JPH1069063A - 位相反転マスクの欠陥補正方法 - Google Patents
位相反転マスクの欠陥補正方法Info
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に位相反転層を形成するとき、位相反
転層に欠陥が発生したとき、容易に補正できるようにす
る技術を提供する。 【解決手段】 位相反転層を位相を反転させるより厚く
形成させ、その位相反転層をエッチングしない部分と１
８０゜反転するようにエッチングした部分とを形成させ
る。いずれの箇所に欠陥が生じてもエッチングした部分
とエッチングしなかった部分とをともに位相反転の状態
を保って同じ量だけエッチングして、発生した欠陥を補
正する。
転層に欠陥が発生したとき、容易に補正できるようにす
る技術を提供する。 【解決手段】 位相反転層を位相を反転させるより厚く
形成させ、その位相反転層をエッチングしない部分と１
８０゜反転するようにエッチングした部分とを形成させ
る。いずれの箇所に欠陥が生じてもエッチングした部分
とエッチングしなかった部分とをともに位相反転の状態
を保って同じ量だけエッチングして、発生した欠陥を補
正する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は位相反転マスクに関
するもので、特に位相反転マスクの欠陥補正方法に関す
るものである。
するもので、特に位相反転マスクの欠陥補正方法に関す
るものである。
【０００２】半導体デバイス製造工程でよく用いられる
フォトリソグラフィ工程では、一般に、半導体デバイス
を作ろうとする形状に応じて、光を透光させる部分と光
を遮断する部分とを形成させたフォトマスクを主に使用
している。一般的なフォトマスクは遮光パターンと透光
パターンとから構成されて選択的な露光ができるように
なっているが、遮光パターンのエッジ部で回折現象が発
生するので、パターン密度を増加させるときの解像度の
向上に制限があった。より解像度を向上させるため、位
相反転マスクを用いることが多方面にわたって研究され
てきた。位相反転マスクを用いる技術は、光をそのまま
透光させる透光領域と、光を１８０°反転させて透光さ
せる反転透光領域とを組み合わせて、遮光パターンと透
光領域との境界部で光を相殺干渉させ、光の回折によっ
て解像度が減少するのを防止するようにしたものであ
る。そして、マスク製造技術の発達によって光の位相差
を応用した変形マスク等が登場して光学的解像度をより
向上させることができるようになった。このような位相
反転マスクは、正確なマスクを得るために、欠陥検査及
び欠陥補正をすることになる。位相反転マスクの欠陥発
生はマスクパターン形成工程中に発生するか、或いは基
板や位相反転層のエッチング工程中に発生しやすい。欠
陥発生は位相反転マスクの歩留まりに多くの影響を及ぼ
す要因である。
フォトリソグラフィ工程では、一般に、半導体デバイス
を作ろうとする形状に応じて、光を透光させる部分と光
を遮断する部分とを形成させたフォトマスクを主に使用
している。一般的なフォトマスクは遮光パターンと透光
パターンとから構成されて選択的な露光ができるように
なっているが、遮光パターンのエッジ部で回折現象が発
生するので、パターン密度を増加させるときの解像度の
向上に制限があった。より解像度を向上させるため、位
相反転マスクを用いることが多方面にわたって研究され
てきた。位相反転マスクを用いる技術は、光をそのまま
透光させる透光領域と、光を１８０°反転させて透光さ
せる反転透光領域とを組み合わせて、遮光パターンと透
光領域との境界部で光を相殺干渉させ、光の回折によっ
て解像度が減少するのを防止するようにしたものであ
る。そして、マスク製造技術の発達によって光の位相差
を応用した変形マスク等が登場して光学的解像度をより
向上させることができるようになった。このような位相
反転マスクは、正確なマスクを得るために、欠陥検査及
び欠陥補正をすることになる。位相反転マスクの欠陥発
生はマスクパターン形成工程中に発生するか、或いは基
板や位相反転層のエッチング工程中に発生しやすい。欠
陥発生は位相反転マスクの歩留まりに多くの影響を及ぼ
す要因である。
【０００３】
【従来の技術】従来の位相反転マスク欠陥補正方法を添
付図面を参照して説明する。図１は、従来の位相反転マ
スクの欠陥補正方法の一例を示す断面図である。先ず、
図１（ａ）に示すように、透光性基板１上に一定間隙に
複数個の遮光層パターン２を形成し、遮光層パターン２
の全面にレジスト３を堆積する。図１（ｂ）に示すよう
に、露光及び現像工程でトレンチ形成領域を定めてレジ
スト３をパターニングした後、パターニングされたレジ
スト３をマスクに用いたエッチング工程で透光性基板１
を一定の深さにエッチングして位相反転領域のトレンチ
４を形成する。この時、トレンチ４は遮光層パターン２
