KR101678987B1 - 포토마스크 수선 시스템 및 수선 방법 - Google Patents

포토마스크 수선 시스템 및 수선 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예는 반도체 공정에서 사용되는 포토마스크의 수선이 필요한 경우, 레이저 빔을 통한 가스의 해리를 통해 포토마스크를 수선하는 포토마스크 수선 시스템 및 수선 방법을 제공한다. 개시된 포토마스크 수선 시스템은 내부에 수선하고자 하는 포토마스크가 마련되는 챔버; 상기 챔버 내부를 진공으로 유지시키기 위한 진공 장치; 상기 챔버 내에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급 장치; 및 상기 챔버 내에 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 레이저 빔을 조사하여 상기 챔버 내의 가스를 해리시키는 레이저 조사 장치;를 포함한다.

Description

포토마스크 수선 시스템 및 수선 방법{System and method for correcting photomask}
본 발명은 레이저 빔을 통한 가스의 해리를 통해, 포토마스크의 수선하고자 하는 부분을 수선하는 포토마스크 수선 시스템 및 수선 방법에 관한 것이다.
포토마스크는 웨이퍼 상에 집적회로를 형성하기 위하여 이용되는 고 정밀 플레이트(plate)다. 이러한 포토마스크는 투명 기판과 그것의 일면에 형성되는 차광 패턴으로 구성된다. 포토마스크의 차광 패턴은 노광 공정을 통해 웨이퍼 상의 회로 패턴을 한정한다. 이론적으로, 포토마스크의 차광 패턴의 CD(critical dimension)와 웨이퍼 상에 형성된 해당 회로 패턴의 CD는 정확하게 대응되어야 한다. 여기서, CD의 일치는 동일 배율로 대응한다는 의미일 수도 있고, 또는 다른 배율을 가지고 대응한다는 의미일 수도 있다. 그런데 광원의 공간 분포 불량이나 렌즈 결함과 같은 노광 장비의 결함, 및 포토마스크의 차광 패턴 자체의 에러 등의 이유로 포토마스크의 차광 패턴의 CD와 웨이퍼 상의 회로 패턴의 CD가 서로 상이할 수 있다. 최근 패턴이 초미세화되면서, 패터닝 마진이 취약한 핫-스팟(hot-spot) 영역에서의 웨이퍼 상의 CD 산포 개선의 중요성이 증가하고 있다.
본 발명의 실시예는 반도체 공정에서 사용되는 포토마스크의 수선이 필요한 경우, 레이저 빔을 통한 가스의 해리를 통해 포토마스크를 수선하는 포토마스크 수선 시스템 및 수선 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 수선 시스템은 내부에 수선하고자 하는 포토마스크가 마련되는 챔버; 상기 챔버 내부를 진공으로 유지시키기 위한 진공 장치; 상기 챔버 내에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급 장치; 및 상기 챔버 내에 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 레이저 빔을 조사하여 상기 챔버 내의 가스를 해리시키는 레이저 조사 장치;를 포함한다.
상기 챔버는 상기 레이저 빔이 투과할 수 있는 윈도우를 포함할 수 있다.
상기 진공 장치는 상기 챔버 내에 상기 포토마스크가 마련된 다음, 상기 챔버 내부를 10-4Torr ~ 10-7Torr 의 압력으로 유지시킬 수 있다.
상기 가스 공급 장치는 상기 가스를 상기 챔버 내에 분사시키는 노즐을 포함할 수 있다.
상기 노즐의 내경(inner diameter)은 0.2mm ~ 0.8mm 일 수 있다.
상기 가스는 불소(F) 함유 가스 또는 염소(Cl) 함유 가스를 포함할 수 있다.
상기 레이저 조사 장치는 248nm ~ 355nm 파장의 레이저 빔을 조사할 수 있다.
상기 레이저 조사 장치는 10kHz ~ 50kHz 주파수의 레이저 빔을 조사할 수 있다.
상기 레이저 조사 장치는 10mJ/cm2 ~ 20mJ/cm2 에너지 밀도의 레이저 빔을 조사할 수 있다.
