JP3380027B2 - 位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法 - Google Patents
位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法Info
- Publication number
- JP3380027B2 JP3380027B2 JP01328094A JP1328094A JP3380027B2 JP 3380027 B2 JP3380027 B2 JP 3380027B2 JP 01328094 A JP01328094 A JP 01328094A JP 1328094 A JP1328094 A JP 1328094A JP 3380027 B2 JP3380027 B2 JP 3380027B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- light
- substrate
- ion beam
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩの製造に用いられ
る位相シフトマスクの欠陥を修正する方法に関し、特
に、減衰型位相シフトパターンの欠陥を高い精度で修正
し得る方法に関するものである。
る位相シフトマスクの欠陥を修正する方法に関し、特
に、減衰型位相シフトパターンの欠陥を高い精度で修正
し得る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４において、欠陥を含む減衰型位相シ
フトマスクの一例が図解されている。図４（Ａ）は位相
シフトマスクの上面図を表わし、図４（Ｂ）は図４
（Ａ）中の線Ｘ−Ｘに沿った断面図を表わしている。
フトマスクの一例が図解されている。図４（Ａ）は位相
シフトマスクの上面図を表わし、図４（Ｂ）は図４
（Ａ）中の線Ｘ−Ｘに沿った断面図を表わしている。
【０００３】図４の位相シフトマスクにおいては、たと
えば石英ガラスで形成し得る透光性基板１を含んでい
る。透光性基板１上には、たとえば開口２ａを含む減衰
型位相シフタのパターン２が形成されている。減衰型位
相シフタ２は、たとえばＭｏ，Ｃｒなどの窒化物や酸化
物で形成することができる。減衰型位相シフトパターン
２は、パターンが欠けた白欠陥３を含んでいる。図面４
（Ａ）においては位相シフトパターン２の開口２ａの一
辺に接した欠陥３が示されているが、開口２ａの２以上
の辺に接した欠陥や、開口２ａから離れて孤立した欠陥
も存在し得る。
えば石英ガラスで形成し得る透光性基板１を含んでい
る。透光性基板１上には、たとえば開口２ａを含む減衰
型位相シフタのパターン２が形成されている。減衰型位
相シフタ２は、たとえばＭｏ，Ｃｒなどの窒化物や酸化
物で形成することができる。減衰型位相シフトパターン
２は、パターンが欠けた白欠陥３を含んでいる。図面４
（Ａ）においては位相シフトパターン２の開口２ａの一
辺に接した欠陥３が示されているが、開口２ａの２以上
の辺に接した欠陥や、開口２ａから離れて孤立した欠陥
も存在し得る。
【０００４】図５において、図４（Ｂ）に示されている
ような位相シフトマスクのパターン欠陥を修正するため
の従来の方法が図解されている。この従来のパターン欠
陥修正方法においては、図５（Ａ）に示されているよう
に、欠陥領域３下の基板１上に、矢印８で表わされてい
るような炭化水素系ガスのデポジションガスとともに矢
印４で表わされているようなＧａ集束イオンビーム（Ｆ
ＩＢ）を矢印５で表わされているように走査しつつ照射
し、遮光膜１２を堆積させる。図面５（Ｂ）に示されて
いるように形成された遮光膜１２は、Ｇａを含有するカ
ーボン膜として形成される。このカーボン膜１２は、欠
陥３がないとした場合の位相シフトパターン２の正しい
境界に沿ったエッジを有し、部分的に位相シフト膜２上
にオーバーラップさせられる。また、このカーボン膜１
２は、光を遮蔽するように１００〜３００ｎｍの十分な
厚さに形成される。
ような位相シフトマスクのパターン欠陥を修正するため
の従来の方法が図解されている。この従来のパターン欠
陥修正方法においては、図５（Ａ）に示されているよう
に、欠陥領域３下の基板１上に、矢印８で表わされてい
るような炭化水素系ガスのデポジションガスとともに矢
印４で表わされているようなＧａ集束イオンビーム（Ｆ
ＩＢ）を矢印５で表わされているように走査しつつ照射
し、遮光膜１２を堆積させる。図面５（Ｂ）に示されて
いるように形成された遮光膜１２は、Ｇａを含有するカ
ーボン膜として形成される。このカーボン膜１２は、欠
陥３がないとした場合の位相シフトパターン２の正しい
境界に沿ったエッジを有し、部分的に位相シフト膜２上
にオーバーラップさせられる。また、このカーボン膜１
２は、光を遮蔽するように１００〜３００ｎｍの十分な
厚さに形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の減衰型位相シフ
トマスクのパターン欠陥修正方法は以上のように行なわ
れているので、欠陥３が位相シフトパターンの開口２ａ
のエッジに接している場合やそのエッジに接近している
場合に、カーボン膜１２が形成された領域で光が遮蔽さ
れ、その部分の位相シフト効果が失われることになる。
特に、欠陥の面積が大きい場合や欠陥がパターン開口の