の間に、透光性基板１の遮光層パターン２の間に交互に
形成する。このトレンチ４形成工程時、エッチングガス
と透光性基板１との反応による残留物が発生して欠陥領
域５が発生する。
付図面を参照して説明する。図１は、従来の位相反転マ
スクの欠陥補正方法の一例を示す断面図である。先ず、
図１（ａ）に示すように、透光性基板１上に一定間隙に
複数個の遮光層パターン２を形成し、遮光層パターン２
の全面にレジスト３を堆積する。図１（ｂ）に示すよう
に、露光及び現像工程でトレンチ形成領域を定めてレジ
スト３をパターニングした後、パターニングされたレジ
スト３をマスクに用いたエッチング工程で透光性基板１
を一定の深さにエッチングして位相反転領域のトレンチ
４を形成する。この時、トレンチ４は遮光層パターン２
の間に、透光性基板１の遮光層パターン２の間に交互に
形成する。このトレンチ４形成工程時、エッチングガス
と透光性基板１との反応による残留物が発生して欠陥領
域５が発生する。
【０００４】図１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ(Focused
Ion Beam） ６を用いて、前記欠陥領域５の欠陥を選
択的に除去する。図１（ｄ）に示すように、レジスト３
を除去すると、透光性基板１の透光部の一つおきのエッ
チングにより、隣りの透光パターンを通過した光の位相
が反対である位相反転マスクを完成する。
Ion Beam） ６を用いて、前記欠陥領域５の欠陥を選
択的に除去する。図１（ｄ）に示すように、レジスト３
を除去すると、透光性基板１の透光部の一つおきのエッ
チングにより、隣りの透光パターンを通過した光の位相
が反対である位相反転マスクを完成する。
【０００５】次いで、従来の他の例の位相反転マスクの
欠陥補正方法を説明する。図２は従来の他の例の位相反
転マスクの欠陥補正方法を示す断面図である。図２
（ａ）に示すように、ダミー領域１８とメイン領域１９
とに分けられる透光性基板１０上に一定間隙に複数の遮
光層パターン１１を形成する。この時、遮光層パターン
１１はメイン領域１９にのみ形成する。その後、透光性
基板１０の遮光層パターン１１の間の露出された部分に
交互にトレンチ１２を形成する。この時、トレンチ１２
内に完全にエッチングされない部分が発生すると、それ
により欠陥領域１３が発生する。
欠陥補正方法を説明する。図２は従来の他の例の位相反
転マスクの欠陥補正方法を示す断面図である。図２
（ａ）に示すように、ダミー領域１８とメイン領域１９
とに分けられる透光性基板１０上に一定間隙に複数の遮
光層パターン１１を形成する。この時、遮光層パターン
１１はメイン領域１９にのみ形成する。その後、透光性
基板１０の遮光層パターン１１の間の露出された部分に
交互にトレンチ１２を形成する。この時、トレンチ１２
内に完全にエッチングされない部分が発生すると、それ
により欠陥領域１３が発生する。
【０００６】図２（ｂ）に示すように、全面にポリマー
１４、クロム層１５、及びレジスト１６を順次に形成
し、メイン領域１９のトレンチ１２に形成された欠陥領
域１３より広い幅にレジスト１６をパターニングする。
そして、ダミー領域１８のトレンチ形成位置のレジスト
１６にもメイン領域１９と同一なパターニングをする。
この時、ポリマー１４のエッチング選択比は透光性基板
１０のエッチング選択比と同一な条件であるものを選択
する。図２（ｃ）に示すように、前記パターニングされ
たレジスト１６をマスクに用いたエッチング工程でメイ
ン領域１９及びダミー領域１８のクロム層１５及びポリ
マー１４をエッチングする。この時、欠陥領域１３が露
出されるまでエッチングする。そしてレジスト１６を除
去する。
１４、クロム層１５、及びレジスト１６を順次に形成
し、メイン領域１９のトレンチ１２に形成された欠陥領
域１３より広い幅にレジスト１６をパターニングする。
そして、ダミー領域１８のトレンチ形成位置のレジスト
１６にもメイン領域１９と同一なパターニングをする。
この時、ポリマー１４のエッチング選択比は透光性基板
１０のエッチング選択比と同一な条件であるものを選択
する。図２（ｃ）に示すように、前記パターニングされ
たレジスト１６をマスクに用いたエッチング工程でメイ
ン領域１９及びダミー領域１８のクロム層１５及びポリ
マー１４をエッチングする。この時、欠陥領域１３が露
出されるまでエッチングする。そしてレジスト１６を除
去する。
【０００７】図２（ｄ）に示すように、メイン領域１９
の欠陥領域１３をエッチングする。この時、ダミー領域
１８のポリマー１４のエッチング速度と欠陥領域１３の
エッチング速度は、エッチング選択比が同一であるの
で、エッチング速度も同一である。即ち、ダミー領域１
８のポリマーを用いてトレンチ１２内の位相反転の厚さ
だけエッチングされた透光性基板１０が露出されるまで
エッチングする。図２（ｅ）に示すように、最後にポリ
マー１４を除去する。この時、湿式エッチング法で除去
すれば、クロム層１５は自動的に除去される。
の欠陥領域１３をエッチングする。この時、ダミー領域
１８のポリマー１４のエッチング速度と欠陥領域１３の
エッチング速度は、エッチング選択比が同一であるの
で、エッチング速度も同一である。即ち、ダミー領域１
８のポリマーを用いてトレンチ１２内の位相反転の厚さ
だけエッチングされた透光性基板１０が露出されるまで
エッチングする。図２（ｅ）に示すように、最後にポリ
マー１４を除去する。この時、湿式エッチング法で除去
すれば、クロム層１５は自動的に除去される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記したよう
な従来の位相反転マスクの欠陥補正方法におけては、次
のような問題点がある。第１に、ＦＩＢを用いて欠陥領
域だけ除去する方法は、欠陥部位だけを効果的に除去す
ることが難しかった。また、ＦＩＢによる損傷のため位
相反転誤差が発生した。第２に、ダミー領域を用いる欠
陥補正方法におけては、ポリマー、クロム層、及びレジ
ストなどを追加して形成しなければならず、欠陥領域に
対する整列、露光、及び現像工程と同様にエッチング工
程を追加するので、工程が複雑であるだけでなく、特に
集積度が低下するという問題がある。第３に、基板を位
相反転の厚さだけエッチングして位相反転領域を形成す
る工程においては、基板が損傷すると、再作業が困難で
あるという問題点がある。本発明は前記のような従来の
位相反転マスクの欠陥補正方法において発生する問題点
を解決するためになされたものである。
な従来の位相反転マスクの欠陥補正方法におけては、次
のような問題点がある。第１に、ＦＩＢを用いて欠陥領
域だけ除去する方法は、欠陥部位だけを効果的に除去す
ることが難しかった。また、ＦＩＢによる損傷のため位
相反転誤差が発生した。第２に、ダミー領域を用いる欠
陥補正方法におけては、ポリマー、クロム層、及びレジ
ストなどを追加して形成しなければならず、欠陥領域に
対する整列、露光、及び現像工程と同様にエッチング工
程を追加するので、工程が複雑であるだけでなく、特に
集積度が低下するという問題がある。第３に、基板を位
相反転の厚さだけエッチングして位相反転領域を形成す
る工程においては、基板が損傷すると、再作業が困難で
あるという問題点がある。本発明は前記のような従来の
位相反転マスクの欠陥補正方法において発生する問題点
を解決するためになされたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達す
るために、本発明による位相反転マスクの欠陥補正方法
は、基板上に位相反転層を形成するとき、位相反転マー
ジンをおいて、位相反転層に欠陥が発生したとき、容易
に補正できるようにした位相反転マスクの欠陥補正方法
である。具体的には以下の通りである。基板上にエッチ
ングストッパ層及び位相反転層を順次に形成するステッ
プと、前記位相反転層上に複数個のオープン領域を有す
る遮光層パターンを形成するステップと、前記遮光層パ
ターンの間の露出された位相反転層のうち、位相反転領
域を定めるステップと、前記位相反転領域の位相反転層
を位相反転に必要な厚さだけ選択的に除去するステップ
と、そして前記選択的に除去された位相反転層に欠陥が
発生したとき前記遮光層の間の露出された位相反転層を
同時に一定の厚さにエッチングして欠陥を除去するステ
ップとを含む。
るために、本発明による位相反転マスクの欠陥補正方法
は、基板上に位相反転層を形成するとき、位相反転マー
ジンをおいて、位相反転層に欠陥が発生したとき、容易
に補正できるようにした位相反転マスクの欠陥補正方法
である。具体的には以下の通りである。基板上にエッチ
ングストッパ層及び位相反転層を順次に形成するステッ
プと、前記位相反転層上に複数個のオープン領域を有す
る遮光層パターンを形成するステップと、前記遮光層パ
ターンの間の露出された位相反転層のうち、位相反転領
域を定めるステップと、前記位相反転領域の位相反転層
を位相反転に必要な厚さだけ選択的に除去するステップ
と、そして前記選択的に除去された位相反転層に欠陥が
発生したとき前記遮光層の間の露出された位相反転層を
同時に一定の厚さにエッチングして欠陥を除去するステ
ップとを含む。
【００１０】
【発明の実施の形態】このような本発明の実施形態を、
添付図面を参照してより詳細に説明する。図３、４は、
本発明の第１実施形態の位相反転マスクの欠陥補正方法
を示す断面順序図である。先ず、図３（ａ）に示すよう
に、透光性基板２０上にエッチングストッパ層２１、位
相反転層２２、及び遮光層２３を順次に形成する。この
時、位相反転層２２は位相反転が生ずるのに必要な厚さ
をｄとするとき、１.５〜３ｄの範囲に形成する。上記
ｄは以下の式で表される。λは露光源の波長、ｎは位相
反転物質の屈折率である。又、遮光層２３はクロム（Ｃ
ｒ）を使用する。 ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝
添付図面を参照してより詳細に説明する。図３、４は、
本発明の第１実施形態の位相反転マスクの欠陥補正方法
を示す断面順序図である。先ず、図３（ａ）に示すよう
に、透光性基板２０上にエッチングストッパ層２１、位
相反転層２２、及び遮光層２３を順次に形成する。この
時、位相反転層２２は位相反転が生ずるのに必要な厚さ
をｄとするとき、１.５〜３ｄの範囲に形成する。上記
ｄは以下の式で表される。λは露光源の波長、ｎは位相
反転物質の屈折率である。又、遮光層２３はクロム（Ｃ
ｒ）を使用する。 ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝
【００１１】図３（ｂ）に示すように、全面に電子ビー
ム用の第１レジスト２４を形成し、オープン領域の形成
領域のみに選択的に電子ビームを照射する。図３（ｃ）
に示すように、前記第１レジスト２４を現像して第１レ
ジストパターン２４を形成する。その後、第１レジスト
パターン２４をマスクに用いたエッチング工程で透光領
域２５を有する遮光層パターン２３を形成する。この
時、透光領域２５はオープン領域である。
ム用の第１レジスト２４を形成し、オープン領域の形成
領域のみに選択的に電子ビームを照射する。図３（ｃ）
に示すように、前記第１レジスト２４を現像して第１レ
ジストパターン２４を形成する。その後、第１レジスト
パターン２４をマスクに用いたエッチング工程で透光領
域２５を有する遮光層パターン２３を形成する。この
時、透光領域２５はオープン領域である。
【００１２】前記第１レジストパターン２４を除去し、
図４（ｄ）に示すように、全面に第２レジストを形成
し、位相反転領域を形成する領域の第２レジストを選択
的に除去して第２レジストパターン２６を形成する。こ
の時、第２レジストパターン２６は、一つの透光領域２
５とその両隣の遮光層パターン２３とからなるブロック
の間の透光領域を露出させるように形成する。その後、
第２レジストパターン２６をマスクに用いたエッチング
工程で、露出された位相反転層２２を位相反転の厚さ
（ｄ）だけエッチングする。即ち、図３（ａ）において
説明したように ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ の厚さだけエッチングする。したがって、エッチングさ
れた反転透光領域２７は、そこを通る光が透光領域２５
を通る光に対して位相が反転される。エッチングされた
位相反転層２２に欠陥が発生しなかった場合、第２レジ
ストパターン２６を除去して、そのまま位相反転マスク
として用いる。領域２５と領域２７を通る光は位相が反
対になるのは容易に理解できるであろう。
図４（ｄ）に示すように、全面に第２レジストを形成
し、位相反転領域を形成する領域の第２レジストを選択
的に除去して第２レジストパターン２６を形成する。こ
の時、第２レジストパターン２６は、一つの透光領域２
５とその両隣の遮光層パターン２３とからなるブロック
の間の透光領域を露出させるように形成する。その後、
第２レジストパターン２６をマスクに用いたエッチング
工程で、露出された位相反転層２２を位相反転の厚さ
（ｄ）だけエッチングする。即ち、図３（ａ）において
説明したように ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ の厚さだけエッチングする。したがって、エッチングさ
れた反転透光領域２７は、そこを通る光が透光領域２５
を通る光に対して位相が反転される。エッチングされた
位相反転層２２に欠陥が発生しなかった場合、第２レジ
ストパターン２６を除去して、そのまま位相反転マスク
として用いる。領域２５と領域２７を通る光は位相が反
対になるのは容易に理解できるであろう。
【００１３】ところで、図４（ｄ）に示すように、反転
透光領域２７の位相反転層２２にエッチング残留物が発
生するか、或いは位相反転層２２に損傷が生ずる等の欠
陥領域２８が発生されたと仮定する。その場合、図４
（ｅ）に示すように、第２レジストパターン２６を除去
して、透光領域２５の位相反転層２２及び反転透光領域
２７の位相反転層２２を同時に乾式エッチングする。こ
の時、エッチングストッパ層２１をエッチング終点に用
いる。図４（ｆ）に示すように、反転透光領域２７の位
相反転層２２に形成された欠陥領域２８は除去され、同
時に、遮光領域の間の透光領域２５が位相反転の厚さ
（ｄ）だけ残してエッチングされ、結局、隣接パターン
とは位相反転の厚さ（ｄ）をそのままに維持した位相反
転マスクが形成される。そして、透光領域２５の位相反
転層２２に欠陥が発生しても、同様な方法で、遮光層パ
ターン２３の間の露出された位相反転層２２を同時にエ
ッチングして欠陥を除去する。
透光領域２７の位相反転層２２にエッチング残留物が発
生するか、或いは位相反転層２２に損傷が生ずる等の欠
陥領域２８が発生されたと仮定する。その場合、図４
（ｅ）に示すように、第２レジストパターン２６を除去
して、透光領域２５の位相反転層２２及び反転透光領域
２７の位相反転層２２を同時に乾式エッチングする。こ
の時、エッチングストッパ層２１をエッチング終点に用
いる。図４（ｆ）に示すように、反転透光領域２７の位
相反転層２２に形成された欠陥領域２８は除去され、同
時に、遮光領域の間の透光領域２５が位相反転の厚さ
（ｄ）だけ残してエッチングされ、結局、隣接パターン
とは位相反転の厚さ（ｄ）をそのままに維持した位相反
転マスクが形成される。そして、透光領域２５の位相反
転層２２に欠陥が発生しても、同様な方法で、遮光層パ
ターン２３の間の露出された位相反転層２２を同時にエ
ッチングして欠陥を除去する。
【００１４】次いで、本発明の第２実施形態による位相
反転マスクの欠陥補正方法を説明すれば、次の通りであ
る。図５、６は、本発明の第２実施形態による位相反転
マスクの欠陥補正方法を示す断面順序図である。先ず、
図５（ａ）に示すように、透光性基板３０上にエッチン
グストッパ層３１、位相反転層３２、及び第１レジスト
３３を順次に形成する。この時、位相反転層３２は位相
反転が生ずるのに必要な厚さをｄとするとき、１.５ 〜
３ｄの範囲に形成する。ｄは下記の厚さである。λは露
光源の波長であり、ｎは位相反転物質の屈折率である。
又、第１レジストは無機質レジストを用いる。 ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝
反転マスクの欠陥補正方法を説明すれば、次の通りであ
る。図５、６は、本発明の第２実施形態による位相反転
マスクの欠陥補正方法を示す断面順序図である。先ず、
図５（ａ）に示すように、透光性基板３０上にエッチン
グストッパ層３１、位相反転層３２、及び第１レジスト
３３を順次に形成する。この時、位相反転層３２は位相
反転が生ずるのに必要な厚さをｄとするとき、１.５ 〜
３ｄの範囲に形成する。ｄは下記の厚さである。λは露
光源の波長であり、ｎは位相反転物質の屈折率である。
又、第１レジストは無機質レジストを用いる。 ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝
【００１５】図５（ｂ）に示すように、第１レジスト３
３の全面に不純物含有層３４を形成する。この不純物含
有層３４は銀（Ａｇ）を含有している。その後、電子線
直接描畫法で遮光層パターンの形成領域のみに選択的に
電子ビームを照射する。従って、図５（ｃ）に示すよう
に、電子ビームが選択的に照射された第１レジスト３３
内に不純物含有層３４の銀（Ａｇ）が選択的に拡散され
て遮光層パターン３５が形成される。
３の全面に不純物含有層３４を形成する。この不純物含
有層３４は銀（Ａｇ）を含有している。その後、電子線
直接描畫法で遮光層パターンの形成領域のみに選択的に
電子ビームを照射する。従って、図５（ｃ）に示すよう
に、電子ビームが選択的に照射された第１レジスト３３
内に不純物含有層３４の銀（Ａｇ）が選択的に拡散され
て遮光層パターン３５が形成される。
【００１６】図５（ｄ）に示すように、酸とアルカリ溶
液で、不純物含有層３４と第１レジスト３３を順次に除
去して透光領域３６を形成する。この透光領域３６はオ
ープン領域である。図６（ｅ）に示すように、全面に第
２レジストを形成し、位相反転領域を形成する部分の第
２レジストを選択的に除去して第２レジストパターン３
７を形成する。この第２レジストパターン３７は前記の
実施形態と同じに一つのオープン領域の両隣の遮光層パ
ターン３５をブロックとして、そのブロックの間のオー
プン領域の位相反転層を露出させる。その後、第２レジ
ストパターン３７をマスクに用いたエッチング工程で露
出された位相反転層３２を位相反転の厚さ（ｄ）だけエ
ッチングする。そのエッチング深さｄは図５（ａ）にお
いて説明した ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ である。このエッチングされた位相反転層３２は、領域
３８を通る光の位相と領域３６を通る光の位相とが１８
０°反転させる。先の例と同様に、エッチングされた位
相反転層３２に欠陥が発生しなかった場合、第２レジス
トパターン３７を除去してそのまま位相反転マスクとし
て用いる。
液で、不純物含有層３４と第１レジスト３３を順次に除
去して透光領域３６を形成する。この透光領域３６はオ
ープン領域である。図６（ｅ）に示すように、全面に第
２レジストを形成し、位相反転領域を形成する部分の第
２レジストを選択的に除去して第２レジストパターン３
７を形成する。この第２レジストパターン３７は前記の
実施形態と同じに一つのオープン領域の両隣の遮光層パ
ターン３５をブロックとして、そのブロックの間のオー
プン領域の位相反転層を露出させる。その後、第２レジ
ストパターン３７をマスクに用いたエッチング工程で露
出された位相反転層３２を位相反転の厚さ（ｄ）だけエ
ッチングする。そのエッチング深さｄは図５（ａ）にお
いて説明した ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ である。このエッチングされた位相反転層３２は、領域
３８を通る光の位相と領域３６を通る光の位相とが１８
０°反転させる。先の例と同様に、エッチングされた位
相反転層３２に欠陥が発生しなかった場合、第２レジス
トパターン３７を除去してそのまま位相反転マスクとし
て用いる。
【００１７】しかし、図６（ｅ）に示すように、反転透
光領域３８の位相反転層３２にエッチング残留物が残る
か、或いは位相反転層３２に損傷が生ずる等の欠陥領域
３９が発生された場合、図６（ｆ）に示すように、第２
フォトレジストパターン３７を除去して、図６（ｇ）の
ように透光領域３６の位相反転層３２及び反転透光領域
３８の位相反転層３２を同時に乾式エッチングする。こ
の時、エッチングストッパ層３１をエッチング終点に用
いる。図６（ｇ）に示すように、反転透光領域３９の位
相反転層３２に形成された欠陥領域３９は除去され、隣
接パターンとは位相反転の厚さ（ｄ）をそのままに維持
した位相反転マスクが形成される。この時、透光領域３
６の位相反転層３２に欠陥が発生しても、同様な方法
で、遮光層パターン３５の間の露出された位相反転層３
２を同時にエッチングして欠陥を除去する。
光領域３８の位相反転層３２にエッチング残留物が残る
か、或いは位相反転層３２に損傷が生ずる等の欠陥領域
３９が発生された場合、図６（ｆ）に示すように、第２
フォトレジストパターン３７を除去して、図６（ｇ）の
ように透光領域３６の位相反転層３２及び反転透光領域
３８の位相反転層３２を同時に乾式エッチングする。こ
の時、エッチングストッパ層３１をエッチング終点に用
いる。図６（ｇ）に示すように、反転透光領域３９の位
相反転層３２に形成された欠陥領域３９は除去され、隣
接パターンとは位相反転の厚さ（ｄ）をそのままに維持
した位相反転マスクが形成される。この時、透光領域３
６の位相反転層３２に欠陥が発生しても、同様な方法
で、遮光層パターン３５の間の露出された位相反転層３
２を同時にエッチングして欠陥を除去する。
【００１８】
【発明の効果】上述したような本発明の位相反転マスク
の欠陥補正方法においては、次のような効果がある。第
１に、位相反転層を形成するとき、位相反転を生じさせ
る厚さより厚く位相反転層を形成して、欠陥発生時には
そのまま位相反転層をエッチングするだけであるので、
補正が容易である。第２に、透光領域と位相反転させた
領域のいずれに欠陥が発生しても同じく所定の厚さエッ
チングするだけで欠陥がなおるので補正が容易である。
第３に、パターン間の位相差をそのままに維持して補正
できるので、安定した信頼度を提供できる。第４に、遮
光層パターンを、銀（Ａｇ）が含有された無機質レジス
トを用いて形成させれば、位相反転層との選択比が高い
ので、欠陥補正が容易である。第５に、基板上にエッチ
ングストッパ層を形成すれば、欠陥補正のためのエッチ
ング工程中の損傷を防ぐことができる。
の欠陥補正方法においては、次のような効果がある。第
１に、位相反転層を形成するとき、位相反転を生じさせ
る厚さより厚く位相反転層を形成して、欠陥発生時には
そのまま位相反転層をエッチングするだけであるので、
補正が容易である。第２に、透光領域と位相反転させた
領域のいずれに欠陥が発生しても同じく所定の厚さエッ
チングするだけで欠陥がなおるので補正が容易である。
第３に、パターン間の位相差をそのままに維持して補正
できるので、安定した信頼度を提供できる。第４に、遮
光層パターンを、銀（Ａｇ）が含有された無機質レジス
トを用いて形成させれば、位相反転層との選択比が高い
ので、欠陥補正が容易である。第５に、基板上にエッチ
ングストッパ層を形成すれば、欠陥補正のためのエッチ
ング工程中の損傷を防ぐことができる。
【図１】 従来の一例の位相反転マスクの欠陥補正方法
を示す断面順序図である。
を示す断面順序図である。
【図２】 従来の他の一例の位相反転マスクの欠陥補正
方法を示す断面順序図である。
方法を示す断面順序図である。
【図３】 本発明の第１実施形態の位相反転マスクの欠
陥補正方法を示す断面順序図である。
陥補正方法を示す断面順序図である。
【図４】 本発明の第１実施形態の位相反転マスクの欠
陥補正方法を示す断面順序図である。
陥補正方法を示す断面順序図である。
【図５】 本発明の第２実施形態の位相反転マスクの欠
陥補正方法を示す断面順序図である。
陥補正方法を示す断面順序図である。
【図６】 本発明の第２実施形態の位相反転マスクの欠
陥補正方法を示す断面順序図である。
陥補正方法を示す断面順序図である。
２０、３０ 透光性基板 ２１、３１ エッチングストッパ層 ２２、３２ 位相反転層 ２３、３５ 遮光層パターン ２４ 第１レジストパターン ２５、３６ 透光領域 ２６、３７ 第１レジストパターン ２７、３８ 反転透光領域 ２８、３９ 欠陥領域 ３３ 第１レジスト ３４ 不純物含有層
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上にエッチングストッパ層及び位相
反転層を順次に形成するステップと、 前記位相反転層上に複数のオープン領域を有する遮光層
パターンを形成するステップと、 前記遮光層パターンの間の露出された位相反転層のう
ち、位相反転領域を決めるステップと、 前記位相反転領域の位相反転層を位相反転させる厚さだ
け選択的に除去するステップと、 前記選択的に除去された位相反転層に欠陥が発生したと
き、前記遮光層の間の露出された位相反転層を同時に一
定の厚さだけエッチングして欠陥を除去するステップと
を有することを特徴とする位相反転マスクの欠陥補正方
法。 - 【請求項２】 前記位相反転領域はオープン領域と交互
に形成されることを特徴とする請求項１記載の位相反転
マスクの欠陥補正方法。 - 【請求項３】 前記位相反転層はＳＯＧ或いはＳｉＯ2
のうちのいずれか１つを用いて形成することを特徴とす
る請求項１記載の位相反転マスクの欠陥補正方法。 - 【請求項４】 前記位相反転層を同時にエッチングする
とき、乾式エッチング法でエッチングすることを特徴と
する請求光１記載の位相反転マスクの欠陥補正方法。 - 【請求項５】 基板上にエッチングストッパ層、位相反
転層、遮光層、及びフォトレジストを順次に形成するス
テップと、 電子ビームマスクを用いた露光及び現像工程で電子ビー
ム用レジストをパターニングするステップと、 前記パターニングされた電子ビーム用レジストをマスク
に用いて前記遮光層をエッチングして、オープン領域を
有する遮光層パターンに形成するステップと、 前記位相反転層のオープン領域のうち位相反転領域とす
る箇所を決めるステップと、 前記位相反転領域の位相反転層を位相を反転させる厚さ
だけ選択的に除去するステップと、 前記選択的に除去された位相反転層に欠陥が発生した場
合、前記遮光層の間の露出された位相反転層を同時に一
定の厚さだけエッチングして欠陥を除去するステップと
を有することを特徴とする位相反転マスクの欠陥補正方
法。 - 【請求項６】 基板上にエッチングストッパ層、位相反
転層、レジスト、及び不純物含有層を順次に形成するス
テップと、 遮光層パターン領域に選択的に電子線を照射して不純物
含有層の不純物をレジストに拡散させて遮光層パターン
を形成するステップと、 前記遮光層パターンを除外した不純物含有層及びレジス
トを除去して位相反転層を露出させるステップと、 前記位相反転層のうち、位相を反転させる領域を決める
ステップと、 前記位相反転領域の位相反転層を位相反転の厚さだけ選
択的に除去するステップと、 前記選択的に除去された位相反転層に欠陥が発生したと
き、前記遮光層の間の露出された位相反転層を同時に一
定の厚さだけエッチングして欠陥を除去するステップと
を有することを特徴とする位相反転マスクの欠陥補正方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024698A KR0166854B1 (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 위상반전 마스크의 결함 수정방법 |
| KR24698/1996 | 1996-06-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1069063A true JPH1069063A (ja) | 1998-03-10 |
| JP2976193B2 JP2976193B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=19464013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16843197A Expired - Fee Related JP2976193B2 (ja) | 1996-06-27 | 1997-06-25 | 位相反転マスクの欠陥補正方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5922217A (ja) |
| JP (1) | JP2976193B2 (ja) |
| KR (1) | KR0166854B1 (ja) |
| DE (1) | DE19636751B4 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482102B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask having a monitoring pattern with an asymmetrical diffraction grating that includes semi-transparent probing-phase shifters |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3912949B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2007-05-09 | 株式会社東芝 | フォトマスクの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR100818998B1 (ko) | 2006-09-01 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 결함이 수정된 포토마스크 및 포토마스크의 결함 수정 방법 |
| KR101656456B1 (ko) | 2009-10-30 | 2016-09-12 | 삼성전자주식회사 | 하프톤형 위상반전 블랭크 포토마스크와 하프톤형 위상반전 포토마스크 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2922715B2 (ja) * | 1992-06-02 | 1999-07-26 | 三菱電機株式会社 | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 |
| TW284911B (ja) * | 1992-08-18 | 1996-09-01 | At & T Corp | |
| JP3015646B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2000-03-06 | 株式会社東芝 | 位相シフトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024698A patent/KR0166854B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-09-10 DE DE19636751A patent/DE19636751B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-20 US US08/859,261 patent/US5922217A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-25 JP JP16843197A patent/JP2976193B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482102B2 (en) | 2003-08-27 | 2009-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask having a monitoring pattern with an asymmetrical diffraction grating that includes semi-transparent probing-phase shifters |
| US8068213B2 (en) | 2003-08-27 | 2011-11-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask, method of lithography, and method for manufacturing the photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19636751A1 (de) | 1998-01-02 |
| KR0166854B1 (ko) | 1999-01-15 |
| DE19636751B4 (de) | 2005-08-04 |
| JP2976193B2 (ja) | 1999-11-10 |
| US5922217A (en) | 1999-07-13 |
| KR980003795A (ko) | 1998-03-30 |
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