JP2616416B2 - 位相シフトマスクの修正方法 - Google Patents
位相シフトマスクの修正方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフタ−層の欠陥
修正方法に係る位相シフトマスクの修正方法に関する。
修正方法に係る位相シフトマスクの修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造方法におけるリソグラフ
ィ技術としては、一般に光リソグラフィが用いられてい
る。そして、半導体素子の高密度・高集積化のために、
光リソグラフィの技術分野においては、これまで主に露
光装置の高ＮＡ化、短波長化が進められ、より微細パタ
−ンの形成が可能となってきており、現在、最小寸法が
0.5μｍ以下の半導体素子の量産も光リソグラフィによ
り可能となっている。
ィ技術としては、一般に光リソグラフィが用いられてい
る。そして、半導体素子の高密度・高集積化のために、
光リソグラフィの技術分野においては、これまで主に露
光装置の高ＮＡ化、短波長化が進められ、より微細パタ
−ンの形成が可能となってきており、現在、最小寸法が
0.5μｍ以下の半導体素子の量産も光リソグラフィによ
り可能となっている。
【０００３】しかし、露光装置の高ＮＡ化、短波長化に
より解像力は向上するものの、反対に焦点深度は減少し
てしまう。そのため、焦点深度の確保がより重要な問題
となってきた。この焦点深度の点から、これまでのよう
な単純な高ＮＡ化、短波長化による解像力の向上は困難
となってきた。
より解像力は向上するものの、反対に焦点深度は減少し
てしまう。そのため、焦点深度の確保がより重要な問題
となってきた。この焦点深度の点から、これまでのよう
な単純な高ＮＡ化、短波長化による解像力の向上は困難
となってきた。
【０００４】そこで近年、解像力及び焦点深度を向上さ
せ光リソグラフィの限界を延ばす方法として、位相シフ
ト法が注目されている。位相シフト法は、10年ほど前か
ら提案されていたが(例えば特開昭57−62052号公報参
照)、位相シフトマスクの製造方法が困難であったため
実用化が遅れていた。
せ光リソグラフィの限界を延ばす方法として、位相シフ
ト法が注目されている。位相シフト法は、10年ほど前か
ら提案されていたが(例えば特開昭57−62052号公報参
照)、位相シフトマスクの製造方法が困難であったため
実用化が遅れていた。
【０００５】この方法は、フォトマスク上の隣接する開
口の一方の上に透明膜を形成し、この透明膜の厚さｔを
“ｔ＝λ／２(ｎ−１)”とすることにより、透過する光
の位相を互いに180度異ならせるものである。ここに、
λは露光光の波長であり、ｎは透明膜の屈折率である。
口の一方の上に透明膜を形成し、この透明膜の厚さｔを
“ｔ＝λ／２(ｎ−１)”とすることにより、透過する光
の位相を互いに180度異ならせるものである。ここに、
λは露光光の波長であり、ｎは透明膜の屈折率である。
【０００６】ところで、位相シフト法を用いない場合、
隣接する開口の間隔が狭くなると、回折により開口間の
本来遮光部となる領域に光が漏れ、隣接する開口が分離
されなくなる。一方、位相シフトマスクでは、隣接する
開口を透過する光の位相が互いに180度異なっているた
め、隣接する開口間で漏れた光が打ち消し合い、遮光領
域を形成する。そのため、より微細な寸法まで分離して
解像することができる。
隣接する開口の間隔が狭くなると、回折により開口間の
本来遮光部となる領域に光が漏れ、隣接する開口が分離
されなくなる。一方、位相シフトマスクでは、隣接する
開口を透過する光の位相が互いに180度異なっているた
め、隣接する開口間で漏れた光が打ち消し合い、遮光領
域を形成する。そのため、より微細な寸法まで分離して
解像することができる。
【０００７】ここで、一般的な位相シフトマスクの製造
方法について、図面を用いて説明する。位相シフトマス
クの構造には主に２種類あるが、まず、位相シフタ−層
を遮光層の上に形成された、いわゆるシフタ−上置き型
の製造法について図５を参照して説明する(前記特開昭5
7−62052号公報参照)。
方法について、図面を用いて説明する。位相シフトマス
クの構造には主に２種類あるが、まず、位相シフタ−層
を遮光層の上に形成された、いわゆるシフタ−上置き型
の製造法について図５を参照して説明する(前記特開昭5
7−62052号公報参照)。
【０００８】図５は、従来の位相シフトマスク(シフタ
−上置き型)の製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。まず図５工程Ａに示すように、透明基
板１上にエッチングストッパ−層３と遮光層２を成膜し
