KR100818998B1 - 결함이 수정된 포토마스크 및 포토마스크의 결함 수정 방법 - Google Patents

결함이 수정된 포토마스크 및 포토마스크의 결함 수정 방법 Download PDF

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Abstract

고강도의 팁으로 결함을 물리적으로 제거함으로써 결함이 수정된 포토마스크 및 결함 수정 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크는 투명한 기판 상에 존재하는 결함이 고강도의 팁으로 물리적으로 제거되어 결함이 수정되고, 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법은, 디프레션 결함이 발생된 포토마스크의 투명한 기판 상에, 디프레션 결함을 덮는 보호막을 형성하고, 보호막을 식각 마스크로 하여 포토마스크 투명한 기판을 소정의 깊이로 식각하고, 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 것을 포함한다.
포토마스크, 결함 수정

Description

결함이 수정된 포토마스크 및 포토마스크의 결함 수정 방법{Defect repaired photomask and method for repairing defects}
도 1a 내지 1e는 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2a 내지 2d는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3a 내지 3g는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 실시예에 의한 포토마스크의 결함을 수정하는 과정에서 촬영한 포토마스크의 탑 뷰(top view) 이미지 사진들이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100, 200, 300: 포토마스크
110, 210, 310, 410: 투명한 기판
120, 220, 320, 420: 광학 패턴
130, 230, 330, 430: 결함
140, 340: 보호막
150: 탑 형태의 결함
350: 계단 형태의 결함
M: 결함 수정기 T: 팁
R: 이온빔 건 I: 이온빔
본 발명은 결함이 수정된 포토마스크 및 그 결함 수정 방법에 관한 것으로서 특히 미세한 팁을 이용하여 결함부를 물리적으로 수정한 포토마스크 및 그 수정 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 구성 요소인 여러 가지 패턴들을 형성할 수 있도록 기본적인 패턴 형상을 구현하는 공정이다. 따라서, 포토리소그래피 공정은 반도체 소자에서 각 패턴을 형성할 때 가장 먼저 시작되고 또 가장 중요한 공정이다. 이 포토리소그래피 공정은 정확한 패턴 정보를 가진 포토마스크를 확보하는 것이 가장 중요하다고 할 수 있다. 그러나 정확한 패턴 정보를 가진 포토마스크를 확보하는 일은 매우 어려운 일이다. 기본적으로 포토마스크에 구현되는 패턴 정보의 정확성 이외에도, 포토마스크는 항상 발생되는 여러 가지 결함 때문에 부정확한 패턴 정보를 제공하기 때문이다. 특히 포토마스크의 투명한 기판 상에 결함이 발생하였을 경우 직접적으로 반도체 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는데 영향을 미친다. 포토마스크의 투명한 기판은 빛을 직접적으로 투과시키는 영역이기 때문에 결함 자체가 그대로 광학 이미지로 구현되어 웨이퍼 상에 나타난다. 결함이 발생하지 않은 포토마스크를 얻는 일은 매우 희박하므로 대다수의 포토마스크들은 어느 정도의 결함은 결함 수정 공정을 수행하여 결함을 치유한 다음 사용된다.
투명한 기판에 발생하는 결함으로는 다크 결함과 클리어 결함이 있는데, 투명한 기판 상에 발생되는 불투명한 결함을 다크 결함이라 하고, 투명 기판이 자체적으로 평탄하지 못한 표면을 갖는 경우를 클리어 결함이라 할 수 있다. 다크 결함은 광학 패턴 등이 충분히 패터닝 되거나 제거되지 못하고 투명 기판 상에 남아있는 경우와 이물질이 투명한 기판 상에 존재하는 경우가 있다. 클리어 결함은 투명한 기판이 자체적으로 결함을 가지고 있는 경우라 할 수 있으며, 예를 들어 디프레션 결함 및 프로트루전 결함 등이 있다. 디프레션 결함은 투명한 기판이 이상적인 경우보다 아래쪽으로 꺼지거나 패인 결함을 말하고, 프로트루전 결함은 투명한 기판이 이상적인 경우보다 위쪽으로 솟거나 돌출된 결함을 말한다.
