JPH07152143A - 位相シフトマスク及びその製造方法並びにその修正方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法並びにその修正方法Info
- Publication number
- JPH07152143A JPH07152143A JP32313293A JP32313293A JPH07152143A JP H07152143 A JPH07152143 A JP H07152143A JP 32313293 A JP32313293 A JP 32313293A JP 32313293 A JP32313293 A JP 32313293A JP H07152143 A JPH07152143 A JP H07152143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- phase shift
- shift mask
- etching stopper
- phase shifter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光特性上の問題のないシフタ−上置き型の
位相シフトマスクの構造において、エッチングストッパ
−層のダメ−ジを防止し、マスク面内の透過率分布を均
一にすることができる位相シフトマスク及びその製造方
法を提供すること並びに欠陥の数が多い場合やマスク全
面で異常が生じている場合にも修正することができる位
相シフタ−層の欠陥修正方法を提供すること。 【構成】 透明基板１上に遮光層２を形成し、これを修
正した後、エッチングストッパ−層３及び位相シフタ−
層４を形成した位相シフトマスクであり、遮光層２の形
成及び修正時にエッチングストッパ−層３にダメ−ジを
与えることがなく、マスク面内の透過率を均一にするこ
とができる。欠陥のある位相シフタ−層及びエッチング
ストッパ−層を除去した後、再びエッチングストッパ−
層３及び位相シフタ−層４を形成することで、欠陥の数
が多い場合やマスク全面で異常が生じている場合に修正
することができる位相シフタ−層の欠陥を修正する。
位相シフトマスクの構造において、エッチングストッパ
−層のダメ−ジを防止し、マスク面内の透過率分布を均
一にすることができる位相シフトマスク及びその製造方
法を提供すること並びに欠陥の数が多い場合やマスク全
面で異常が生じている場合にも修正することができる位
相シフタ−層の欠陥修正方法を提供すること。 【構成】 透明基板１上に遮光層２を形成し、これを修
正した後、エッチングストッパ−層３及び位相シフタ−
層４を形成した位相シフトマスクであり、遮光層２の形
成及び修正時にエッチングストッパ−層３にダメ−ジを
与えることがなく、マスク面内の透過率を均一にするこ
とができる。欠陥のある位相シフタ−層及びエッチング
ストッパ−層を除去した後、再びエッチングストッパ−
層３及び位相シフタ−層４を形成することで、欠陥の数
が多い場合やマスク全面で異常が生じている場合に修正
することができる位相シフタ−層の欠陥を修正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフト層を有する
位相シフトマスク及びその製造方法並びにシフタ−欠陥
の修正法に係る位相シフトマスクの修正方法に関する。
位相シフトマスク及びその製造方法並びにシフタ−欠陥
の修正法に係る位相シフトマスクの修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造方法におけるリソグラフ
ィ技術としては、一般に光リソグラフィが用いられてい
る。そして、半導体素子の高密度・高集積化のために、
光リソグラフィの技術分野においては、これまで主に露
光装置の高ＮＡ化、短波長化が進められ、より微細パタ
−ンの形成が可能となってきており、現在、最小寸法が
0.5μｍ以下の半導体素子の量産も光リソグラフィによ
り可能となっている。
ィ技術としては、一般に光リソグラフィが用いられてい
る。そして、半導体素子の高密度・高集積化のために、
光リソグラフィの技術分野においては、これまで主に露
光装置の高ＮＡ化、短波長化が進められ、より微細パタ
−ンの形成が可能となってきており、現在、最小寸法が
0.5μｍ以下の半導体素子の量産も光リソグラフィによ
り可能となっている。
【０００３】しかし、露光装置の高ＮＡ化、短波長化に
より解像力は向上するものの、反対に焦点深度は減少し
てしまう。そのため、焦点深度の確保がより重要な問題
となってきた。この焦点深度の点から、これまでのよう
な単純な高ＮＡ化、短波長化による解像力の向上は困難
となってきた。
より解像力は向上するものの、反対に焦点深度は減少し
てしまう。そのため、焦点深度の確保がより重要な問題
となってきた。この焦点深度の点から、これまでのよう
な単純な高ＮＡ化、短波長化による解像力の向上は困難
となってきた。
【０００４】そこで近年、解像力及び焦点深度を向上さ
せ光リソグラフィの限界を延ばす方法として、位相シフ
ト法が注目されている。位相シフト法は、10年ほど前か
ら提案されていたが(例えば特開昭57−62052号公報参
照)、位相シフトマスクの製造方法が困難であったため
実用化が遅れていた。
せ光リソグラフィの限界を延ばす方法として、位相シフ
ト法が注目されている。位相シフト法は、10年ほど前か
ら提案されていたが(例えば特開昭57−62052号公報参
照)、位相シフトマスクの製造方法が困難であったため
実用化が遅れていた。
【０００５】この方法は、フォトマスク上の隣接する開
口の一方の上に透明膜を形成し、この透明膜の厚さｔを
“ｔ＝λ／２(ｎ−１)”とすることにより、透過する光
の位相を互いに180度異ならせるものである。ここに、
λは露光光の波長であり、ｎは透明膜の屈折率である。
口の一方の上に透明膜を形成し、この透明膜の厚さｔを
“ｔ＝λ／２(ｎ−１)”とすることにより、透過する光
の位相を互いに180度異ならせるものである。ここに、
λは露光光の波長であり、ｎは透明膜の屈折率である。
【０００６】ところで、位相シフト法を用いない場合、
隣接する開口の間隔が狭くなると、回折により開口間の
本来遮光部となる領域に光が漏れ、隣接する開口が分離
されなくなる。一方、位相シフトマスクでは、隣接する
開口を透過する光の位相が互いに180度異なっているた
め、隣接する開口間で漏れた光が打ち消し合い、遮光領
域を形成する。そのため、より微細な寸法まで分離して
解像することができる。
隣接する開口の間隔が狭くなると、回折により開口間の
本来遮光部となる領域に光が漏れ、隣接する開口が分離
されなくなる。一方、位相シフトマスクでは、隣接する
開口を透過する光の位相が互いに180度異なっているた
め、隣接する開口間で漏れた光が打ち消し合い、遮光領
域を形成する。そのため、より微細な寸法まで分離して
解像することができる。
【０００７】ここで、一般的な位相シフトマスクの製造
方法について、図面を用いて説明する。位相シフトマス
クの構造には主に２種類あるが、まず、位相シフタ−層
を遮光層の上に形成された、いわゆるシフタ−上置き型
の製造法について図５を参照して説明する(前記特開昭5
7−62052号公報参照)。
方法について、図面を用いて説明する。位相シフトマス
クの構造には主に２種類あるが、まず、位相シフタ−層
を遮光層の上に形成された、いわゆるシフタ−上置き型
の製造法について図５を参照して説明する(前記特開昭5
7−62052号公報参照)。
【０００８】図５は、従来の位相シフトマスク(シフタ
−上置き型)の製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。まず図５工程Ａに示すように、透明基
板１上にエッチングストッパ−層３と遮光層２を成膜し
たマスクブランクに感光性樹脂５を塗布し、所定の遮光
パタ−ンを描画する。
−上置き型)の製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。まず図５工程Ａに示すように、透明基
板１上にエッチングストッパ−層３と遮光層２を成膜し
たマスクブランクに感光性樹脂５を塗布し、所定の遮光
パタ−ンを描画する。
【０００９】従来、フォトマスクでは、透明基板１の材
料としては、合成石英が用いられ、また、遮光膜２とし
ては、スパッタ法により成膜されるクロム及び酸化クロ
ムの多層膜が用いられており、位相シフトマスクにおい
ても同様にこれらの材料を使用している。
料としては、合成石英が用いられ、また、遮光膜２とし
ては、スパッタ法により成膜されるクロム及び酸化クロ
ムの多層膜が用いられており、位相シフトマスクにおい
ても同様にこれらの材料を使用している。
【００１０】一方、エッチングストッパ−層３の材料と
しては、次の(1)〜(4)の条件を満たすことが要求され
る。 (1) 位相シフタ−層(SiO2)とのエッチングの選択比が10
以上であること。 (2) 光学定数(ｎ，ｋ)が石英及び位相シフタ−層(いず
れもSiO2)と近いこと(→透過率が高いこと)。 (3) 露光光により変質しないこと(→耐光性)。 (4) 酸及びアルカリにより変質しないこと(→耐薬品
性)。
しては、次の(1)〜(4)の条件を満たすことが要求され
る。 (1) 位相シフタ−層(SiO2)とのエッチングの選択比が10
以上であること。 (2) 光学定数(ｎ，ｋ)が石英及び位相シフタ−層(いず
れもSiO2)と近いこと(→透過率が高いこと)。 (3) 露光光により変質しないこと(→耐光性)。 (4) 酸及びアルカリにより変質しないこと(→耐薬品
性)。
【００１１】上記(1)〜(4)の条件を満たす材料として、
ＩＴＯ、酸化スズ、アルミナ等の金属酸化物あるいはポ
リシリコン、窒化シリコンなどが検討されている。ま
た、これらの材料は一般にスパッタ法により成膜され
る。
ＩＴＯ、酸化スズ、アルミナ等の金属酸化物あるいはポ
リシリコン、窒化シリコンなどが検討されている。ま
た、これらの材料は一般にスパッタ法により成膜され
る。
【００１２】次に、図５工程Ｂに示すように、感光性樹
脂５を現像し、遮光層２をエッチングする。この遮光層
２のエッチングは、従来ウエットエッチングが用いられ
てきたが、遮光層２のパタ−ンの寸法制御の要求が厳し
くなってきているため、Ｃｌ(塩素)系のガスを用いたド
ライエッチングが主に用いられるようになってきた。
脂５を現像し、遮光層２をエッチングする。この遮光層
２のエッチングは、従来ウエットエッチングが用いられ
てきたが、遮光層２のパタ−ンの寸法制御の要求が厳し
くなってきているため、Ｃｌ(塩素)系のガスを用いたド
ライエッチングが主に用いられるようになってきた。
【００１３】次に、遮光層２の検査及び修正を行った
後、図５工程Ｃに示すように、SiO2等の材料を用いて位
相シフタ−層４を形成し、再び感光性樹脂５ａを塗布
し、位相シフタ−のパタ−ン描画を行う。位相シフタ−
層４の形成方法としては、SiO2のスパッタあるいはCVD
のほか、SOGをスピンコ−トする方法も用いられる。
後、図５工程Ｃに示すように、SiO2等の材料を用いて位
相シフタ−層４を形成し、再び感光性樹脂５ａを塗布
し、位相シフタ−のパタ−ン描画を行う。位相シフタ−
層４の形成方法としては、SiO2のスパッタあるいはCVD
のほか、SOGをスピンコ−トする方法も用いられる。
【００１４】続いて、図５工程Ｄに示すように、感光性
樹脂５ａを現像後、Ｃ(炭素)及びＦ(フッ素)を含むガス
を用いたドライエッチングにより、位相シフタ−層４を
パタ−ニングする。そして、感光性樹脂５ａを剥離し、
図５工程Ｅに示すようなシフタ−上置き型の位相シフト
マスクが得られる。
樹脂５ａを現像後、Ｃ(炭素)及びＦ(フッ素)を含むガス
を用いたドライエッチングにより、位相シフタ−層４を
パタ−ニングする。そして、感光性樹脂５ａを剥離し、
図５工程Ｅに示すようなシフタ−上置き型の位相シフト
マスクが得られる。
【００１５】位相シフトマスクには、上記シフタ−上置
き型の位相シフトマスク以外に、位相シフタ−を遮光パ
タ−ンの下に形成した、いわゆるシフタ−下置き型と呼
ばれる構造のものが知られている(例えば特開平2−1817
95号公報参照)。このシフタ−下置き型の位相シフトマ
スクの製造方法について図６を参照して説明する。
き型の位相シフトマスク以外に、位相シフタ−を遮光パ
タ−ンの下に形成した、いわゆるシフタ−下置き型と呼
ばれる構造のものが知られている(例えば特開平2−1817
95号公報参照)。このシフタ−下置き型の位相シフトマ
スクの製造方法について図６を参照して説明する。
【００１６】図６は、従来の位相シフトマスク(シフタ
−下置き型)の製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。まず図６工程Ａに示すように、透明基
板１上にエッチングストッパ−層３、位相シフタ−層４