たマスクブランクに感光性樹脂５を塗布し、所定の遮光
パタ−ンを描画する。
−上置き型)の製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。まず図５工程Ａに示すように、透明基
板１上にエッチングストッパ−層３と遮光層２を成膜し
たマスクブランクに感光性樹脂５を塗布し、所定の遮光
パタ−ンを描画する。
【０００９】従来、フォトマスクでは、透明基板１の材
料としては、合成石英が用いられ、また、遮光膜２とし
ては、スパッタ法により成膜されるクロム及び酸化クロ
ムの多層膜が用いられており、位相シフトマスクにおい
ても同様にこれらの材料を使用している。
料としては、合成石英が用いられ、また、遮光膜２とし
ては、スパッタ法により成膜されるクロム及び酸化クロ
ムの多層膜が用いられており、位相シフトマスクにおい
ても同様にこれらの材料を使用している。
【００１０】一方、エッチングストッパ−層３の材料と
しては、次の(1)〜(4)の条件を満たすことが要求され
る。 (1) 位相シフタ−層(SiO2)とのエッチングの選択比が10
以上であること。 (2) 光学定数(ｎ，ｋ)が石英及び位相シフタ−層(いず
れもSiO2)と近いこと(→透過率が高いこと)。 (3) 露光光により変質しないこと(→耐光性)。 (4) 酸及びアルカリにより変質しないこと(→耐薬品
性)。
しては、次の(1)〜(4)の条件を満たすことが要求され
る。 (1) 位相シフタ−層(SiO2)とのエッチングの選択比が10
以上であること。 (2) 光学定数(ｎ，ｋ)が石英及び位相シフタ−層(いず
れもSiO2)と近いこと(→透過率が高いこと)。 (3) 露光光により変質しないこと(→耐光性)。 (4) 酸及びアルカリにより変質しないこと(→耐薬品
性)。
【００１１】上記(1)〜(4)の条件を満たす材料として、
ＩＴＯ、酸化スズ、アルミナ等の金属酸化物あるいはポ
リシリコン、窒化シリコンなどが検討されている。ま
た、これらの材料は一般にスパッタ法により成膜され
る。
ＩＴＯ、酸化スズ、アルミナ等の金属酸化物あるいはポ
リシリコン、窒化シリコンなどが検討されている。ま
た、これらの材料は一般にスパッタ法により成膜され
る。
【００１２】次に、図５工程Ｂに示すように、感光性樹
脂５を現像し、遮光層２をエッチングする。この遮光層
２のエッチングは、従来ウエットエッチングが用いられ
てきたが、遮光層２のパタ−ンの寸法制御の要求が厳し
くなってきているため、Ｃｌ(塩素)系のガスを用いたド
ライエッチングが主に用いられるようになってきた。
脂５を現像し、遮光層２をエッチングする。この遮光層
２のエッチングは、従来ウエットエッチングが用いられ
てきたが、遮光層２のパタ−ンの寸法制御の要求が厳し
くなってきているため、Ｃｌ(塩素)系のガスを用いたド
ライエッチングが主に用いられるようになってきた。
【００１３】次に、遮光層２の検査及び修正を行った
後、図５工程Ｃに示すように、SiO2等の材料を用いて位
相シフタ−層４を形成し、再び感光性樹脂５ａを塗布
し、位相シフタ−のパタ−ン描画を行う。位相シフタ−
層４の形成方法としては、SiO2のスパッタあるいはCVD
のほか、SOGをスピンコ−トする方法も用いられる。
後、図５工程Ｃに示すように、SiO2等の材料を用いて位
相シフタ−層４を形成し、再び感光性樹脂５ａを塗布
し、位相シフタ−のパタ−ン描画を行う。位相シフタ−
層４の形成方法としては、SiO2のスパッタあるいはCVD
のほか、SOGをスピンコ−トする方法も用いられる。
【００１４】続いて、図５工程Ｄに示すように、感光性
樹脂５ａを現像後、Ｃ(炭素)及びＦ(フッ素)を含むガス
を用いたドライエッチングにより、位相シフタ−層４を
パタ−ニングする。そして、感光性樹脂５ａを剥離し、
図５工程Ｅに示すようなシフタ−上置き型の位相シフト
マスクが得られる。
樹脂５ａを現像後、Ｃ(炭素)及びＦ(フッ素)を含むガス
を用いたドライエッチングにより、位相シフタ−層４を
パタ−ニングする。そして、感光性樹脂５ａを剥離し、
図５工程Ｅに示すようなシフタ−上置き型の位相シフト
マスクが得られる。
【００１５】位相シフトマスクには、上記シフタ−上置
き型の位相シフトマスク以外に、位相シフタ−を遮光パ
タ−ンの下に形成した、いわゆるシフタ−下置き型と呼
ばれる構造のものが知られている(例えば特開平2−1817
95号公報参照)。このシフタ−下置き型の位相シフトマ
スクの製造方法について図６を参照して説明する。
き型の位相シフトマスク以外に、位相シフタ−を遮光パ
タ−ンの下に形成した、いわゆるシフタ−下置き型と呼
ばれる構造のものが知られている(例えば特開平2−1817
95号公報参照)。このシフタ−下置き型の位相シフトマ
スクの製造方法について図６を参照して説明する。
【００１６】図６は、従来の位相シフトマスク(シフタ
−下置き型)の製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。まず図６工程Ａに示すように、透明基
板１上にエッチングストッパ−層３、位相シフタ−層４
及び遮光膜２を順次成膜したマスクブランクを作製す
る。そして、感光性樹脂５を塗布し、遮光パタ−ンの描
画を行う。次に、図６工程Ｂに示すように、感光性樹脂
５を現像後、遮光膜２をエッチングする。
−下置き型)の製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。まず図６工程Ａに示すように、透明基
板１上にエッチングストッパ−層３、位相シフタ−層４
及び遮光膜２を順次成膜したマスクブランクを作製す
る。そして、感光性樹脂５を塗布し、遮光パタ−ンの描
画を行う。次に、図６工程Ｂに示すように、感光性樹脂
５を現像後、遮光膜２をエッチングする。
【００１７】その後この感光性樹脂５を剥離し、続いて
図６工程Ｃに示すように、再び感光性樹脂５ａを塗布し
てシフタ−パタ−ンの重ね合わせ描画を行う。そして、
図６工程Ｄに示すように、感光性樹脂５ａを現像後、感
光性樹脂５ａ及び遮光層２をマスクに位相シフタ−層４
をエッチングする。
図６工程Ｃに示すように、再び感光性樹脂５ａを塗布し
てシフタ−パタ−ンの重ね合わせ描画を行う。そして、
図６工程Ｄに示すように、感光性樹脂５ａを現像後、感
光性樹脂５ａ及び遮光層２をマスクに位相シフタ−層４
をエッチングする。
【００１８】最後に感光性樹脂５ａを剥離し、図６工程
Ｅに示すようなシフタ−下置き型の位相シフトマスクを
作製する。なお、このシフタ−下置き型の位相シフトマ
スクと類似した構造のマスクとして、特別な位相シフタ
−層を用いず、直接透明基板をエッチングする基板エッ
チング型の位相シフトマスクも提案されている。
Ｅに示すようなシフタ−下置き型の位相シフトマスクを
作製する。なお、このシフタ−下置き型の位相シフトマ
スクと類似した構造のマスクとして、特別な位相シフタ
−層を用いず、直接透明基板をエッチングする基板エッ
チング型の位相シフトマスクも提案されている。
【００１９】次に、位相シフタ−層の欠陥修正について
説明する。位相シフタ−層の欠陥には、不要な部分に位
相シフタ−層が残ってしまった欠陥と必要な部分が欠け
た欠陥がある。
説明する。位相シフタ−層の欠陥には、不要な部分に位
相シフタ−層が残ってしまった欠陥と必要な部分が欠け
た欠陥がある。
【００２０】まず、不要な部分の位相シフタ−層が残っ
た場合、局所的にその部分をイオンビ−ムにより削る方
法が検討されている。イオンビ−ムの他には、レ−ザ−
光を用いる方法も提案されているが、位相シフタ−層が
透明であるため、レ−ザ−光を照射する前にレ−ザ−光
を吸収する色素を欠陥部分に付着させる等の処理が必要
となる。一方、必要な部分が欠けた欠陥についも、イオ
ンビ−ムを用いて透明材料を欠陥部分にデポさせる方法
が検討されている。
た場合、局所的にその部分をイオンビ−ムにより削る方
法が検討されている。イオンビ−ムの他には、レ−ザ−
光を用いる方法も提案されているが、位相シフタ−層が
透明であるため、レ−ザ−光を照射する前にレ−ザ−光
を吸収する色素を欠陥部分に付着させる等の処理が必要
となる。一方、必要な部分が欠けた欠陥についも、イオ
ンビ−ムを用いて透明材料を欠陥部分にデポさせる方法
が検討されている。
【００２１】ところで、前記した従来の位相シフトマス
ク(シフタ−上置き型)においては、マスク面内の透過率
分布が一定にならない。
ク(シフタ−上置き型)においては、マスク面内の透過率
分布が一定にならない。
【００２２】即ち、前記図５に示したシフタ−上置き型
の位相シフトマスクにおいては、遮光膜(遮光層２)のエ
ッチング時に(前記図５工程Ｂ参照)、その下のエッチン
グストッパ−層３も若干エッチングされてしまう。そし
て、この遮光層２のエッチングは、マスク面内において
エッチング速度のばらつきは10％程度とあまり均一性が
良くない。そのため、エッチングストッパ−層３のダメ
−ジ(エッチング深さ及び表面荒れ)もマスク面内で均一
にならず、透過率のばらつきを生じる問題があった。
の位相シフトマスクにおいては、遮光膜(遮光層２)のエ
ッチング時に(前記図５工程Ｂ参照)、その下のエッチン
グストッパ−層３も若干エッチングされてしまう。そし
て、この遮光層２のエッチングは、マスク面内において
エッチング速度のばらつきは10％程度とあまり均一性が
良くない。そのため、エッチングストッパ−層３のダメ
−ジ(エッチング深さ及び表面荒れ)もマスク面内で均一
にならず、透過率のばらつきを生じる問題があった。
【００２３】また更に、遮光層２の修正には、通常、イ
オンビ−ムが用いられるが、この際のイオンは、透明基
板１に比べてエッチングストッパ−層３に特に注入され
易く、そのためイオン注入部のエッチングストッパ−層
３の光学定数が変化し、局部的に透過率が低下してしま
う問題があった。
オンビ−ムが用いられるが、この際のイオンは、透明基
板１に比べてエッチングストッパ−層３に特に注入され
易く、そのためイオン注入部のエッチングストッパ−層
３の光学定数が変化し、局部的に透過率が低下してしま
う問題があった。
【００２４】一方、前記図６に示したシフタ−下置き型
の位相シフトマスク(及びこれに類似した前記の基板エ
ッチング型の位相シフトマスク)においては、遮光層２
のパタ−ニング及び修正時のエッチングストッパ−層３
のダメ−ジはないものの、露光特性に致命的な問題があ
った。
の位相シフトマスク(及びこれに類似した前記の基板エ
ッチング型の位相シフトマスク)においては、遮光層２
のパタ−ニング及び修正時のエッチングストッパ−層３
のダメ−ジはないものの、露光特性に致命的な問題があ
った。
【００２５】この構造の位相シフトマスクは、遮光パタ
−ンと位相シフタ−のエッジが一致している部分ができ
る。そのため、このマスクを用いて感光性樹脂の塗布さ
れた基板上に投影露光を行うと、そのシフタ−エッジの
効果により、シフタ−をエッチングした部分とシフタ−
をエッチングしていない部分の感光性樹脂のパタ−ンに
大幅な寸法差が生じてしまう。従って、現実的にはこの
構造の位相シフトマスクは実用化されていなかった。
−ンと位相シフタ−のエッジが一致している部分ができ
る。そのため、このマスクを用いて感光性樹脂の塗布さ
れた基板上に投影露光を行うと、そのシフタ−エッジの
効果により、シフタ−をエッチングした部分とシフタ−
をエッチングしていない部分の感光性樹脂のパタ−ンに
大幅な寸法差が生じてしまう。従って、現実的にはこの
構造の位相シフトマスクは実用化されていなかった。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフタ−層
の欠陥修正方法は、前記したとおり、すべて局所的な欠
陥修正方法であるので、欠陥の数が多くなると現実的に
は修正不可能となってしまうという欠点があった。例え
ば、ブラシ洗浄で位相シフタ−層が剥離してしまった場
合のように、マスク全面での位相シフタ−層の異常は、
従来の局所的な修正方法では対応できなかった。
の欠陥修正方法は、前記したとおり、すべて局所的な欠
陥修正方法であるので、欠陥の数が多くなると現実的に
は修正不可能となってしまうという欠点があった。例え
ば、ブラシ洗浄で位相シフタ−層が剥離してしまった場
合のように、マスク全面での位相シフタ−層の異常は、
従来の局所的な修正方法では対応できなかった。
【００２７】そこで、本発明は、欠陥の数が多い場合や
マスク全面で異常が生じている場合にも修正することが
できる位相シフタ−層の欠陥修正方法(位相シフトマス
クの修正方法)を提供することを目的とする。
マスク全面で異常が生じている場合にも修正することが
できる位相シフタ−層の欠陥修正方法(位相シフトマス
クの修正方法)を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
クの修正方法は、エッチングストッパ−層を一旦除去
し、その後再び成膜する工程を有する。そのため、位相
シフタ−の形成をやり直すことが可能であり、前記した
本発明の目的とする欠陥の数が多い場合やマスク全面で
異常が生じている場合にも修正することができる位相シ
フタ−層の欠陥修正方法を提供するものである。
クの修正方法は、エッチングストッパ−層を一旦除去
し、その後再び成膜する工程を有する。そのため、位相
シフタ−の形成をやり直すことが可能であり、前記した
本発明の目的とする欠陥の数が多い場合やマスク全面で
異常が生じている場合にも修正することができる位相シ
フタ−層の欠陥修正方法を提供するものである。
【００２９】即ち、本発明の位相シフトマスクの修正方
法は、「位相シフタ−層の下にエッチングストッパ−層
を有する位相シフトマスクの修正方法において、位相シ
フタ−層を除去し、エッチングストッパ−層を除去した
後、再びエッチングストッパ−層を成膜し、前記エッチ
ングストッパ−層上に再び位相シフタ−層を形成する工
程を有することを特徴とする位相シフトマスクの修正方
法。」を要旨とする。
法は、「位相シフタ−層の下にエッチングストッパ−層
を有する位相シフトマスクの修正方法において、位相シ
フタ−層を除去し、エッチングストッパ−層を除去した
後、再びエッチングストッパ−層を成膜し、前記エッチ
ングストッパ−層上に再び位相シフタ−層を形成する工
程を有することを特徴とする位相シフトマスクの修正方
法。」を要旨とする。
【００３０】
【実施例】次に、本発明について図１〜図４を参照して
説明する。なお、図１、図２及び図３は、位相シフトマ
スク及びその製造方法を説明するための図である。ま
た、図４は、本発明の位相シフトマスクの修正方法に係
る一実施例を説明するための図である。
説明する。なお、図１、図２及び図３は、位相シフトマ
スク及びその製造方法を説明するための図である。ま
た、図４は、本発明の位相シフトマスクの修正方法に係
る一実施例を説明するための図である。
【００３１】図１は、位相シフトマスクを示す断面図で
ある。ここに示す位相シフトマスクは、図１に示すよう
に、透明基板１上に遮光層２による所定の遮光パタ−
ン、エッチングストッパ−層３及び位相シフタ−層４が
この順序で形成された構造からなる。
ある。ここに示す位相シフトマスクは、図１に示すよう
に、透明基板１上に遮光層２による所定の遮光パタ−
ン、エッチングストッパ−層３及び位相シフタ−層４が
この順序で形成された構造からなる。
【００３２】この構造の位相シフトマスクは、露光特性
上の問題のないシフタ−上置き型であり、特に遮光層２
による所定の遮光パタ−ン上にエッチングストッパ−層
３を形成している。そのため、遮光パタ−ンの形成及び
修正によるエッチングストッパ−層３のダメ−ジを防止
し、透過率のばらつきを防止できるものである。
上の問題のないシフタ−上置き型であり、特に遮光層２
による所定の遮光パタ−ン上にエッチングストッパ−層
３を形成している。そのため、遮光パタ−ンの形成及び
修正によるエッチングストッパ−層３のダメ−ジを防止
し、透過率のばらつきを防止できるものである。
【００３３】次に、この位相シフトマスクの製造方法に
ついて図２を用いて説明する。図２は、前記図１の位相
シフトマスクの製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。
ついて図２を用いて説明する。図２は、前記図１の位相
シフトマスクの製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程
順断面図である。
【００３４】まず図２工程Ａに示すように、透明基板１
上に遮光層２を成膜した後、感光性樹脂５を塗布し、所
定のパタ−ンの描画を行う。次に、図２工程Ｂに示すよ
うに、感光性樹脂５を現像し、遮光層２をＣｌ(塩素)を
用いたドライエッチングによりパタ−ニングして所定の
遮光パタ−ンを形成し、続いて、感光性樹脂５を剥離
し、洗浄を行った後、形成した遮光パタ−ンの検査を行
い、その欠陥の修正を行う。
上に遮光層２を成膜した後、感光性樹脂５を塗布し、所
定のパタ−ンの描画を行う。次に、図２工程Ｂに示すよ
うに、感光性樹脂５を現像し、遮光層２をＣｌ(塩素)を
用いたドライエッチングによりパタ−ニングして所定の
遮光パタ−ンを形成し、続いて、感光性樹脂５を剥離
し、洗浄を行った後、形成した遮光パタ−ンの検査を行
い、その欠陥の修正を行う。
【００３５】次に、図２工程Ｃに示すように、Al2O3(10
0オングストロ−ム)をエッチングストッパ−層３として
マスク全面に成膜する。その後、図２工程Ｄに示すよう
に、SOG(3900オングストロ−ム)をスピン・コ−トして
位相シフタ−層４を形成する。そして、再び感光性樹脂
５ａを塗布し、シフタ−パタ−ンの描画を行う。
0オングストロ−ム)をエッチングストッパ−層３として
マスク全面に成膜する。その後、図２工程Ｄに示すよう
に、SOG(3900オングストロ−ム)をスピン・コ−トして
位相シフタ−層４を形成する。そして、再び感光性樹脂
５ａを塗布し、シフタ−パタ−ンの描画を行う。
【００３６】次に、図２工程Ｅに示すように、感光性樹
脂５ａを現像し、位相シフタ−層４をCHF3を用いたドラ
イエッチングによりパタ−ニングする。そして、最後に
感光性樹脂５ａを剥離し、洗浄及び欠陥検査を行い、前
記図１に示した位相シフトマスクを作製する。
脂５ａを現像し、位相シフタ−層４をCHF3を用いたドラ
イエッチングによりパタ−ニングする。そして、最後に
感光性樹脂５ａを剥離し、洗浄及び欠陥検査を行い、前
記図１に示した位相シフトマスクを作製する。
【００３７】上記欠陥検査により位相シフタ−に欠陥が
発見された場合、位相シフタ−層４及びエッチングスト
ッパ−層３を除去し、前記図１工程Ｃにおけるエッチン
グストッパ−層３の成膜から製造をやり直すことができ
る。
発見された場合、位相シフタ−層４及びエッチングスト
ッパ−層３を除去し、前記図１工程Ｃにおけるエッチン
グストッパ−層３の成膜から製造をやり直すことができ
る。
【００３８】ここに示した方法では、位相シフタ−層４
はフッ酸により除去でき(SOGと合成石英は、フッ酸によ
り100以上の選択比でエッチングできるので、透明基板
１の保護膜は特に必要ない)、一方、エッチングストッ
パ−層３(Al2O3)は、アルカリ水溶液等で容易に除去で
きる。
はフッ酸により除去でき(SOGと合成石英は、フッ酸によ
り100以上の選択比でエッチングできるので、透明基板
１の保護膜は特に必要ない)、一方、エッチングストッ
パ−層３(Al2O3)は、アルカリ水溶液等で容易に除去で
きる。
【００３９】一般に、エッチングストッパ−層３の膜厚
は、透過率を確保するために極薄く設定されているの
で、複数回の位相シフタ−層４のエッチングには耐えら
れなかった。そのため、従来の位相シフトマスクにおい
ては、このようにマスク全面の位相シフタ−層４を一旦
除去し、製造をやり直すことが不可能であった。
は、透過率を確保するために極薄く設定されているの
で、複数回の位相シフタ−層４のエッチングには耐えら
れなかった。そのため、従来の位相シフトマスクにおい
ては、このようにマスク全面の位相シフタ−層４を一旦
除去し、製造をやり直すことが不可能であった。
【００４０】これに対して、本発明においては、遮光層
２の上にエッチングストッパ−層３が形成されているの
で、容易にエッチングストッパ−層３が除去でき、位相
シフタ−層４に欠陥が生じてしまった場合にも、位相シ
フタ−層４の形成をやり直すことが可能となっている。
２の上にエッチングストッパ−層３が形成されているの
で、容易にエッチングストッパ−層３が除去でき、位相
シフタ−層４に欠陥が生じてしまった場合にも、位相シ
フタ−層４の形成をやり直すことが可能となっている。
【００４１】図３は、他の位相シフトマスクの製造方法
を示す工程Ａ〜Ｇよりなる工程順断面図である。本実施
例２では、図３工程Ａに示すように、透明基板１上にSn
O2(100オングストロ−ム)をエッチングストッパ−層３
ａとして成膜し、その上にクロム(700オングストロ−
ム)及び酸化クロム(300オングストロ−ム)を遮光層２と
して成膜したマスクブランク上に感光性樹脂５を塗布
し、遮光パタ−ンの描画を行う。
を示す工程Ａ〜Ｇよりなる工程順断面図である。本実施
例２では、図３工程Ａに示すように、透明基板１上にSn
O2(100オングストロ−ム)をエッチングストッパ−層３
ａとして成膜し、その上にクロム(700オングストロ−
ム)及び酸化クロム(300オングストロ−ム)を遮光層２と
して成膜したマスクブランク上に感光性樹脂５を塗布
し、遮光パタ−ンの描画を行う。
【００４２】次に、図３工程Ｂに示すように、感光性樹
脂５を現像後、遮光層２をエッチングし遮光パタ−ンを
形成する。そして、感光性樹脂５を剥離し、遮光層２の
検査を行う。ここで、遮光層２に欠陥が発見されたもの
とする。まず黒欠陥の場合、レ−ザ−光線により不要な
部分の遮光膜２を飛ばすことにより修正する。
脂５を現像後、遮光層２をエッチングし遮光パタ−ンを
形成する。そして、感光性樹脂５を剥離し、遮光層２の
検査を行う。ここで、遮光層２に欠陥が発見されたもの
とする。まず黒欠陥の場合、レ−ザ−光線により不要な
部分の遮光膜２を飛ばすことにより修正する。
【００４３】ところで、上記の位相シフトマスクにおい
ては、遮光層２の下にエッチングトストッパ−層３ａが
存在するため、エッチングトストッパ−層３ａも遮光膜
２と一緒にレ−ザ−により除去されてしまう。また、白
欠陥の修正は、その欠陥部分にイオンビ−ムにより炭素
を堆積させ遮光領域を形成する。この際にエッチングス
トッパ−層３ａがイオンビ−ムによりダメ−ジを受け
る。
ては、遮光層２の下にエッチングトストッパ−層３ａが
存在するため、エッチングトストッパ−層３ａも遮光膜
２と一緒にレ−ザ−により除去されてしまう。また、白
欠陥の修正は、その欠陥部分にイオンビ−ムにより炭素
を堆積させ遮光領域を形成する。この際にエッチングス
トッパ−層３ａがイオンビ−ムによりダメ−ジを受け
る。
【００４４】そのため、本方法においては、図３工程Ｃ
に示すように、遮光層２の修正によりダメ−ジを受けた
エッチングストッパ−層３ａを一旦剥離する。
に示すように、遮光層２の修正によりダメ−ジを受けた
エッチングストッパ−層３ａを一旦剥離する。
【００４５】次に、図３工程Ｄに示すように、再びエッ
チングストッパ−層３ｂを成膜し、続いて、図３工程Ｅ
に示すように、位相シフタ−層４を成膜し、感光性樹脂
５ａを塗布し、シフタ−パタ−ンの描画を行う。その
後、図３工程Ｆに示すように、感光性樹脂５ａを現像し
た後、位相シフタ−層４をエッチングする。そして、感
光性樹脂５ａを剥離し、図３工程Ｇに示す位相シフトマ
スクを製造する。
チングストッパ−層３ｂを成膜し、続いて、図３工程Ｅ
に示すように、位相シフタ−層４を成膜し、感光性樹脂