이러한 포토마스크의 결함들은 이온빔 또는 레이저를 이용하여 수정하게 된다. 이온빔을 사용하는 경우, 갈륨을 소스로 하는 이온빔으로 결함부를 깎아 내거나 카본층으로 결함부를 덮는 공정을 수행하게 된다. 레이저를 이용하는 경우, 초점을 결함부에 맞추어 적정 시간 조사함으로써 결함부를 기화시켜 수정하게 된다. 또는 투명한 기판 자체를 리세스되도록 식각하여 결함을 치유하기도 한다.
그런데, 포토마스크의 결함 수정 공정은 매우 정교한 제어가 필요하다. 이온빔을 사용하건 레이저를 사용하건 기판을 식각하건, 수정 공정들은 모두 포토마스크의 투명 기판에 결함을 수정하고 난 흔적을 남긴다. 투명한 기판 상에 발생되었던 다크 결함을 이온빔 또는 레이저로 제거하고 나면 그 다크 결함의 외곽 부분이 상대적으로 얇은 두께의 결함이었기 때문에 필연적으로 투명 기판에 수정한 자국을 남기게 되는데, 그 중 한 현상이 리버 베드(river bed)라 불리는 현상이다. 기타, 이온빔 및 레이저를 이용한 수정 공정에 대해서는 잘 알려져 있으므로 더 이상의 상세한 설명을 생략한다.
과거에는 이온빔 또는 레이저 수정 공정 후 투명 기판 상에 남는 수정 자국이 별반 문제되지 않았으나, 반도체 소자가 점차 고집적화되면서, 이제는 미세한 결함도 소자에 미치는 영향이 무시할 수 없게 되었다. 즉, 이온빔 또는 레이저를 이용한 포토마스크의 결함 수정 공정 후, 남게 되는 수정 자국이 매우 심각한 결함으로 대두되고 있다.
이렇게 결함이 발생된 포토마스크는 반도체 제조 공정에 사용되지 못하고 버려진다. 포토마스크 자체가 고가이므로 포토마스크가 사용되지 못하고 버려진다면 큰 경제적 손실이다. 또한, 적시에 포토마스크를 반도체 제조 공정에 투입하지 못하므로 반도체 제조 공정에도 타격을 주게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 결함을 수정한 포토마스크를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 포토마스크의 결함을 수정하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확 하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 결함이 수정된 포토마스크는, 투명한 기판 상에 존재하는 결함이 고강도의 팁으로 물리적으로 제거되어 결함이 수정된 포토마스크이다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법은, 디프레션 결함이 발생된 포토마스크의 투명한 기판 상에, 디프레션 결함을 덮는 보호막을 형성하고, 보호막을 식각 마스크로 하여 포토마스크 투명한 기판을 소정의 깊이로 식각하고, 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 것을 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법은, 프로트루전 결함이 발생된 포토마스크의 투명한 기판을 소정의 깊이로 식각하고, 프로트루전 결함을 고강도의 팁을 이용하여 물리적으로 제거하는 것을 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법은, 다크 결함이 발생된 포토마스크의 투명한 기판 상에, 다크 결함을 제거하고, 다크 결함을 제거한 자리에 보호막을 형성하고, 보호막을 식각 마스크로 하여 포토마스크의 투명한 기판을 소정의 깊이로 식각하고, 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 것을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있 다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
본 명세서에서 빛이라 함은 반도체 소자를 제조하는 포토리소그래피 공정에서 사용되는 빛을 말한다. 예를 들어, g-line, i-line, KrF lase, ArF eximer laer 등을 포함하는 모든 빛을 포괄한다.
이하, 본 발명의 다양한 실시예들에 의한 포토마스크의 다양한 결함을 수정 하는 방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 1a 내지 1e는 본 발명의 일 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1a를 참조하면, 일면에 광학 패턴(120)이 형성된 포토마스크(100)의 투명한 기판(110a) 상에 디프레션 결함(130)이 발생되어 있다.
본 실시예에서, 포토마스크(100)는 예를 들어 반도체 소자 또는 LCD 패널 등을 제조하기 위한 포토리소그래피 공정에 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 바이너리형(binary type) 포토마스크로 설명하지만 위상 반전 마스크(PSM: Phase Shift Mask)일 수 있다. 위상 반전 마스크일 경우, 광학 패턴(120)이 빛을 약하게 투과시키며 투과한 빛의 위상을 이동시키는 위상 반전 패턴일 수도 있고, 투명한 기판(110a)을 적절한 깊이로 식각하여 투명한 기판(110a)을 투과한 빛이 위상 반전되도록 하는 기판 식각형 포토마스크일 수 있다. 그러므로, 본 발명의 범주에는 투명한 기판(110a)이 빛에 노출되는 모든 포토마스크들이 포함되는 것으로 이해하여야 한다.
투명한 기판(110a)은 빛에 투명한 재질로서 유리 또는 퓨즈드 실리카(fused silica) 등의 고순도 석영으로 제조될 수 있다.
광학 패턴(120)은 빛에 불투명한 재질로서 포토마스크(100)를 투과한 빛이 광학적 이미지를 형성할 수 있도록 한다. 본 실시예에서 광학 패턴(120)은 크롬으로 형성될 수 있고, 상부에 크롬 산화막이 더 형성될 수 있다. 광학 패턴(120)은 크롬 외에도 알루미늄이나 몰리브덴 같은 다른 금속으로 형성될 수 있다. 또한 크 롬 산화막 대신 다른 금속 화합물이 형성될 수 있다. 또한 광학 패턴(120)은 위상 반전 패턴일 수 있다. 위상 반전 패턴일 경우 예를 들어 몰리브덴-실리콘 화합물(일반적으로 MoSi 계열 화합물이라 한다)일 수 있다. 즉, MoSi, MoSiN, MoSiON 등을 비롯한 다양한 화합물일 수 있다.
디프레션 결함(130)은 투명한 기판(110a)의 표면이 주변보다 낮은 모든 결함을 통칭한다. 예를 들어, 홀, 트렌치, 긁힌 자국, 패인 자국 또는 눌린 자국 등을 비롯한 모든 결함을 통칭한다.
도 1b를 참조하면, 디프레션 결함(130)을 덮는 보호막(140)을 형성한다. 보호막(140)은 예를 들어 카본막 일수 있다. 보호막(140)은 잘 알려진 포토마스크 결함 수정용 장비인 FIB(focused ion beam) 장비를 이용하여 카본막을 증착할 수 있다. 보호막(140)을 카본막을 증착하는 이유는 이후에 투명한 기판(110a)을 적절한 깊이로 식각하는 단계에 사용되는 식각 가스에 대하여 식각 내성을 가질 수 있고, 일반적으로 카본이 FIB 장비에 널리 사용되기 때문이다. 따라서, 식각 내성을 가질 수 있다면 카본막이 아닌 다른 물질로 보호막(140)을 형성할 수 있는 것으로 이해하여야 한다. 보호막(140)의 두께는 이후에 투명한 기판(110a)을 적절한 깊이로 식각하는 단계에서 식각 내성을 가질 수 있는 두께로 형성된다. 투명한 기판(140)을 식각하는 깊이는 정해져 있지 않고, 사용되는 빛에 따라 다양하게 설정되므로 구체적인 수치를 언급할 필요는 없다. 본 실시예에서는 예시적으로 약 500Å 정도의 두께로 형성한다.
도 1c를 참조하면, 투명한 기판(110a)을 적절한 깊이로 식각하여 리세스 된 투명한 기판(110b)을 형성한다. 투명한 기판(110b)은 석영 재질이므로 F- 이온을 포함하는 가스, 예를 들어 CHF3 나 CxFy 계열의 가스(CF4, C2F6, C3F6, C4F8 등), SF6 등 기타 다양한 가스를 주 식각 가스로 하고, 기타 부 식각 가스들(Ar, Xe, Cl, Br, O, N 등)을 조합하여 투명한 기판(110b)을 적절한 깊이로 식각한다. 석영 재질의 투명한 기판(110b)을 식각하는 방법은 잘 알려져 있으므로 더 상세한 설명을 생략한다.
이때, 광학 패턴(120)은 투명한 기판(110b)을 형성하기 위한 식각 가스에 내성을 가지므로 식각되지 않고 본래의 형상을 유지할 수 있다. 만약, 광학 패턴(120)의 표면이 식각 가스에 노출되는 것이 염려된다면, 광학 패턴(120) 상에 식각 마스크(미도시)를 형성하고 식각 공정을 진행할 수 있다. 식각 마스크는 예를 들어 포토레지스트 등을 적용할 수 있다.
적절한 깊이는 완성된 포토마스크(100)를 사용하는 자가 포토리소그래피 공정을 이상 없이 수행할 수 있는 깊이를 말한다. 예를 들어 위상 반전 기능을 필요로 하지 않는다면 디프레션 결함(130)을 안정적으로 제거할 수 있는 깊이일 것이고, 위상 반전 기능을 필요로 한다면 사용되는 빛을 위상 반전 시킬 수 있는 깊이라 할 수 있다. 빛을 위상 반전 시킬 수 있는 깊이는 빛의 파장 별로 다양하게 설정되므로 구체적인 수치가 언급될 필요는 없다. 또한 사용하는 빛의 파장에 따라 투명한 기판의 두께 또는 식각 깊이를 결정하는 방법은 잘 알려져 있다.
투명한 기판(110b)이 리세스된 깊이로 식각될 때, 도면과 같이 보호막(140) 이 형성된 부분은 식각되지 않고 본래의 형상을 유지한다. 즉 상부에 보호막(140)이 형성된 탑 모양(tower shaped)의 결함(150)이 형성된다.
도 1d를 참조하면, 고강도 팁(T)을 가진 결함 수정기(M)로 탑 형태의 결함(150)을 제거한다. 팁(T)은 예를 들어 다이아몬드처럼 고강도 재질일 수 있다. 결함 수정기(M)는 팁(T)이 탑 형태의 결함(150)을 물리적으로 제거할 수 있도록 운동력을 부여한다. 운동력은 예를 들어 상하좌우로 팁(T)이 유동할 수도 있고, 미세한 진동을 일으키도록 할 수도 있다. 본 실시예에서는 미세한 진동을 일으키도록 실시하였다. 즉, 본 실시예에서는 팁(T)이 탑 모양의 결함(150)을 깎거나(carving) 문지르거나(rubbing, polishing) 연마(grinding)하는 것 등으로 이해할 수 있다. 도면에서는 예시적으로 결함 수정기(M)가 좌에서 우로 이동하며 팁(T)이 탑 형태의 결함(150)을 제거하도록 할 수 있다.
도 1e를 참조하면, 투명한 기판(110) 상에 디프레션 결함(130)이 치유된 포토마스크(100)를 완성한다.
도 2a 내지 2d는 본 발명의 다른 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2a를 참조하면, 일면에 광학 패턴(220)이 형성된 포토마스크(200)의 투명한 기판(210a) 상에 프로트루전(protrusion) 결함(230)이 발생되어 있다. 프로트루전 결함(230)은 투명한 기판(210a)의 표면이 주변보다 높은 모든 결함을 통칭한다. 도 1a에 도시된 디프레션 결함(130)과 반대의 의미로 이해할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 투명한 기판(210a)을 적절한 깊이로 식각하여 리세스 된 투명한 기판(210b)을 형성한다. 이때, 프로트루전 결함(230a)도 함께 리세스되나 기본적인 결함의 모양을 유지하며 리세스된다. 도 1c 및 그 설명을 참조할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 고강도 팁(T)을 가진 결함 수정기(M)로 리세스된 투명한 기판(210b) 상에 존재하는 프로트루전 결함(230b)을 제거한다. 도 1d 및 그 설명을 참조할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 투명한 기판(210) 상에 프로트루전 결함(230)이 치유된 포토마스크(200)를 완성한다.
도 3a 내지 3g는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3a를 참조하면, 포토마스크(300)의 투명한 기판(310a) 상에 다크 결함(330a)이 발생되어 있다. 다크 결함(330a)은 투명한 기판(310a) 상에 빛에 불투명한 결함이 발생한 것을 통칭한다. 예를 들어, 광학 패턴(320)이 완전히 제거되지 못한 결함일 수도 있고, 이물질이 점착된 결함일 수도 있다. 본 실시예에서는 가장 흔하게 발생하는 광학 패턴(320)이 완전히 제거되지 못한 경우를 예로 들어 설명한다. 이물질이 점착된 결함일 경우, 본 발명의 기술적 사상에 의하기 보다는 먼저, 세정 공정을 우선적으로 수행하거나 얕은 식각 공정을 수행하는 것이 일반적이기 때문이다. 만약, 악성 이물질 점착으로 인한 결함이라면, 본 발명의 기술적 사상에 의하여 제거될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 투명한 기판(310a) 상에 발생된 다크 결함(330b)을 이온 빔(I)으로 제거한다. 예를 들어 갈륨 등을 소스로 하는 이온빔(I)으로 다크 결함(330b)을 물리적으로 제거할 수 있다. 다른 방법으로, 레이저로 제거할 수도 있는데, 레이저로 제거하는 경우, 다크 결함(330b)에 레이저를 조사하여 기화시킬 수 있다. 도면 참조 부호 R은 이온빔 건 또는 레이저 건으로 이해할 수 있고 도면 참조 부호 I는 이온빔 또는 레이저로 이해할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 다크 결함(330b)을 제거 한 후, 투명한 기판(310a) 상에 리버 베드(river bed) 결함(335)이 발생된다. 리버 베드 결함은 일종의 디프레션 결함이다. 일반적으로 이온빔이나 레이저로 다크 결함(330a)을 제거한 후에는 필연적으로 리버 베드 결함(335)이 투명한 기판(310a) 상에 남는 것으로 알려져 있다. 이것은 다크 결함(330a)의 외곽 부분, 즉 다크 결함(330a)과 투명한 기판(310a)의 경계 부분이 이온빔이나 레이저에 취약할 수 밖에 없기 때문에 그 경계에 해당하는 투명한 기판(310a)의 표면에 결함이 남게 되는 것이다.
도 3d를 참조하면, 리버 베드 결함(335)을 덮는 보호막(340)을 형성한다. 도 1b 및 그 설명을 참조할 수 있다.
도 3e를 참조하면, 투명한 기판(310a)을 적절한 깊이로 식각하여 리세스된 투명한 기판(310b)을 형성한다. 이때, 보호막(340)으로 보호된 리버 베드 결함(335) 부분은 계단 형태의 결함(350)을 형성한다. 도 1c 및 그 설명을 참조할 수 있다.
도 3f를 참조하면, 고강도 팁(T)을 가진 결함 수정기(M)로 계단 형태의 결함(350a)을 제거한다. 도 1d 및 그 설명을 참조할 수 있다.
도 3g를 참조하면, 투명한 기판(310) 상에 다크 결함(330)이 치유된 포토마스크(100)를 완성한다.
도 4a 내지 4c는 본 발명의 실시예에 의한 포토마스크의 결함을 수정하는 과정에서 촬영한 포토마스크의 탑 뷰(top view) 이미지 사진들이다.
도 4a를 참조하면, 광학 패턴(420) 사이로 노출된 포토마스크의 투명한 기판(410a) 상에 다크 결함(430)이 발생되어 있다. 도 3a 및 그 설명을 참조할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 이온빔 등으로 다크 결함(430)을 제거하고 포토마스크의 투명한 기판(410a) 표면에 리버 베드 결함(435)이 남아있다. 도 3c 및 그 설명을 참조할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 리버 베드 결함(435) 상부에 보호막을 형성하고, 투명한 기판(410)을 식각하여 리세스시킨 다음, 고강도 팁으로 보호막 및 보호막 하부에 형성된 리버 베드 결함을 제거한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 의한 결함이 수정된 포토마스크 및 포토마스크의 결함 수정 방법들은 기존에 문제가 되었던 결함 수정 자국을 남기지 않고 수정할 수 있어서 포토마스크의 생산 수율을 높일 수 있다.

Claims (20)

  1. 디프레션 결함이 발생된 포토마스크의 투명한 기판 상에
    상기 디프레션 결함을 덮는 보호막을 형성하고,
    상기 보호막을 식각 마스크로 하여 상기 포토마스크 투명한 기판을 소정의 깊이로 식각하고,
    상기 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막은 이온빔이 조사되어 형성된 카본막인 포토마스크의 결함 수정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 것은,
    고강도 팁을 이용하여 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 고강도 팁으로 상기 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 것은,
    상기 고강도 팁이 상기 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 물리적으로 깎거나 문지르거나 연마하는 것 중 적어도 어느 하나를 이용하여 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  5. 프로트루전 결함이 발생된 포토마스크의 투명한 기판을 소정의 깊이로 식각하고,
    상기 프로트루전 결함을 고강도의 팁을 이용하여 물리적으로 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 프로트루전 결함은 투명한 기판 상에 발생된 결함인 포토마스크의 결함 수정 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 고강도 팁으로 상기 프로트루전 결함을 제거하는 것은,
    상기 고강도 팁이 상기 프로트루전 결함을 물리적으로 깎거나 문지르거나 연마하는 것 중 적어도 어느 하나를 이용하여 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  8. 다크 결함이 발생된 포토마스크의 투명한 기판 상에,
    상기 다크 결함을 제거하고,
    상기 다크 결함을 제거한 자리에 보호막을 형성하고,
    상기 보호막을 식각 마스크로 하여 상기 포토마스크의 투명한 기판을 소정의 깊이로 식각하고,
    상기 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 보호막은 이온빔이 조사되어 형성된 카본막인 포토마스크의 결함 수정 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 것은,
    고강도 팁을 이용하여 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 고강도 팁으로 상기 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 제거하는 것은,
    상기 고강도 팁이 상기 보호막 및 식각되지 않은 보호막 하부의 투명한 기판을 물리적으로 깎거나 문지르거나 연마하는 것 중 적어도 어느 하나를 이용하여 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 다크 결함을 제거하는 것은 이온빔 또는 레이저를 이용하여 제거하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 다크 결함을 제거한 자리에는 투명한 기판이 손상된 리버 베드 결함이 발생되는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  14. 평탄하지 않은 표면을 가진 투명한 기판의 표면을,
    상기 투명한 기판 상에 형성된 불투명한 광학적 패턴을 식각 마스크로 식각하여 일차적으로 평탄화하고,
    고강도 팁으로 상기 투명한 기판의 표면을 물리적으로 2차적으로 평탄화하는 것을 포함하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 물리적으로 평탄하게 하는 것은,
    상기 투명한 기판의 표면을 깎거나 문지르거나 연마하는 것 중 적어도 어느 하나를 이용하는 것인 포토마스크의 결함 수정 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 평탄하지 않은 투명한 기판의 표면은 표면에 디프레션 결함이 발생한 것인 포토마스크의 결함 수정 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 디프레션 결함 상에 보호막을 형성하고,
    상기 보호막을 식각 마스크로 하여 상기 투명한 기판을 소정의 깊이로 식각하여 일차적으로 평탄화하고,
    상기 보호막 및 보호막 하부의 투명한 기판을 상기 고강도 팁으로 제거함으로써 상기 투명한 기판의 표면을 2차적으로 평탄화하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 평탄하지 않은 투명한 기판의 표면은,
    상기 투명한 기판 상에 발생된 다크 결함을 수정한 후 남은 리버 베드 현상인 포토마스크의 결함 수정 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 리버 베드 현상은,
    상기 다크 결함을 이온빔 또는 레이저로 제거한 후, 상기 투명한 기판의 표면에 남은 평탄하지 않은 모양인 포토마스크의 결함 수정 방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 평탄하지 않은 투명한 기판의 표면은,
    상기 투명한 기판 상에 발생한 프로트루전 결함인 포토마스크의 결함 수정 방법.
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