正するために、細く絞ったＦＩＢ５によるスパッタ除去
法が用いられている。一般的なＦＩＢ５の条件としては
、イオン種としてＧａ＋、加速電圧２５ＫＶ、ビーム径
０゜２μｍφ、ビーム電流５００ｐＡが用いられる。ま
た、黒欠陥４はパターン３と同様に光遮へい用薄膜２か
らなシ、一般的には１１００ｎ程度の厚さのＭｏ５ｔ膜
あるいはＣｒ膜である。この黒欠陥４を上記の条件でス
パッタ除去するには、１０１７個／−程度のＣｍ＋イオ
ンを照射すれば良い。とれによシ黒欠陥４は、第４図（
ｂ）に示す如く完全に消滅する。
材料を用いて、このフォトマスク材料に通常のマスクプ
ロセスを加えることによシ、第４図（＆）に示す如く、
ガラス基板１上に半導体素子を作るためのパターン３を
有するフォトマスクが作製される。そして、このフォト
マスク上にプロセス中に発生した黒欠陥４を高精度に修
正するために、細く絞ったＦＩＢ５によるスパッタ除去
法が用いられている。一般的なＦＩＢ５の条件としては
、イオン種としてＧａ＋、加速電圧２５ＫＶ、ビーム径
０゜２μｍφ、ビーム電流５００ｐＡが用いられる。ま
た、黒欠陥４はパターン３と同様に光遮へい用薄膜２か
らなシ、一般的には１１００ｎ程度の厚さのＭｏ５ｔ膜
あるいはＣｒ膜である。この黒欠陥４を上記の条件でス
パッタ除去するには、１０１７個／−程度のＣｍ＋イオ
ンを照射すれば良い。とれによシ黒欠陥４は、第４図（
ｂ）に示す如く完全に消滅する。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、このような従来のフォトマスク修正方法では
、黒欠陥修正後にガラス基板１の被修正個所に深さ５０
ｎｍ程度のダメージ６が残る（第４図（ｂ））。この
ダメージ６は、照射したＧａ＋イオンがガラス基板中に
侵入したもの＋ Ｇａ＋イオンによシ叩かれた光遮へい
用薄膜２の構成原子（Ｍｏ、８１あるいはＣｒ）がガラ
ス基板１中に侵入したもの。
、黒欠陥修正後にガラス基板１の被修正個所に深さ５０
ｎｍ程度のダメージ６が残る（第４図（ｂ））。この
ダメージ６は、照射したＧａ＋イオンがガラス基板中に
侵入したもの＋ Ｇａ＋イオンによシ叩かれた光遮へい
用薄膜２の構成原子（Ｍｏ、８１あるいはＣｒ）がガラ
ス基板１中に侵入したもの。
これらのイオンや原子によシ発生するガラスの結晶欠陥
がある。そのため、このダメージ６が発生した個所の光
の透過率は、正常なガラス基板に対して約４０％低下す
る。従って、このフォトマスクを使ってウェハにパター
ンを転写すると、ダメージの個所も転写されるという問
題点があった。
がある。そのため、このダメージ６が発生した個所の光
の透過率は、正常なガラス基板に対して約４０％低下す
る。従って、このフォトマスクを使ってウェハにパター
ンを転写すると、ダメージの個所も転写されるという問
題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、フォトマスク上の黒欠陥を集束イオンビームで
修正しても、ガラス基板中にダメージが入らないフォト
マスク材料及びフォトマスク修正方法を得ることを目的
とする。
もので、フォトマスク上の黒欠陥を集束イオンビームで
修正しても、ガラス基板中にダメージが入らないフォト
マスク材料及びフォトマスク修正方法を得ることを目的
とする。
本発明に係るフォトマスク材料は、ガラス基板上に緩＠
膜と光遮へい用薄膜を順次形成して、黒欠陥を集束イオ
ンビームで修正した時のダメージを緩衝膜で吸収するよ
うにしたものである。
膜と光遮へい用薄膜を順次形成して、黒欠陥を集束イオ
ンビームで修正した時のダメージを緩衝膜で吸収するよ
うにしたものである。
また、本発明の別の発明に係るフォトマスク修正方法は
、上記のフォトマスク材料を用いてフォトマスクを作製
する際に、そのとき発生した緩衝膜と光遮へい用薄膜か
らなる黒欠陥のうちその光遮へい用薄膜のみを集束イオ
ンビームで修正した後、その修正部分のダメージの入っ
た緩衝膜を除去するようにしたものである。
、上記のフォトマスク材料を用いてフォトマスクを作製
する際に、そのとき発生した緩衝膜と光遮へい用薄膜か
らなる黒欠陥のうちその光遮へい用薄膜のみを集束イオ
ンビームで修正した後、その修正部分のダメージの入っ
た緩衝膜を除去するようにしたものである。
本発明におけるフォトマスク材料及びフォトマスク修正
方法は、集束イオンビームによるダメージ緩衝膜で吸収
するため、ガラス基板中にダメージが入ることは皆無と
なる。
方法は、集束イオンビームによるダメージ緩衝膜で吸収
するため、ガラス基板中にダメージが入ることは皆無と
なる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるフォトマスク材料の断
面図である。この実施例の７オトマスク材料は、第１図
に示す如く、ガラス基板１と、光遮へい用薄膜２と、こ
れらガラス基板１と光遮へい用薄膜２の間に設けられた
緩衝膜７から構成されている。この場合、光遮へい用薄
！２は、通常のフォトマスク材料で用いられているＭｏ
５ｔあるいはＣｒ膜で良い。また緩衝膜７は、光遮へい
用薄膜２とエツチングの選択性がある膜であれば何でも
良い。
面図である。この実施例の７オトマスク材料は、第１図
に示す如く、ガラス基板１と、光遮へい用薄膜２と、こ
れらガラス基板１と光遮へい用薄膜２の間に設けられた
緩衝膜７から構成されている。この場合、光遮へい用薄
！２は、通常のフォトマスク材料で用いられているＭｏ
５ｔあるいはＣｒ膜で良い。また緩衝膜７は、光遮へい
用薄膜２とエツチングの選択性がある膜であれば何でも
良い。
例えばＭｏ５ｔ膜とＣｒ膜はエツチングの選択性があシ
、シかもフォトマスク材料として長年の実績があるため
、これらの組合わせが好都合である。即ち、Ｍｏ５ｔ膜
のエツチングにはＣＦ、＋０２ガス、Ｃｒ膜のエツチン
グにはｃｃｚ４＋ｏｚガスによるドライエツチングが常
用されている。ここでは単純化するために、光遮へい用
薄膜２としてＣｒ膜を、緩衝膜ＴとしてＭｏ５ｔ膜を用
いた場合のフォトマスクの作製方法について第２図を参
照して説明する。
、シかもフォトマスク材料として長年の実績があるため
、これらの組合わせが好都合である。即ち、Ｍｏ５ｔ膜
のエツチングにはＣＦ、＋０２ガス、Ｃｒ膜のエツチン
グにはｃｃｚ４＋ｏｚガスによるドライエツチングが常
用されている。ここでは単純化するために、光遮へい用
薄膜２としてＣｒ膜を、緩衝膜ＴとしてＭｏ５ｔ膜を用
いた場合のフォトマスクの作製方法について第２図を参
照して説明する。
第２図は、第１図のフォトマスク材料にマスクプロセス
を適用して形成されたフォトマスク上の黒欠陥’ｉ Ｆ
ＩＢで修正する過程を示す工程断面図である。ここで、
Ｃｒ膜２は従来のフォトマスクと同様１１００ｎ程度と
し、Ｍａｉｌ膜７はダメージを吸収するため５０ｎｍ程
度とする。また、図中同−符号は同一または相当部分を
示す。この実施例のフォトマスク作製に際しては、マス
クプロセスとして、第１図に示す如くガラス基板１とＣ
ｒ％２の間にＭｏＳｉ膜７を緩衝膜として形成したフォ
トマスク材料上に通常のプロセスでレジストパターンを
形成し、このＣｒ膜２をｃｃｔａ ＋ ｏ□ガラスドラ
イエツチングした後、続いてＭｏＳｉ膜ＴをＣＦ、＋０
２ガスでドライエツチングする（第２図（＆））。
を適用して形成されたフォトマスク上の黒欠陥’ｉ Ｆ
ＩＢで修正する過程を示す工程断面図である。ここで、
Ｃｒ膜２は従来のフォトマスクと同様１１００ｎ程度と
し、Ｍａｉｌ膜７はダメージを吸収するため５０ｎｍ程
度とする。また、図中同−符号は同一または相当部分を
示す。この実施例のフォトマスク作製に際しては、マス
クプロセスとして、第１図に示す如くガラス基板１とＣ
ｒ％２の間にＭｏＳｉ膜７を緩衝膜として形成したフォ
トマスク材料上に通常のプロセスでレジストパターンを
形成し、このＣｒ膜２をｃｃｔａ ＋ ｏ□ガラスドラ
イエツチングした後、続いてＭｏＳｉ膜ＴをＣＦ、＋０
２ガスでドライエツチングする（第２図（＆））。
ただし、図中３はガラス基板１上に形成されたＬＳＩの
パターン、４は黒欠陥をそれぞれ示す。
パターン、４は黒欠陥をそれぞれ示す。
そして、この黒欠陥４を修正（除去）するために、第２
図（＆）のようにＦＩＢ５を照射する。この時、ＦＩＢ
５の条件として、イオン種にＧ＆＋を用い、加速電圧２
５ＫＶ、ビーム径０．２μｍφ、ビーム電流５００ｐＡ
で照射する。この条件で１００ｎｚｎ膜厚のＯｒ膜２を
スパッタ除去するには、１０１７個／−程度のＧａ＋イ
オンを照射すれば良い。この時、第２図伽）に示すよう
に、下層のＭｏ８１膜７１中にダメージ６が発生する。
図（＆）のようにＦＩＢ５を照射する。この時、ＦＩＢ