５ａを塗布し、シフタ−パタ−ンの描画を行う。その
後、図３工程Ｆに示すように、感光性樹脂５ａを現像し
た後、位相シフタ−層４をエッチングする。そして、感
光性樹脂５ａを剥離し、図３工程Ｇに示す位相シフトマ
スクを製造する。
【００４６】この方法においては、透明基板上にエッチ
ングストッパ−層と遮光膜が順次成膜された従来の位相
シフトマスク用ブランク(前記図５工程Ａにおける“透
明基板１、エッチングストッパ−層３及び遮光層２より
なるマスクブランク”参照)を用いることができるとい
う利点がある。
ングストッパ−層と遮光膜が順次成膜された従来の位相
シフトマスク用ブランク(前記図５工程Ａにおける“透
明基板１、エッチングストッパ−層３及び遮光層２より
なるマスクブランク”参照)を用いることができるとい
う利点がある。
【００４７】図４は、本発明の位相シフトマスクの修正
方法に係る実施例を説明するための図であって、修正工
程順“(Ｂ)〜(Ｇ)”に示す断面図である。本実施例で
は、従来の透明基板上にエッチングストッパ−層と遮光
膜が順次成膜されたマスクブランク(前記図５参照)を用
いて製造された位相シフトマスクのシフタ−の欠陥の修
正方法について、上記図４を参照して説明する。
方法に係る実施例を説明するための図であって、修正工
程順“(Ｂ)〜(Ｇ)”に示す断面図である。本実施例で
は、従来の透明基板上にエッチングストッパ−層と遮光
膜が順次成膜されたマスクブランク(前記図５参照)を用
いて製造された位相シフトマスクのシフタ−の欠陥の修
正方法について、上記図４を参照して説明する。
【００４８】ここで、図４(Ａ)に示す透明基板１上にエ
ッチングストッパ−層３ａ、遮光層２による所定の遮光
パタ−ン及び位相シフタ−層４がこの順序で形成された
構造からなる位相シフトマスクについて、この位相シフ
トマスクの使用中に、不慮の物理的打撃により位相シフ
タ−層４に同図(Ａ)に示したような欠陥６が発生したと
する。この場合、まず図４(Ｂ)に示すように、マスク全
面の位相シフタ−層４を一旦除去する。
ッチングストッパ−層３ａ、遮光層２による所定の遮光
パタ−ン及び位相シフタ−層４がこの順序で形成された
構造からなる位相シフトマスクについて、この位相シフ
トマスクの使用中に、不慮の物理的打撃により位相シフ
タ−層４に同図(Ａ)に示したような欠陥６が発生したと
する。この場合、まず図４(Ｂ)に示すように、マスク全
面の位相シフタ−層４を一旦除去する。
【００４９】次に、図４(Ｃ)に示すように、遮光層２に
覆われていない部分のエッチングストッパ−層３ａを除
去し、続いて、図４(Ｄ)に示すように、マスク全面にエ
ッチングストッパ−層３ｂを成膜する。次に、図４(Ｅ)
に示すように、位相シフタ−層４を成膜し、感光性樹脂
５を塗布し、シフタ−パタ−ンを描画する。
覆われていない部分のエッチングストッパ−層３ａを除
去し、続いて、図４(Ｄ)に示すように、マスク全面にエ
ッチングストッパ−層３ｂを成膜する。次に、図４(Ｅ)
に示すように、位相シフタ−層４を成膜し、感光性樹脂
５を塗布し、シフタ−パタ−ンを描画する。
【００５０】次に、図４(Ｆ)に示すように、感光性樹脂
５を現像後、位相シフタ−層４をエッチングする。そし
て、この感光性樹脂５を剥離して、図４(Ｇ)に示す欠陥
の修正された位相シフトマスクを得ることができる。
５を現像後、位相シフタ−層４をエッチングする。そし
て、この感光性樹脂５を剥離して、図４(Ｇ)に示す欠陥
の修正された位相シフトマスクを得ることができる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の位相シフ
タ−の欠陥修正方法は、欠陥のある位相シフタ−を除去
した後、エッチングストッパ−層も除去する。そして、
エッチングストッパ−層を再び成膜することにより、そ
の上に新たに位相シフタ−を形成し直すことができると
いう効果が生じる。従って、本発明の修正方法によれ
ば、欠陥の数が多い場合及びマスク全面で異常が生じて
いる場合にも修正することができる効果が生じる。
タ−の欠陥修正方法は、欠陥のある位相シフタ−を除去
した後、エッチングストッパ−層も除去する。そして、
エッチングストッパ−層を再び成膜することにより、そ
の上に新たに位相シフタ−を形成し直すことができると
いう効果が生じる。従って、本発明の修正方法によれ
ば、欠陥の数が多い場合及びマスク全面で異常が生じて
いる場合にも修正することができる効果が生じる。
【図１】位相シフトマスクを示す断面図。
【図２】図１の位相シフトマスクの製造方法を示す工程
Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
【図３】位相シフトマスクの製造方法を示す工程Ａ〜Ｇ
よりなる工程順断面図。
よりなる工程順断面図。
【図４】本発明の位相シフトマスクの修正方法に係る一
実施例を説明するための図であって、(Ａ)は、欠陥のあ
る位相シフタ−層を有する位相シフトマスクの断面図で
あり、(Ｂ)〜(Ｇ)は、これを修正する工程順断面図。
実施例を説明するための図であって、(Ａ)は、欠陥のあ
る位相シフタ−層を有する位相シフトマスクの断面図で
あり、(Ｂ)〜(Ｇ)は、これを修正する工程順断面図。
【図５】従来の位相シフトマスク(シフタ−上置き型)の
製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
【図６】従来の位相シフトマスク(シフタ−下置き型)の
製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
製造方法を示す工程Ａ〜Ｅよりなる工程順断面図。
１ 透明基板 ２ 遮光層 ３，３ａ，３ｂ エッチングストッパ−層 ４ 位相シフタ−層 ５，５ａ 感光性樹脂 ６ 欠陥
Claims (1)
- 【請求項１】 位相シフタ−層の下にエッチングストッ
パ−層を有する位相シフトマスクの修正方法において、
位相シフタ−層を除去し、エッチングストッパ−層を除
去した後、再びエッチングストッパ−層を成膜し、前記
エッチングストッパ−層上に再び位相シフタ−層を形成
する工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの
修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32313293A JP2616416B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 位相シフトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32313293A JP2616416B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 位相シフトマスクの修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07152143A JPH07152143A (ja) | 1995-06-16 |
| JP2616416B2 true JP2616416B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=18151448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32313293A Expired - Fee Related JP2616416B2 (ja) | 1993-11-29 | 1993-11-29 | 位相シフトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616416B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100555447B1 (ko) * | 1998-02-17 | 2006-04-21 | 삼성전자주식회사 | 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| JP2017227824A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0378747A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-03 | Hitachi Ltd | マスク及びマスク製造方法 |
| JPH04258955A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH0580490A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JPH0683026A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光転写用マスクおよびその製造方法 |
| JPH06194820A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
-
1993
- 1993-11-29 JP JP32313293A patent/JP2616416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07152143A (ja) | 1995-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |