JPS6159732A - フオトマスクの修正方法 - Google Patents
フオトマスクの修正方法Info
- Publication number
- JPS6159732A JPS6159732A JP59182263A JP18226384A JPS6159732A JP S6159732 A JPS6159732 A JP S6159732A JP 59182263 A JP59182263 A JP 59182263A JP 18226384 A JP18226384 A JP 18226384A JP S6159732 A JPS6159732 A JP S6159732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- light
- defect
- pattern
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は透明基板表面に所望形状にクロミウム膜を被着
せしめたフォトマスクに於ける欠損欠陥を修正するフォ
トマスクの修正方法に関する。
せしめたフォトマスクに於ける欠損欠陥を修正するフォ
トマスクの修正方法に関する。
（ロ）従来の技術
半導体・集績回路は年々微細化・高密度化されており、
それに伴ってフォトマスクに要求される品質も厳しいも
のとなってきた。その結果マスクの材質も金属クロミウ
ムをパターン材とするハードマスクが主流となりつつあ
る。フォトマスクの品質の中で、欠陥は素子の製造歩留
りに大きく影響するものであり、もちろん無欠陥マスク
が望ましい。しかし通常のマスク製造工程で無欠陥マス
ク゛が得られる確率は極めて低く、数個の欠陥を含む場
合が多い。従って無欠陥マスクを得るには、これ等の欠
陥を何らかの方法で修正する必要がある。クロムハード
マスクにおいては、クロムの黒点が残る１残留欠陥”と
、クロミウム膜にピンホールが残る“欠損欠陥”と、２
ｓ類の欠陥が存在する。残留欠陥は欠陥部にレーザー光
を照射して残留クロムを蒸発させる事により容易に修正
が可能である。しかしながら欠損欠陥の修正については
種々の提案がなされているが未だ実用となる修正機は出
現していない。
それに伴ってフォトマスクに要求される品質も厳しいも
のとなってきた。その結果マスクの材質も金属クロミウ
ムをパターン材とするハードマスクが主流となりつつあ
る。フォトマスクの品質の中で、欠陥は素子の製造歩留
りに大きく影響するものであり、もちろん無欠陥マスク
が望ましい。しかし通常のマスク製造工程で無欠陥マス
ク゛が得られる確率は極めて低く、数個の欠陥を含む場
合が多い。従って無欠陥マスクを得るには、これ等の欠
陥を何らかの方法で修正する必要がある。クロムハード
マスクにおいては、クロムの黒点が残る１残留欠陥”と
、クロミウム膜にピンホールが残る“欠損欠陥”と、２
ｓ類の欠陥が存在する。残留欠陥は欠陥部にレーザー光
を照射して残留クロムを蒸発させる事により容易に修正
が可能である。しかしながら欠損欠陥の修正については
種々の提案がなされているが未だ実用となる修正機は出
現していない。
従来、提案されたり一一部で試みられている方法として
クロムのリフトオフ法を呼ばれる方法がある。斯る方法
は、フォトマスクにフォトレジストを塗布し、欠損欠陥
部を含む微小部分を限定露光し、現像、水洗等の工程を
経て欠損部のレジストを除去した後エツチングを行ない
欠損欠陥部を含む微小部分のクロミウム摸を除去する。
クロムのリフトオフ法を呼ばれる方法がある。斯る方法
は、フォトマスクにフォトレジストを塗布し、欠損欠陥
部を含む微小部分を限定露光し、現像、水洗等の工程を
経て欠損部のレジストを除去した後エツチングを行ない
欠損欠陥部を含む微小部分のクロミウム摸を除去する。
この後このフォトマスクを蒸着装置で再度蒸着した後。
残部の７オトレジストをはく離する。このようにすれば
、欠損欠陥を修正することができるが、マスクを製造す
る工程と同じ工程を経てはじめて可能となることで、大
量に処理することが困難である。別の方法として、欠陥
のあるパターン面上にパターン材料層を近接させてパタ
ーン材料層の前記欠陥と対応した部分にレーザー光を照
射し、パターン材料を蒸発させて欠陥部の基板に蒸着さ
せる方法がある（例えば、特開昭５１−１２０６７１号
公報に記載されている）。
、欠損欠陥を修正することができるが、マスクを製造す
る工程と同じ工程を経てはじめて可能となることで、大
量に処理することが困難である。別の方法として、欠陥
のあるパターン面上にパターン材料層を近接させてパタ
ーン材料層の前記欠陥と対応した部分にレーザー光を照
射し、パターン材料を蒸発させて欠陥部の基板に蒸着さ
せる方法がある（例えば、特開昭５１−１２０６７１号
公報に記載されている）。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点斯上した方法に
よれば欠損欠陥を修正する事が可能だが、未だクロミウ
ム膜が全く付着していない基板へのパターン転写を行う
場合に比して、既にパターンが存在し、かつパターンの
クロミウム膜の中に欠陥部のある場合には、上記の方法
では、正規のパターンを損傷したり、また正規のパター
ン上にクロミウム膜を重ねて蒸着し、フォトマスクの面
精度が低下するという欠点がある。
よれば欠損欠陥を修正する事が可能だが、未だクロミウ
ム膜が全く付着していない基板へのパターン転写を行う
場合に比して、既にパターンが存在し、かつパターンの
クロミウム膜の中に欠陥部のある場合には、上記の方法
では、正規のパターンを損傷したり、また正規のパター
ン上にクロミウム膜を重ねて蒸着し、フォトマスクの面
精度が低下するという欠点がある。
このようにフォトマスクの欠損欠陥を修正するのは困難
であるため、欠損欠陥の修正は殆んど行われていないの
が現状である。
であるため、欠損欠陥の修正は殆んど行われていないの
が現状である。
に）問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、透明基板に修正
層を設けたフォトマスクを用い、欠損欠陥部に高エネル
ギーのレーザー光を照射することにより欠損欠陥部直下
の修正層に格子欠陥を生じさせ、この格子欠陥により光
吸収が起こる特定の波長の光を用いてフェノ・−転写す
ることにより従来の欠点を除去して欠損欠陥の修正を行
うことにある。
層を設けたフォトマスクを用い、欠損欠陥部に高エネル
ギーのレーザー光を照射することにより欠損欠陥部直下
の修正層に格子欠陥を生じさせ、この格子欠陥により光
吸収が起こる特定の波長の光を用いてフェノ・−転写す
ることにより従来の欠点を除去して欠損欠陥の修正を行
うことにある。
（ホ） 作用
本発明では欠陥部にレーザー光を照射することにより欠
損欠陥部直下の修正層に格子欠陥を生じさせ、この格子
欠陥により光吸収が起る特定の波長の光を用いてフェノ
・−転写するので実質的にウェハーの欠損欠陥を容易に
修正することができる。
損欠陥部直下の修正層に格子欠陥を生じさせ、この格子
欠陥により光吸収が起る特定の波長の光を用いてフェノ
・−転写するので実質的にウェハーの欠損欠陥を容易に
修正することができる。
（へ）実施例
第１図（イ）乃至第１図ρ→に本発明によるフォトマス
クの修正方法を工程原に示す。第１図（イ）はフォトマ
スクの断面図であり、透明基板（１）表面にクロミニラ
ム膜（２）を蒸着し、その上にレジストを塗布して得ら
れた乾板に電子ビームもしくは紫外線露光等の方法によ
り露光、現像、エツチングの工程を経て透明基板（１）
表面に所望形状のパターンを形成しである。これは従来
のフォトマスク製造技術と同一であるが、透明基板（１
）としてガラス基板（３）表面全体にアルカリハライド
結晶より成るイし正層（４）とこれを保護するガラスの
薄膜より成る保護膜（５）を設けたものを使用している
。なお（６）はこのクロミニラム膜（２）の一部が欠落
した欠損欠陥である。
クの修正方法を工程原に示す。第１図（イ）はフォトマ
スクの断面図であり、透明基板（１）表面にクロミニラ
ム膜（２）を蒸着し、その上にレジストを塗布して得ら
れた乾板に電子ビームもしくは紫外線露光等の方法によ
り露光、現像、エツチングの工程を経て透明基板（１）
表面に所望形状のパターンを形成しである。これは従来
のフォトマスク製造技術と同一であるが、透明基板（１
）としてガラス基板（３）表面全体にアルカリハライド
結晶より成るイし正層（４）とこれを保護するガラスの
薄膜より成る保護膜（５）を設けたものを使用している
。なお（６）はこのクロミニラム膜（２）の一部が欠落
した欠損欠陥である。
斯るフォトマスクの欠損欠陥部（６）を含む微小部分に
高出力の紫外線パルスレーザ−（力、例えばＮｄ” Ｙ
Ａ Ｇレーザーの第３高周波を照射して欠損部直下の
領域の修正層（４）に格子欠陥領域（８）を生じさせる
。（第１図（ロ）参照）。
高出力の紫外線パルスレーザ−（力、例えばＮｄ” Ｙ
Ａ Ｇレーザーの第３高周波を照射して欠損部直下の
領域の修正層（４）に格子欠陥領域（８）を生じさせる
。（第１図（ロ）参照）。
ところで、修正層（４）を形成するアルカリハライド結
晶Ｋｉｔ結晶構造として面心立方格子を形成し、近赤外
、可視、近紫外部領域にわたる広い範囲の波長の光に対
して透明であるが、熱的エネルギー等によりその結晶構
造に格子欠陥を生じさせるとある特定の波長の光に対し
て不透明となる性質がある。これはアルカリハライド結
晶の格子欠陥の中で最も容易に発生する”Ｆ中心”と呼
ばれる光吸収体が生じたためである。具体的にはアルカ
リハライド結晶としてＮａｃｌを用いれば４８００Ａ、
Ｌｉｃｌを用いれば３９００人、Ｋｃｌを用いれば５６
００Ａの波長の光に対して不透明となる。
晶Ｋｉｔ結晶構造として面心立方格子を形成し、近赤外
、可視、近紫外部領域にわたる広い範囲の波長の光に対
して透明であるが、熱的エネルギー等によりその結晶構
造に格子欠陥を生じさせるとある特定の波長の光に対し
て不透明となる性質がある。これはアルカリハライド結
晶の格子欠陥の中で最も容易に発生する”Ｆ中心”と呼
ばれる光吸収体が生じたためである。具体的にはアルカ
リハライド結晶としてＮａｃｌを用いれば４８００Ａ、
Ｌｉｃｌを用いれば３９００人、Ｋｃｌを用いれば５６
００Ａの波長の光に対して不透明となる。
次に上記の光吸収が生じる単一波長の光（９）を用いて
フェノ・−転写する。この波長の光を用いれば欠損欠陥
（６）部から漏洩する光は格子欠陥領域（８）によって
阻まれるので欠損欠陥（６）がそのままフェノ・−ＣＩ
Ｉ上のレジスト（１１）に露光されることはなく、また
低出力長波長の光であれば非欠陥部直下の修正層（４）
に格子欠陥を生じさせることはないので正規のパターン
を正確に転写することができる。（第１図（ハ）参照） 本発明は以上の説明から明らかな如く、クロミニラム膜
（２）の欠損欠陥（６）部に高出力短波長のレーザー光
（力を照射することにより修正層（４）に格子欠陥領域
（８）を生じさせ、これによって光吸収が起こる特定の
波長の光を用いてウェハー転写することにより実質的に
欠損欠陥（６）の修正ができる。
フェノ・−転写する。この波長の光を用いれば欠損欠陥
（６）部から漏洩する光は格子欠陥領域（８）によって
阻まれるので欠損欠陥（６）がそのままフェノ・−ＣＩ
Ｉ上のレジスト（１１）に露光されることはなく、また
低出力長波長の光であれば非欠陥部直下の修正層（４）
に格子欠陥を生じさせることはないので正規のパターン
を正確に転写することができる。（第１図（ハ）参照） 本発明は以上の説明から明らかな如く、クロミニラム膜
（２）の欠損欠陥（６）部に高出力短波長のレーザー光
（力を照射することにより修正層（４）に格子欠陥領域
（８）を生じさせ、これによって光吸収が起こる特定の
波長の光を用いてウェハー転写することにより実質的に
欠損欠陥（６）の修正ができる。
（ト） 発明の効果
本発明により欠損欠陥部を実質的に修正することができ
るので、簡単な工程で容易に無欠陥マスクを得ることが
可能となる。特にペレクト単位でウェハー転写するステ
ッパ用のレクチルには欠陥数ｎｏｎが要求されるため、
従来は行なわれていなかった欠損欠陥の修正も必要とな
るが、本発明によるフォトマスクとその修正方法を用い
れば容易に修正することが可能となる。また本発明の修
正方法では欠損欠陥部に再度クロミニラム膜を付着する
ことはないので、正規のパターンを損傷したり、パター
ンの面精度を低下させることはなく高精度のフォトマス
クを得ることができる。
るので、簡単な工程で容易に無欠陥マスクを得ることが
可能となる。特にペレクト単位でウェハー転写するステ
ッパ用のレクチルには欠陥数ｎｏｎが要求されるため、
従来は行なわれていなかった欠損欠陥の修正も必要とな
るが、本発明によるフォトマスクとその修正方法を用い
れば容易に修正することが可能となる。また本発明の修
正方法では欠損欠陥部に再度クロミニラム膜を付着する
ことはないので、正規のパターンを損傷したり、パター
ンの面精度を低下させることはなく高精度のフォトマス
クを得ることができる。
第１図（イ）は本発明のフォトマスクを説明する新生な
図番の説明 （１１はガラス基板、 （４）は修正層、 （６）は欠
損欠陥部、 （８）は格子欠陥部である。
図番の説明 （１１はガラス基板、 （４）は修正層、 （６）は欠
損欠陥部、 （８）は格子欠陥部である。
Claims (1)
- （１）透明基板内に欠損欠陥を修正する修正層を設け、
前記透明基板表面に所望形状にパターンを形成した半導
体装置製造に用いるフォトマスクにおいて、該フォトマ
スクの欠損欠陥部にレーザー光を照射して前記修正層に
格子欠陥を生じさせ、この格子欠陥により光吸収が生じ
る特定の波長の光でウェハー転写を行うフォトマスクの
修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182263A JPS6159732A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | フオトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182263A JPS6159732A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | フオトマスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159732A true JPS6159732A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16115192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59182263A Pending JPS6159732A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | フオトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159732A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001272545A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラムカラーフィルターの欠陥修正方法 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59182263A patent/JPS6159732A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001272545A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | ホログラムカラーフィルターの欠陥修正方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4936515B2 (ja) | フォトマスクの製造方法、およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR100706731B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 | |
| TWI286795B (en) | Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device | |
| US20020155359A1 (en) | Dual-member pellicle assemblies and methods of use | |
| JPS6159732A (ja) | フオトマスクの修正方法 | |
| JP3630929B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH04125642A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法 | |
| JP3440338B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトフオトマスク | |
| JPH07295204A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| TWI421626B (zh) | 光罩之製造方法及使用該光罩的圖樣轉印方法 | |
| JPH10274839A (ja) | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP4202770B2 (ja) | 防塵装置付きフォトマスクおよび露光方法、検査方法と修正方法 | |
| JPH02115842A (ja) | ホトマスク欠陥の修正方法 | |
| KR100298175B1 (ko) | 포토마스크제조방법 | |
| JPS6163029A (ja) | クロムマスクの修正方法 | |
| JPS60245135A (ja) | ホトマスク修正方法 | |
| JPH07219203A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
| TW200412478A (en) | Method of repairing attenuate phase shift mask | |
| JPS6053872B2 (ja) | 遮光性マスクの修正方法 | |
| JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
| KR20110028983A (ko) | 포토마스크의 제조방법 및 펠리클 제거방법 | |
| CN116125743A (zh) | 光掩膜版及其制作方法 | |
| JPH0325768B2 (ja) | ||
| JP2004241740A (ja) | 防塵装置、防塵装置付きステンシルマスクおよび露光方法、検査方法と欠陥修正方法 | |
| JPS6228463B2 (ja) |