상기 가스 공급 장치는 질량 흐름 제어기(mass flow controller, MFC)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시에에 따른 포토마스크 수선 방법은 반도체 공정에 사용되는 포토마스크를 수선하는 방법에 있어서, 챔버 내에 상기 포토마스크를 마련한 다음, 상기 챔버 내부를 진공으로 유지하는 단계; 소정의 가스를 상기 챔버 내에 주입하는 단계; 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 레이저 빔을 조사하여 상기 가스를 해리시키는 단계; 상기 가스의 해리에 의해 발생된 원자들이 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 부착되는 단계; 및 상기 원자들과 함께 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분이 떨어지는 단계;를 포함한다.
상기 가스는 불소(F) 함유 가스 또는 염소(Cl) 함유 가스를 포함하며, 상기 레이저 빔의 조사에 의해 해리되어 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 부착된 원자는 불소(F) 원자 또는 염소(Cl) 원자를 포함할 수 있다.
상기 챔버 내부는 상기 가스가 주입되기 전에 10-4Torr ~ 10-7Torr 의 압력으로 유지될 수 있다.
상기 포토마스크에 조사되는 상기 레이저 빔의 파장은 248nm ~ 355nm 일 수 있다.
상기 포토마스크에 조사되는 상기 레이저 빔의 주파수는 10kHz ~ 50kHz 일 수 있다.
상기 포토마스크에 조사되는 상기 레이저 빔의 에너지 밀도는 10mJ/cm2 ~ 20mJ/cm2 일 수 있다.
상기 가스는 노즐에 의해 상기 챔버 내로 분사될 수 있다.
상기 노즐의 내경(inner diameter)은 0.2mm ~ 0.8mm 일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 반도체 회로의 집적도가 높아짐에 따라 포토마스크 리소그래피(lithography) 공정에서 오차가 발생한 포토마스크를 수 nm 이하 수준에서 보정할 수 있다. 또한, 이러한 수 nm 이하 수준으로 CD가 보정된 포토마스크가 웨이퍼 상의 패턴 형성을 위해 이용됨으로써, 웨이퍼 상의 패턴의 CD가 수 nm 이하, 예컨대 1nm 수준에서 보정될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 수선 시스템을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 패턴의 CD를 수선하는 과정을 도시한 것이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 브릿지(bridge)를 제거하는 과정을 도시한 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 통상의 기술자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
이하의 설명에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 연결된다고 기술될 때, 이는 다른 구성 요소와 바로 연결될 수도 있지만, 그 사이에 제3의 구성 요소가 개재될 수도 있다. 유사하게, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 상부에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 구성 요소의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 구성 요소가 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 구성 요소의 구조나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었고, 설명과 관계없는 부분은 생략되었다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 한편, 사용되는 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 수선 시스템을 개략적으로 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 포토마스크 수선 시스템(100)은 챔버(110), 진공 장치(120), 가스 공급 장치(130), 레이저 조사 장치(140), 윈도우(150) 및 노즐(160)을 포함한다.
챔버(110) 내에는 수선하고자 하는 포토마스크(M)가 마련되며, 챔버(110)는 진공 장치(120) 및 가스 공급 장치(130)와 연결될 수 있다. 또한, 챔버(110)는 레이저 조사 장치(140)로부터 조사되는 레이저 빔이 투과할 수 있는 윈도우(150)를 포함할 수 있다.
진공 장치(120)는 포토마스크(M)가 챔버(110) 내에 마련된 다음, 챔버(110) 내부를 진공상태로 만들 수 있다. 챔버(110) 내부는 주입되는 가스만을 해리시켜야 하므로, 고진공 상태가 유지될 필요가 있다. 따라서, 진공 장치(120)는 챔버(110) 내부를 10-4Torr ~ 10-7Torr 의 압력으로 유지하도록 마련될 수 있다.
가스 공급 장치(130)는 챔버(110) 내부로 불활성 상태의 가스를 분사할 수 있다. 가스는 할로겐 원소를 포함하는 가스로서, 예컨대, 불소(F) 함유 가스, 염소(Cl) 함유 가스, 브롬(Br) 함유 가스, 또는 요오드(I) 함유 가스 등일 수 있다. 가스는 식각 대상의 재질에 따라 적절히 선택될 수 있으며, CCl4, C2Cl4, C2H2Cl2 등의 염소 함유 가스나 NF3, CF4, XeF2 등의 불소 함유 가스가 이용될 수 있다.
가스 공급 장치(130)는 질량 흐름 제어기(mass flow controller, MFC)를 포함할 수 있다. 질량 흐름 제어기는 가스의 흐름량을 측정하고 제어하는데 사용될 수 있다.
가스 공급 장치(130)는 챔버(110) 내에 가스를 분사시키는 노즐(160)을 더 포함할 수 있다. 노즐(160)의 내경(inner diameter)은 0.2mm ~ 0.8mm가 될 수 있다.
레이저 조사 장치(140)는 챔버(110) 내에 포토마스크(M) 중 수선하고자 하는 부분에 레이저 빔을 조사할 수 있다. 광원은 전자빔 또는 집속이온빔(Focused Ion Beam: FIB)이 될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
레이저 조사 장치(140)가 조사하는 레이저 빔은 가스를 해리시킬 수 있는 에너지를 필요로 한다. 가스를 해리시킬 수 있는 광자 에너지(photon energy)는 3eV 이상이 될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 레이저 빔이 가스를 해리시키기 위하여, 레이저 조사 장치(140)가 조사하는 레이저 빔의 파장은 248nm ~ 355nm 이 될 수 있으며, 주파수는 10kHz ~ 50kHz 가 될 수 있다. 또한, 레이저 빔의 에너지 밀도는 10mJ/cm2 ~ 20mJ/cm2 가 될 수 있다.
윈도우(150)는 레이저 빔이 투과할 수 있도록 형성될 수 있으며, 유리 또는 쿼츠(quartz)로 이루어 질 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 패턴의 CD를 수선하는 과정을 도시한 것이다.
도 2a를 참조하면, 포토마스크(M1)에서 패턴들은 소정의 간격을 가지고 형성될 수 있다. 복수개의 패턴들 중 하나의 패턴의 폭은 D1이 될 수 있으며, D1값이 형성하고자 만들고자 했던 패턴의 폭과 오차가 있는 경우, 패턴 사이의 CD가 불량해질 수 있다. 한편, 오차 두께는 수 nm 이하로 매우 미세할 수 있고, 그와 같이 오차가 너무 미세한 경우에는 전자빔을 이용한 직접 제거 방법을 적용하는 것은 부적절하거나 불가능할 수 있다. 왜냐하면, 전자빔을 이용한 직접 제거 방법을 적용할 경우, 수선을 원하지 않는 주변 영역도 함께 제거될 가능성이 있으며, 발생되는 열에 의해 포토마스크 전체가 뒤틀리는 현상이 발생할 가능성이 있기 때문이다. 그에 따라, 본 실시예의 포토마스크 수선 방법에서는 이하 도 2b 내지 도 2d에서 설명하는 바와 같이 간접적으로 포토마스크의 CD를 보정할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 포토마스크(M1)를 진공 상태의 챔버(110)에 배치하고 불활성 상태의 가스(G)를 분사한다. 챔버(110)는 가스(G)가 주입되기 전에 10-4Torr ~ 10-7Torr 의 압력으로 유지될 수 있다. 가스(G)는 할로겐 원소를 포함하는 가스로서, 예컨대, 불소(F) 함유 가스, 염소(Cl) 함유 가스, 브롬(Br) 함유 가스, 또는 요오드(I) 함유 가스 등일 수 있다. 가스는 식각 대상의 재질에 따라 적절히 선택될 수 있으며, CCl4, C2Cl4, C2H2Cl2 등의 염소 함유 가스나 NF3, CF4, XeF2 등의 불소 함유 가스가 이용될 수 있다.
분사된 불활성 상태의 가스(G)는 확산되어 포토마스크(M1) 표면 상에 확산되어 단일분자층(Mono-layer) 형태로 흡착될 수 있다. 단일분자층(Mono-layer) 형태로 흡착된 가스(G)는 불활성 상태이므로 포토마스크(M1)와 반응하지는 않는다. 또한, 가스(G)는 노즐(160)을 통해서 챔버(110) 내로 주입될 수 있으며, 노즐(160) 의 내경(inner diameter)은 0.2mm ~ 0.8mm가 될 수 있다.
도 2c 및 도 2d를 참조하면, 수선하고자 하는 부분 즉, 포토마스크(M1) 패턴의 양 측면에 레이저 조사 장치(140)로부터 발생된 레이저 빔(L1)을 조사한다. 레이저 빔(L1)이 가스를 해리시키기 위하여, 레이저 빔(L1)의 파장은 248nm ~ 355nm 이 될 수 있으며, 주파수는 10kHz ~ 50kHz 가 될 수 있다. 또한, 레이저 빔(L1)의 에너지 밀도는 10mJ/cm2 ~ 20mJ/cm2 가 될 수 있다.
레이저 빔(L1)이 조사되면 조사된 영역에 흡착되어 있던 가스가 레이저 빔(L1)에 의해 해리되어 활성 상태로 변하게 되며, 이에 의해 원자 또는 이온이 발생할 수 있다. 활성 상태로 변한 가스, 예컨대 할로겐 원자(F, Cl, Br, I) 또는 할로겐 이온(F-, Cl-, Br-, I-)은 포토마스크(M1)와 반응하고 휘발성(Volatile) 가스로 변화함으로써 포토마스크가 소정 두께(D2)로 식각되어 제거될 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 브릿지(bridge)를 제거하는 과정을 도시한 것이다.
도 3a를 참조하면, 포토마스크(M2)에는 복수개의 패턴이 소정 간격을 가지고 형성될 수 있다. 위 패턴들 사이에 도시된 바와 같이 브릿지(B)가 존재할 수 있다. 브릿지(B)의 존재로 인해 노광 공정 시 불필요한 차광이 발생할 수 있으며, 이로 인해 웨이퍼 상의 회로 패턴에 불량이 발생할 수 있다. 한편, 브릿지(B)의 폭 및 두께는 수 nm 이하로 매우 미세할 수 있고, 그와 같이 폭 및 두께가 너무 미세한 경우에는 전자빔을 이용한 직접 제거 방법을 적용하는 것은 부적절하거나 불가능할 수 있다. 왜냐하면, 전자빔을 이용한 직접 제거 방법을 적용할 경우, 브릿지(B) 뿐만 아니라 그 주변 영역도 함께 제거될 가능성이 있으며, 발생되는 열에 의해 포토마스크 전체가 뒤틀리는 현상이 발생할 가능성이 있기 때문이다. 그에 따라, 본 실시예의 포토마스크 수선 방법에서는 이하 도 3b 내지 도 3d에서 설명하는 바와 같이 간접적으로 포토마스크에 생성된 브릿지(B)를 보정할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 포토마스크(M2)를 진공 상태의 챔버(110)에 배치하고 불활성 상태의 가스(G)를 분사한다. 챔버(110)는 가스(G)가 주입되기 전에 10-4Torr ~ 10-7Torr 의 압력으로 유지될 수 있다. 가스(G)는 할로겐 원소를 포함하는 가스로서, 예컨대, 불소(F) 함유 가스, 염소(Cl) 함유 가스, 브롬(Br) 함유 가스, 또는 요오드(I) 함유 가스 등일 수 있다. 가스는 식각 대상의 재질에 따라 적절히 선택될 수 있으며, CCl4, C2Cl4, C2H2Cl2 등의 염소 함유 가스나 NF3, CF4, XeF2 등의 불소 함유 가스가 이용될 수 있다.
분사된 불활성 상태의 가스(G)는 확산되어 포토마스크(M1) 표면 상에 확산되어 단일분자층(Mono-layer) 형태로 흡착될 수 있다. 단일분자층(Mono-layer) 형태로 흡착된 가스(G)는 불활성 상태이므로 포토마스크(M2)와 반응하지는 않는다. 또한, 가스(G)는 노즐(160)을 통해서 챔버(110) 내로 주입될 수 있으며, 노즐(160) 의 내경(inner diameter)은 0.2mm ~ 0.8mm가 될 수 있다.
도 3c 및 도 3d를 참조하면, 수선하고자 하는 부분 즉, 브릿지(B) 부분에 레이저 조사 장치(140)로부터 발생된 레이저 빔(L2)을 조사한다. 레이저 빔(L2)이 가스를 해리시키기 위하여, 레이저 빔(L2)의 파장은 248nm ~ 355nm 이 될 수 있으며, 주파수는 10kHz ~ 50kHz 가 될 수 있다. 또한, 레이저 빔(L2)의 에너지 밀도는 10mJ/cm2 ~ 20mJ/cm2 가 될 수 있다.
레이저 빔(L2)이 조사되면 조사된 영역에 흡착되어 있던 가스가 레이저 빔(L2)에 의해 해리되어 활성 상태로 변하게 되며, 이에 의해 원자 또는 이온이 발생할 수 있다. 활성 상태로 변한 가스, 예컨대 할로겐 원자(F, Cl, Br, I) 또는 할로겐 이온(F-, Cl-, Br-, I-)은 브릿지(B)와 반응하고 휘발성(Volatile) 가스로 변화함으로써 브릿지(B)는 식각되어 제거될 수 있다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100 ... 포토마스크 수선 시스템
110 ... 챔버
120 ... 진공 장치
130 ... 가스 공급 장치
140 ... 레이저 조사 장치
150 ... 윈도우
160 ... 노즐
M, M1, M2 ... 포토마스크
L1, L2 ... 레이저 빔
G ... 가스

Claims (18)

  1. 내부에 수선하고자 하는 포토마스크가 마련되는 챔버;
    상기 챔버 내부를 진공으로 유지시키기 위한 진공 장치;
    상기 챔버 내에 소정의 가스를 공급하여, 상기 가스를 상기 포토마스크의 표면에 단일분자층의 형태로 흡착시키는 가스 공급 장치; 및
    상기 챔버 내에 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 레이저 빔을 조사하여 상기 챔버 내의 가스를 해리시키는 레이저 조사 장치;를 포함하며,
    상기 해리된 가스는 상기 포토마스크의 상기 수선하고자 하는 부분과 반응하여 상기 수선하고자 하는 부분을 식각하는 포토마스크 수선 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 레이저 빔이 투과할 수 있는 윈도우를 포함하는 포토마스크 수선 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 장치는 상기 챔버 내에 상기 포토마스크가 마련된 다음, 상기 챔버 내부를 10-4Torr ~ 10-7Torr 의 압력으로 유지시키는 포토마스크 수선 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 공급 장치는 상기 가스를 상기 챔버 내에 분사시키는 노즐을 포함하는 포토마스크 수선 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 노즐의 내경(inner diameter)은 0.2mm ~ 0.8mm 인 포토마스크 수선 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스는 불소(F) 함유 가스 또는 염소(Cl) 함유 가스를 포함하는 포토마스크 수선 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 조사 장치는 248nm ~ 355nm 파장의 레이저 빔을 조사하는 포토마스크 수선 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 레이저 조사 장치는 10kHz ~ 50kHz 주파수의 레이저 빔을 조사하는 포토마스크 수선 시스템.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 레이저 조사 장치는 10mJ/cm2 ~ 20mJ/cm2 에너지 밀도의 레이저 빔을 조사하는 포토마스크 수선 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 공급 장치는 질량 흐름 제어기(mass flow controller, MFC)를 포함하는 포토마스크 수선 시스템.
  11. 반도체 공정에 사용되는 포토마스크를 수선하는 방법에 있어서,
    챔버 내에 상기 포토마스크를 마련한 다음, 상기 챔버 내부를 진공으로 유지하는 단계;
    소정의 가스를 상기 챔버 내에 주입하여, 상기 가스를 상기 포토마스크의 표면에 단일분자층의 형태로 흡착시키는 단계;
    상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 레이저 빔을 조사하여 상기 가스를 해리시키는 단계;
    상기 가스의 해리에 의해 발생된 원자들이 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 부착되는 단계; 및
    상기 원자들과 함께 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분이 떨어지는 단계;를 포함하는 포토마스크 수선 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 가스는 불소(F) 함유 가스 또는 염소(Cl) 함유 가스를 포함하며, 상기 레이저 빔의 조사에 의해 해리되어 상기 포토마스크 중 수선하고자 하는 부분에 부착된 원자는 불소(F) 원자 또는 염소(Cl) 원자를 포함하는 포토마스크 수선 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 챔버 내부는 상기 가스가 주입되기 전에 10-4Torr ~ 10-7Torr 의 압력으로 유지되는 포토마스크 수선 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 포토마스크에 조사되는 상기 레이저 빔의 파장은 248nm ~ 355nm 인 포토마스크 수선 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 포토마스크에 조사되는 상기 레이저 빔의 주파수는 10kHz ~ 50kHz 인 포토마스크 수선 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 포토마스크에 조사되는 상기 레이저 빔의 에너지 밀도는 10mJ/cm2 ~ 20mJ/cm2 인 포토마스크 수선 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 가스는 노즐에 의해 상기 챔버 내로 분사되는 포토마스크 수선 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 노즐의 내경(inner diameter)은 0.2mm ~ 0.8mm 인 포토마스크 수선 방법.
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