JP2015132623A - 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 422
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 40
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 126
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims abstract description 93
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims abstract description 90
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 54
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 102
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】荷電粒子ビーム検査装置71は、試料Sを搭載するステージ29と、荷電粒子ビームを試料Sに照射する電子銃41と、試料Sから得られる信号を検出する検出器47と、検出器47からの信号から像を形成する画像処理部61と、試料Sへ照射する荷電粒子ビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部65と、検査中の試料Sを真空状態に保持するメインチャンバ11と、メインチャンバ11へ試料Sを搬送する搬送ロボット27と、搬送ロボット27を真空状態に保持する搬送チャンバ9と、搬送チャンバ9内に設けられた除電装置73とを備える。
【選択図】図7
Description
図1は、本実施の形態に係る荷電粒子ビーム検査装置(以下、単に検査装置という)を示している。この例では、荷電粒子ビームが電子ビームである。また、後述するように、本実施の形態では、検査装置1が、SEM式ではなく、写像投影式の装置である。
E1:パターン欠陥検査におけるビームエネルギー
E2:パーティクル検査におけるビームエネルギー
E3:多層膜中欠陥検査におけるビームエネルギー
の形態によれば、検査順序とビームエネルギー設定を適切に設定することにより、複数種類の検査を同一の検査装置1で効率的に実施できる。
次に、図7を参照し、本発明の別の実施の形態について説明する。第1の実施の形態では、除電装置がミニエンバイロメントに備えられていたのに対して、本実施の形態では除電装置が搬送チャンバに備えられる。第1の実施の形態と共通する事項の説明は省略する。
次に、図9を参照し、本発明の更に別の実施の形態について説明する。以下の説明において、第1及び第2の実施の形態と共通する事項の説明は省略する。
本発明のその他の実施の形態は、例えば下記の通りである。
上述の荷電粒子ビーム検査方法又は装置を用いて、被検査物であるマスクの検査を行うマスク検査方法又は装置。
上記の荷電粒子ビーム検査方法又は装置を用いてマスク製作工程の検査を行うマスク製造方法又は装置。
上記のマスク検査方法又は装置により検査されたマスク。上記のマスク製造方法又は装置により製造されたマスク。
上記のマスクを用いて半導体装置を製造する半導体製造方法又は装置。
上記のマスクを用いて製造された半導体装置。上記の半導体製造方法又は装置により製造された半導体装置。
(1)ウエハを製造するウエハ製造工程(又はウエハを準備するウエハ準備工程)
(2)露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)
(3)ウエハに必要な加工処理を行うウエハプロセッシング工程
(4)ウエハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にするチップ組立工程(5)チップを検査するチップ検査工程
(A)絶縁層となる誘電体薄膜、配線部及び電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVD、スパッタリング等を用いる)
(B)薄膜層及びウエハ基板を酸化する酸化工程
(C)薄膜層及びウエハ基板等を選択的に加工するためにマスク(レクチル)を用いてレジストパターンを形成するリソグラフィー工程
(D)レジストパターンに従って薄膜層及び基板を加工するエッチング工程(例えばドライエッチング技術を用いる)
(E)イオン・不純物注入拡散工程
(F)レジスト剥離工程
(G)加工されたウエハを検査する工程
(a)前段の工程で回路パターンが形成されたウエハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程
(b)レジストを露光する工程
(c)露光されたレジストを現像してレジストのパターンを得る現像工程
(d)現像されたレジストパターンを安定化するためのアニール工程
実施の形態の別の態様は、上記の荷電粒子ビーム検査方法を用いてマスク製作工程の検査を行うマスク製造方法である。
実施の形態の別の態様は、上記のマスク検査方法により検査されたマスク、又は、上記のマスク製造方法により製造されたマスクである。
実施の形態の別の態様は、上記のマスクを用いて半導体装置を製造する半導体製造方法である。
実施の形態の別の態様は、上記のマスクを用いて製造された半導体装置、又は、上記の半導体製造方法により製造された半導体装置である。
マスクの種類としては、例えばCrマスク、EUVマスク、ナノインプリント用マスクが挙げられる。Crマスクは光露光に用いられ、EUVマスクはEUV露光に用いられ、ナノインプリントマスクは、ナノインプリントによるレジストパターン形成に用いられる。これらのマスクの各々について、パターンが形成されたマスクが検査の対象であってよい。また、パターン形成前の膜が形成された状態のマスク(ブランクス)が検査の対象で
あってよい。
これらの態様によっても上述の実施の形態の利点が同様に得られる。また、上述した実施の形態の各種の構成もこれらの態様に同様に適用されてよい。
実施の形態の別の態様は、上記の荷電粒子ビーム検査装置を用いてマスク製作工程の検査を行うマスク製造装置である。
実施の形態の別の態様は、上記のマスク検査装置により検査されたマスク、又は、上記のマスク製造装置により製造されたマスクである。
実施の形態の別の態様は、上記のマスクを用いて半導体装置を製造する半導体製造装置である。
実施の形態の別の態様は、上記のマスクを用いて製造された半導体装置、又は、上記の半導体製造装置により製造された半導体装置である。
これらの態様によっても上述の実施の形態の利点が同様に得られる。また、上述した実施の形態の各種の構成もこれらの態様に同様に適用されてよい。
3 キャリアケース
5 ミニエンバイロメント
7 ロードロック室
9 搬送チャンバ
11 メインチャンバ
13 電子ビームコラム
21 搬送ロボット
23 試料アライナー
25,73,93 除電装置
27 真空搬送ロボット
29 ステージ
41 電子銃
43 一次レンズ系
45 二次レンズ系
47 検出器
61 画像処理部
63 制御部
65 エネルギー制御部
81 X線照射部
83 ガスジェットノズル
101 X線照射部
103 ガイド
105 X線ミラー
107 ガスジェットノズル
Claims (6)
- 被検査物を搭載するステージと、
荷電粒子ビームを前記被検査物に照射する荷電粒子ビーム源と、
前記被検査物から得られる信号を検出する検出器と、
前記検出器からの前記信号から像を形成する画像処理部と、
前記被検査物へ照射する前記荷電粒子ビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部と、
検査中の被検査物を真空状態に保持するメインチャンバと、
前記メインチャンバへ被検査物を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送ロボットを真空状態に保持する搬送チャンバと、
前記搬送チャンバ内に設けられた除電装置と、
を備え、
前記除電装置は、
前記被検査物の除電部位にX線を照射するX線照射部と、
前記除電部位にガスを供給するガスジェットノズルと、
を備える荷電粒子ビーム検査装置。 - 被検査物を搭載するステージと、
荷電粒子ビームを前記被検査物に照射する荷電粒子ビーム源と、
前記被検査物から得られる信号を検出する検出器と、
前記検出器からの前記信号から像を形成する画像処理部と、
前記被検査物へ照射する前記荷電粒子ビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部と、
検査中の被検査物を真空状態に保持するメインチャンバと、
前記メインチャンバ内に設けられた除電装置と、
を備え、
前記除電装置は、
前記被検査物の除電部位にX線を照射するX線照射部と、
前記除電部位にガスを供給するガスジェットノズルと、
を備える荷電粒子ビーム検査装置。 - 被検査物を搭載するステージと、
荷電粒子ビームを前記被検査物に照射する荷電粒子ビーム源と、
前記被検査物から得られる信号を検出する検出器と、
前記検出器からの前記信号から像を形成する画像処理部と、
前記被検査物へ照射する前記荷電粒子ビームのビームエネルギーを制御するエネルギー制御部と、
検査中の被検査物を真空状態に保持するメインチャンバと、
前記メインチャンバ内に設けられた除電装置と、
を備え、
前記除電装置は、
X線を照射するX線照射部と、
前記X線を前記被検査物の除電部位に導くX線ミラーと、
ガスを前記X線の照射部位に噴射するガスジェットノズルと、
を備える荷電粒子ビーム検査装置。 - 前記除電装置は、検査用の前記荷電粒子ビームの前部の除電を行うように配置されている請求項2に記載の荷電粒子ビーム検査装置。
- 前記ガスジェットノズルは、ノズル中心軸が前記X線の照射部位の中心点に集まるように配置されたコニカルノズルである、請求項2乃至4のいずれかに記載の荷電粒子ビーム検査装置。
- 前記除電装置は、検査と検査との間に除電を行う、請求項1乃至5のいずれかに記載の荷電粒子ビーム検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015050598A JP2015132623A (ja) | 2015-03-13 | 2015-03-13 | 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015050598A JP2015132623A (ja) | 2015-03-13 | 2015-03-13 | 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013174925A Division JP5779210B2 (ja) | 2008-07-22 | 2013-08-26 | 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015132623A true JP2015132623A (ja) | 2015-07-23 |
JP2015132623A5 JP2015132623A5 (ja) | 2015-10-29 |
Family
ID=53899893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015050598A Pending JP2015132623A (ja) | 2015-03-13 | 2015-03-13 | 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015132623A (ja) |
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- 2015-03-13 JP JP2015050598A patent/JP2015132623A/ja active Pending
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