CN114302979B - 处理装置和方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 87
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 61
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 51
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 80
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKOKHHBZFDFMJW-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-(2-morpholin-4-ylethoxy)pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCCN1CCOCC1 IKOKHHBZFDFMJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
-
- G01N33/0096—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/453—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD
Abstract
本发明提供一种能够检查和修理设置在大气中的被处理物的处理装置和一种适用于其的处理方法，所述处理装置包括：支撑部，所述支撑部设置在大气中且能够安置被处理物；腔部，所述腔部配置在支撑部的一侧且与被处理物相向的部分以开口的方式设置；第一发射部，所述第一发射部的至少一部分配置在腔部；第二发射部，所述第二发射部的至少一部分配置在腔部；检查部，所述检查部与第一发射部和第二发射部连接且用于检查被处理物的缺陷；及源供应部，所述源供应部与腔部连接，以便能够喷射用于沉积薄膜的源。
Description
技术领域
本发明涉及处理装置和方法。更具体地说，涉及能够检查和修理设置在大气中的被处理物的处理装置和方法。
背景技术
在显示装置的制造中，基板上可能会产生各种缺陷。因此，在显示装置的制造中，可以进行检查缺陷的工艺和修理发现的缺陷的工艺。
扫描电子显微镜和聚焦离子束装置用于基板上形成的薄膜的图像生成、成分分析及切割等。扫描电子显微镜和聚焦离子束装置可以通过在基板上的薄膜注射带电粒子并收集从基板发射的二次粒子及X射线来构成在基板上形成的薄膜的图像并分析成分。此外，聚焦离子束装置可以通过在基板上的薄膜注射带电粒子来切割薄膜。
化学气相沉积修理装置用于修复在基板上形成的缺陷的工艺。化学气相沉积修理装置可以通过将金属源供应到基板的缺陷位置并照射激光而沉积薄膜来连接导电线的断开部位。
以往，使用各自不同的装置进行检查工艺和修复工艺，因此存在工艺生产性降低的问题。
本发明的背景技术记载在以下专利文献中。
(现有技术文献)
(专利文献)
(专利文献1)KR10-2016-0134235 A
(专利文献2)KR10-1680291 B1
发明内容
要解决的技术问题
本发明提供一种能够检查和修理设置在大气中的被处理物的处理装置和方法。
解决问题的方案
根据本发明实施方式的处理装置，其作为处理被处理物的处理装置，包括：支撑部，所述支撑部设置在大气中且能够安置被处理物；腔部，所述腔部配置在所述支撑部的一侧，并且与所述被处理物相向的部分以开口的方式设置；第一发射部，所述第一发射部的至少一部分配置在所述腔部；第二发射部，所述第二发射部的至少一部分配置在所述腔部；检查部，所述检查部与所述第一发射部和第二发射部连接且用于检查所述被处理物的缺陷；及源供应部，所述源供应部与所述腔部连接，以便能够喷射用于沉积薄膜的源。
所述腔部配置在所述支撑部的上侧，所述第一发射部和第二发射以贯通所述腔部的上部的方式配置，在所述腔部的下部可以形成有开口。
所述第一发射部和第二发射部朝向所述开口配置，所述源供应部以至少一部分贯通所述腔部的方式设置，喷射口可以倾斜地形成在所述开口的周边。
所述第一发射部和第二发射部能够向所述被处理物上发射粒子束。
所述第一发射部具备透射窗，所述第一发射部能够通过所述透射窗和所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射电子束并收集从所述被处理物的一个表面发射的电子和X射线，所述第二发射部具备孔，所述第二发射部能够通过所述孔和所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射离子束并收集从所述被处理物的一个表面发射的离子和X射线。
所述检查部可以利用由所述第一发射部和第二发射部中的至少一个所生成的被处理物的图像和成分信息来检查被处理物的缺陷有无和缺陷类型。
可以包括控制部，所述控制部以能够根据所述被处理物的缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜的方式，控制所述第二发射部和所述源供应部的运行。
所述腔部在内部具备真空室，所述真空室容纳有所述透射窗和孔，所述腔部的开口具有数十至数百微米的大小且能够围绕电子束和离子束的行进路径。
所述源供应部可以包括：源供应管，所述源供应管以贯通所述腔部的壁体的方式设置，并且所述喷射口朝向所述被处理物的一个表面开口；及源供应源，所述源供应源在内部存储用于沉积薄膜的源并连接在所述源供应管。
根据本发明实施方式的处理方法，其作为在大气中处理被处理物的方法，包括：设置在内部形成有真空的腔部的步骤；在与所述腔部相向的大气中设置被处理物的步骤；利用通过所述腔部发射的束获取所述被处理物的图像和成分信息的步骤；检查所述被处理物的缺陷有无和缺陷类型的步骤；及利用通过所述腔部发射的束根据所述缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜的步骤。
获取所述被处理物的图像和成分信息的步骤可以包括：由与所述腔部连接的第一发射部和第二发射部中的至少一个产生电子束和离子束中的至少一种的步骤；通过所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射电子束和离子束中的至少一种的步骤；通过所述腔部的开口收集从所述被处理物发射的电子和离子中的至少一种及X射线的步骤；及利用所述电子和离子中的至少一种及X射线生成所述被处理物的图像和成分信息的步骤。
检查所述缺陷有无和缺陷类型的步骤可以包括：将所述被处理物的图像和成分信息与预先输入的基准信息进行比较，从而判断所述被处理物的缺陷有无和缺陷类型的步骤。
切割所述薄膜的步骤可以包括：向所述薄膜的缺陷产生区域发射离子束而切割所述缺陷产生区域的步骤。
形成所述薄膜的步骤可以包括：通过连接在所述腔部的源供应管向所述薄膜的缺陷产生区域喷射用于沉积薄膜的气体的过程；及向所述缺陷产生区域发射离子束而沉积薄膜的步骤。
发明的效果
根据本发明的实施方式，在与内部形成有真空的腔部相向的大气中设置被处理物，可以利用通过腔部发射的束获取被处理物的图像和成分信息。此外，可以利用被处理物的图像和成分信息检查被处理物的缺陷有无和缺陷类型，当发现被处理物的缺陷时，可以利用通过腔部发射的束而根据缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜。即，可以在不移动被处理物且不更换装置的情况下，被处理物的检查和修理能够在一系列处理工艺中一次性完成。因此，能够节省被处理物的移动时间，能够提高处理工艺的生产性。
此外，根据本发明的实施方式，由于能够在大气中检查和修理例如基板等被处理物，因此可以利用一个处理装置处理大小不同的多个基板，还可以在大气中容易地处理具有在真空氛围中难以处理的材质的基板，例如柔性材质的基板。
附图说明
图1是根据本发明实施例的处理装置的示意图。
图2是用于说明根据本发明实施例的处理方法的图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细说明本发明的实施例。然而，本发明不限于以下所公开的实施例，而是将以各种不同的形态体现。本发明的实施例只是使本发明的公开变得完整，并为了向本领域普通技术人员完整地告知发明的范围而提供。为了说明本发明的实施例，附图可能被夸大，且附图中的相同标记指称相同要素。
根据本发明实施例的处理装置和方法可以是大气压处理装置和方法。另一方面，后述的粒子束可以包括带电粒子束和中性粒子束。这里，带电粒子束可以包括正离子束、负离子束及电子束。正离子束和负离子束统称为离子束。中性粒子束可以包括原子束和中子束。另一方面，也可以将上述“粒子束”简称为“束”。
图1是根据本发明实施例的处理装置的示意图。
根据本发明实施例的处理装置，其作为利用粒子束(也成为“束”)处理大气中的被处理物的处理装置，包括：支撑部100，所述支撑部100设置在大气中且能够安置被处理物；腔部200，所述腔部200配置在支撑部100的一侧且与被处理物相向的部分以开口的方式设置；第一发射部300，所述第一发射部300的至少一部分配置在腔部200；第二发射部400，所述第二发射部400的至少一部分配置在腔部200；检查部(未示出)，所述检查部与第一发射部300和第二发射部400连接且用于检查被处理物的缺陷；及源供应部500，所述源供应部500与腔部200连接，以便能够喷射用于沉积薄膜的源。
此外，处理装置可以包括偏置电源部600和控制部(未示出)。
被处理物可以是基板S。此时，基板S可以包括在制作包括LCD、OLED及LED的各种显示装置、太阳能电池及半导体芯片等的制造工艺中用于制造各种电子元件的晶圆和玻璃面板。另一方面，除了基板S以外，被处理物也可以多种多样。
支撑部100可以以能够支撑基板S的预定大小形成且可以形成为板型。支撑部100可以包括平台。偏置电源部600可以连接到支撑部100，且可以向支撑部100施加偏置电压。支撑部100的结构可以多种多样。支撑部100可以设置在大气中，且可以在大气压氛围中支撑基板S。
腔部200可以配置在支撑部100的上侧且可以与安置在支撑部100的基板S间隔数十至数百微米程度的高度。例如，安置在支撑部100的基板S的上面与腔部200的下面之间的间隔高度可以是100微米。当然，上述间隔高度可以多种多样。
腔部200的壁体210可以包括上壁、下壁及侧壁。上壁和下壁可以沿水平方向延伸且可以沿上下方向间隔开。侧壁可以沿上下方向延伸且可以沿上壁和下壁的周边摆列。壁体210的结构可以多种多样。
壁体210可以在内部形成有真空室。为此，壁体210可以与真空泵(未示出)连接。真空室可以被控制为低真空，例如10-3至10-4torr。
第一发射部300和第二发射部400可以以贯通腔部200的上部的方式配置。例如，第一发射部300和第二发射部400可以以贯通腔部200的上壁和侧壁的上部的方式配置。第一发射部300的透射窗和第二发射部400的孔可以被收容在真空室。在腔部200的下部可以形成有开口220。例如，可以形成有能够将腔部200的下壁的一侧沿上下方向贯通的开口220。开口220具有数十至数百微米的大小且可以围绕电子束和离子束的行进路径L1、L2。例如，开口220可以具有10至100微米的大小。
腔部200能够相对于支撑部100进行相对移动。例如，腔部200可以包括多个轴部件(未示出)，所述多个轴部件以能够沿多个方向移动的方式设置并支撑壁体210。多个方向可以包括水平方向和上下方向。
第一发射部300可以朝向开口220配置。第一发射部300具备透射窗，第一发射部300可以通过透射窗和开口220向基板S的一个表面发射电子束。此外，第一发射部300可以通过透射窗和开口220收集从基板S的一个表面发射的电子及X射线。
第一发射部300可以包括：第一柱310，所述第一柱310设置在腔部200并与开口220相向设置；电子束发生器320，所述电子束发生器320配置在第一柱310的内部；第一盖330，所述第一盖330安装在与开口220相向设置的第一柱310的一侧；及电子束透射部件340，所述电子束透射部件340以能够使电子束通过的方式安装在第一盖330。
第一发射部300还可以包括电流检测器350、电子检测器360、X射线检测器370及信号处理器(未示出)。当然，第一发射部300的结构可以多种多样。
第一柱310可以通过开口220与基板S的一个表面相向设置。第一柱310的下部可以配置在腔部200的内部。第一柱310可以在内部配置有电子束发生器320且其下部可以朝向下方开口。第一盖330可以安装在第一柱310的下部。第一柱310的内部能够被控制为高真空，例如10-6至10-9torr的高真空。第一柱310可以与真空泵(未示出)连接。
电子束发生器320可以包括：电子发射器321，所述电子发射器321能够以预定加速电压和探测电流发射电子束；及多个透镜322，所述多个透镜322能够聚焦及加速从电子发射器321发射的电子束。当然，电子束发生器320的结构可以多种多样。
第一盖330可以包括主体331和接头部件332。主体331可以由接头部件332可拆卸地结合到第一柱410的开口的下部，并可以从外部密封第一柱410的内部。
主体331可以包括上部层、中间层及下部层，下部层可以是绝缘层。上部层和中间层可以是导电层。在主体331形成有贯通口，且可以安装有电子束透射部件340以便密封贯通口。此时，电子束透射部件340可以被上部层支撑。
电子束透射部件340可以收集二次电子。电子束透射部件340的一侧可以形成有透射窗。透射窗可以使电子束、背散射电子及X射线通过。二次电子可以是具有数十至数百eV程度的能量的电子，背散射电子可以是具有比二次电子更大能量的电子。
电子束透射部件340可以包括例如导电晶圆和膜(membrane)。导电晶圆可以在中心部形成通孔。膜可以附着在导电晶圆的下面。由通孔和膜可以形成透射窗。透射窗可以与电子束行进路径L1相交。膜可以包括例如氮化硅(SiN)膜。当然，电子束透射部件340的结构可以多种多样。
电流检测器350可以包括例如探针351及放大器352。探针351可以通过主体331接触到电子束透射部件340，并将由收集在电子束透射部件340的二次电子所产生的电流传输到放大器352。放大器352可以放大电流而传输到信号处理器(未示出)。
电子检测器360配置在电子束发生器320与盖330之间，并能够围绕电子束的行进路径。电子检测器360可以收集背散射电子，并将由背散射电子所产生的电流传输到信号处理器。
X射线检测器370配置在第一柱310的内部，可以将X射线以能量的形态检测，并将检测结果传输到信号处理器。
信号处理器可以处理从电流检测器350和电子检测器360检测到的电流而形成为图像。该方式可以多种多样。
此外，信号处理器可以通过将X射线的能量强度和按照各能量强度的检测频率数据与预先输入的按照各成分的发射X射线固有能量数据进行比较来定量和定性分析基板S的被电子束照射部分的成分。
第二发射部400可以朝向开口220配置。第二发射部400具备孔，可以通过孔和开口220向基板S的一个表面发射选自离子束、原子束及中子束中的一种束，并可以收集从基板S的一个表面发射的二次离子和X射线。以下，以将离子束发射到大气中为基准，说明第二发射部400。
第二发射部400可以包括：第二柱410，所述第二柱410倾斜地设置在腔部200以便朝向开口220；离子束发生器420，所述离子束发生器420配置在第二柱410的内部；及第二盖430，所述第二盖430安装在与开口220相向设置的第二柱410的一侧，并形成有能够使离子束通过的孔。
第二发射部400还可以包括离子检测器440、X射线检测器450及信号处理器(未示出)。当然，第二发射部400的结构可以多种多样。
第二柱410可以通过开口220与基板S的一个表面相向设置。第二柱410的下部可以配置在腔部200的内部。第二柱410可以在内部配置有离子束发生器420且下部可以向下方开口。第二盖430可以安装在第二柱410的下部。第二柱410的内部能够被控制为高真空，例如10-6至10-9torr的高真空。第二柱410可以与真空泵(未示出)连接。
离子束发生器420可以包括离子源421和多个透镜422。离子源421可以发射离子。例如，多个透镜422可以包括静电透镜、扫描透镜及磁透镜，且可以将离子成形为束的形态发射。此外，离子束发生器420还可以包括引出电极和静电偏转线圈。当然，离子束发生器420的结构可以多种多样。离子束可以用于生成被处理物的图像和切割形成在被处理物上的薄膜等。
第二盖430可以包括主体431和接头部件432。主体431可以由接头部件432可拆卸地结合在第二柱410的开口的下部。主体431的中心部可以形成有孔。孔可以位于离子束发生器420与开口220之间。孔可以具有数十微米以下的大小。例如，孔可以具有10微米以上且不足100微米的大小。孔可以围绕离子束行进路径L2。孔可以使离子束、二次离子及X射线通过。
离子检测器440配置在离子束发生器420与盖430之间且可以围绕离子束的行进路径L2。离子检测器440可以收集能够从基板S发射的二次离子并将由此产生的电流传输到信号处理器。
X射线检测器450配置在第二柱410的内部，可以将X射线以能量的形态检测，并将检测结果传输到信号处理器。
信号处理器可以处理从离子检测器440检测到的电流而形成为图像。该方法可以多种多样。
此外，信号处理器可以通过将X射线的能量强度和按照各能量强度的检测频率数据与预先输入的按照各成分的发射X射线固有能量数据进行比较来定量和定性分析基板S的被电子束照射部分的成分。
一方面，用于将原子束和中子束发射到大气中的第二发射部400的结构可以多种多样。此外，用于将原子束和中子束发射到大气中的第二发射部400的结构可以类似地适用用于发射离子束的第二发射部400的上述结构。因此，将省略其说明。
源供应部500以至少一部分贯通腔部200的方式设置，且喷射口可以倾斜地形成在开口220的周边。源供应部500可以包括源供应管510、源供应源520及载气供应源(未示出)。
源供应管510以贯通腔部200的壁体210的方式设置，且喷射口可以朝向基板S的一个表面开口。源供应管510贯通腔部200的侧壁而延伸到侧壁的内部，然后从腔部200下壁的内部朝向开口220延伸，且喷射口可以在开口220的周边向下方开口。源供应管510连接在源供应源520，并可以从源供应源520接收所供应的用于沉积薄膜的源。用于沉积薄膜的源可以包括金属源。可以由从喷射口向基板S的一个表面喷射的用于沉积薄膜的源，在开口220的下侧形成沉积氛围。
由于源供应管510形成在腔部200的下壁内部，因此腔部200的开口220可以位于距离基板S的一个表面数十至数百微米高度的位置。
源供应源520可以将用于沉积薄膜的源以固体粉末状态收容在其内部。源供应源520可以将用于沉积薄膜的源汽化并供应到源供应管510。被汽化的用于沉积薄膜的源可以由载气顺利地运送到源供应管510。载气可以从与源供应源520连接的载气供应源得到供应。
检查部(未示出)可以利用由第一发射部300和第二发射部400中的至少一个所生成的基板S的图像和成分信息来检查基板S的缺陷有无和缺陷类型。
例如，检查部可以将从第一发射部300和第二发射部400输入的基板S的图像和成分信息与预先输入的基准图像和成分信息进行比较来检查基板S的被电子束及离子束照射区域的缺陷有无和缺陷类型。
检查部可以仅用接收到的从第一发射部300输入的基板S的图像和成分信息来检查基板S的一个表面的被电子束照射的区域的缺陷有无和缺陷类型。此外，检查部可以仅用接收到的从第二发射部400输入的基板S的图像和成分信息来检查基板S的一个表面的被电子束照射的区域的缺陷有无和缺陷类型。此外，检查部可以汇总接收到的从第一发射部300和第二发射部400输入的基板S的图像和成分信息并使用汇总的信息来检查基板S的一个表面的被电子束和离子束照射的区域的缺陷有无和缺陷类型。
缺陷有无可以是指在基板S的一个表面上是否产生了缺陷。缺陷类型可以多种多样，例如开路缺陷、短路及异物流入等。
控制部(未示出)可以以能够根据基板S的缺陷类型切割基板S上的薄膜或在基板S上形成薄膜的方式，控制第二发射部400和源供应部500的运行。此外，除了第二发射部400和源供给部500之外，控制部也可以控制处理装置的其他构成部的运行。
例如，当基板S的缺陷为开路缺陷时，控制部可以通过运行源供应部500在缺陷位置形成沉积氛围以使能够在基板S上的缺陷位置形成沉积，并可以通过运行第二发射部400将离子束照射到缺陷位置来分解用于沉积薄膜的源，从而在缺陷位置形成薄膜。
此外，当基板S的缺陷为短路及异物流入时，控制部可以通过运行第二发射部400将离子束照射到缺陷位置而以预定面积和预定深度切割薄膜，以便能够在基板S上的缺陷位置切割薄膜。此时，用于切割的离子束的强度和用于形成薄膜的离子束的强度可以彼此不同。
当薄膜被切割时，可以根据需要在薄膜被切割的位置形成新的薄膜。例如，当缺陷类型为异物流入时，可以通过控制部控制第二发射部400和源供应部500的运行切割缺陷位置薄膜之后，在薄膜被切割的位置形成新的薄膜。
图2是用于说明根据本发明实施例的处理方法的图。
图2(a)是表示向形成于基板S的一个表面的薄膜F照射电子束的模样的图，图2(b)是表示向形成于基板S的一个表面的薄膜F照射离子束的模样的图。此外，图2(c)是表示向形成于基板S的一个表面的薄膜F照射离子束来切割薄膜F的缺陷部分的模样的图，图2(d)是表示向缺陷部分供应用于沉积薄膜的源的同时向缺陷部分照射离子束来形成新的薄膜的模样的图。图中，二次粒子是指二次电子、背散射电子及二次离子。此时，图中省略了发射X射线的模样。
将参照图1和图2说明适用了根据本发明实施例的上述处理装置的处理方法。
根据本发明实施例的处理方法，其作为在大气中处理被处理物的方法，包括：设置在内部形成有真空的腔部200的步骤；在与腔部200相向的大气中设置被处理物的步骤；利用通过腔部200发射的束来获取被处理物的图像和成分信息的步骤；检查被处理物的缺陷有无和缺陷类型的步骤；及利用通过腔部200发射的束，根据缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜的步骤。
首先，设置在内部形成有真空的腔部200。然后，在与腔部200相向的大气中设置被处理物，例如基板S。此时，腔部200的开口220与基板S的一个表面，例如基板S的上表面之间的间隔高度可以是数十至数百微米。
然后，利用通过腔部200发射的束，获取基板S的图像和成分信息。束可以包括电子束和离子束中的至少一种。或者，束可以包括电子束、离子束、原子束及中子束中的至少一种。
此时，获取基板S的图像和成分信息的步骤可以包括：由与腔部200连接的第一发射部300和第二发射部400中的至少一个产生电子束和离子束中的至少一种的步骤；通过腔部200的开口220向基板S的一个表面发射电子束和离子束中的至少一种的步骤；通过腔部200的开口220收集从基板S发射的电子和离子中的至少一种及X射线的步骤；及利用电子和离子中的至少一种及X射线生成基板S的图像和成分信息的步骤。电子可以包括二次电子和背散射电子。离子可以包括二次离子。
具体而言，通过运行第一发射部300而产生电子束，通过开口220使电子束入射到基板S(参考图2(a))。此外，通过运行第二发射部400产生离子束，通过开口220使离子束入射到基板S(参考图2(b))。此时，电子束的入射和离子束的入射可以仅选择性地执行一种。此外，电子束的入射和离子束的入射可以以任意顺序全部执行。以下，将以电子束的入射和离子束的入射以任意顺序全部执行为基准，说明实施例。
当电子束入射到基板S的一个表面时，可以从基板S的一个表面发射二次电子、背散射电子及X射线。此外，当离子束入射到基板S的一个表面时，可以从基板S的一个表面发射二次离子和X射线。
此外，在第一发射部300和第二发射部400中的至少一个检测到收集至腔部200内部的电子和离子中的至少一种及X射线之后，利用电子和离子中的至少一种及X射线生成基板S的图像和成分信息，并将此传输到检查部。
另一方面，可以通过运行第二发射部400产生选自原子束和中子束中的一种，还可以通过开口220使原子束或中子束入射到基板S，可以将从基板S发射的二次离子和X射线收集到腔部200的内部。
然后，在检查部检查基板S的缺陷有无及缺陷类型。
即，通过将基板S的图像和成分信息与预先输入的基准信息进行比较来判断基板S的缺陷有无和缺陷类型。这里，基准信息可以包括预先输入到检查部的基准图像和成分信息。具体而言，检查部可以通过将从第一发射部300和第二发射部400输入的基板S的图像和成分信息与预先输入的基准图像和成分信息进行比较来检查基板S的被电子束及离子束照射的区域的缺陷有无和缺陷类型。
然后，利用通过腔部200发射的束，根据基板S的缺陷类型切割基板S上的薄膜或在基板S上形成薄膜。
此时，切割薄膜的步骤可以包括：向薄膜的缺陷产生区域发射离子束而切割缺陷产生区域的步骤(参考图2(c))。此外，形成薄膜的步骤可以包括：通过连接到腔部200的源供应管510向薄膜的缺陷产生区域(也称为“缺陷位置”)喷射用于沉积薄膜的气体的步骤；及向缺陷产生区域发射离子束而沉积薄膜的步骤(参考图2(d))。
即，当基板S的缺陷为开路缺陷时，可以通过向基板S的缺陷位置喷射用于沉积薄膜的源，并将离子束照射到缺陷位置而形成薄膜。
此外，当基板S的缺陷为短路和异物流入时，可以通过向缺陷位置照射离子束而以预定面积和预定深度切割薄膜。当薄膜被切割后，可以根据需要在薄膜被切割的位置形成新的薄膜。
上述一系列步骤可以在将基板S安置在支撑部100的状态下，依次顺利地完成。
或者，可以通过向薄膜的缺陷产生区域发射选自原子束和中子束中的一种而在基板S上沉积薄膜或切割基板S上的薄膜。
本发明的上述实施例用于说明本发明，并不用于限制本发明。需要说明的是，在本发明的上述实施例所公开的结构和方式可以通过相互结合或交叉而组合和变形成各种形式，且由此的变形例也可视为本发明的范围。即，可以理解的是，本发明将在权利要求和与此等同的技术思想的范围内以各种不同的形式体现，且本发明所属领域的技术人员可以在本发明的技术思想的范围内实施各种实施例。
Claims (13)
1.一种处理大气中的被处理物的处理装置，包括：
支撑部，所述支撑部设置在大气中且能够安置被处理物；
腔部，所述腔部配置在所述支撑部的一侧，并且与所述被处理物相向的部分以开口的方式设置；
第一发射部，所述第一发射部的至少一部分配置在所述腔部；
第二发射部，所述第二发射部的至少一部分配置在所述腔部；
检查部，所述检查部与所述第一发射部和第二发射部连接且用于检查所述被处理物的缺陷；及
源供应部，所述源供应部与所述腔部连接，以便能够喷射用于沉积薄膜的源，
所述腔部与所述支撑部隔开配置，且所述腔部包括上壁、下壁及侧壁而在内部具备真空室，
所述第一发射部和第二发射部以贯通所述腔部的上部的方式配置，所述第一发射部的透射窗和所述第二发射部的孔被所述真空室所容纳，
所述腔部形成有开口，所述开口围绕从所述透射窗和所述孔发射的粒子束的行进路径并贯通所述下壁，
所述第一发射部以通过所述开口与所述被处理物的一个表面相向的方式朝向所述开口配置，所述第二发射部以倾斜于所述腔部的方式朝向所述开口配置，
所述第二发射部发射的粒子束能够在所述大气中被处理物的缺陷位置切割薄膜或者分解用于沉积薄膜的源。
2.根据权利要求1所述的处理装置，其中，
所述腔部配置在所述支撑部的上侧。
3.根据权利要求2所述的处理装置，其中，
所述源供应部以至少一部分贯通所述腔部的方式设置，
喷射口倾斜地形成在所述开口的周边。
4.根据权利要求1所述的处理装置，其中，
所述第一发射部能够通过所述透射窗和所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射电子束并收集从所述被处理物的一个表面发射的电子和X射线，
所述第二发射部能够通过所述孔和所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射离子束并收集从所述被处理物的一个表面发射的离子和X射线。
5.根据权利要求4所述的处理装置，其中，
所述检查部利用由所述第一发射部和第二发射部中的至少一个所生成的被处理物的图像和成分信息来检查被处理物的缺陷有无和缺陷类型。
6.根据权利要求5所述的处理装置，其中，
包括控制部，所述控制部以能够根据所述被处理物的缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜的方式，控制所述第二发射部和所述源供应部的运行。
7.根据权利要求4所述的处理装置，其中，
所述腔部的开口具有数十至数百微米的大小且能够围绕电子束和离子束的行进路径。
8.根据权利要求3所述的处理装置，其中，
所述源供应部包括：
源供应管，所述源供应管以贯通所述腔部的壁体的方式设置，并且所述喷射口朝向所述被处理物的一个表面开口；及
源供应源，所述源供应源在内部存储用于沉积薄膜的源并连接在所述源供应管。
9.一种在大气中处理被处理物的方法，其利用权利要求1所述的处理装置在大气中处理被处理物，包括：
设置在内部形成有真空的腔部的步骤；
在与所述腔部相向的大气中设置被处理物的步骤；
利用通过所述腔部发射的束获取所述被处理物的图像和成分信息的步骤；
检查所述被处理物的缺陷有无和缺陷类型的步骤；及
利用通过所述腔部发射的束，根据所述缺陷类型切割被处理物上的薄膜或在被处理物上形成薄膜的步骤。
10.根据权利要求9所述的处理被处理物的方法，其中，
获取所述被处理物的图像和成分信息的步骤包括：
由与所述腔部连接的第一发射部和第二发射部中的至少一个产生电子束和离子束中的至少一种的步骤；
通过所述腔部的开口向所述被处理物的一个表面发射电子束和离子束中的至少一种的步骤；
通过所述腔部的开口收集从所述被处理物发射的电子和离子中的至少一种及X射线的步骤；及
利用所述电子和离子中的至少一种及X射线生成所述被处理物的图像和成分信息的步骤。
11.根据权利要求9所述的处理被处理物的方法，其中，
检查所述缺陷有无和缺陷类型的步骤包括：
将所述被处理物的图像和成分信息与预先输入的基准信息进行比较，从而判断所述被处理物的缺陷有无和缺陷类型的步骤。
12.根据权利要求9所述的处理被处理物的方法，其中，
切割所述薄膜的步骤包括：
向所述薄膜的缺陷产生区域发射离子光束而切割所述缺陷产生区域的步骤。
13.根据权利要求9所述的处理被处理物的方法，其中，
形成所述薄膜的步骤包括：
通过连接在所述腔部的源供应管向所述薄膜的缺陷产生区域喷射用于沉积薄膜的气体的过程；及
向所述缺陷产生区域发射离子束而沉积薄膜的过程。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2019-0101241 | 2019-08-19 | ||
| KR1020190101241A KR102180979B1 (ko) | 2019-08-19 | 2019-08-19 | 처리 장치 및 방법 |
| PCT/KR2020/010707 WO2021033999A1 (ko) | 2019-08-19 | 2020-08-13 | 처리 장치 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114302979A CN114302979A (zh) | 2022-04-08 |
| CN114302979B true CN114302979B (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=73679132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202080058428.5A Active CN114302979B (zh) | 2019-08-19 | 2020-08-13 | 处理装置和方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102180979B1 (zh) |
| CN (1) | CN114302979B (zh) |
| WO (1) | WO2021033999A1 (zh) |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1587128A1 (en) * | 2004-04-15 | 2005-10-19 | NaWoTec GmbH | Apparatus and method for investigating or modifying a surface with a beam of charged particles |
| CN101298662A (zh) * | 2007-03-12 | 2008-11-05 | 精工电子纳米科技有限公司 | 用于加工和观测样品的设备以及加工和观测截面的方法 |
| CN201374309Y (zh) * | 2009-01-05 | 2009-12-30 | 天津大学 | 扫描电镜或真空设备内的离子溅射镀膜与刻蚀装置 |
| CN101853780A (zh) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | 索尼公司 | 离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法 |
| CN101882551A (zh) * | 2005-12-02 | 2010-11-10 | 阿利斯公司 | 离子源、系统和方法 |
| CN102343326A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 株式会社理光 | 薄膜制造方法和薄膜元件 |
| CN102834542A (zh) * | 2010-02-10 | 2012-12-19 | 天工方案公司 | 在蒸发期间防止金喷溅且抗蚀剂交联的电子辐射监测系统 |
| EP2540859A1 (en) * | 2010-02-22 | 2013-01-02 | ULVAC, Inc. | Vacuum processing device |
| CN103245537A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 制备tem观察样本的方法 |
| KR20140047724A (ko) * | 2011-01-31 | 2014-04-22 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 하전 입자선 장치 |
| JP2015062170A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-04-02 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 修正装置 |
| CN105200394A (zh) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | Fei公司 | 创建对称fib沉积的方法和系统 |
| KR20160134235A (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 참엔지니어링(주) | 시료 관찰 장치, 커버 어셈블리 및 시료 관찰 방법 |
| CN107630203A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-01-26 | 长安大学 | 一种常压冷等离子体沉积金属单质薄膜的方法 |
| CN107849690A (zh) * | 2015-07-21 | 2018-03-27 | 住友重机械工业株式会社 | 成膜装置 |
| CN108700525A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-10-23 | 于利奇研究中心有限公司 | 用于确定导电靶的表面特性的方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7816032B2 (en) * | 2003-11-28 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Energy device and method for producing the same |
| DE102006043895B9 (de) * | 2006-09-19 | 2012-02-09 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Elektronenmikroskop zum Inspizieren und Bearbeiten eines Objekts mit miniaturisierten Strukturen |
| JP5695818B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2015-04-08 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工方法及び断面観察試料の製造方法 |
| JP5364049B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2013-12-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置、および試料作成方法 |
| JP5986408B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-09-06 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料作製方法 |
| KR101680291B1 (ko) | 2015-10-02 | 2016-11-30 | 참엔지니어링(주) | 증착 장치 및 증착 방법 |
| JP6900027B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2021-07-07 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 試料トレンチ埋込方法 |
| US20190010897A1 (en) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | Alex Global Technology, Inc. | Gas steel cylinder structure for cars |
| EP3432338B1 (en) * | 2017-07-20 | 2019-10-23 | FEI Company | Specimen preparation and inspection in a dual-beam charged particle microscope |
-
2019
- 2019-08-19 KR KR1020190101241A patent/KR102180979B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-08-13 CN CN202080058428.5A patent/CN114302979B/zh active Active
- 2020-08-13 WO PCT/KR2020/010707 patent/WO2021033999A1/ko active Application Filing
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1587128A1 (en) * | 2004-04-15 | 2005-10-19 | NaWoTec GmbH | Apparatus and method for investigating or modifying a surface with a beam of charged particles |
| CN101882551A (zh) * | 2005-12-02 | 2010-11-10 | 阿利斯公司 | 离子源、系统和方法 |
| CN101298662A (zh) * | 2007-03-12 | 2008-11-05 | 精工电子纳米科技有限公司 | 用于加工和观测样品的设备以及加工和观测截面的方法 |
| CN201374309Y (zh) * | 2009-01-05 | 2009-12-30 | 天津大学 | 扫描电镜或真空设备内的离子溅射镀膜与刻蚀装置 |
| CN101853780A (zh) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | 索尼公司 | 离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法 |
| CN102834542A (zh) * | 2010-02-10 | 2012-12-19 | 天工方案公司 | 在蒸发期间防止金喷溅且抗蚀剂交联的电子辐射监测系统 |
| EP2540859A1 (en) * | 2010-02-22 | 2013-01-02 | ULVAC, Inc. | Vacuum processing device |
| CN102343326A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 株式会社理光 | 薄膜制造方法和薄膜元件 |
| KR20140047724A (ko) * | 2011-01-31 | 2014-04-22 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 하전 입자선 장치 |
| CN103245537A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 制备tem观察样本的方法 |
| JP2015062170A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-04-02 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 修正装置 |
| CN105200394A (zh) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | Fei公司 | 创建对称fib沉积的方法和系统 |
| KR20160134235A (ko) * | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 참엔지니어링(주) | 시료 관찰 장치, 커버 어셈블리 및 시료 관찰 방법 |
| CN107849690A (zh) * | 2015-07-21 | 2018-03-27 | 住友重机械工业株式会社 | 成膜装置 |
| CN108700525A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-10-23 | 于利奇研究中心有限公司 | 用于确定导电靶的表面特性的方法 |
| CN107630203A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-01-26 | 长安大学 | 一种常压冷等离子体沉积金属单质薄膜的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114302979A (zh) | 2022-04-08 |
| KR102180979B1 (ko) | 2020-11-19 |
| WO2021033999A1 (ko) | 2021-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |