JPS60182726A - パタ−ン膜形成方法 - Google Patents
パタ−ン膜形成方法Info
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- JPS60182726A JPS60182726A JP59038131A JP3813184A JPS60182726A JP S60182726 A JPS60182726 A JP S60182726A JP 59038131 A JP59038131 A JP 59038131A JP 3813184 A JP3813184 A JP 3813184A JP S60182726 A JPS60182726 A JP S60182726A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/947—Subphotolithographic processing
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製作工程のなかで必要とされる
パターン膜形成方法に関し、例えはホトマスクの修正方
法に関するものである。
パターン膜形成方法に関し、例えはホトマスクの修正方
法に関するものである。
半導体製造工程において使用されるマスクおよびレチク
ルはパターンヲ露光しエッチングスルコとにより製造さ
れるが、このｊｙｌ％パターンに欠陥が生じて問題とな
っている。この欠陥には２種類あシ、１つは削らノ１る
べき描１所が残ってしまったもので黒点欠陥と呼び、も
う１つは残るべき個所が削られてしまったもので白点欠
陥と呼ぶ。この欠陥のうち白点欠陥を有｛全化合物とイ
オンビーム照射によって修正する従来方法は太き〈分け
て２方法が提案さ九ている。１つの方法はマスクにホト
レジスト等の有機被膜を塗布した後。白点欠陥部分に集
束イオンビームを照射して照射領域にめゐ有機被膜をポ
リマー化または炭化する方法である。
ルはパターンヲ露光しエッチングスルコとにより製造さ
れるが、このｊｙｌ％パターンに欠陥が生じて問題とな
っている。この欠陥には２種類あシ、１つは削らノ１る
べき描１所が残ってしまったもので黒点欠陥と呼び、も
う１つは残るべき個所が削られてしまったもので白点欠
陥と呼ぶ。この欠陥のうち白点欠陥を有｛全化合物とイ
オンビーム照射によって修正する従来方法は太き〈分け
て２方法が提案さ九ている。１つの方法はマスクにホト
レジスト等の有機被膜を塗布した後。白点欠陥部分に集
束イオンビームを照射して照射領域にめゐ有機被膜をポ
リマー化または炭化する方法である。
このようにしてポリマー化または炭化した膜は優れた遮
光性と付着強度を持っており白点欠陥を修正する材料と
して適している。ところでこの方法では有機被膜を塗布
する工程が必要で時間がかかり、さらに照射する集束イ
オンビームは１００ＫｅＶ 以上の高エネルギーである
ために装置が大がかシになる等の問題点がある。
光性と付着強度を持っており白点欠陥を修正する材料と
して適している。ところでこの方法では有機被膜を塗布
する工程が必要で時間がかかり、さらに照射する集束イ
オンビームは１００ＫｅＶ 以上の高エネルギーである
ために装置が大がかシになる等の問題点がある。
白点欠陥を有機化合物とイオンビーム照射によって修正
する２番目の方法として白点欠陥位置に有機化合物蒸気
の吹き付けと集束イオンビーム照射を同時に行ない、有
機化合物分子をポリマー化または炭化させて白点欠陥個
所に付着させる方法がある。この方法は１番目の方法と
比較すると、有機被膜を塗布する工程がいらないことや
、照射するイオンの加速エネルギーが２番目の方法では
５０ ＫｅＶ以下でできるために装置が簡雫になる等の
長所がある。この方法に使用する有機化合働程としては
従来、真空ポンプオイルやトリメチルアルミ等の有機金
属または（Ｏｒ（ＯａＨｓ）ａ）等のビスベンゼン錯塩
が提案されていた。ところで真空ポンプオイルを用い°
Ｃ白点欠陥に４１１ｉ正すゐ例では、常温での真空ポン
プオイルの蒸気圧は１０−’Ｔｏｒｒ以下と低いために
ポリマー化または炭化して膜を形成するだめの真空ポン
プオイル構成物分子の供給−が不充分で膜厚の成長速度
が遅い。また膜厚の成長速度を速めるために真空ポンプ
オイルを加熱して蒸気圧を上げると、サンプル表面に真
空ポンプオイルが凝縮してしまう。このためイオンビー
ム照射部分と非照射部分の境界において不完全にポリマ
ー化または炭イヒした部分ができて微細な膜形成スバ困
難になる等の不都合が生じている。また有機金属やビス
ベンゼン錯塩を用いたパターン膜形成方法では、サンプ
ル近傍の蒸気圧が低いときには膜厚の成長速度が遅く、
充分なｊ膜厚の成長速度が得られるまで蒸気圧を上げる
とイオンビームの散乱や排気系への負葡の増加およびイ
オン源への悪影響等の不都合が生じてくる。また、金属
原子を含む有機化合物は毒性の高い物質や不安定な物質
が多く、取扱い上の問題もある。
する２番目の方法として白点欠陥位置に有機化合物蒸気
の吹き付けと集束イオンビーム照射を同時に行ない、有
機化合物分子をポリマー化または炭化させて白点欠陥個
所に付着させる方法がある。この方法は１番目の方法と
比較すると、有機被膜を塗布する工程がいらないことや
、照射するイオンの加速エネルギーが２番目の方法では
５０ ＫｅＶ以下でできるために装置が簡雫になる等の
長所がある。この方法に使用する有機化合働程としては
従来、真空ポンプオイルやトリメチルアルミ等の有機金
属または（Ｏｒ（ＯａＨｓ）ａ）等のビスベンゼン錯塩
が提案されていた。ところで真空ポンプオイルを用い°
Ｃ白点欠陥に４１１ｉ正すゐ例では、常温での真空ポン
プオイルの蒸気圧は１０−’Ｔｏｒｒ以下と低いために
ポリマー化または炭化して膜を形成するだめの真空ポン
プオイル構成物分子の供給−が不充分で膜厚の成長速度
が遅い。また膜厚の成長速度を速めるために真空ポンプ
オイルを加熱して蒸気圧を上げると、サンプル表面に真
空ポンプオイルが凝縮してしまう。このためイオンビー
ム照射部分と非照射部分の境界において不完全にポリマ
ー化または炭イヒした部分ができて微細な膜形成スバ困
難になる等の不都合が生じている。また有機金属やビス
ベンゼン錯塩を用いたパターン膜形成方法では、サンプ
ル近傍の蒸気圧が低いときには膜厚の成長速度が遅く、
充分なｊ膜厚の成長速度が得られるまで蒸気圧を上げる
とイオンビームの散乱や排気系への負葡の増加およびイ
オン源への悪影響等の不都合が生じてくる。また、金属
原子を含む有機化合物は毒性の高い物質や不安定な物質
が多く、取扱い上の問題もある。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくし、幅が
１μｍ以下のパターン脱形成を丁みやかに行なうことが
でき、しかも安定で毒性の鷺めて小さ々有機化合物を使
用できる手段を提供するものである。
１μｍ以下のパターン脱形成を丁みやかに行なうことが
でき、しかも安定で毒性の鷺めて小さ々有機化合物を使
用できる手段を提供するものである。
即ち本発明Ｃよ有機物質種として常温での蒸気圧がＩ
Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒから５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ
である有機化合物を使用すること全特徴とすなもので。
Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒから５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ
である有機化合物を使用すること全特徴とすなもので。
以下図面に従って、不発明を計則に祝ゆＪ−ｊゐ。
第１１図は白点欠陥を有−ｊ−るホトマスクの畠−公平
面図、第２図は本発明によってホトマスクの白点欠陥を
修正したν１１を説１．す〕ずゐための凸面は１１．’
Ａｓ ６図は不発明に示す有機物姉を使用してパターン
展形成を行なった例と常温での蒸気圧が１ ｘ １０−
’ＴＯｒｒ以下または５ ｘ １０−３Ｔｏｒｒ以上の
有磯化合物稙を使用してパターン１腐形成會行なった例
との違いを祝明する図。第４図は本発明の方法によって
作成したパターン膜の実輔例の与＾である。
面図、第２図は本発明によってホトマスクの白点欠陥を
修正したν１１を説１．す〕ずゐための凸面は１１．’
Ａｓ ６図は不発明に示す有機物姉を使用してパターン
展形成を行なった例と常温での蒸気圧が１ ｘ １０−
’ＴＯｒｒ以下または５ ｘ １０−３Ｔｏｒｒ以上の
有磯化合物稙を使用してパターン１腐形成會行なった例
との違いを祝明する図。第４図は本発明の方法によって
作成したパターン膜の実輔例の与＾である。
第１図において、１はガシス＆号の支持板、２はクロム
等で支持板１上に描かれたパターン、５１．５２．３６
は代表的な白点欠陥でそれぞれ素子脱落、Ｗ＋ｍ、ビン
ポールを示しており、いずれも光が透＞／ｉがしてしま
うために白点欠陥を修正する必要かある。すなわち、こ
れらの光透過部分に何らかの加工ｋ Ｖｔしてパターン
２と同様の遮光性を持たせることが必要である。
等で支持板１上に描かれたパターン、５１．５２．３６
は代表的な白点欠陥でそれぞれ素子脱落、Ｗ＋ｍ、ビン
ポールを示しており、いずれも光が透＞／ｉがしてしま
うために白点欠陥を修正する必要かある。すなわち、こ
れらの光透過部分に何らかの加工ｋ Ｖｔしてパターン
２と同様の遮光性を持たせることが必要である。
第２図（ａ）において素子膜／８３１は次のようにして
修正される。４はイオンビーム発生源で、液体金属・イ
オン源等の高輝度イオンのと、高輝度イオン源で発生し
たイオンを加熱、偏光、集束するイオン光学系が含まれ
ている。そしてイオンビーム発生源より発生したイオン
ビーム５は素子脱落３１の領域で走査されて均一なイオ
ン闇が照射される。脣だ６は有機化合物供給源である。
修正される。４はイオンビーム発生源で、液体金属・イ
オン源等の高輝度イオンのと、高輝度イオン源で発生し
たイオンを加熱、偏光、集束するイオン光学系が含まれ
ている。そしてイオンビーム発生源より発生したイオン
ビーム５は素子脱落３１の領域で走査されて均一なイオ
ン闇が照射される。脣だ６は有機化合物供給源である。
有機化合物供給源６には加熱ヒーターが営まれており有
機化合物供給源６の温度を調節することによって素子脱
落に吹＠セｊけ／ｌ）有機化合物の蒸気７の量を調節で
きろ。ここで支持板１の温［は常温である。有機化合物
の種類については後述丁ゐが、この有機化合物の蒸気７
のうち多くは支持板１上に付着しており、集束イオンビ
ーム５を照射することによってポリマー比重たは炭化す
る。第２図（ｂ）は上記の方法によって素子脱落５１上
にノ（ターン膜８を形成したことを示す図である。
機化合物供給源６の温度を調節することによって素子脱
落に吹＠セｊけ／ｌ）有機化合物の蒸気７の量を調節で
きろ。ここで支持板１の温［は常温である。有機化合物
の種類については後述丁ゐが、この有機化合物の蒸気７
のうち多くは支持板１上に付着しており、集束イオンビ
ーム５を照射することによってポリマー比重たは炭化す
る。第２図（ｂ）は上記の方法によって素子脱落５１上
にノ（ターン膜８を形成したことを示す図である。
第６図＜ａ）は常温での蒸気圧がＩ Ｘ １０−４Ｔｏ
ｒｒ以下であゐ有機化合物を使用したパターン膜を形成
した１夕１１で必り第５図（ｂ）は常温での蒸気圧が本
発明で示すＩ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒから５×１０−３Ｔ
ｏｒｒである有機化合物を使用してノくターン膜を形成
したす１１で、照射する集束イオンビーム５の条件や支
持台１の条件は上記第５図（ａ）と等しいものとする。
ｒｒ以下であゐ有機化合物を使用したパターン膜を形成
した１夕１１で必り第５図（ｂ）は常温での蒸気圧が本
発明で示すＩ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒから５×１０−３Ｔ
ｏｒｒである有機化合物を使用してノくターン膜を形成
したす１１で、照射する集束イオンビーム５の条件や支
持台１の条件は上記第５図（ａ）と等しいものとする。
また；、１．５図（ａ）は常温で蒸気圧が５ Ｘ １０
−３Ｔｏｒｒ以上の有機化香物を使用したパターン膜を
形成した例で照射する集束イオンビーム５の条件や支持
体１０条件および吹きつける有＠化合物の蒸気圧は上記
第６図（ｂ）と等しいものとすな。第３図（ａ）の例で
は支持板１上に付着した有機化合物は蒸発速度が遅いた
めに有機化合物層９を形成する。有機化合物層９のうち
集束イオンビーム５を照射した部分は厚さが薄くなって
有機化合物層９よシも低い位；４に凝）同１つてポリマ
ー化または炭化してパターン膜８となる。このとき有機
化合物層９とパターン膜８との境界近傍には有機化合物
が不完全にポリマー化または炭化した嘴１０が生じ、微
細加工が困難になったり、付着強度の弱い部分で脱落し
たものは＃導体ウニ・・−上にバク−７を選択露光させ
る工程において参を落としてし捷う等の不都合が生じる
。第５図Ｃ′０）に示す例では本発明で示す常温での蒸
気圧がＩ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒから５Ｘ１０−３Ｔ
ｏｒｒである有機化合物の蒸気７を吹き付けたものであ
る。本発明で示す肩（浅化合物は支持板１に吹き付けら
れて旬着すると、ある時間付ン槍位置に留まった後に蒸
発丁ゐ。このため照射する集束イオンビーム５′（＋−
走奔する間に適当量の有機化合物の蒸気７が供給され、
次の走青時にポリマー比重たは炭化する。このようにし
てパターン膜８のｊ学さは堆積するように成投する。一
方、集束イオンビーム照射位置１１以外の有機化合物層
（ζ」け位ｋに生じる有機化合物層９μわずかじか生じ
ない。
−３Ｔｏｒｒ以上の有機化香物を使用したパターン膜を
形成した例で照射する集束イオンビーム５の条件や支持
体１０条件および吹きつける有＠化合物の蒸気圧は上記
第６図（ｂ）と等しいものとすな。第３図（ａ）の例で
は支持板１上に付着した有機化合物は蒸発速度が遅いた
めに有機化合物層９を形成する。有機化合物層９のうち
集束イオンビーム５を照射した部分は厚さが薄くなって
有機化合物層９よシも低い位；４に凝）同１つてポリマ
ー化または炭化してパターン膜８となる。このとき有機
化合物層９とパターン膜８との境界近傍には有機化合物
が不完全にポリマー化または炭化した嘴１０が生じ、微
細加工が困難になったり、付着強度の弱い部分で脱落し
たものは＃導体ウニ・・−上にバク−７を選択露光させ
る工程において参を落としてし捷う等の不都合が生じる
。第５図Ｃ′０）に示す例では本発明で示す常温での蒸
気圧がＩ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒから５Ｘ１０−３Ｔ
ｏｒｒである有機化合物の蒸気７を吹き付けたものであ
る。本発明で示す肩（浅化合物は支持板１に吹き付けら
れて旬着すると、ある時間付ン槍位置に留まった後に蒸
発丁ゐ。このため照射する集束イオンビーム５′（＋−
走奔する間に適当量の有機化合物の蒸気７が供給され、
次の走青時にポリマー比重たは炭化する。このようにし
てパターン膜８のｊ学さは堆積するように成投する。一
方、集束イオンビーム照射位置１１以外の有機化合物層
（ζ」け位ｋに生じる有機化合物層９μわずかじか生じ
ない。
そして有機化合物の蒸気７の供給を止めると有機化合物
層９はすみやかに蒸発によって削減し、パターン膜形成
に何ら障害をもたらさない。第６図（ｃ）の例では支持
板１上に付着した有機化合物は瞬時にして蒸発してしま
う。このため集束イオンビーム５を走査する間に集束イ
オンビームｌｆｆ１ 射位籠１１上に付着する有機化合
物の量が少なく、パターン膜８の〃、さの充分な成長速
度は得られない。第５（２）（ｃ）の実施例としてアセ
チレンを使用したＪｆＡ舎には有限ガス吹付はノズル内
の圧力を０．７ＴＯｒｒまでめげたが２０分のイオンビ
ーム照射を行なっても光分な遮光性（を工得られなかっ
た。
層９はすみやかに蒸発によって削減し、パターン膜形成
に何ら障害をもたらさない。第６図（ｃ）の例では支持
板１上に付着した有機化合物は瞬時にして蒸発してしま
う。このため集束イオンビーム５を走査する間に集束イ
オンビームｌｆｆ１ 射位籠１１上に付着する有機化合
物の量が少なく、パターン膜８の〃、さの充分な成長速
度は得られない。第５（２）（ｃ）の実施例としてアセ
チレンを使用したＪｆＡ舎には有限ガス吹付はノズル内
の圧力を０．７ＴＯｒｒまでめげたが２０分のイオンビ
ーム照射を行なっても光分な遮光性（を工得られなかっ
た。
本発明で示しｌこ条件を持つ有機ｆヒ合物のゼ１１とし
てＩｎ 、 物見ｌ−７フエナントレン、ピレン、メチ
ルフェナントレン、フルオツンテン、アントロン、トリ
フェニルメタンなどの６環式芳香族化合物−または４環
式芳香族化合物が適当でりゐ。これらの有機化合物は′
ｈイ記での蒸気上が１ ｘ １０−’ ＴＯｒｒから５
×１０″″”ＴｏｒｒＧＪｉ口１にあり、しかも金属を
含まず安５ｙで毒性が少ないものである。また、５環式
芳香族化合物や４Ｑ式芳香族化合物以外の有機化合物で
も分子早が２００から４００間にあるものは常温での蒸
気圧がＩ Ｘ １０−４ＴＯｒｒから５×１０−３Ｔｏ
ｒｒＯ間にあり、適当である。
てＩｎ 、 物見ｌ−７フエナントレン、ピレン、メチ
ルフェナントレン、フルオツンテン、アントロン、トリ
フェニルメタンなどの６環式芳香族化合物−または４環
式芳香族化合物が適当でりゐ。これらの有機化合物は′
ｈイ記での蒸気上が１ ｘ １０−’ ＴＯｒｒから５
×１０″″”ＴｏｒｒＧＪｉ口１にあり、しかも金属を
含まず安５ｙで毒性が少ないものである。また、５環式
芳香族化合物や４Ｑ式芳香族化合物以外の有機化合物で
も分子早が２００から４００間にあるものは常温での蒸
気圧がＩ Ｘ １０−４ＴＯｒｒから５×１０−３Ｔｏ
ｒｒＯ間にあり、適当である。
次に本発明で示した有機化合物層のうち、ピレンを使用
してパターン膜を形成した汐１１を第４図に示しながら
説明する。第４図（ａ）はパターン）模を形成していな
いサンプルで支持板は透明なガラスで、その上に約ＳＯ
Ｏ：のクロム膜でパターンが描かれているものの透過光
顕像である。第４図（ｂ）は第４図（ａ）のなかで８μ
ｍＸ８μｍのガラス露出部分に６．７μｍ Ｘ ６．７
μｍのパターンｊ模を本発明に示した方法によって形成
している。
してパターン膜を形成した汐１１を第４図に示しながら
説明する。第４図（ａ）はパターン）模を形成していな
いサンプルで支持板は透明なガラスで、その上に約ＳＯ
Ｏ：のクロム膜でパターンが描かれているものの透過光
顕像である。第４図（ｂ）は第４図（ａ）のなかで８μ
ｍＸ８μｍのガラス露出部分に６．７μｍ Ｘ ６．７
μｍのパターンｊ模を本発明に示した方法によって形成
している。
すなわち、照射する集束イオンビームはＧａ＋で加速電
圧２０ＫＶ、プローブ電流０．１．５ｆｉΔで、吹き付
ける有機化合物はピレンを８０℃に加熱したものである
。形成したパターン膜の厚さは１４００Ａで充分な遮光
１１に持っており、パターン膜のエツジはくつきシして
いる。さらに形成したパターン膜の厚さの成長速度は加
速亀圧２０ＫＶ、プローブ電流０．１５ ｎ ＡのＧａ
Ｊ長さが２００Ｉ１ｍのラインスキャンをしたときに６
９×／就が得られ、パターン膜の幅もサブミクロンのも
のが得られた。
圧２０ＫＶ、プローブ電流０．１．５ｆｉΔで、吹き付
ける有機化合物はピレンを８０℃に加熱したものである
。形成したパターン膜の厚さは１４００Ａで充分な遮光
１１に持っており、パターン膜のエツジはくつきシして
いる。さらに形成したパターン膜の厚さの成長速度は加
速亀圧２０ＫＶ、プローブ電流０．１５ ｎ ＡのＧａ
Ｊ長さが２００Ｉ１ｍのラインスキャンをしたときに６
９×／就が得られ、パターン膜の幅もサブミクロンのも
のが得られた。
このようにして得られたパターン膜の物理的および化学
的付Ｍ強度はクロム膜と同程度以上であゐことは衆知の
とう９であり、寸だオプティカルデンシティが２．８と
なるパターン膜の厚さは、可視光に対してば２ｏｏｏ：
程度であり、遠視外光に対しては１ｏｏｏ２以下でおっ
た。従って前記のｊ換句は条件によれば遠視外光で露光
する場合には２０秒以内に長さ２ ｏ ｏ Ｂ ｍでサ
ブミクロン幅のパターン膜付けを行なうことができろ。
的付Ｍ強度はクロム膜と同程度以上であゐことは衆知の
とう９であり、寸だオプティカルデンシティが２．８と
なるパターン膜の厚さは、可視光に対してば２ｏｏｏ：
程度であり、遠視外光に対しては１ｏｏｏ２以下でおっ
た。従って前記のｊ換句は条件によれば遠視外光で露光
する場合には２０秒以内に長さ２ ｏ ｏ Ｂ ｍでサ
ブミクロン幅のパターン膜付けを行なうことができろ。
このようにして行なう本発明のパターン膜形成方法は特
に微細なパターン膜形成に適しているが、照射丁ゐ集束
イオンビームの径を大きくしてグローブｕｔ流を増すこ
とにより大面積のパターン膜形成もすみやかに行なえる
ことはいう壕でもない。
に微細なパターン膜形成に適しているが、照射丁ゐ集束
イオンビームの径を大きくしてグローブｕｔ流を増すこ
とにより大面積のパターン膜形成もすみやかに行なえる
ことはいう壕でもない。
以上詳しく説明してきたように不発明によればパターン
膜形成全短時間で完結する１回の工程でしかも１μｍ以
下の微細なｆ’ターン膜形成まず再伸となり、大巾な工
数の短縮をはかれる効果かある。また有機化合物の取り
扱いがｆｉｉｉ単で、装置ｔｊ （７）構成も無理の〃
いものにできる点でも有効でＪ ／−） ０
膜形成全短時間で完結する１回の工程でしかも１μｍ以
下の微細なｆ’ターン膜形成まず再伸となり、大巾な工
数の短縮をはかれる効果かある。また有機化合物の取り
扱いがｆｉｉｉ単で、装置ｔｊ （７）構成も無理の〃
いものにできる点でも有効でＪ ／−） ０
第１図は白点欠陥を有するホトマスクの部分平面図、第
２図は本発明によゐホトマスクの白点欠陥を修正したｖ
ｌを説明するための断面図、第６図は本発明に示す有機
働程を使用してパターン）膜形成を行なった例と不発明
を１史用せずにパターンｊ良形成を行なった例を説明す
るためのり１曲図、第４図は本発明によって作成したパ
ターン膜形成の実施例の写真である。 １・・・・・・支持板 ２・・・・・・パターン６１・
・・・・・素子脱落 ３２・・・・・・断線６５・・・
・・・ピンホール ４・・・・・・イオンビーム発生昨 ５・・・・・・集束イオンビーム ６・・・・・・有機化合物供給源 ７・・・・・・有機化合物の蒸気 ８・・・・・・パターン膜 ９・・・・・・有機化合物層 １０・・・・・・不゛冗全にポリマー比重たは炭化した
層１１・・・・・・集束イオンヒーム照射位置以上 第１輿 ２ Ｌ−、、、、−一〇 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第３図（Ｑ’） 第；３図（ｂ） 第３図（ｃ＞ 第４図（０） 第７１−図（ｂ） 手続補正書（自発） ノ庖 昭和５９年−ト月５へ日 事件の表示 昭和５９年特許願第 ５８１３１号 ４、発明の名称 パターン膜形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 代 理 人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号補正の対
象 明細書 ＆ 補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正します。 （２）明細１１２頁第６行目から第１６行目迄を削除し
、下記ル項を挿入する。 「第１図に白点欠陥（＋：有するホトマスク基板の要部
の平面図、第２図ａぐＪ本発明によるホトマスク基板の
白点欠陥を修正する状態を示す・皮部の断面図を甘む構
成図、第２図すにホトマスク基板上にポリマー化又に炭
化して形成されたマスク基板を示す要部の断面図、第６
図のａ、ｂ、ｃは本発明による方法を用いてパターン膜
を形成する三潟砲列の状態を示す断面図、第４図のａ、
ｂけ本発明によるパターン膜形成状態を示すもので、ａ
にパターン膜が形成されていない状態ヲ示すマスク基板
の写真、ｂ Ｕ ａの状態にパターン膜が一邸に形成さ
れた状態を示すマスク基板の写真である。」（３） 明
細、′Ｉ＃４５頁第８行目における［・・・・・・とす
るもので。］ヲ「・・・・・・とするものである。」に
訂正します。 （４ン 明ＮＪｉ書第６頁第５行目における「・・・・
・・白点欠陥を修正す」全「・・・・・・修正す」に訂
正します。 （５ン 明細、Ｘ第６頁第９行目における［・旧・・の
高４度イオン、１項と、高１４度十芽ター源〜とゴイオ
ン源で発生した・・・・・・Ｊを「町・・の高１度イオ
ン源と、イオン源で発生した・・・・・」に訂正します
、（６）明創書第７頁・疼６行目に４？ける「・・・・
・全使用したパターン」を「・旧・・を使用してパター
ン」に弓工正します。 （７）明ＩＩ（ＩＩ井第９貞第２行目における「・・・
・・・にょって＋ｉｌＪ滅し、」を「・・・・・・に工
って消械し」に訂正します。 （８） 明細書第９貞第１０行目における「・・・・・
・有１＠ガス吹付はノズル内・・・・・・ｊ金「・・・
・・・有機化合物共給源内・・・・・・」に訂正します
。 （９） 明卸１書第１１頁第１１行目における「の１漢
付は条件・・・・・・」を「のパターン膜形成条件・・
・・・・」に訂正します。 ＋Ｊｉ） 明細ｌｉｊ第１第１第 ターン膜付けを・・・・・・」を［のパターン膜形成を
・・・・・・」に訂正します。 α凄 明＃Ｉ沓第１２頁第１行目における「・・・・・
・パターン膜形！３ｙ，ます町」を［・・・・・・パタ
ーン１ｌｆｆｌ形成が町」に訂正し１す。 以 上 特許請求の範囲 「（１１ 有ｌ幾化合吻の蒸気の存在する雰囲気内で集
束イオンビームをサンプルの所定個所に照射し、Ｆｌｉ
Ｊ記所定藺所にＭｉＪ記有俊化合′吻ｔポリマー化又に
炭化することによ、り所定のパターン膜を形成する４ パターンｊ模形Ｊ戊方法において、常幅で１×１０ＴＯ
ｒｒから５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ蒸気圧を胃する前記有機化
合物を用いることを特徴とするパターン膜形成方法う （２＋ Ｍ＋Ｊ記有庵ｆヒ金物に６項式芳香族ｆ１ｓな
ウスげ４環式芳香族化合物であることを・待敵とする′
４．ｉ′Ｆ請求の・１１６曲４１項記載のパターン膜形
成方法。 （３） 前記有機化合物の分子４が２０ＬＩから４００
の間であることを特徴とする特許請求の４ １ １頁記
載のパターン１拠形成方法。 （４）前記有機化合物に炭化水素化合物を主成分層、 とし、かつ、金４Ｘ子を含まないことを特徴とする特許
、請求の穐囲第１項６己俄のパターン膜形成方法。」
２図は本発明によゐホトマスクの白点欠陥を修正したｖ
ｌを説明するための断面図、第６図は本発明に示す有機
働程を使用してパターン）膜形成を行なった例と不発明
を１史用せずにパターンｊ良形成を行なった例を説明す
るためのり１曲図、第４図は本発明によって作成したパ
ターン膜形成の実施例の写真である。 １・・・・・・支持板 ２・・・・・・パターン６１・
・・・・・素子脱落 ３２・・・・・・断線６５・・・
・・・ピンホール ４・・・・・・イオンビーム発生昨 ５・・・・・・集束イオンビーム ６・・・・・・有機化合物供給源 ７・・・・・・有機化合物の蒸気 ８・・・・・・パターン膜 ９・・・・・・有機化合物層 １０・・・・・・不゛冗全にポリマー比重たは炭化した
層１１・・・・・・集束イオンヒーム照射位置以上 第１輿 ２ Ｌ−、、、、−一〇 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第３図（Ｑ’） 第；３図（ｂ） 第３図（ｃ＞ 第４図（０） 第７１−図（ｂ） 手続補正書（自発） ノ庖 昭和５９年−ト月５へ日 事件の表示 昭和５９年特許願第 ５８１３１号 ４、発明の名称 パターン膜形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 出願人 代 理 人 〒１０４ 東京都中央区京橋２丁目６番２１号補正の対
象 明細書 ＆ 補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正します。 （２）明細１１２頁第６行目から第１６行目迄を削除し
、下記ル項を挿入する。 「第１図に白点欠陥（＋：有するホトマスク基板の要部
の平面図、第２図ａぐＪ本発明によるホトマスク基板の
白点欠陥を修正する状態を示す・皮部の断面図を甘む構
成図、第２図すにホトマスク基板上にポリマー化又に炭
化して形成されたマスク基板を示す要部の断面図、第６
図のａ、ｂ、ｃは本発明による方法を用いてパターン膜
を形成する三潟砲列の状態を示す断面図、第４図のａ、
ｂけ本発明によるパターン膜形成状態を示すもので、ａ
にパターン膜が形成されていない状態ヲ示すマスク基板
の写真、ｂ Ｕ ａの状態にパターン膜が一邸に形成さ
れた状態を示すマスク基板の写真である。」（３） 明
細、′Ｉ＃４５頁第８行目における［・・・・・・とす
るもので。］ヲ「・・・・・・とするものである。」に
訂正します。 （４ン 明ＮＪｉ書第６頁第５行目における「・・・・
・・白点欠陥を修正す」全「・・・・・・修正す」に訂
正します。 （５ン 明細、Ｘ第６頁第９行目における［・旧・・の
高４度イオン、１項と、高１４度十芽ター源〜とゴイオ
ン源で発生した・・・・・・Ｊを「町・・の高１度イオ
ン源と、イオン源で発生した・・・・・」に訂正します
、（６）明創書第７頁・疼６行目に４？ける「・・・・
・全使用したパターン」を「・旧・・を使用してパター
ン」に弓工正します。 （７）明ＩＩ（ＩＩ井第９貞第２行目における「・・・
・・・にょって＋ｉｌＪ滅し、」を「・・・・・・に工
って消械し」に訂正します。 （８） 明細書第９貞第１０行目における「・・・・・
・有１＠ガス吹付はノズル内・・・・・・ｊ金「・・・
・・・有機化合物共給源内・・・・・・」に訂正します
。 （９） 明卸１書第１１頁第１１行目における「の１漢
付は条件・・・・・・」を「のパターン膜形成条件・・
・・・・」に訂正します。 ＋Ｊｉ） 明細ｌｉｊ第１第１第 ターン膜付けを・・・・・・」を［のパターン膜形成を
・・・・・・」に訂正します。 α凄 明＃Ｉ沓第１２頁第１行目における「・・・・・
・パターン膜形！３ｙ，ます町」を［・・・・・・パタ
ーン１ｌｆｆｌ形成が町」に訂正し１す。 以 上 特許請求の範囲 「（１１ 有ｌ幾化合吻の蒸気の存在する雰囲気内で集
束イオンビームをサンプルの所定個所に照射し、Ｆｌｉ
Ｊ記所定藺所にＭｉＪ記有俊化合′吻ｔポリマー化又に
炭化することによ、り所定のパターン膜を形成する４ パターンｊ模形Ｊ戊方法において、常幅で１×１０ＴＯ
ｒｒから５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ蒸気圧を胃する前記有機化
合物を用いることを特徴とするパターン膜形成方法う （２＋ Ｍ＋Ｊ記有庵ｆヒ金物に６項式芳香族ｆ１ｓな
ウスげ４環式芳香族化合物であることを・待敵とする′
４．ｉ′Ｆ請求の・１１６曲４１項記載のパターン膜形
成方法。 （３） 前記有機化合物の分子４が２０ＬＩから４００
の間であることを特徴とする特許請求の４ １ １頁記
載のパターン１拠形成方法。 （４）前記有機化合物に炭化水素化合物を主成分層、 とし、かつ、金４Ｘ子を含まないことを特徴とする特許
、請求の穐囲第１項６己俄のパターン膜形成方法。」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）有機化合物の蒸気の存在する雰囲気内で集束イオ
ンビームをサンプルの所定個所に照射し、前記所定個所
に前記有機化合物をポリマー化または炭化することによ
り所定のパターン膜？形成するパターン膜形成方法にお
いて、常温（５０００Ｋ）でＩ Ｘ １０−’ Ｔｏｒ
ｒから５ Ｘ １０−３Ｔｏｒｒ蒸気圧を有する有機化
合物を用いるパターン膜形成方法。 （２１前記有機化合物は５環式芳香、疫化合物または４
環式芳香族化合物であること全特徴とする前記特許請求
の範囲第１唄記載のパターン膜形成方法。 （３）有機化合物の分子量が２００から４００の間にあ
る前記特許請求の範囲第１．偵６己載のパターン膜形成
方法。 （４）前記有機化合物は炭化水素化合物を主成分とする
ものであり、かつ金属原子を含才ないことを特徴とする
特許 ターン膜形成方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59038131A JPS60182726A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | パタ−ン膜形成方法 |
| EP88201038A EP0304969A3 (en) | 1984-02-29 | 1985-02-25 | Process for forming a pattern film |
| DE8585301231T DE3582690D1 (de) | 1984-02-29 | 1985-02-25 | Bildherstellungsverfahren. |
| EP85301231A EP0153854B1 (en) | 1984-02-29 | 1985-02-25 | Process for forming a pattern film |
| US06/921,820 US4874632A (en) | 1984-02-29 | 1986-10-17 | Process for forming pattern film |
| US07/426,430 US5071671A (en) | 1984-02-28 | 1989-10-24 | Process for forming pattern films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59038131A JPS60182726A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | パタ−ン膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182726A true JPS60182726A (ja) | 1985-09-18 |
| JPS6322577B2 JPS6322577B2 (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=12516883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59038131A Granted JPS60182726A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-29 | パタ−ン膜形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4874632A (ja) |
| EP (2) | EP0153854B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60182726A (ja) |
| DE (1) | DE3582690D1 (ja) |
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- 1985-02-25 EP EP88201038A patent/EP0304969A3/en not_active Withdrawn
- 1985-02-25 DE DE8585301231T patent/DE3582690D1/de not_active Expired - Lifetime
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| DE3582690D1 (de) | 1991-06-06 |
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|---|---|---|---|
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