及び遮光膜２を順次成膜したマスクブランクを作製す
る。そして、感光性樹脂５を塗布し、遮光パタ−ンの描
画を行う。次に、図６工程Ｂに示すように、感光性樹脂
５を現像後、遮光膜２をエッチングする。
−下置き型)の製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。まず図６工程Ａに示すように、透明基
板１上にエッチングストッパ−層３、位相シフタ−層４
及び遮光膜２を順次成膜したマスクブランクを作製す
る。そして、感光性樹脂５を塗布し、遮光パタ−ンの描
画を行う。次に、図６工程Ｂに示すように、感光性樹脂
５を現像後、遮光膜２をエッチングする。
【００１７】その後この感光性樹脂５を剥離し、続いて
図６工程Ｃに示すように、再び感光性樹脂５ａを塗布し
てシフタ−パタ−ンの重ね合わせ描画を行う。そして、
図６工程Ｄに示すように、感光性樹脂５ａを現像後、感
光性樹脂５ａ及び遮光層２をマスクに位相シフタ−層４
をエッチングする。
図６工程Ｃに示すように、再び感光性樹脂５ａを塗布し
てシフタ−パタ−ンの重ね合わせ描画を行う。そして、
図６工程Ｄに示すように、感光性樹脂５ａを現像後、感
光性樹脂５ａ及び遮光層２をマスクに位相シフタ−層４
をエッチングする。
【００１８】最後に感光性樹脂５ａを剥離し、図６工程
Ｅに示すようなシフタ−下置き型の位相シフトマスクを
作製する。なお、このシフタ−下置き型の位相シフトマ
スクと類似した構造のマスクとして、特別な位相シフタ
−層を用いず、直接透明基板をエッチングする基板エッ
チング型の位相シフトマスクも提案されている。
Ｅに示すようなシフタ−下置き型の位相シフトマスクを
作製する。なお、このシフタ−下置き型の位相シフトマ
スクと類似した構造のマスクとして、特別な位相シフタ
−層を用いず、直接透明基板をエッチングする基板エッ
チング型の位相シフトマスクも提案されている。
【００１９】次に、位相シフタ−層の欠陥修正について
説明する。位相シフタ−層の欠陥には、不要な部分に位
相シフタ−層が残ってしまった欠陥と必要な部分が欠け
た欠陥がある。
説明する。位相シフタ−層の欠陥には、不要な部分に位
相シフタ−層が残ってしまった欠陥と必要な部分が欠け
た欠陥がある。
【００２０】まず、不要な部分の位相シフタ−層が残っ
た場合、局所的にその部分をイオンビ−ムにより削る方
法が検討されている。イオンビ−ムの他には、レ−ザ−
光を用いる方法も提案されているが、位相シフタ−層が
透明であるため、レ−ザ−光を照射する前にレ−ザ−光
を吸収する色素を欠陥部分に付着させる等の処理が必要
となる。一方、必要な部分が欠けた欠陥についも、イオ
ンビ−ムを用いて透明材料を欠陥部分にデポさせる方法
が検討されている。
た場合、局所的にその部分をイオンビ−ムにより削る方
法が検討されている。イオンビ−ムの他には、レ−ザ−
光を用いる方法も提案されているが、位相シフタ−層が
透明であるため、レ−ザ−光を照射する前にレ−ザ−光
を吸収する色素を欠陥部分に付着させる等の処理が必要
となる。一方、必要な部分が欠けた欠陥についも、イオ
ンビ−ムを用いて透明材料を欠陥部分にデポさせる方法
が検討されている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の位相シフトマスク(シフタ−上置き型)においては、
マスク面内の透過率分布が一定にならないという問題点
があった。
来の位相シフトマスク(シフタ−上置き型)においては、
マスク面内の透過率分布が一定にならないという問題点
があった。
【００２２】即ち、前記図５に示したシフタ−上置き型
の位相シフトマスクにおいては、遮光膜(遮光層２)のエ
ッチング時に(前記図５工程Ｂ参照)、その下のエッチン
グストッパ−層３も若干エッチングされてしまう。そし
て、この遮光層２のエッチングは、マスク面内において
エッチング速度のばらつきは10％程度とあまり均一性が
良くない。そのため、エッチングストッパ−層３のダメ
−ジ(エッチング深さ及び表面荒れ)もマスク面内で均一
にならず、透過率のばらつきを生じるという問題があっ
た。
の位相シフトマスクにおいては、遮光膜(遮光層２)のエ
ッチング時に(前記図５工程Ｂ参照)、その下のエッチン
グストッパ−層３も若干エッチングされてしまう。そし
て、この遮光層２のエッチングは、マスク面内において
エッチング速度のばらつきは10％程度とあまり均一性が
良くない。そのため、エッチングストッパ−層３のダメ
−ジ(エッチング深さ及び表面荒れ)もマスク面内で均一
にならず、透過率のばらつきを生じるという問題があっ
た。
【００２３】また更に、遮光層２の修正には、通常、イ
オンビ−ムが用いられるが、この際のイオンは、透明基
板１に比べてエッチングストッパ−層３に特に注入され
易く、そのためイオン注入部のエッチングストッパ−層
３の光学定数が変化し、局部的に透過率が低下してしま
うという問題があった。
オンビ−ムが用いられるが、この際のイオンは、透明基
板１に比べてエッチングストッパ−層３に特に注入され
易く、そのためイオン注入部のエッチングストッパ−層
３の光学定数が変化し、局部的に透過率が低下してしま
うという問題があった。
【００２４】一方、前記図６に示したシフタ−下置き型
の位相シフトマスク(及びこれに類似した前記の基板エ
ッチング型の位相シフトマスク)においては、遮光層２
のパタ−ニング及び修正時のエッチングストッパ−層３
のダメ−ジはないものの、露光特性に致命的な問題があ
った。
の位相シフトマスク(及びこれに類似した前記の基板エ
ッチング型の位相シフトマスク)においては、遮光層２
のパタ−ニング及び修正時のエッチングストッパ−層３
のダメ−ジはないものの、露光特性に致命的な問題があ
った。
【００２５】この構造の位相シフトマスクは、遮光パタ
−ンと位相シフタ−のエッジが一致している部分ができ
る。そのため、このマスクを用いて感光性樹脂の塗布さ
れた基板上に投影露光を行うと、そのシフタ−エッジの
効果により、シフタ−をエッチングした部分とシフタ−
をエッチングしていない部分の感光性樹脂のパタ−ンに
大幅な寸法差が生じてしまう。従って、現実的にはこの
構造の位相シフトマスクは実用化されていなかった。
−ンと位相シフタ−のエッジが一致している部分ができ
る。そのため、このマスクを用いて感光性樹脂の塗布さ
れた基板上に投影露光を行うと、そのシフタ−エッジの
効果により、シフタ−をエッチングした部分とシフタ−
をエッチングしていない部分の感光性樹脂のパタ−ンに
大幅な寸法差が生じてしまう。従って、現実的にはこの
構造の位相シフトマスクは実用化されていなかった。
【００２６】本発明は、第１に、上記従来の欠点、問題
点を解消する位相シフトマスク及びその製造方法を提供
することを目的とし、詳細には、露光特性上の問題のな
いシフタ−上置き型の位相シフトマスクの構造におい
て、エッチングストッパ−層のダメ−ジを防止し、マス
ク面内の透過率分布を均一にすることができる位相シフ
トマスク及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
点を解消する位相シフトマスク及びその製造方法を提供
することを目的とし、詳細には、露光特性上の問題のな
いシフタ−上置き型の位相シフトマスクの構造におい
て、エッチングストッパ−層のダメ−ジを防止し、マス
ク面内の透過率分布を均一にすることができる位相シフ
トマスク及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００２７】また、従来の位相シフタ−層の欠陥修正方
法は、前記したとおり、すべて局所的な欠陥修正方法で
あるので、欠陥の数が多くなると現実的には修正不可能
となってしまうという欠点があった。例えば、ブラシ洗
浄で位相シフタ−層が剥離してしまった場合のように、
マスク全面での位相シフタ−層の異常は、従来の局所的
な修正方法では対応できなかった。
法は、前記したとおり、すべて局所的な欠陥修正方法で
あるので、欠陥の数が多くなると現実的には修正不可能
となってしまうという欠点があった。例えば、ブラシ洗
浄で位相シフタ−層が剥離してしまった場合のように、
マスク全面での位相シフタ−層の異常は、従来の局所的
な修正方法では対応できなかった。
【００２８】そこで、本発明は、第２に、欠陥の数が多
い場合やマスク全面で異常が生じている場合にも修正す
ることができる位相シフタ−層の欠陥修正方法(位相シ
フトマスクの修正方法)を提供することを目的とする。
い場合やマスク全面で異常が生じている場合にも修正す
ることができる位相シフタ−層の欠陥修正方法(位相シ
フトマスクの修正方法)を提供することを目的とする。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
ク及びその製造方法は、透明基板上に遮光パタ−ンを形
成した後、エッチングストッパ−層を形成している。そ
のため、遮光パタ−ンの形成及び修正によるエッチング
ストッパ−層のダメ−ジを防止し、透過率のばらつきを
防止でき、前記した本発明の第１の目的とする位相シフ
トマスク及びその製造方法を提供するものである。
ク及びその製造方法は、透明基板上に遮光パタ−ンを形
成した後、エッチングストッパ−層を形成している。そ
のため、遮光パタ−ンの形成及び修正によるエッチング
ストッパ−層のダメ−ジを防止し、透過率のばらつきを
防止でき、前記した本発明の第１の目的とする位相シフ
トマスク及びその製造方法を提供するものである。
【００３０】即ち、本発明の位相シフトマスクは、「透
明基板上に遮光材料による所定の遮光パタ−ンと透明材
料による位相シフタ−層を有する位相シフトマスクにお
いて、前記透明基板及び前記遮光パタ−ンの上に前記位
相シフタ−層のエッチングストッパ−層を有することを
特徴とする位相シフトマスク。」を要旨とする。
明基板上に遮光材料による所定の遮光パタ−ンと透明材
料による位相シフタ−層を有する位相シフトマスクにお
いて、前記透明基板及び前記遮光パタ−ンの上に前記位
相シフタ−層のエッチングストッパ−層を有することを
特徴とする位相シフトマスク。」を要旨とする。
【００３１】また、本発明の位相シフトマスクの製造方
法は、「透明基板上に遮光材料により所定の遮光パタ−
ンを形成した後、前記透明基板上全面にエッチングスト
ッパ−層を形成し、前記エッチングストッパ−層の上に
位相シフタ−層を形成する工程を有することを特徴とす
る位相シフトマスクの製造方法。」を要旨とする。
法は、「透明基板上に遮光材料により所定の遮光パタ−
ンを形成した後、前記透明基板上全面にエッチングスト
ッパ−層を形成し、前記エッチングストッパ−層の上に
位相シフタ−層を形成する工程を有することを特徴とす
る位相シフトマスクの製造方法。」を要旨とする。
【００３２】本発明の位相シフトマスクの修正方法は、
エッチングストッパ−層を一旦除去し、その後再び成膜
する工程を有する。そのため、位相シフタ−の形成をや
り直すことが可能であり、前記した本発明の第２の目的
とする欠陥の数が多い場合やマスク全面で異常が生じて
いる場合にも修正することができる位相シフタ−層の欠
陥修正方法を提供するものである。
エッチングストッパ−層を一旦除去し、その後再び成膜
する工程を有する。そのため、位相シフタ−の形成をや
り直すことが可能であり、前記した本発明の第２の目的
とする欠陥の数が多い場合やマスク全面で異常が生じて
いる場合にも修正することができる位相シフタ−層の欠
陥修正方法を提供するものである。
【００３３】即ち、本発明の位相シフトマスクの修正方
法は、「位相シフタ−層の下にエッチングストッパ−層
を有する位相シフトマスクの修正方法において、位相シ
フタ−層を除去し、エッチングストッパ−層を除去した
後、再びエッチングストッパ−層を成膜し、前記エッチ
ングストッパ−層上に再び位相シフタ−層を形成する工
程を有することを特徴とする位相シフトマスクの修正方
法。」を要旨とする。
法は、「位相シフタ−層の下にエッチングストッパ−層
を有する位相シフトマスクの修正方法において、位相シ
フタ−層を除去し、エッチングストッパ−層を除去した
後、再びエッチングストッパ−層を成膜し、前記エッチ
ングストッパ−層上に再び位相シフタ−層を形成する工
程を有することを特徴とする位相シフトマスクの修正方
法。」を要旨とする。
【００３４】
【実施例】次に、本発明について図１〜図４を参照して
説明する。なお、図１及び図２は、本発明の一実施例
(実施例１)である位相シフトマスク及びその製造方法を
説明するための図であり、図３は、本発明の他の実施例
(実施例２)である位相シフトマスク及びその製造方法を
説明するための図である。また、図４は、本発明の位相
シフトマスクの修正方法に係る一実施例(実施例３)を説
明するための図である。
説明する。なお、図１及び図２は、本発明の一実施例
(実施例１)である位相シフトマスク及びその製造方法を
説明するための図であり、図３は、本発明の他の実施例
(実施例２)である位相シフトマスク及びその製造方法を
説明するための図である。また、図４は、本発明の位相
シフトマスクの修正方法に係る一実施例(実施例３)を説
明するための図である。
【００３５】（実施例１）図１は、本発明の一実施例
(実施例１)である位相シフトマスクを示す断面図であ
る。本実施例１の位相シフトマスクは、図１に示すよう
に、透明基板１上に遮光層２による所定の遮光パタ−
ン、エッチングストッパ−層３及び位相シフタ−層４が
この順序で形成された構造からなる。
(実施例１)である位相シフトマスクを示す断面図であ
る。本実施例１の位相シフトマスクは、図１に示すよう
に、透明基板１上に遮光層２による所定の遮光パタ−
ン、エッチングストッパ−層３及び位相シフタ−層４が
この順序で形成された構造からなる。
【００３６】この構造の位相シフトマスクは、露光特性
上の問題のないシフタ−上置き型であり、特に遮光層２
による所定の遮光パタ−ン上にエッチングストッパ−層
３を形成している。そのため、遮光パタ−ンの形成及び
修正によるエッチングストッパ−層３のダメ−ジを防止
し、透過率のばらつきを防止できるものである。
上の問題のないシフタ−上置き型であり、特に遮光層２
による所定の遮光パタ−ン上にエッチングストッパ−層
３を形成している。そのため、遮光パタ−ンの形成及び
修正によるエッチングストッパ−層３のダメ−ジを防止
し、透過率のばらつきを防止できるものである。
【００３７】次に、この位相シフトマスクの製造方法に
ついて図２を用いて説明する。図２は、前記図１の位相
シフトマスクの製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。
ついて図２を用いて説明する。図２は、前記図１の位相
シフトマスクの製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。
【００３８】まず図２工程Ａに示すように、透明基板１
上に遮光層２を成膜した後、感光性樹脂５を塗布し、所
定のパタ−ンの描画を行う。次に、図２工程Ｂに示すよ
うに、感光性樹脂５を現像し、遮光層２をＣｌ(塩素)を
用いたドライエッチングによりパタ−ニングして所定の
遮光パタ−ンを形成し、続いて、感光性樹脂５を剥離
し、洗浄を行った後、形成した遮光パタ−ンの検査を行
い、その欠陥の修正を行う。
上に遮光層２を成膜した後、感光性樹脂５を塗布し、所
定のパタ−ンの描画を行う。次に、図２工程Ｂに示すよ
うに、感光性樹脂５を現像し、遮光層２をＣｌ(塩素)を
用いたドライエッチングによりパタ−ニングして所定の
遮光パタ−ンを形成し、続いて、感光性樹脂５を剥離
し、洗浄を行った後、形成した遮光パタ−ンの検査を行
い、その欠陥の修正を行う。
【００３９】次に、図２工程Ｃに示すように、Al2O3(10
0オングストロ−ム)をエッチングストッパ−層３として
マスク全面に成膜する。その後、図２工程Ｄに示すよう
に、SOG(3900オングストロ−ム)をスピン・コ−トして
位相シフタ−層４を形成する。そして、再び感光性樹脂
５ａを塗布し、シフタ−パタ−ンの描画を行う。
0オングストロ−ム)をエッチングストッパ−層３として
マスク全面に成膜する。その後、図２工程Ｄに示すよう
に、SOG(3900オングストロ−ム)をスピン・コ−トして
位相シフタ−層４を形成する。そして、再び感光性樹脂
５ａを塗布し、シフタ−パタ−ンの描画を行う。
【００４０】次に、図２工程Ｅに示すように、感光性樹
脂５ａを現像し、位相シフタ−層４をCHF3を用いたドラ
イエッチングによりパタ−ニングする。そして、最後に
感光性樹脂５ａを剥離し、洗浄及び欠陥検査を行い、前
記図１に示した位相シフトマスクを作製する。
脂５ａを現像し、位相シフタ−層４をCHF3を用いたドラ
イエッチングによりパタ−ニングする。そして、最後に
感光性樹脂５ａを剥離し、洗浄及び欠陥検査を行い、前
記図１に示した位相シフトマスクを作製する。
【００４１】なお、上記欠陥検査により位相シフタ−に
欠陥が発見された場合、位相シフタ−層４及びエッチン
グストッパ−層３を除去し、前記図１工程Ｃにおけるエ
ッチングストッパ−層３の成膜から製造をやり直すこと
ができる。
欠陥が発見された場合、位相シフタ−層４及びエッチン
グストッパ−層３を除去し、前記図１工程Ｃにおけるエ
ッチングストッパ−層３の成膜から製造をやり直すこと
ができる。
【００４２】本実施例１では、位相シフタ−層４はフッ
酸により除去でき(SOGと合成石英は、フッ酸により100
以上の選択比でエッチングできるので、透明基板１の保
護膜は特に必要ない)、一方、エッチングストッパ−層
３(Al2O3)は、アルカリ水溶液等で容易に除去できる。
酸により除去でき(SOGと合成石英は、フッ酸により100
以上の選択比でエッチングできるので、透明基板１の保
護膜は特に必要ない)、一方、エッチングストッパ−層
３(Al2O3)は、アルカリ水溶液等で容易に除去できる。
【００４３】一般に、エッチングストッパ−層３の膜厚
は、透過率を確保するために極薄く設定されているの
で、複数回の位相シフタ−層４のエッチングには耐えら
れなかった。そのため、従来の位相シフトマスクにおい
ては、このようにマスク全面の位相シフタ−層４を一旦
除去し、製造をやり直すことが不可能であった。
は、透過率を確保するために極薄く設定されているの
で、複数回の位相シフタ−層４のエッチングには耐えら
れなかった。そのため、従来の位相シフトマスクにおい
ては、このようにマスク全面の位相シフタ−層４を一旦
除去し、製造をやり直すことが不可能であった。
【００４４】これに対して、本発明においては、遮光層
２の上にエッチングストッパ−層３が形成されているの
で、容易にエッチングストッパ−層３が除去でき、位相
シフタ−層４に欠陥が生じてしまった場合にも、位相シ
フタ−層４の形成をやり直すことが可能となっている。
２の上にエッチングストッパ−層３が形成されているの
で、容易にエッチングストッパ−層３が除去でき、位相
シフタ−層４に欠陥が生じてしまった場合にも、位相シ
フタ−層４の形成をやり直すことが可能となっている。
【００４５】（実施例２）図３は、本発明の他の実施例
(実施例２)である位相シフトマスクの製造方法を示す工
程Ａ〜Ｇよりなる工程順断面図である。本実施例２で
は、図３工程Ａに示すように、透明基板１上にSnO2(100
オングストロ−ム)をエッチングストッパ−層３ａとし
て成膜し、その上にクロム(700オングストロ−ム)及び
酸化クロム(300オングストロ−ム)を遮光層２として成
膜したマスクブランク上に感光性樹脂５を塗布し、遮光
パタ−ンの描画を行う。
(実施例２)である位相シフトマスクの製造方法を示す工
程Ａ〜Ｇよりなる工程順断面図である。本実施例２で
は、図３工程Ａに示すように、透明基板１上にSnO2(100
オングストロ−ム)をエッチングストッパ−層３ａとし
て成膜し、その上にクロム(700オングストロ−ム)及び
酸化クロム(300オングストロ−ム)を遮光層２として成
膜したマスクブランク上に感光性樹脂５を塗布し、遮光
パタ−ンの描画を行う。
【００４６】次に、図３工程Ｂに示すように、感光性樹
脂５を現像後、遮光層２をエッチングし遮光パタ−ンを
形成する。そして、感光性樹脂５を剥離し、遮光層２の
検査を行う。ここで、遮光層２に欠陥が発見されたもの
とする。まず黒欠陥の場合、レ−ザ−光線により不要な
部分の遮光膜２を飛ばすことにより修正する。
脂５を現像後、遮光層２をエッチングし遮光パタ−ンを
形成する。そして、感光性樹脂５を剥離し、遮光層２の
検査を行う。ここで、遮光層２に欠陥が発見されたもの
とする。まず黒欠陥の場合、レ−ザ−光線により不要な
部分の遮光膜２を飛ばすことにより修正する。
【００４７】ところで、上記の位相シフトマスクにおい
ては、遮光層２の下にエッチングトストッパ−層３ａが
存在するため、エッチングトストッパ−層３ａも遮光膜
２と一緒にレ−ザ−により除去されてしまう。また、白
欠陥の修正は、その欠陥部分にイオンビ−ムにより炭素
を堆積させ遮光領域を形成する。この際にエッチングス
トッパ−層３ａがイオンビ−ムによりダメ−ジを受け
る。
ては、遮光層２の下にエッチングトストッパ−層３ａが
存在するため、エッチングトストッパ−層３ａも遮光膜
２と一緒にレ−ザ−により除去されてしまう。また、白
欠陥の修正は、その欠陥部分にイオンビ−ムにより炭素
を堆積させ遮光領域を形成する。この際にエッチングス
トッパ−層３ａがイオンビ−ムによりダメ−ジを受け
る。
【００４８】そのため、本実施例２においては、図３工
程Ｃに示すように、遮光層２の修正によりダメ−ジを受
けたエッチングストッパ−層３ａを一旦剥離する。
程Ｃに示すように、遮光層２の修正によりダメ−ジを受
けたエッチングストッパ−層３ａを一旦剥離する。
【００４９】次に、図３工程Ｄに示すように、再びエッ
チングストッパ−層３ｂを成膜し、続いて、図３工程Ｅ
に示すように、位相シフタ−層４を成膜し、感光性樹脂
５ａを塗布し、シフタ−パタ−ンの描画を行う。その
後、図３工程Ｆに示すように、感光性樹脂５ａを現像し
た後、位相シフタ−層４をエッチングする。そして、感
光性樹脂５ａを剥離し、図３工程Ｇに示す位相シフトマ
スクを製造する。
チングストッパ−層３ｂを成膜し、続いて、図３工程Ｅ
に示すように、位相シフタ−層４を成膜し、感光性樹脂
５ａを塗布し、シフタ−パタ−ンの描画を行う。その
後、図３工程Ｆに示すように、感光性樹脂５ａを現像し
た後、位相シフタ−層４をエッチングする。そして、感
光性樹脂５ａを剥離し、図３工程Ｇに示す位相シフトマ
スクを製造する。
【００５０】本実施例２においては、透明基板上にエッ
チングストッパ−層と遮光膜が順次成膜された従来の位
相シフトマスク用ブランク(前記図５工程Ａにおける
“透明基板１、エッチングストッパ−層３及び遮光層２
よりなるマスクブランク”参照)を用いることができる
という利点がある。
チングストッパ−層と遮光膜が順次成膜された従来の位
相シフトマスク用ブランク(前記図５工程Ａにおける
“透明基板１、エッチングストッパ−層３及び遮光層２
よりなるマスクブランク”参照)を用いることができる
という利点がある。
【００５１】（実施例３）図４は、本発明の位相シフト
マスクの修正方法に係る実施例(実施例３)を説明するた
めの図であって、修正工程順“(Ｂ)〜(Ｇ)”に示す断面
図である。本実施例３では、従来の透明基板上にエッチ
ングストッパ−層と遮光膜が順次成膜されたマスクブラ
ンク(前記図５参照)を用いて製造された位相シフトマス
クのシフタ−の欠陥の修正方法について、上記図４を参
照して説明する。
マスクの修正方法に係る実施例(実施例３)を説明するた
めの図であって、修正工程順“(Ｂ)〜(Ｇ)”に示す断面
図である。本実施例３では、従来の透明基板上にエッチ
ングストッパ−層と遮光膜が順次成膜されたマスクブラ
ンク(前記図５参照)を用いて製造された位相シフトマス
クのシフタ−の欠陥の修正方法について、上記図４を参
照して説明する。
【００５２】ここで、図４(Ａ)に示す透明基板１上にエ
ッチングストッパ−層３ａ、遮光層２による所定の遮光
パタ−ン及び位相シフタ−層４がこの順序で形成された
構造からなる位相シフトマスクについて、この位相シフ
トマスクの使用中に、不慮の物理的打撃により位相シフ
タ−層４に同図(Ａ)に示したような欠陥６が発生したと
する。この場合、まず図４(Ｂ)に示すように、マスク全
面の位相シフタ−層４を一旦除去する。
ッチングストッパ−層３ａ、遮光層２による所定の遮光
パタ−ン及び位相シフタ−層４がこの順序で形成された
構造からなる位相シフトマスクについて、この位相シフ
トマスクの使用中に、不慮の物理的打撃により位相シフ
タ−層４に同図(Ａ)に示したような欠陥６が発生したと
する。この場合、まず図４(Ｂ)に示すように、マスク全
面の位相シフタ−層４を一旦除去する。
【００５３】次に、図４(Ｃ)に示すように、遮光層２に
覆われていない部分のエッチングストッパ−層３ａを除
去し、続いて、図４(Ｄ)に示すように、マスク全面にエ
ッチングストッパ−層３ｂを成膜する。次に、図４(Ｅ)
に示すように、位相シフタ−層４を成膜し、感光性樹脂
５を塗布し、シフタ−パタ−ンを描画する。
覆われていない部分のエッチングストッパ−層３ａを除
去し、続いて、図４(Ｄ)に示すように、マスク全面にエ
ッチングストッパ−層３ｂを成膜する。次に、図４(Ｅ)
に示すように、位相シフタ−層４を成膜し、感光性樹脂
５を塗布し、シフタ−パタ−ンを描画する。
【００５４】次に、図４(Ｆ)に示すように、感光性樹脂
５を現像後、位相シフタ−層４をエッチングする。そし
て、この感光性樹脂５を剥離して、図４(Ｇ)に示す欠陥
の修正された位相シフトマスクを得ることができる。
５を現像後、位相シフタ−層４をエッチングする。そし
て、この感光性樹脂５を剥離して、図４(Ｇ)に示す欠陥
の修正された位相シフトマスクを得ることができる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、遮光パタ
−ンの上にエッチングストッパ−層を成膜しているの
で、遮光パタ−ンの形成及び修正の際にエッチングスト
ッパ−層がダメ−ジを受けることがなく、従って、マス
ク面内での透過率を均一にすることができるという効果
が生じる。
−ンの上にエッチングストッパ−層を成膜しているの
で、遮光パタ−ンの形成及び修正の際にエッチングスト
ッパ−層がダメ−ジを受けることがなく、従って、マス
ク面内での透過率を均一にすることができるという効果
が生じる。
【００５６】また、本発明の位相シフタ−の欠陥修正方
法においては、欠陥のある位相シフタ−を除去した後、
エッチングストッパ−層も除去する。そして、エッチン
グストッパ−層を再び成膜することにより、その上に新
たに位相シフタ−を形成し直すことができるという効果
が生じる。従って、本発明の修正方法によれば、欠陥の
数が多い場合及びマスク全面で異常が生じている場合に
も修正することができる効果が生じる。
法においては、欠陥のある位相シフタ−を除去した後、
エッチングストッパ−層も除去する。そして、エッチン
グストッパ−層を再び成膜することにより、その上に新
たに位相シフタ−を形成し直すことができるという効果
が生じる。従って、本発明の修正方法によれば、欠陥の
数が多い場合及びマスク全面で異常が生じている場合に
も修正することができる効果が生じる。
【図１】本発明の一実施例(実施例１)である位相シフト
マスクを示す断面図。
マスクを示す断面図。
【図２】図１の位相シフトマスクの製造方法を示す工程
Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
【図３】本発明の他の実施例(実施例２)である位相シフ
トマスクの製造方法を示す工程Ａ〜Ｇよりなる工程順断
面図。
トマスクの製造方法を示す工程Ａ〜Ｇよりなる工程順断
面図。
【図４】本発明の位相シフトマスクの修正方法に係る実
施例(実施例３)を説明するための図であって、(Ａ)は、
欠陥のある位相シフタ−層を有する位相シフトマスクの
断面図であり、(Ｂ)〜(Ｇ)は、これを修正する工程順断
面図。
施例(実施例３)を説明するための図であって、(Ａ)は、
欠陥のある位相シフタ−層を有する位相シフトマスクの
断面図であり、(Ｂ)〜(Ｇ)は、これを修正する工程順断
面図。
【図５】従来の位相シフトマスク(シフタ−上置き型)の
製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
【図６】従来の位相シフトマスク(シフタ−下置き型)の
製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
１ 透明基板 ２ 遮光層 ３、３ａ、３ｂ エッチングストッパ−層 ４ 位相シフタ−層 ５、５ａ 感光性樹脂 ６ 欠陥
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２８
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に遮光材料による所定の遮光
パタ−ンと透明材料による位相シフタ−層を有する位相
シフトマスクにおいて、前記透明基板及び前記遮光パタ
−ンの上に前記位相シフタ−層のエッチングストッパ−
層を有することを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 透明基板上に遮光材料により所定の遮光
パタ−ンを形成した後、前記透明基板上全面にエッチン
グストッパ−層を形成し、前記エッチングストッパ−層
の上に位相シフタ−層を形成する工程を有することを特
徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 位相シフタ−層の下にエッチングストッ
パ−層を有する位相シフトマスクの修正方法において、
位相シフタ−層を除去し、エッチングストッパ−層を除
去した後、再びエッチングストッパ−層を成膜し、前記
エッチングストッパ−層上に再び位相シフタ−層を形成
する工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの
修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32313293A JP2616416B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 位相シフトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32313293A JP2616416B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 位相シフトマスクの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07152143A true JPH07152143A (ja) | 1995-06-16 |
| JP2616416B2 JP2616416B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=18151448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32313293A Expired - Fee Related JP2616416B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 位相シフトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616416B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100555447B1 (ko) * | 1998-02-17 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| JP2017227824A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0378747A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-03 | Hitachi Ltd | マスク及びマスク製造方法 |
| JPH04258955A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH0580490A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JPH0683026A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光転写用マスクおよびその製造方法 |
| JPH06194820A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP32313293A patent/JP2616416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0378747A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-03 | Hitachi Ltd | マスク及びマスク製造方法 |
| JPH04258955A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH0580490A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JPH0683026A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光転写用マスクおよびその製造方法 |
| JPH06194820A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100555447B1 (ko) * | 1998-02-17 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| JP2017227824A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616416B2 (ja) | 1997-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI388922B (zh) | 圖案形成方法及相位移遮罩的製造方法 | |
| JP4468093B2 (ja) | 階調フォトマスクの製造方法 | |
| JP2007171651A (ja) | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法および階調をもつフォトマスク | |
| KR20070068910A (ko) | 위상 반전 마스크의 임계 치수 보정방법 | |
| JPH06301195A (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
| US20090202925A1 (en) | Photomask defect correction method, photomask manufacturing method, phase shift mask manufacturing method, photomask, phase shift mask, photomask set, and pattern transfer method | |
| JP5085366B2 (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法及びフォトマスクの製造方法 | |
| JP3650055B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP2006251611A (ja) | 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP2003121988A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの欠陥修正方法 | |
| KR101080008B1 (ko) | 하드마스크용 원판 및 이를 이용한 하드마스크 제조방법 | |
| JP2616416B2 (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP2007292822A (ja) | 階調をもつフォトマスクの欠陥修正方法 | |
| JP2786693B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
| US6830853B1 (en) | Chrome mask dry etching process to reduce loading effect and defects | |
| JPH10274839A (ja) | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP3263872B2 (ja) | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその修正方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP3225074B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JPH04368947A (ja) | 位相シフトマスクの作成方法 | |
| KR960001685B1 (ko) | 광학 마스크 및 그의 수정 방법 | |
| KR0152925B1 (ko) | 부분 투과성을 갖는 하프톤 위상반전마스크 제조방법 | |
| JP2892753B2 (ja) | ホトマスクおよびホトマスクの製造方法 | |
| JPH1069063A (ja) | 位相反転マスクの欠陥補正方法 | |
| JPH10333318A (ja) | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 | |
| JPH07219210A (ja) | 位相シフトマスクの欠陥検査方法及び欠陥修正方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |