JPH1090873A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】欠陥修復を短時間でかつ低コストで行うことを
可能とする位相シフトマスクの製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】透明基板１１上に遮光体パターン又は半透
明パターン１２を形成する工程(a) 、(b) 、(c) と、前
記遮光体パターン又は半透明パターン１２の欠陥を検査
する工程と、欠陥が検出された場合、検出された欠陥を
修復する工程と、前記欠陥を修復した後、位相シフター
パターンを形成して位相シフトマスクを得る工程(d) 、
(e) 、(f) 、(g) と、得られた位相シフトマスクの欠陥
を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された
欠陥を修復する工程と、を具備する位相シフトマスク１
０の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクの製造方法
に係り、特に半導体装置の製造におけるパターン転写に
用いられる位相シフトマスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造におけるパターン転写
は、ガラス基板上にクロム等からなる遮光体パターンが
形成されたマスクを介して、半導体ウエハに紫外線を露
光することにより行われる。しかし、近年の半導体産業
において、さらに微細なパターン転写技術が求められて
おり、この微細化の限界を打破するものとして、位相シ
フトマスクが開発された。この位相シフトマスクには数
種類のものがあるが、特にレベンソン型位相シフトマス
クは解像度が大きく向上することから、現在のところ主
流をなしている。

【０００３】図５に、一般的なレベンソン型位相シフト
マスクの一断面を示す。図５の（ａ）は、レベンソン型
位相シフトマスクの一つのタイプをあらわしており、基
板５１ａ上に遮光体５２ａが規則的に配置され、遮光体
パターンを形成している。さらに、この隣接する遮光体
５２ａの間の基板５１ａ表面には、１つおきに基板５１
ａの表面を堀込むことによって位相シフター５３ａが設
けられている。

【０００４】また、図５の（ｂ）は、他のタイプのレベ
ンソン型位相シフトマスクであり、酸化シリコン膜等を
基板５１ｂ上に積層することにより位相シフター５３ｂ
が形成されている。

【０００５】これら図５の（ａ）、（ｂ）のタイプのレ
ベンソン型位相シフトマスクは、位相シフター５３ａ、
５３ｂを通過する露光光と、遮光体５２ａ、５２ｂを挟
んで位相シフター５３ａ、５３ｂと隣接する透過部を通
過する露光光との位相差が１８０°となるように形成さ
れている。

【０００６】以下、これらのレベンソン型位相シフトマ
スクの従来の製造方法について説明する。図６は、図５
の（ａ）で示されるタイプのレベンソン型位相シフトマ
スクの従来の製造方法を工程順に示す断面図である。

【０００７】このタイプの位相シフトマスクの製造にお
いては、まず、石英基板６１上にクロム層およびレジス
ト層が形成されたクロムブランクスに、電子ビーム描画
装置やレーザービーム描画装置によりパターン描画を行
ってレジストを現像する。さらに、このようにして得ら
れたレジストパターンをマスクとして用いてクロムエッ
チングを行い、レジストを除去することにより、図６
（ａ）に示すように、石英基板６１上に遮光体パターン
６２を形成する。

【０００８】次に、図６（ｂ）に示すように、石英基板
６１の遮光体パターン６２が形成された面にレジスト６
４を塗布する。これに、電子ビーム描画装置等を用いて
所望のパターン描画を行い、レジスト６４を現像するこ
とにより、図６（ｃ）に示すように、レジストパターン
６５が形成される。

【０００９】続いて、レジストパターン６５と遮光体パ
ターン６２とをエッチングマスクとして用いて、反応性
イオンエッチング法等により石英基板６１をエッチング
して、図６（ｄ）に示すように、位相シフター６３を形
成する。レジストパターン６５を除去した後、マスクパ
ターン検査装置により欠陥検査を行い、欠陥箇所を集束
イオンビーム（ＦＩＢ）やレーザーにより修復すること
により、図６（ｅ）に示すように、レベンソン型位相シ
フトマスク６０を得る。

【００１０】図７は、上記の欠陥検査で検出される欠陥
を、その発生原因別に分類した円グラフである。このグ
ラフに示されるように、位相シフトマスクの欠陥の約８
割が遮光体の欠陥に起因するものであり、残りの約２割
がレジストパターンの欠陥や石英基板のエッチングの際
に付着した異物などに起因するものである。

【００１１】図８に、遮光体の欠陥により生じた、図５
（ａ）に示されるタイプの位相シフトマスクの欠陥の一
例を示す。この図で、基板８１上には、遮光体８２と遮
光体欠陥部８５とが形成されている。このように遮光体
欠陥部８５が存在すると、遮光体欠陥部８５がエッチン
グマスクとして作用してしまうために、位相シフター欠
陥部８４が残留してしまい、位相シフター８３が設計通
りに形成されない。

【００１２】図９に、このような黒欠陥を修復する方法
を概略的に示す。図９（ａ）は、基板９１の一表面に遮
光体９２と位相シフター９３とが形成されたレベンソン
型位相シフトマスク９０を示しており、この位相シフタ
ー９３には、遮光体欠陥部９５と位相シフター欠陥部９
４とが形成されている。これら欠陥部を修復するには、
まず、遮光体欠陥部９５をＹＡＧレーザーを用いた欠陥
修復装置等により図９（ｂ）に示すように除去し、その
後、位相シフター欠陥部９４を集束イオンビームを用い
た欠陥修復装置等により、図９（ｃ）に示すように除去
する必要がある。すなわち、黒欠陥の修復には、２段階
の修復工程が必要である。

【００１３】また、図１０に、白欠陥を修復する方法を
概略的に示す。図１０（ａ）は、白欠陥が形成されたレ
ベンソン型位相シフトマスクを示しており、レベンソン
型位相シフトマスク１００には、基板１０１の一表面に
遮光体１０２と位相シフター１０３とが形成され、更
に、遮光体１０２及び基板１０１には遮光体欠陥部１０
５と位相シフター欠陥部１０４とが形成されている。こ
のレベンソン型位相シフトマスク１００を修復するに
は、位相シフター欠陥部１０４及び遮光体欠陥部１０５
に、集束イオンビームを用いた欠陥修復装置等により、
修復用遮光体１０６を充填する必要がある。すなわち、
白欠陥の修復は、遮光体欠陥部１０５のみの修復に比べ
て遥かに多くの修復用遮光体１０６を必要とするため、
欠陥修復の作業性を低めている。

【００１４】したがって、従来、このタイプのレベンソ
ン型位相シフトマスクにおける黒欠陥及び白欠陥の修復
は、２段階の又は作業性の低い修復を数多く行わなけれ
ばならず、非効率的なものであった。

【００１５】以上、図５（ａ）に示すタイプのレベンソ
ン型位相シフトマスクの従来の製造方法について説明し
たが、以下に他のタイプのレベンソン型位相シフトマス
クの従来の製造方法について説明する。

【００１６】図１１に、図５（ｂ）に示されるタイプの
レベンソン型位相シフトマスクの従来の製造方法の概略
図を示す。このタイプの位相シフトマスクの製造におい
ては、まず、図６に示す位相シフトマスクの製造方法と
同様にして、図１１（ａ）に示すように、石英基板１１
１上に遮光体パターン１１２を形成する。次に、図１１
（ｂ）に示すように、石英基板１１１の遮光体パターン
１１２が形成された面に、スピンオングラス（ＳＯＧ）
１１６を塗布し、さらにその上にレジスト１１４を塗布
する。

【００１７】このレジスト層１１４を、図６に示す位相
シフトマスクの製造方法と同様にして加工し、図１１
（ｃ）に示すようにレジストパターン１１５を形成した
後、このレジストパターン１１５をマスクとして用い
て、反応性イオンエッチング法等によりスピンオングラ
ス層１１６をエッチングして位相シフター１１３を形成
する。続いて、レジストパターン１１５を除去し、マス
クパターン検査装置により欠陥検査を行い、欠陥箇所を
集束イオンビームやレーザーにより修復することによ
り、図１１（ｄ）に示すようにレベンソン型位相シフト
マスクを得る。

【００１８】図１２は、上記の欠陥検査で検出される欠
陥を、その発生原因別に分類した円グラフである。この
グラフに示されるように、位相シフトマスクの欠陥の約
８割が遮光体の欠陥に起因するものであり、残りの約２
割がＳＯＧのピンホールやレジストパターンの欠陥等に
起因するものである。