５の条件として、イオン種にＧ＆＋を用い、加速電圧２
５ＫＶ、ビーム径０．２μｍφ、ビーム電流５００ｐＡ
で照射する。この条件で１００ｎｚｎ膜厚のＯｒ膜２を
スパッタ除去するには、１０１７個／−程度のＧａ＋イ
オンを照射すれば良い。この時、第２図伽）に示すよう
に、下層のＭｏ８１膜７１中にダメージ６が発生する。
このＭｏ５ｔ膜７１は厚さ５ｅｅｍ程度にしであるので
、ガラス基板１中にはダメージは発生しない。続いて、
ＣＦ４＋０２ガスでドライエツチングすると、ＦＩＢ５
を照射した部分のＭｏ５ｔ膜７１は除去される。この時
、パターン３部分のＭｏ５ｔ膜ＴはＣｒ膜２に覆われて
いるため、除去されずに残る。その結果として、第２図
（ｃ）に示す如く、フォトマスクの黒欠陥修正が完了す
る。従って、このフォトマスクのガラス基板１にはダメ
ージが発生することはない。
、ガラス基板１中にはダメージは発生しない。続いて、
ＣＦ４＋０２ガスでドライエツチングすると、ＦＩＢ５
を照射した部分のＭｏ５ｔ膜７１は除去される。この時
、パターン３部分のＭｏ５ｔ膜ＴはＣｒ膜２に覆われて
いるため、除去されずに残る。その結果として、第２図
（ｃ）に示す如く、フォトマスクの黒欠陥修正が完了す
る。従って、このフォトマスクのガラス基板１にはダメ
ージが発生することはない。
々お、上記実施例では光速へい用薄膜２にＣｒを用すた
が、光を遮へいできる薄膜であるなら何でも良い。また
緩衝膜７としてＭｏ５ｔを用いたが、光速へい用薄膜２
とエツチングの選択性がある薄膜なら何でも良い。
が、光を遮へいできる薄膜であるなら何でも良い。また
緩衝膜７としてＭｏ５ｔを用いたが、光速へい用薄膜２
とエツチングの選択性がある薄膜なら何でも良い。
さらに、光速へい用薄膜と緩衝膜の膜厚をそれぞれ１１
００ｎ ＋ ５０ｎｍとしたが、その効果を果たす膜厚
であるならいくらであっても良い。また、これらの薄膜
のエツチング方法１条件は上記実施例以外であっても良
く、さらにＦＩＢの条件は、黒欠陥を修正できるものな
ら何でも良い。
００ｎ ＋ ５０ｎｍとしたが、その効果を果たす膜厚
であるならいくらであっても良い。また、これらの薄膜
のエツチング方法１条件は上記実施例以外であっても良
く、さらにＦＩＢの条件は、黒欠陥を修正できるものな
ら何でも良い。
以上のように本発明によれば、フォトマスク材料を、ガ
ラス基板上に光速へい用薄膜と緩衝膜を設けた２層構造
にしたので、ガラス基板中にダメージの入らない、ＦＩ
Ｂによる黒欠陥の修正を行なうことができる効果がある
。
ラス基板上に光速へい用薄膜と緩衝膜を設けた２層構造
にしたので、ガラス基板中にダメージの入らない、ＦＩ
Ｂによる黒欠陥の修正を行なうことができる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例によるフォトマスク材料の断
面図、第２図は第１図のフォトマスク材料を用いてフォ
トマスクを作製するときに発生する黒欠陥を修正する方
法の一例を説明するための工程断面図、第３図は従来の
フォトマスク材料の断面図、第４図は従来の７オトマス
ク修正方法を示す工程断面図である。 １・・・・ガラス基板、２偉・・・光速へい用薄１［（
Ｃｒｌｌ）、３・・・・パターン、４・・・１黒欠陥、
５・・・ｅ集束イオンビーム（ＦＩＢ）、６ｅｅ・・ダ
メージ、１・・φ・緩衝膜（Ｍｏｓｔ膜）。 第１図 第２図
面図、第２図は第１図のフォトマスク材料を用いてフォ
トマスクを作製するときに発生する黒欠陥を修正する方
法の一例を説明するための工程断面図、第３図は従来の
フォトマスク材料の断面図、第４図は従来の７オトマス
ク修正方法を示す工程断面図である。 １・・・・ガラス基板、２偉・・・光速へい用薄１［（
Ｃｒｌｌ）、３・・・・パターン、４・・・１黒欠陥、
５・・・ｅ集束イオンビーム（ＦＩＢ）、６ｅｅ・・ダ
メージ、１・・φ・緩衝膜（Ｍｏｓｔ膜）。 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）ガラス基板上に形成された第１の緩衝膜と、この
緩衝膜上に形成された該緩衝膜とはエッチングの選択性
を有し、かつ光を遮へいする第２の光遮へい用薄膜から
構成したことを特徴とするフォトマスク材料。 - （２）請求項１のフォトマスク材料を用いてフォトマス
クを作製する際に、そのとき発生した第１の緩衝膜と第
２の光遮へい用薄膜から成る黒欠陥のうち該第２の光遮
へい用薄膜のみを集束イオンビームで修正し、しかる後
に該修正部分の第１の緩衝膜をエッチング除去すること
を特徴とするフォトマスク修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27262189A JPH0833655B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | フォトマスク修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27262189A JPH0833655B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | フォトマスク修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132662A true JPH03132662A (ja) | 1991-06-06 |
| JPH0833655B2 JPH0833655B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17516485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27262189A Expired - Fee Related JPH0833655B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | フォトマスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833655B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382484A (en) * | 1992-08-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of correcting defects in the pattern of phase shift mask |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51948A (en) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Hotomasukuno seizohoho |
| JPS5432976A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | Hard mask for electron beam |
| JPH01216529A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP27262189A patent/JPH0833655B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51948A (en) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Hotomasukuno seizohoho |
| JPS5432976A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | Hard mask for electron beam |
| JPH01216529A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382484A (en) * | 1992-08-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of correcting defects in the pattern of phase shift mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0833655B2 (ja) | 1996-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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