JP5372966B2 - フォトマスクを作製する方法、およびその方法を実施するための装置 - Google Patents
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Description
H2SO4+NH3+hν→(NH4)2SO4 solid
− 封止されたチャンバ内にフォトマスクを設置するステップ、
− チャンバが含むガスをポンピングすることにより、封止されたチャンバ内に低圧を生成するステップ、
− フォトマスクを赤外線放射に曝露するステップ、
− 赤外線放射を停止するステップ、
− フォトマスクの温度が50℃を超えないことをチェックするステップ、
− チャンバ内を大気圧に戻すステップ、
− フォトマスクをチャンバから取り出すステップ。
− 少なくとも1つのフォトマスクを含む封止されたチャンバ、
− チャンバ内に真空を生成し、維持するためのポンピングユニット、
− 封止されたチャンバ内に設置された、少なくとも1つのフォトマスクを保持するシステム、
− 赤外放射手段、
− ガス注入システム。
− ガスの部分的圧力、
− ポンピングユニット33の限界圧力、
− フォトマスク31の重量、
− チャンバの壁32で反射されるパワー、
のうちの少なくとも1つのパラメータを追跡することにより、作業が適正に進むことを確保するために、ガス抜き測定手段43が使用される。
Claims (8)
- フォトマスクを洗浄する少なくとも1つのステップと、フォトマスク上に保護ペリクルを設置するステップとを含み、洗浄ステップとペリクル設置ステップの間に、アンモニアおよび硫酸塩の残留物を除去する少なくとも1つのステップをさらに含む、フォトマスクを製造する方法であって、
フォトマスクを封止されたチャンバの中に設置するステップと、
封止されたチャンバが含むガスをポンピングすることにより、封止されたチャンバ内に低圧を生成するステップと、
ハッシングベースの赤外線放射放出制御を用いてフォトマスクを赤外線放射に曝露するステップであって、フォトマスクが50℃から300℃の間の温度に加熱される、ステップと、
赤外線放射を停止するステップと、
大気圧に戻す前にフォトマスクの温度が50℃を超えていないことをチェックするステップと、
チャンバ内を大気圧に戻すステップと、
フォトマスクをチャンバから取り出すステップとを含む、方法。 - ガスが、20分から5時間の間のある時間にわたり、ポンピングされる、請求項1に記載の方法。
- クリーンガスが、ポンピングと同時に一定流量で注入される、請求項1に記載の方法。
- 大気圧が、クリーンな、非反応性ガスを注入することにより回復される、請求項1に記載の方法。
- 他の製造ステップの後で、および前記洗浄ステップの前に、アンモニアおよび硫酸塩の残留物を除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法を実施するための装置であって、
少なくとも1つのフォトマスクを備える封止されたチャンバと、
チャンバ内に真空を生成し維持するためのポンピングユニットと、
封止されたチャンバの中に設置される少なくとも1つのフォトマスクを保持するためのシステムと、
ハッシングベースの赤外線放射放出制御手段を有する赤外線放射手段と、
ガス注入システムとを含む、装置。 - チャンバの内壁が、放出された波を反射する、請求項6に記載の装置。
- ガス注入システムが、少なくとも1つのシャワー式注入器と少なくとも1つの粒子フィルタを備える、請求項6に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0851427 | 2008-03-05 | ||
FR0851427 | 2008-03-05 | ||
PCT/FR2008/052425 WO2009112655A1 (fr) | 2008-03-05 | 2008-12-29 | Procede de fabrication de photomasques et dispositif pour sa mise en œuvre |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011513783A JP2011513783A (ja) | 2011-04-28 |
JP5372966B2 true JP5372966B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=40886698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010549172A Active JP5372966B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-12-29 | フォトマスクを作製する方法、およびその方法を実施するための装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5372966B2 (ja) |
KR (2) | KR101253825B1 (ja) |
CN (1) | CN101925860B (ja) |
WO (1) | WO2009112655A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2962198B1 (fr) * | 2010-06-30 | 2014-04-11 | Alcatel Lucent | Dispositif de sechage d'un photomasque |
DE102019110706A1 (de) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Verfahren zum herstellen von euv-fotomasken |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5355474A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-19 | Kyoritsu Kogyo | Method of treating ammonium peroxysulfate waste liquid |
JP3266156B2 (ja) * | 1990-09-19 | 2002-03-18 | 株式会社ニコン | 照明用光源装置および露光装置 |
JPH0521411A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 表面処理方法及び表面処理装置 |
US6279249B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-08-28 | Intel Corporation | Reduced particle contamination manufacturing and packaging for reticles |
WO2001097270A2 (en) * | 2000-06-14 | 2001-12-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning apparatus and method |
JP2002196478A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスクユニット、フォトマスク装置、投影露光装置、投影露光方法及び半導体装置 |
KR100563102B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2006-03-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 표면들로부터 입자들을 제거함으로써 세정하는 방법,세정장치 및 리소그래피투영장치 |
JP2005134666A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Hoya Corp | フォトマスク及び映像デバイスの製造方法 |
JP4564742B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005274770A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Sony Corp | マスク保管容器およびマスク処理方法 |
JP4475510B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-06-09 | Hoya株式会社 | リソグラフィーマスクの製造方法、リソグラフィーマスク、及びリソグラフィーマスクの露光方法 |
WO2006101315A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-09-28 | Pkl Co., Ltd. | Device and method for cleaning photomask |
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TW200729292A (en) * | 2005-12-22 | 2007-08-01 | Qimonda Ag | Apparatus for preserving and using at least one photolithograph projection photo mask and the method using the same in the exposure apparatus |
US7927969B2 (en) * | 2006-03-08 | 2011-04-19 | Stmicroelectronics S.A. | Cleaning of photolithography masks |
US7993464B2 (en) * | 2007-08-09 | 2011-08-09 | Rave, Llc | Apparatus and method for indirect surface cleaning |
-
2008
- 2008-12-29 WO PCT/FR2008/052425 patent/WO2009112655A1/fr active Application Filing
- 2008-12-29 KR KR1020107017316A patent/KR101253825B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-29 KR KR1020127034224A patent/KR101253948B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-29 CN CN2008801255744A patent/CN101925860B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-29 JP JP2010549172A patent/JP5372966B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011513783A (ja) | 2011-04-28 |
CN101925860B (zh) | 2012-12-12 |
CN101925860A (zh) | 2010-12-22 |
WO2009112655A1 (fr) | 2009-09-17 |
KR20100101003A (ko) | 2010-09-15 |
KR101253825B1 (ko) | 2013-04-12 |
KR20130016404A (ko) | 2013-02-14 |
KR101253948B1 (ko) | 2013-04-16 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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R250 | Receipt of annual fees |
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