JPS62220956A - パタ−ン作成方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はパターン作成技術、特に、半導体装置の製造用
のマスクまたはレチクルの欠陥修正あるいは半導体ウェ
ハの半導体集積回路の配線パターンの修正に通用して効
果のある技術に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造用のマスクまたはレチクルの欠陥修正
のために行われるイオンビームによる白点欠陥もしくは
黒点欠陥の修正技術については、株式会社工業調査会、
昭和５９年１１月ｌＯ日発行、「電子材料Ｊ　１９Ｂ５
年別冊、Ｐ１１６〜Ｐ１１８に開示されている。その概
要は、集束イオンビームの照射と共に、その集束イオン
ビーム照射部に反応ガスを供給して欠陥部にアモルファ
スカーボン膜を効率良く形成させようとするものである
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、前記パターン作成技術では、反応ガスと
して使用される特殊ガスをイオンビーム照射領域に吹き
付けながら集束イオンビームを走査するものであるので
、製造ラインに組み込むとすれば、前記特殊ガスにより
コンタミネーションを起こすおそれがあることを本発明
者は見い出した。

本発明の目的は、パターン形成のために使用される反応
ガスによる製造ラインなどのコンタミネーションを防止
できる技術を提供するものである。

本発明の他の目的は、イオンビームによる高精度のパタ
ーン作成を行うことのできる技術を提供することにある
。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、パターン作成される試料上のイオンビーム照
射領域に供給される反応ガスの供給領域を非反応性ガス
で取り囲むようにするものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、反応ガスは非反応ガスと試料の
反応ガス供給領域の面とで囲まれる領域から散乱したり
、外部に漏れたりすることがなくなるので、反応ガスに
よる製造ラインのコンタミネーションなどを起こすこと
が防止され、イオンビームによるパターン作成を高精度
で行うことができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるイオンビームを用いた
パターン作成装置の略断面図である。

本実施例のパターン作成装置は、ｘｙ方向に移動可能な
ステージ１上に真空チャック２で真空吸着されて保持さ
れる半導体製造用のフォトマスクまたはレチクルあるい
は半導体ウェハなどの試料３の欠陥修正装置として用い
ることができるものである。

そのため、試料３のイオンビーム照射領域の上方には、
イオンビーム発生装置４（イオンビーム照射手段）が設
けられている。このイオンビーム発生装置４は試料３の
所望のイオンビーム照射領域に対して集束イオンビーム
５を照射し、所要の欠陥修正などのパターン作成を行う
ことができるものである。

試料３に対するイオンビーム照射領域の周囲には、以下
に説明するように、イオンビーム加工の促進のための反
応ガスを供給したり、ガスの排出を行ったりするための
リング状ノズル機構６が設けられている。このリング状
ノズル機構６は、リング状ノズルを複数段に配設したも
のであり、その中間部に相当する位置には、反応ガス供
給源８からイオンビーム照射領域に反応ガスを供給する
反応ガス供給ノズル７が設けられている。

この反応ガス供給ノズル７の上下両側には、それぞれ排
気ノズル９．１０が設けられ、再排気ノズル９，１０の
リング状排気口は集束イオンビーム５の照射路の方向に
臨んでいる。これらの排気ノズル９，１０の各々は真空
排気ポンプ１１．１２にそれぞれ接Ｖｔ−されている。

さらに、上側排気ノズル９の上側には、たとえば窒素ガ
ス（Ｎ８）の如き非反応性ガスを供給するための非反応
性ガス供給ノズル１３が設けられ、この供給ノズル１３
への非反応性ガスは非反応性ガス供給源１４から供給さ
れる。

一方、下側排気ノズル１０の下側には、同じ（非反応性
ガスを供給するための非反応性ガス供給ノズル１５が設
けられ、このノズル１５への非反応性ガスは非反応性ガ
ス供給源１６から供給される。

したがって、本実施例によれば、以下の如き効果が得ら
れる。

（１）０反応ガス供給ノズル７からイオンビーム照射ｆ
、ｌ域に照射される反応ガスは、その上下両側の非反応
性ガス供給ノズル１３．１５から供給される非反応性ガ
スおよび試料３のイオンビーム照射領域の面によって取
り囲まれ、排気ノズル９．１０により非反応性ガスと共
に真空排気ポンプ１１゜１２で排出される。その結果、
反応ガスが製造ラインに漏出してコンタミネーションを
起こすことを防止できる。

（２）、前記（１）により、イオンビームの照射による
パターン欠陥の修正を高精度で効果的に実行することが
できる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、非反応性ガスとして窒素ガス以外のものを使
用することもできる。

ノズルの構造も前記実施例以外のものであってもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるフォトマスクやレチ
クルあるいは半導体集積回路の配線パターンの欠陥修正
に適用した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、たとえば、パターン欠陥修正以外のパタ
ーン作成にも本発明を広く適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

試料上のイオンビーム照射領域に反応ガスを供給し、こ
の反応ガス供給領域を取り囲むように非反応性ガスを供
給することにより、反応ガスは非反応性ガスと試料面と
の間に囲み込まれ、周囲に散乱したりあるいは外部に漏
出しないので、反応ガスによる製造ラインのコンタミネ
ーションを防止することができ、イオンビームによるパ
ターン作成を高精度で行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるパターン作成装置の概
略断面図である。 ■・・・ステージ、２・・・真空チャック、３・・・ｔ
ｇ料、４・・・イオンビーム発生袋Ｎ（イオンビーム照
射手段）、５・・・集束イオンビーム、６・・・リング
状ノズル機構、７・・・反応ガス供給ノズル、８・・・
反応ガス供給源、９゜ＩＯ・・・排気ノズル、１１．１
２・・・真空排気ポンプ、１３．１５・・・非反応性ガ
ス供給ノズル、１４．１６・・・非反応性ガス供給源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、イオンビームを用いて試料上にパターンを作成する
   方法であって、試料上のイオンビーム照射領域に反応ガ
   スを供給し、この反応ガス供給領域を取り囲むように非
   反応性ガスを供給することを特徴とするパターン作成方
   法。 ２、非反応性ガスが窒素ガスであることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のパターン作成方法。 ３、反応ガス供給領域と非反応性ガス供給部との間の領
   域から排気することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載のパターン作成方法。 ４、マスクまたはレチクルの欠陥修正方法であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項または第３項
   記載のパターン作成方法。 ５、半導体集積回路の配線パターン修正方法であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項または第３
   項記載のパターン作成方法。 ６、イオンビームを用いて試料上にパターンを作成する
   装置であって、試料上のイオンビーム照射領域にイオン
   ビームを照射するイオンビーム照射手段と、前記イオン
   ビーム照射領域に反応ガスを供給する反応ガス供給手段
   と、この反応ガスの供給領域を取り囲むよう非反応ガス
   を供給し、試料面と非反応ガスとの間に反応ガスを包み
   込む非反応ガス供給手段と、前記両ガスをイオンビーム
   照射領域から排出する排気手段とからなるパターン作成
   装置。 ７、非反応ガス供給手段は、前記反応ガス供給手段を取
   り囲むよう該反応ガス供給手段の上下両側に配置された
   リング状ノズルであることを特徴とする特許請求の範囲
   第６項記載のパターン作成装置。 ８、前記反応ガス供給手段がリング状ノズルであり、前
   記排気手段として、このリング状ノズルと前記非反応ガ
   ス供給用のリング状ノズルとの間にリング状排気口を持
   つ排気ノズルが介設されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第７項記載のパターン作成装置。 ９、マスクまたはレチクルの欠陥修正装置であることを
   特徴とする特許請求の範囲第６項、第７項または第８項
   記載のパターン作成装置。 １０、半導体集積回路の配線パターン修正装置であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第６項、第７項または第
   ８項記載のパターン作成装置。