【００１９】図１３に、この遮光体の欠陥に起因する位
相シフトマスクを修復する方法を概略的に示す。図１３
（ａ）に示すように、レベンソン型位相シフトマスク１
３０は、基板１３１と、その一表面に形成された遮光体
１３２と位相シフター１３３とで構成されている。この
位相シフトマスク１３０には、遮光体欠陥部１３４が位
相シフター１３３に覆われるようにして形成されてい
る。このレベンソン型位相シフトマスク１３０は、ま
ず、図１３（ｂ）に示すように遮光体欠陥部１３４の上
部の位相シフターを除去し、その後、図１３の（ｃ）の
ように遮光体欠陥部１３４を除去し、除去加工部１３５
に位相シフターを埋めることで、図１３（ｄ）に示すよ
うに修復される。すなわち、このタイプの位相シフトマ
スクの修復においても、欠陥部を除去したのち位相シフ
ターの堆積を行うという複雑な修復作業を数多く行う必
要があるため、非効率的なものであった。

【００２０】以上、レベンソン型位相シフトマスクの欠
陥修復方法について説明したが、２層以上の膜で構成さ
れたハーフトーン型位相シフトマスク場合も同様に非効
率的なものであった。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
位相シフトマスクの欠陥修復方法は、複雑な又は作業性
の低い修復作業を数多く行う必要があるため、非効率的
なものであった。これは、欠陥修復に費やす多大な労力
と長い装置使用時間をもたらし、位相シフトマスクの製
造コストの上昇及び製造期間の遅延の大きな要因の一つ
となっている。本発明の目的は、欠陥修復を短時間でか
つ低コストで行うことを可能とする位相シフトマスクの
製造方法を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）は、
透明基板上に遮光体パターン又は半透明パターンを形成
する工程と、前記遮光体パターン又は半透明パターンの
欠陥を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出さ
れた欠陥を修復する工程と、前記欠陥を修復した後、位
相シフターを形成して位相シフトマスクを得る工程と、
得られた位相シフトマスクの欠陥を検査する工程と、欠
陥が検出された場合、検出された欠陥を修復する工程
と、を具備する位相シフトマスクの製造方法を提供す
る。

【００２３】本発明の他の態様は、透明基板上に遮光体
パターンを形成する工程と、前記遮光体パターンの欠陥
を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された
欠陥を修復する工程と、前記透明基板の一部を除去して
位相シフターを形成し位相シフトマスクを得る工程と、
得られた位相シフトマスクの欠陥を検査する工程と、欠
陥が検出された場合、検出された欠陥を修復する工程
と、を具備するレベンソン型位相シフトマスクの製造方
法を提供する。

【００２４】本発明の他の態様は、透明基板上に遮光体
パターンを形成する工程と、前記遮光体パターンの欠陥
を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された
欠陥を修復する工程と、前記透明基板上に位相シフター
材料を積層して位相シフターを形成し位相シフトマスク
を得る工程と、得られた位相シフトマスクの欠陥を検査
する工程と、欠陥が検出された場合、検出された欠陥を
修復する工程と、を具備するレベンソン型位相シフトマ
スクの製造方法を提供する。

【００２５】本発明の他の態様は、透明基板上に半透明
パターンを形成する工程と、前記半透明パターンの欠陥
を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された
欠陥を修復する工程と、前記半透明パターン上に位相シ
フター材料を積層して位相シフターを形成し位相シフト
マスクを得る工程と、得られた位相シフトマスクの欠陥
を検査する工程と、欠陥が検出された場合、検出された
欠陥を修復する工程と、を具備するハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法を提供する。

【００２６】本発明の方法では、透明基板として石英基
板等が用いられる。また、遮光体パターンおよび半透明
パターンは、好ましくはクロム、酸化クロム等から構成
される。

【００２７】本発明の方法では、位相シフター材料とし
て、スピンオングラス、酸化クロム等が用いられる。本
発明で行われる欠陥検査は、好ましくは欠陥検査装置Ｋ
ＬＡー３３１（ＫＬＡ社製）等により実施され、欠陥の
修復は、好ましくは集束イオンビーム、レーザー等によ
り実施される。

【００２８】本発明の方法は、レベンソン型位相シフト
マスクやハーフトーン型位相シフトマスクの製造に適用
することができる。本発明に従って製造される位相シフ
トマスクが、レベンソン型位相シフトマスクである場合
は、遮光体パターンが用いられる。この場合、位相シフ
ターは、透明基板上に位相シフター材料を積層すること
により、又は、透明基板の一部を除去することにより形
成される。

【００２９】本発明に従って製造される位相シフトマス
クが、ハーフトーン型位相シフトマスクである場合は、
半透明パターンが用いられる。以下、本発明の特徴につ
いて説明する。

【００３０】本発明の位相シフトマスク製造方法は、遮
光体パターンを形成する工程と、位相シフターを形成す
る工程との間に、欠陥検査及び修復を行うことを特徴と
している。

【００３１】本発明に従って、遮光体パターンの欠陥検
査及び修復を行い、その後に位相シフターパターンを形
成し、さらに、再度、欠陥検査及び修復を行うと、欠陥
検査と修復を２度行うことになり、一見、コストが上昇
するように思える。

【００３２】しかし、従来の製造方法において、位相シ
フター形成後の検査で検出される欠陥の多くは遮光体パ
ターンの欠陥に起因していること、および、位相シフタ
ーパターンを形成した後に複雑な欠陥の修復作業を数多
く行うことがコストを高めている主要な原因であること
から、本発明の方法によればコストは大幅に削減され
る。

【００３３】すなわち、遮光体パターンの欠陥の修復
は、位相シフター形成後では複雑で長時間を要するもの
であるが、本発明の方法によると、そのような遮光体パ
ターンの欠陥は、位相シフター形成前に容易に修復され
ており、従って、位相シフター形成後の検査により検出
される欠陥は、容易に修復されるもののみである。

【００３４】このように、本発明の方法によると、欠陥
の検査が２度行われるとは言え、それらの修復は極めて
容易で短時間で行うことができるから、結果として、従
来の方法に比べ、大幅に修復時間を短縮することがで
き、コストを削減することも可能となる。

【００３５】この欠陥検査および修復を、位相シフター
パターンを形成するためのマスクとして用いられるレジ
ストパターン形成後に行うとすると、レジストパターン
のピンホールや、表面の異物を検出することができると
いうメリットがある。しかし、同時に、レジストパター
ンの下にある遮光体パターンの欠陥の修復が複雑にな
り、また、レジストパターン形成後では洗浄を行うこと
ができないことから、レジストパターン上に付着した異
物を除去することができないという大きな欠点を生じて
しまう。

【００３６】また、レジスト塗布後に欠陥検査を行うと
すると、レジストのピンホールやレジスト上の異物を検
出することができるというメリットはあるが、レジスト
の下にある遮光体パターンの欠陥の修復は、やはり複雑
になる。

【００３７】したがって、本発明のように、欠陥検査お
よび修復を位相シフターパターン形成の前に行うことに
より、最も効果的に製造期間の短縮およびコストの削減
を実現することができるのである。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。 （第１実施形態）図１に、本発明の第１実施形態に係る
レベンソン型位相シフトマスクの製造方法を概略的に示
す。

【００３９】図１（ａ）は、石英基板１１上にクロムか
らなる遮光体膜１４が形成され、更にその上に電子ビー
ム用レジスト１５が塗布されたフォトマスク用ブランク
スの一断面図である。これに、電子ビーム描画装置によ
りマスクパターンを描画し、レジスト１５を現像するこ
とにより、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン
１６が形成される。

【００４０】次に、レジストパターン１６をエッチング
マスクとして用いて、反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）法により、遮光体膜１４をエッチングした後、図１
３（ｃ）に示すように、レジストパターン１６を剥離し
て、遮光体パターン１２を形成する。

【００４１】続いて、ＫＬＡー３３１（ＫＬＡ社製）を
用いて、３６５ｎｍを中心波長にした光源によりマスク
を透過検査し、描画データと比較することにより欠陥検
査を行う。ここで検出される白欠陥は、ＦＩＢを用いた
欠陥修復装置により、欠陥部分に炭素膜を堆積させるこ
とで修復し、黒欠陥は、ＹＡＧレーザを用いた欠陥修復
装置により、欠陥部分にレーザを照射させ、余分なクロ
ムを蒸発させて除去することにより修復する。

【００４２】次に、図１（ｄ）のように、紫外線レジス
ト１７を塗布し、レーザービーム描画装置によりパター
ン描画を行い、さらに、レジスト１７を現像することに
より、図１（ｅ）に示されるレジストパターン１８を形
成する。

【００４３】このレジストパターン１８をエッチングマ
スクとして用いて、ＲＩＥ法により、石英基板１１を所
定の深さだけエッチングして、図１（ｆ）に示すよう
に、位相シフター１３を形成する。次いで、レジストパ
ターン１８を剥離し、欠陥検査を行う。ここで検出され
る石英基板の白欠陥は、ＦＩＢを用いた欠陥修復装置に
より酸化シリコン膜を欠陥領域に堆積させることにより
修復し、黒欠陥は、ＦＩＢを用いた欠陥修復装置により
欠陥領域の石英をスパッタ蒸発させて修復し、図１
（ｇ）に示すように、レベンソン型位相シフトマスク１
０を得る。

【００４４】（第２実施形態）図２に、本発明の第２実
施形態に係るレベンソン型位相シフトマスクの製造方法
を概略的に示す。

【００４５】図２の（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す
ように、第１実施形態と同様にして、石英基板２１上に
遮光体パターン２２を形成し、欠陥検査を行う。ここで
検出される欠陥を第１実施形態と同様にして修復した
後、図２（ｄ）に示すように、ＳＯＧ２９を塗布し、そ
の上に紫外線レジスト２７を塗布する。このレジスト２
７に、レーザービーム描画装置によりパターン描画を行
い、さらに、現像することにより、図２（ｅ）に示すよ
うに、レジストパターン２８を形成する。

【００４６】このレジストパターン２８をエッチングマ
スクとして用いて、ＲＩＥ法によりＳＯＧ２９をエッチ
ングして、図２（ｆ）に示すように、位相シフター２３
を形成する。次いで、レジストパターン２８を剥離し、
欠陥検査を行う。

【００４７】ここで検出されるＳＯＧの白欠陥は、ＦＩ
Ｂを用いた欠陥修復装置により欠陥領域に酸化シリコン
を堆積させて修復し、ＳＯＧの黒欠陥は、ＦＩＢを用い
た欠陥修復装置により欠陥領域のＳＯＧをスパッタ蒸発
させて修復して、図２（ｇ）に示すように、レベンソン
型位相シフトマスク２０を得る。

【００４８】（第３実施形態）図３に、本発明の第３実
施形態に係るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法を概略的に示す。

【００４９】図３（ａ）は、石英基板３１上に、所定の
膜厚の酸化クロムからなる半透明体膜３４が形成され、
更にその上に、電子ビーム用レジスト３５が塗布された
ハーフトーンマスク用ブランクスの一断面図である。こ
れを用いて、図３（ｂ）および（ｃ）に示すように、第
１実施形態と同様にして、石英基板３１上に半透明体パ
ターン３２を形成し、欠陥検査を行う。

【００５０】ここで検出される欠陥を第１実施形態と同
様にして修復した後、図３（ｄ）に示すように、ＳＯＧ
３９を塗布し、その上に紫外線レジスト３７を塗布す
る。このレジスト３７に、レーザービーム描画装置によ
りパターン描画を行い、さらに、現像することにより、
図３（ｅ）に示すように、レジストパターン３８を形成
する。

【００５１】このレジストパターン３８をエッチングマ
スクとして用いて、ＲＩＥ法により、ＳＯＧ３９をエッ
チングして、図３（ｆ）に示すように、位相シフターパ
ターン３３を設け、レジスト３８を剥離し、欠陥検査を
行う。

【００５２】ここで検出されるＳＯＧの欠陥は、第２実
施形態と同様にして修復して、図３（ｇ）に示すよう
に、ハーフトーン型位相シフトマスク３０を得る。以
下、本発明の実施例について説明する。

【００５３】

【実施例】

（実施例１）第１実施形態の方法に従って、レベンソン
型位相シフトマスクを形成した。ここで、フォトマスク
用ブランクスとしては、石英基板上にクロム層が形成さ
れ、その上に膜厚０．３μｍの電子ビーム用レジストが
塗布された通常のものを用いた。また、このフォトマス
ク用ブランクスには、電子ビーム描画装置を加速電圧５
０ｋｅＶで駆動することにより、最小線幅０．７μｍに
なるようにマスクパターンを描画し、反応性イオンエッ
チングには、Ｃｌ₂ ガスとＯ₂ ガスとの混合ガスを用い
た。

【００５４】その結果、位相シフターパターン形成前の
欠陥検査では、白欠陥が３個、黒欠陥が４個検出され、
位相シフターパターン形成後の欠陥検査では、遮光体パ
ターンの欠陥は検出されず、レジストのピンホールが原
因であると考えられる石英基板の穴欠陥が１個検出され
た。

【００５５】上記実施例１で示した製造方法と従来の製
造方法とで製造されるレベンソン型位相シフトマスクの
平均製造期間及び平均単価の比較を行った。ここで、従
来の製造方法は、位相シフター形成前の欠陥検査及び修
復を行わないこと以外は、上記実施例１と同様の方法で
ある。

【００５６】図４に、その結果を示す。この図で、横軸
は製造月を示し、縦軸は位相シフトマスクの平均製造期
間と平均単価を示している。また、破線は、本発明の導
入時期を示し、従って、５月以前のデータは従来の製造
方法によるものであり、それ以降のデータは実施例１の
方法によるものである。

【００５７】図４から明らかなように、本発明の導入に
より、従来の製造方法に比べて、平均製造期間を約２３
％短縮することができ、平均単価を約２５％削減するこ
とができた。

【００５８】（実施例２）第２実施形態の方法に従っ
て、レベンソン型位相シフトマスクを形成した。ここ
で、フォトマスク用ブランクスとしては、実施例１で用
いたのと同じものを用い、また、このフォトマスク用ブ
ランクスには、実施例１と同様のマスクパターンを描画
した。遮光体パターン形成の際の反応性イオンエッチン
グには、Ｃｌ₂ ガスとＯ₂ ガスとの混合ガスを用い、位
相シフターパターン形成の際の反応性イオンエッチング
には、ＣＦ₄ ガスを用いた。

【００５９】その結果、位相シフターパターン形成前の
欠陥検査では、白欠陥が４個、黒欠陥が５個検出され、
位相シフターパターン形成後の欠陥検査では、遮光体パ
ターンの欠陥は検出されず、ＳＯＧエッチング時の異物
が原因と考えられるＳＯＧの黒欠陥が１個検出された。

【００６０】（実施例３）第３実施形態の方法に従っ
て、ハーフトーン型位相シフトマスクを形成した。ここ
で、ハーフトーンマスク用ブランクスとしては、半透明
体の膜の厚さが、波長２４８ｎｍでの透過率が６％とな
るように制御され、電子ビーム用レジストは膜厚が０．
３μｍであるものを用いた。このハーフトーン用ブラン
クスには、実施例１と同様のマスクパターンを描画し
た。遮光体パターン形成の際の反応性イオンエッチング
には、Ｃｌ₂ ガスとＯ₂ ガスとの混合ガスを用い、位相
シフターパターン形成の際の反応性イオンエッチングに
は、ＣＦ₄ ガスを用いた。

【００６１】その結果、位相シフターパターン形成前の
欠陥検査では、白欠陥が４個、黒欠陥が５個検出され、
位相シフターパターン形成後の欠陥検査では、遮光体パ
ターン４２の欠陥は検出されず、ＳＯＧのピンホールが
１個検出された。

【００６２】上記実施例２及び３の位相シフトマスクの
製造においても、実施例１と同様に、大幅に、平均製造
期間を短縮し、平均単価を削減することができた。な
お、上記実施例では、ＲＩＥ法によるエッチングで位相
シフターを形成したが、ケミカルドライエッチング法や
ウエットエッチング法等を用いることもできる。本発明
は上述した実施例に限るものではなく、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
位相シフターパターンを形成する前に、透明基板及び遮
光体パターン又は半透明パターンの欠陥検査及び欠陥の
修復を行うことにより、位相シフトマスクの製造期間を
大幅に短縮し、製造コストを削減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るレベンソン型位相シ
フトマスクの製造方法を示す概略図。

【図２】本発明の一実施形態に係るレベンソン型位相シ
フトマスクの製造方法を示す概略図。

【図３】本発明の一実施形態に係るハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法を示す概略図。

【図４】本発明の一実施例に係る製造方法と従来の製造
方法とで製造されるレベンソン型位相シフトマスクの平
均製造期間及び平均単価を比較したグラフ。

【図５】一般的なレベンソン型位相シフトマスクを示す
断面図。

【図６】図５の（ａ）で示されるタイプのレベンソン型
位相シフトマスクの従来の製造方法を工程順に示す断面
図。

【図７】図５の（ａ）で示されるタイプのレベンソン型
位相シフトマスクの欠陥検査で検出される欠陥を発生原
因別に分類した円グラフ。

【図８】遮光体の欠陥に起因する、図５の（ａ）に示さ
れるタイプの位相シフトマスクの欠陥の一例を示す斜視
図。

【図９】遮光体パターンの欠陥に起因する、図５の
（ａ）に示されるタイプの位相シフトマスクの黒欠陥を
修復する方法を示す概略図。

【図１０】遮光体パターンの欠陥に起因する、図５の
（ａ）に示されるタイプの位相シフトマスクの白欠陥を
修復する方法を示す概略図。

【図１１】図５の（ｂ）に示されるタイプのレベンソン
型位相シフトマスクの従来の製造方法を工程順に示す断
面図。

【図１２】図５の（ｂ）に示されるタイプのレベンソン
型位相シフトマスクの欠陥検査で検出される欠陥を発生
原因別に分類した円グラフ。

【図１３】遮光体の欠陥に起因する、図５の（ｂ）に示
されるタイプの位相シフトマスクの欠陥を修復する方法
を示す概略図。

【符号の説明】

１０…レベンソン型位相シフトマスク １１…石英基板 １２…遮光体パターン １３…位相シフター １４…遮光体膜 １５…レジスト １６…レジストパターン １７…レジスト １８…レジストパターン ２０…レベンソン型位相シフトマスク ２１…石英基板 ２２…遮光体パターン ２３…位相シフター ２４…遮光体膜 ２５…レジスト ２６…レジストパターン ２７…レジスト ２８…ＳＯＧ ３０…ハーフトーン型位相シフトマスク ３１…石英基板 ３２…半透明体パターン ３３…位相シフターパターン ３４…半透明体膜 ３５…レジスト ３６…レジストパターン ３７…レジスト ３８…レジストパターン ３９…ＳＯＧ ５１ａ、５１ｂ…基板 ５２ａ、５２ｂ…遮光体 ５３ａ、５３ｂ…位相シフター ６０…レベンソン型位相シフトマスク ６１…石英基板 ６２…遮光体パターン ６３…位相シフター ６４…レジスト ６５…レジストパターン ８１…基板 ８２…遮光体 ８３…位相シフター ８４…位相シフター欠陥部 ８５…遮光体欠陥部 ９０…レベンソン型位相シフトマスク ９１…基板 ９２…遮光体 ９３…位相シフター ９４…位相シフター欠陥部 ９５…遮光体欠陥部 １００…レベンソン型位相シフトマスク １０１…基板 １０２…遮光体 １０３…位相シフター １０４…位相シフター欠陥部 １０５…遮光体欠陥部 １０６…修復用遮光体 １１１…石英基板 １１２…遮光体パターン １１３…位相シフター １１４…レジスト １１５…レジストパターン １１６…スピンオングラス層 １３０…レベンソン型位相シフトマスク １３１…基板 １３２…遮光体 １３３…位相シフター １３４…遮光体欠陥部 １３５…除去加工部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に遮光体パターン又は半透明
   パターンを形成する工程と、前記遮光体パターン又は半
   透明パターンの欠陥を検査する工程と、欠陥が検出され
   た場合、検出された欠陥を修復する工程と、前記欠陥を
   修復した後、位相シフターを形成して位相シフトマスク
   を得る工程と、得られた位相シフトマスクの欠陥を検査
   する工程と、欠陥が検出された場合、検出された欠陥を
   修復する工程と、を具備する位相シフトマスクの製造方
   法。