２辺以上に接している場合に、それらの欠陥を修正する
ためにカーボン膜を形成したときに、顕著に位相シフト
効果が失われる。
トマスクのパターン欠陥修正方法は以上のように行なわ
れているので、欠陥３が位相シフトパターンの開口２ａ
のエッジに接している場合やそのエッジに接近している
場合に、カーボン膜１２が形成された領域で光が遮蔽さ
れ、その部分の位相シフト効果が失われることになる。
特に、欠陥の面積が大きい場合や欠陥がパターン開口の
２辺以上に接している場合に、それらの欠陥を修正する
ためにカーボン膜を形成したときに、顕著に位相シフト
効果が失われる。
【０００６】本発明はこのような課題を解決するために
なされたものであり、減衰型位相シフトマスクにおける
位相シフトパターンの白欠陥を位相シフト効果を失わし
めることなく修正する方法を提供することを目的として
いる。
なされたものであり、減衰型位相シフトマスクにおける
位相シフトパターンの白欠陥を位相シフト効果を失わし
めることなく修正する方法を提供することを目的として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、フォト
リソグラフィの解像力を高めるための減衰型位相シフト
パターンが透光性基板上に形成されたフォトマスクにお
いてその位相シフトパターンの欠けた欠陥領域を修正す
る方法は、欠陥領域下において基板を集束イオンビーム
を用いてエッチングし、エッチング領域下の基板内に集
束イオンビームを用いてイオン注入し、それによって欠
陥領域下の基板を通過した光と基板の他の領域を通過し
た光の位相差は、位相シフトパターンおよびその下の基
板を通過した光と基板の前記他の領域を通過した光との
位相差と同様にされ、基板のエッチングされた領域内上
に集束イオンビームを用いて遮光膜を形成し、そのとき
に、遮光膜は欠陥領域がないと仮定した場合の位相シフ
トパターンの正しい境界から所定の距離だけ欠陥領域の
内側に向けて後退させられて形成されることを特徴とし
ている。
リソグラフィの解像力を高めるための減衰型位相シフト
パターンが透光性基板上に形成されたフォトマスクにお
いてその位相シフトパターンの欠けた欠陥領域を修正す
る方法は、欠陥領域下において基板を集束イオンビーム
を用いてエッチングし、エッチング領域下の基板内に集
束イオンビームを用いてイオン注入し、それによって欠
陥領域下の基板を通過した光と基板の他の領域を通過し
た光の位相差は、位相シフトパターンおよびその下の基
板を通過した光と基板の前記他の領域を通過した光との
位相差と同様にされ、基板のエッチングされた領域内上
に集束イオンビームを用いて遮光膜を形成し、そのとき
に、遮光膜は欠陥領域がないと仮定した場合の位相シフ
トパターンの正しい境界から所定の距離だけ欠陥領域の
内側に向けて後退させられて形成されることを特徴とし
ている。
【０００８】
【０００９】
【作用】本発明による位相シフトマスクの欠陥修正方法
においては、ＦＩＢを用いて正確に欠陥領域下の基板を
エッチングして基板の厚さを変化させる。したがって、
欠陥領域下の基板を透過した光と位相シフトパターンお
よびその下の基板を透過した光との間において位相差が
なくなり、位相シフトパターンの欠陥が修正されたこと
になる。また、欠陥領域下のエッチングされた基板内に
イオンを注入することによって、欠陥領域下の基板を通
過する光の透過率と位相シフトパターンおよびその下の
基板を通過する光の透過率が同様にされ、これによっ
て、欠陥領域がさらに精度よく欠陥のない状態と等しく
なるように修正される。さらに、基板のエッチングされ
た領域内上に集束イオンビームを用いて遮光膜を形成
し、そのときに、遮光膜は欠陥領域がないと仮定した場
合の位相シフトパターンの正しい境界から所定の距離だ
け欠陥領域の内側に向けてオフセットさせられて形成さ
れる。そして、遮光膜は位相シフトパターンの開口を通
過した光と干渉しない不要な光を遮断するように働き、
またオフセット部分は開口を通過した光と干渉させる必
要のある光を通過させるように働く。
においては、ＦＩＢを用いて正確に欠陥領域下の基板を
エッチングして基板の厚さを変化させる。したがって、
欠陥領域下の基板を透過した光と位相シフトパターンお
よびその下の基板を透過した光との間において位相差が
なくなり、位相シフトパターンの欠陥が修正されたこと
になる。また、欠陥領域下のエッチングされた基板内に
イオンを注入することによって、欠陥領域下の基板を通
過する光の透過率と位相シフトパターンおよびその下の
基板を通過する光の透過率が同様にされ、これによっ
て、欠陥領域がさらに精度よく欠陥のない状態と等しく
なるように修正される。さらに、基板のエッチングされ
た領域内上に集束イオンビームを用いて遮光膜を形成
し、そのときに、遮光膜は欠陥領域がないと仮定した場
合の位相シフトパターンの正しい境界から所定の距離だ
け欠陥領域の内側に向けてオフセットさせられて形成さ
れる。そして、遮光膜は位相シフトパターンの開口を通
過した光と干渉しない不要な光を遮断するように働き、
またオフセット部分は開口を通過した光と干渉させる必
要のある光を通過させるように働く。
【００１０】
【００１１】
【実施例】図１において、図４（Ｂ）に示されてるよう
な位相シフトパターン２の欠陥３を修正するための本発
明に関連する参考例による方法が図解されている。図１
（Ａ）に示されているように、矢印４で示された集束イ
オンビーム４を矢印５で示されているように走査しつつ
照射し、欠陥領域３下に露出されている基板１をエッチ
ングする。イオンビーム用のイオンとしては、Ｇａ，Ｓ
ｉなどのイオンを用いることができる。このとき、エッ
チングと同時に、そのエッチングされている基板１の最
表面近傍にイオン注入層７が形成される。このイオン注
入層７は、光の透過率を低下させるように作用する。
な位相シフトパターン２の欠陥３を修正するための本発
明に関連する参考例による方法が図解されている。図１
（Ａ）に示されているように、矢印４で示された集束イ
オンビーム４を矢印５で示されているように走査しつつ
照射し、欠陥領域３下に露出されている基板１をエッチ
ングする。イオンビーム用のイオンとしては、Ｇａ，Ｓ
ｉなどのイオンを用いることができる。このとき、エッ
チングと同時に、そのエッチングされている基板１の最
表面近傍にイオン注入層７が形成される。このイオン注
入層７は、光の透過率を低下させるように作用する。
【００１２】イオン注入層７の厚さは照射するイオンビ
ームのエネルギに依存し、その注入層７の光透過率，反
射率，および屈折率は注入されるイオンの量で決定され
る。最終的なイオンの注入量は、欠陥修正の完了後にお
いてイオン注入層７の光透過率が減衰型位相シフト膜２
の光透過率と同程度となるように決定される。
ームのエネルギに依存し、その注入層７の光透過率，反
射率，および屈折率は注入されるイオンの量で決定され
る。最終的なイオンの注入量は、欠陥修正の完了後にお
いてイオン注入層７の光透過率が減衰型位相シフト膜２
の光透過率と同程度となるように決定される。
【００１３】なお、エッチングに際しては、破線の矢印
６で示されているようにフッ素系ガスや塩素系ガスなど
のエッチング増速効果を有するガスをエッチング面上に
導入するガスアシスト集束イオンビームエッチングを用
いることもできる。この場合、基板１内に注入されるイ
オンの量が低下するので、イオン注入層７の透過率の減
少は小さなものとなる。したがって、エッチングの最終
段階においてエッチング増速効果を有するガス６の導入
を停止して、集束イオンビーム４による直接エッチング
に切換えてイオン注入層７内のイオン量を制御する。そ
うすることによって、ガスアシスト集束イオンビームエ
ッチングを用いる場合にも、イオン注入層７の光透過率
を精度よく制御することができる。
６で示されているようにフッ素系ガスや塩素系ガスなど
のエッチング増速効果を有するガスをエッチング面上に
導入するガスアシスト集束イオンビームエッチングを用
いることもできる。この場合、基板１内に注入されるイ
オンの量が低下するので、イオン注入層７の透過率の減
少は小さなものとなる。したがって、エッチングの最終
段階においてエッチング増速効果を有するガス６の導入
を停止して、集束イオンビーム４による直接エッチング
に切換えてイオン注入層７内のイオン量を制御する。そ
うすることによって、ガスアシスト集束イオンビームエ
ッチングを用いる場合にも、イオン注入層７の光透過率
を精度よく制御することができる。
【００１４】図１（Ｂ）に示されているように、最終的
に基板１をエッチングする深さは、基板１のエッチング
されていない領域とエッチングされた領域を通過する光
の位相差がπ（１８０°）の奇数倍になるように設定さ
れる。ここでいう光の位相差とは、減衰型位相シフトマ
スクが用いられるフォトリソグラフィにおける光の位相
である。なお、注入層７の厚さが薄い場合には、注入層
７による位相シフト効果が無視できるが、注入層７が厚
い場合には注入層７と基板１との屈折率の差によって生
じる位相シフト効果をも考慮してエッチング深さを設定
する必要がある。
に基板１をエッチングする深さは、基板１のエッチング
されていない領域とエッチングされた領域を通過する光
の位相差がπ（１８０°）の奇数倍になるように設定さ
れる。ここでいう光の位相差とは、減衰型位相シフトマ
スクが用いられるフォトリソグラフィにおける光の位相
である。なお、注入層７の厚さが薄い場合には、注入層
７による位相シフト効果が無視できるが、注入層７が厚
い場合には注入層７と基板１との屈折率の差によって生
じる位相シフト効果をも考慮してエッチング深さを設定
する必要がある。
【００１５】図２において、本発明に関連するもう１つ
の参考例による位相シフトマスクのパターン欠陥修正方
法が図解されている。図２（Ａ）においては、図１
（Ａ）の場合と同様に、矢印４で示された集束イオンビ
ームを矢印５で示されているように走査しつつ照射し、
欠陥領域３下に露出された基板１をエッチングするとと
もに、イオン注入層７を形成する。このエッチングの際
に、破線の矢印６で示されているようなフッ素系ガスや
塩素系ガスなどのエッチング増速効果を有するガスをエ
ッチング領域に導入することによるガスアシスト集束イ
オンビームエッチングを用いてもよい。
の参考例による位相シフトマスクのパターン欠陥修正方
法が図解されている。図２（Ａ）においては、図１
（Ａ）の場合と同様に、矢印４で示された集束イオンビ
ームを矢印５で示されているように走査しつつ照射し、
欠陥領域３下に露出された基板１をエッチングするとと
もに、イオン注入層７を形成する。このエッチングの際
に、破線の矢印６で示されているようなフッ素系ガスや
塩素系ガスなどのエッチング増速効果を有するガスをエ
ッチング領域に導入することによるガスアシスト集束イ
オンビームエッチングを用いてもよい。
【００１６】次に、図２（Ｂ）において矢印８で示され
ているように炭化水素系ガスや金属カルボニル系のガス
などのデポジションガスが基板１のエッチングされた領
域上に導入されるとともに、集束イオンビーム４を走査
することによって薄膜（ＦＩＢ−ＣＶＤ膜）９が形成さ
れる。このとき、炭化水素系ガスを用いた場合には、炭
素を主成分とする薄膜９が形成され、金属カルボニルガ
スを用いた場合にはその成分金属を主成分とする薄膜９
が形成される。なお、薄膜９は、炭素イオンまたは金属
イオンの集束イオンビームを用いて直接成膜することも
できる。
ているように炭化水素系ガスや金属カルボニル系のガス
などのデポジションガスが基板１のエッチングされた領
域上に導入されるとともに、集束イオンビーム４を走査
することによって薄膜（ＦＩＢ−ＣＶＤ膜）９が形成さ
れる。このとき、炭化水素系ガスを用いた場合には、炭
素を主成分とする薄膜９が形成され、金属カルボニルガ
スを用いた場合にはその成分金属を主成分とする薄膜９
が形成される。なお、薄膜９は、炭素イオンまたは金属
イオンの集束イオンビームを用いて直接成膜することも
できる。
【００１７】欠陥修正された部分の光透過率は、薄膜９
とイオン注入層７の光透過率によって制御される。した
がって、欠陥修正部分の光透過率が減衰型位相シフト膜
２の光透過率と同程度になるように、イオン注入層７中
のイオンの量および薄膜９の厚さが設定される。
とイオン注入層７の光透過率によって制御される。した
がって、欠陥修正部分の光透過率が減衰型位相シフト膜
２の光透過率と同程度になるように、イオン注入層７中
のイオンの量および薄膜９の厚さが設定される。
【００１８】エッチングされる深さは、基板１のエッチ
ングされた領域とエッチングされていない領域を通過す
る光の位相差がπ（１８０°）の奇数倍になるように設
定される。なお、イオン注入層７および薄膜９の厚さが
薄い場合には注入層７と薄膜９による位相シフト効果は
無視できるが、注入層７および／または薄膜９が厚い場
合には、これらと基板１との屈折率の差によって生じる
位相シフト効果をも考慮してエッチング深さを設定する
必要がある。
ングされた領域とエッチングされていない領域を通過す
る光の位相差がπ（１８０°）の奇数倍になるように設
定される。なお、イオン注入層７および薄膜９の厚さが
薄い場合には注入層７と薄膜９による位相シフト効果は
無視できるが、注入層７および／または薄膜９が厚い場
合には、これらと基板１との屈折率の差によって生じる
位相シフト効果をも考慮してエッチング深さを設定する
必要がある。
【００１９】図３において、本発明の実施例による位相
シフトマスクのパターン欠陥修正方法が図解されてい
る。図３（Ａ）においても、図１（Ａ）における場合と
同様に、矢印４で示された集束イオンビームを矢印５で
示されているように走査しつつ照射し、欠陥領域３下に
露出された基板１がエッチングされるとともに、イオン
注入層７が形成される。このエッチングの際に、破線の
矢印６で示されているようなフッ素系ガスや塩素系ガス
などのエッチング増速効果を有するガスをエッチング領
域に導入することにより、ガスアシスト集束イオンビー
ムエッチングを用いてもよい。
シフトマスクのパターン欠陥修正方法が図解されてい
る。図３（Ａ）においても、図１（Ａ）における場合と
同様に、矢印４で示された集束イオンビームを矢印５で
示されているように走査しつつ照射し、欠陥領域３下に
露出された基板１がエッチングされるとともに、イオン
注入層７が形成される。このエッチングの際に、破線の
矢印６で示されているようなフッ素系ガスや塩素系ガス
などのエッチング増速効果を有するガスをエッチング領
域に導入することにより、ガスアシスト集束イオンビー
ムエッチングを用いてもよい。
【００２０】エッチングする深さは、基板１のエッチン
グされていない領域を通過する光とエッチングされた領
域を通過する光の位相差がπ（１８０°）の奇数倍にな
るように設定される。
グされていない領域を通過する光とエッチングされた領
域を通過する光の位相差がπ（１８０°）の奇数倍にな
るように設定される。
【００２１】次に図３（Ｂ）に示されているように、矢
印８で示されているような炭化水素系ガスや金属カルボ
ニル系のガスなどのデポジションガスを集束イオンビー
ム４の走査領域に導入することにより、遮光膜１０が形
成される。ここで、集束イオンビーム４を走査する領域
（すなわち、遮光膜１０を形成する領域）は、欠陥領域
３がないと仮定した場合の位相シフトパターン２の正し
い境界から所定の距離１１だけ欠陥領域の内側に向けて
後退させられた位置からその欠陥領域を囲む位相シフト
膜２の一部上に重ねられた領域である。このときの、オ
フセット量１１は、エッジ強調型の位相シフト構造の条
件を満たす値に設定される。しかし、位相シフト膜２の
開口２ａから隔てられて孤立している欠陥については、
集束イオンビーム４を走査させる領域にこのようなオフ
セットを設ける必要はない。
印８で示されているような炭化水素系ガスや金属カルボ
ニル系のガスなどのデポジションガスを集束イオンビー
ム４の走査領域に導入することにより、遮光膜１０が形
成される。ここで、集束イオンビーム４を走査する領域
（すなわち、遮光膜１０を形成する領域）は、欠陥領域
３がないと仮定した場合の位相シフトパターン２の正し
い境界から所定の距離１１だけ欠陥領域の内側に向けて
後退させられた位置からその欠陥領域を囲む位相シフト
膜２の一部上に重ねられた領域である。このときの、オ
フセット量１１は、エッジ強調型の位相シフト構造の条
件を満たす値に設定される。しかし、位相シフト膜２の
開口２ａから隔てられて孤立している欠陥については、
集束イオンビーム４を走査させる領域にこのようなオフ
セットを設ける必要はない。
【００２２】デポジションガス８として炭化水素系ガス
を用いた場合には炭素を主成分とする遮光膜１０が形成
され、金属カルボニル系ガスを用いた場合にはその成分
金属を主成分とする遮光膜１０が形成される。遮光膜１
０の厚さは、光を遮蔽するのに十分な厚さに設定され
る。なお、遮光膜１０は、炭素イオンまたは金属イオン
の集束イオンビームを用いて直接成膜することもでき
る。
を用いた場合には炭素を主成分とする遮光膜１０が形成
され、金属カルボニル系ガスを用いた場合にはその成分
金属を主成分とする遮光膜１０が形成される。遮光膜１
０の厚さは、光を遮蔽するのに十分な厚さに設定され
る。なお、遮光膜１０は、炭素イオンまたは金属イオン
の集束イオンビームを用いて直接成膜することもでき
る。
【００２３】遮光膜１０は開口２ａを通過した光と干渉
しない不要な光を遮断するように働き、オフセット部１
１は開口２ａを通過した光と干渉させる必要のある光を
通過させるように働く。
しない不要な光を遮断するように働き、オフセット部１
１は開口２ａを通過した光と干渉させる必要のある光を
通過させるように働く。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、位相シ
フトマスクの欠陥領域を通過する光の位相は主に集束イ
オンビームを用いた基板のエッチング深さによって修正
され、その欠陥領域を通過する光の透過率は主に集束イ
オンビームを利用してその欠陥領域下に形成されたイオ
ン注入領域によって調節される。すなわち、本発明は、
位相シフトマスクのパターン欠陥部を通過する光の位相
と透過率を正常なパターン部分を通過する光と同様にな
るように、集束イオンビームを利用することによって正
確に修正することができる。また、本発明によれば、基
板のエッチングされた領域内上に集束イオンビームを用
いて遮光膜を形成し、そのときに、遮光膜は欠陥領域が
ないと仮定した場合の位相シフトパターンの正しい境界
から所定の距離だけ欠陥領域の内側に向けてオフセット
させられて形成される。そして、遮光膜は位相シフトパ
ターンの開口を通過した光と干渉しない不要な光を遮断
するように働き、またオフセット部分は開口を通過した
光と干渉させる必要のある光を通過させるように働き得
る。
フトマスクの欠陥領域を通過する光の位相は主に集束イ
オンビームを用いた基板のエッチング深さによって修正
され、その欠陥領域を通過する光の透過率は主に集束イ
オンビームを利用してその欠陥領域下に形成されたイオ
ン注入領域によって調節される。すなわち、本発明は、
位相シフトマスクのパターン欠陥部を通過する光の位相
と透過率を正常なパターン部分を通過する光と同様にな
るように、集束イオンビームを利用することによって正
確に修正することができる。また、本発明によれば、基
板のエッチングされた領域内上に集束イオンビームを用
いて遮光膜を形成し、そのときに、遮光膜は欠陥領域が
ないと仮定した場合の位相シフトパターンの正しい境界
から所定の距離だけ欠陥領域の内側に向けてオフセット
させられて形成される。そして、遮光膜は位相シフトパ
ターンの開口を通過した光と干渉しない不要な光を遮断
するように働き、またオフセット部分は開口を通過した
光と干渉させる必要のある光を通過させるように働き得
る。
【図１】本発明に関連する参考例による位相シフトマス
クのパターン欠陥修正方法を図解する断面図である。
クのパターン欠陥修正方法を図解する断面図である。
【図２】本発明に関連するもう１つの参考例による位相
シフトマスクのパターン欠陥修正方法を図解する断面図
である。
シフトマスクのパターン欠陥修正方法を図解する断面図
である。
【図３】本発明の実施例による位相シフトマスクのパタ
ーン欠陥修正方法を図解する断面図である。
ーン欠陥修正方法を図解する断面図である。
【図４】減衰型位相シフトパターンを有するフォトマス
クに含まれる欠陥の一例を示す図である。
クに含まれる欠陥の一例を示す図である。
【図５】従来の位相シフトマスクのパターン欠陥修正方
法を図解する断面図である。
法を図解する断面図である。
１ 透光性基板
２ 減衰型位相シフトパターン
３ 欠陥領域
４ 集束イオンビーム
５ 集束イオンビームの走査方向
６ エッチング増速効果を有するガス
７ イオン注入層
８ デポジションガス
９ 薄膜
１０ 遮光膜
１１ オフセット量
１２ 遮光膜
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−136854（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−449（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−134394（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−323571（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−155339（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−288542（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−323578（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−245135（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−26846（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/00 - 1/16
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトリソグラフィの解像力を高めるた
めの減衰型位相シフトパターンが透光性基板上に形成さ
れたフォトマスクにおいて前記位相シフトパターンの欠
けた欠陥領域を修正する方法であって、 前記欠陥領域下において前記基板を集束イオンビームを
用いてエッチングし、 前記エッチングの領域下の前記基板内に集束イオンビー
ムを用いてイオン注入し、 それによって、前記欠陥領域下の前記基板を通過した光
と前記基板の他の領域を通過した光との位相差は、前記
位相シフトパターンおよびその下の前記基板を通過した
光と前記基板の前記他の領域を通過した光との位相差と
同様にされ、 前記基板の前記エッチングされた領域内上に集束イオン
ビームを用いて遮光膜を形成し、そのときに、前記遮光
膜は前記欠陥領域がないと仮定した場合の前記位相シフ
トパターンの正しい境界から所定の距離だけ前記欠陥領
域の内側に向けて後退させられて形成される ことを特徴
とする位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法。 - 【請求項２】 前記エッチングは、集束イオンビームミ
リングを用いた直接エッチングおよびフッ素系ガスと塩
素系ガスの少なくとも１つを用いたガスアシスト集束イ
オンビームエッチングのいずれかであることを特徴とす
る請求項１に記載の位相シフトマスクのパターン欠陥修
正方法。 - 【請求項３】 前記遮光膜は、集束イオンビームによる
直接デポジションおよび炭化水素系ガスと金属カルボニ
ル系ガスの少なくとも１つを用いたガスアシスト集束イ
オンビームデポジションのいずれかによって形成される
ことを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフト
マスクのパターン欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01328094A JP3380027B2 (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01328094A JP3380027B2 (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07219211A JPH07219211A (ja) | 1995-08-18 |
| JP3380027B2 true JP3380027B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=11828796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01328094A Expired - Fee Related JP3380027B2 (ja) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3380027B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2904170B2 (ja) * | 1996-12-27 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクの欠陥修正方法 |
| US7504182B2 (en) * | 2002-09-18 | 2009-03-17 | Fei Company | Photolithography mask repair |
| JP4297693B2 (ja) | 2003-01-31 | 2009-07-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、およびフォトマスクの製造装置 |
| JP2007115903A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Nec Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-02-07 JP JP01328094A patent/JP3380027B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07219211A (ja) | 1995-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3330998B2 (ja) | 位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法 | |
| JP4442962B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP2000267260A (ja) | マスク欠陥修正方法 | |
| TW200916944A (en) | Method of correcting a defect in a gray tone mask, method of manufacturing a gray tone mask, gray tone mask, and method of transferring a pattern | |
| JPH09304912A (ja) | 位相シフトマスク、位相シフトマスク用ブランクスおよび位相シフトマスクの製造方法 | |
| CN110780534B (zh) | 光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法 | |
| JP3380027B2 (ja) | 位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法 | |
| US6096459A (en) | Method for repairing alternating phase shifting masks | |
| JP2922715B2 (ja) | 位相シフトパターンの欠陥修正方法 | |
| US6114073A (en) | Method for repairing phase shifting masks | |
| KR20170079742A (ko) | 하프톤 마스크의 리페어 방법 | |
| JP2009192846A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
| KR100363090B1 (ko) | 개구부용 포토마스크의 불투명 결함 수리 방법 | |
| JP2539945B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| US4849642A (en) | Method for repairing a pattern film | |
| JPH07295204A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| JPH06148866A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JP3263872B2 (ja) | ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその修正方法並びに半導体装置の製造方法 | |
| US6939650B2 (en) | Method of patterning photoresist on a wafer using a transmission mask with a carbon layer | |
| KR100314128B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| JP2001290257A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びそのためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス並びにこれを用いたパターン形成方法 | |
| KR100230389B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| JP4325175B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク、半導体装置の製造方法、およびハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 | |
| KR0156421B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 | |
| JP4806877B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021126 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071213 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091213 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111213 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121213 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121213 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131213 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |