JPS62260335A - パタ−ン検査方法および装置 - Google Patents
パタ−ン検査方法および装置Info
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- JPS62260335A JPS62260335A JP61102050A JP10205086A JPS62260335A JP S62260335 A JPS62260335 A JP S62260335A JP 61102050 A JP61102050 A JP 61102050A JP 10205086 A JP10205086 A JP 10205086A JP S62260335 A JPS62260335 A JP S62260335A
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- pattern
- mask
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- charged particles
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
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- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31798—Problems associated with lithography detecting pattern defects
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は１半導体素子等の製造に用いるマスクに形成さ
れた回路パターン欠陥検査に係り、特にＸ線リソグラフ
ィに用いるマスクに好２１ ｔｘパターン欠陥自動検査
方法およびその装置に関する。
れた回路パターン欠陥検査に係り、特にＸ線リソグラフ
ィに用いるマスクに好２１ ｔｘパターン欠陥自動検査
方法およびその装置に関する。
υ従来の技術〕
第２図ないし第５図にＸＳＶＳメソフィに用いるマスク
の断面構造を示す。マスクは、Ｘ線を透過しやすい物質
、たとえば窒化ホウ素や窒化シリコンで作られる２μｍ
前後のメンブレム２８（第５図）上に、Ｘ１１１Ｉを透
過しにくい物質、たとえば、金やタンタルで回路パター
ン２９が形成されている。回路パターンの保護のため、
表面をポリイミドの薄膜３０で覆う場合もある。露光は
、ＸＩＩに感光するレジストの塗布されたウニ・・上に
Ｘ線を照射して行う１：１密着露光である。多くの場合
、当該マスクを回路パターンがメンブレムの下Ｋ ｔｒ
るような位置に配置する。ＸＳリングラフィに用いるマ
スクは、前述のよ５に、Ｘ線を透過する数μｍの薄い膜
のため、１１１ｆＫウ工ハ全面に対して露光することが
できない。このためウェハを移動させながら数十回露光
を繰返す。従って、もしマスクパターンに欠陥があれば
ウェハ上に繰返し転写されてしまうので、マスクパター
ン欠陥検査はきわめて重要である。
の断面構造を示す。マスクは、Ｘ線を透過しやすい物質
、たとえば窒化ホウ素や窒化シリコンで作られる２μｍ
前後のメンブレム２８（第５図）上に、Ｘ１１１Ｉを透
過しにくい物質、たとえば、金やタンタルで回路パター
ン２９が形成されている。回路パターンの保護のため、
表面をポリイミドの薄膜３０で覆う場合もある。露光は
、ＸＩＩに感光するレジストの塗布されたウニ・・上に
Ｘ線を照射して行う１：１密着露光である。多くの場合
、当該マスクを回路パターンがメンブレムの下Ｋ ｔｒ
るような位置に配置する。ＸＳリングラフィに用いるマ
スクは、前述のよ５に、Ｘ線を透過する数μｍの薄い膜
のため、１１１ｆＫウ工ハ全面に対して露光することが
できない。このためウェハを移動させながら数十回露光
を繰返す。従って、もしマスクパターンに欠陥があれば
ウェハ上に繰返し転写されてしまうので、マスクパター
ン欠陥検査はきわめて重要である。
従来、マスクパターンの欠陥検査方法としては、特開昭
５３−８５７６７号に記載のように、マスク上を電子線
で走査し、その反射電子または２次電子を検出し、その
検出信号を適当なしきい値で２値化することによりパタ
ーンを検出する方法が提案されていた。第６図のマスク
パターンの１例を用いて説明する。図中２８はメンブレ
ム部分、２９は−Ｘ線を吸収する回路パターン部分、３
１はＸ線を透過しやすい異物、３２はＸ線を透過しない
異物である。図中Ａ−Ａ’で示した線上に沿って電子線
を走査すると、反射電子および２次電子の発生量が、電
子線の当った物質への入射角、材質等により変化するの
で、反射電子または２次電子を検出すれば第７図に示す
ような検出信号となる。さらに図中ＴＨで示したしきい
値により、この信号を２値化すれば第８図に示すような
回路パターン検出信号が得られる。この信号をマスクパ
ターン設計時に用いるＣＡＤデータ等から発生される欠
陥や異物のない回路パターンの検出信号と比較すれば、
欠陥や異物を検出することができる。以上が従来技術の
概略である。
５３−８５７６７号に記載のように、マスク上を電子線
で走査し、その反射電子または２次電子を検出し、その
検出信号を適当なしきい値で２値化することによりパタ
ーンを検出する方法が提案されていた。第６図のマスク
パターンの１例を用いて説明する。図中２８はメンブレ
ム部分、２９は−Ｘ線を吸収する回路パターン部分、３
１はＸ線を透過しやすい異物、３２はＸ線を透過しない
異物である。図中Ａ−Ａ’で示した線上に沿って電子線
を走査すると、反射電子および２次電子の発生量が、電
子線の当った物質への入射角、材質等により変化するの
で、反射電子または２次電子を検出すれば第７図に示す
ような検出信号となる。さらに図中ＴＨで示したしきい
値により、この信号を２値化すれば第８図に示すような
回路パターン検出信号が得られる。この信号をマスクパ
ターン設計時に用いるＣＡＤデータ等から発生される欠
陥や異物のない回路パターンの検出信号と比較すれば、
欠陥や異物を検出することができる。以上が従来技術の
概略である。
ここで問題となるのは、２次電子の発生率が電子線が当
る表面積が大きいほど大きいということである。このた
め表面積の大きい異物は、Ｘ線が透過するしないにかか
わらず、明るく検出されてしまう。一方、ｘ、ｍ＊光プ
ロセスにおいてはＸ線を透過しない異物は欠陥と判定し
なげればならないが、Ｘｌｓを透過する異物は支障とな
らないため欠陥と判定してはならない。従って、２次電
子を検出する方法では両者の区別ができず、Ｘ線を通過
する異物を欠陥と判定してしまう虞れがあった。
る表面積が大きいほど大きいということである。このた
め表面積の大きい異物は、Ｘ線が透過するしないにかか
わらず、明るく検出されてしまう。一方、ｘ、ｍ＊光プ
ロセスにおいてはＸ線を透過しない異物は欠陥と判定し
なげればならないが、Ｘｌｓを透過する異物は支障とな
らないため欠陥と判定してはならない。従って、２次電
子を検出する方法では両者の区別ができず、Ｘ線を通過
する異物を欠陥と判定してしまう虞れがあった。
また、マスク表面がポリイミドなどの保護膜で覆れてい
る場合には、保護膜からの反射電子、２次電子が検出さ
れてしまう。更にｘｓｒＪ＆収パターンから発する反射
電子、２次電子は保護膜にとらえられてしまい検出され
にくい。従って回路パターンの検出が困難であった。
る場合には、保護膜からの反射電子、２次電子が検出さ
れてしまう。更にｘｓｒＪ＆収パターンから発する反射
電子、２次電子は保護膜にとらえられてしまい検出され
にくい。従って回路パターンの検出が困難であった。
上記従来技術はＸ線を透過する異物について配慮がされ
ておらず、本来欠陥ではないこれらの異物までも欠陥と
判断してしまう、いわゆる虚報の問題があった。また、
マスク上に保護膜がある場合、内部の回路パターンが検
出できないという問題点があった。
ておらず、本来欠陥ではないこれらの異物までも欠陥と
判断してしまう、いわゆる虚報の問題があった。また、
マスク上に保護膜がある場合、内部の回路パターンが検
出できないという問題点があった。
本発明の目的は、これらＸ線を透過する異物による欠陥
の誤検出を防ぎ、保護膜があっても回路パターンの検査
を可能にすることＫある。
の誤検出を防ぎ、保護膜があっても回路パターンの検査
を可能にすることＫある。
上記目的は、マスクを電子線で走査し、マスクを透過す
る電子線又は電子を検出することで達成される。具体的
には透過に十分なエネルギーを附与し得る電子線加速器
と、当該加速器に対向して配置された透過電子線又は電
子の検出器カー主たる手段である。
る電子線又は電子を検出することで達成される。具体的
には透過に十分なエネルギーを附与し得る電子線加速器
と、当該加速器に対向して配置された透過電子線又は電
子の検出器カー主たる手段である。
電子線の透過能は、加速電圧が一定であれば、Ｘｌｓと
同様に、透過しようとする物質の原子番号。
同様に、透過しようとする物質の原子番号。
原子量、密度、厚さＫより決まり、一般１ｃ、 Ｘｉｌ
を透過しやすい物質は電子線も透過しやすい。換言すれ
ばＸ線を透過するメンブレムでは電子も透過しやす＜、
ｘｉを吸収する回路パターンでは電子線も透過しにくい
。また、Ｘ線を透過しやすい異物では電子線も透過しや
すい。従って第６図Ａ−Ａ′で示した線上をメンブレン
を電子が透過するのく十分な加速電圧で加速した電子線
で走査し、マスクを透過してきた電子を検出すれば、第
９図に示すような検出信号が得られる。それを適当なし
きい値Ｔ Ｈ’で２値化すれば第１０図に示すパターン
検出信号が得られ、Ｘ線を透過する異物は検出されず、
欠陥の誤検出を防ぐことができる。
を透過しやすい物質は電子線も透過しやすい。換言すれ
ばＸ線を透過するメンブレムでは電子も透過しやす＜、
ｘｉを吸収する回路パターンでは電子線も透過しにくい
。また、Ｘ線を透過しやすい異物では電子線も透過しや
すい。従って第６図Ａ−Ａ′で示した線上をメンブレン
を電子が透過するのく十分な加速電圧で加速した電子線
で走査し、マスクを透過してきた電子を検出すれば、第
９図に示すような検出信号が得られる。それを適当なし
きい値Ｔ Ｈ’で２値化すれば第１０図に示すパターン
検出信号が得られ、Ｘ線を透過する異物は検出されず、
欠陥の誤検出を防ぐことができる。
また、マスク表面が保護膜で覆われていてもＸ線を透過
しゃすい保護膜は電子線も透過するのでパターン検出の
障害にはならない。
しゃすい保護膜は電子線も透過するのでパターン検出の
障害にはならない。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
本実施例は、電子銃１．コンデンサレンズ詳２゜対物レ
ンズ３．ビーム偏向コイル４．被検査マスク５．試料台
６ｔ’ｒＲ子線検出器７．ＸＹｆ″−プル８、試料室９
．偏向制御装置１０．増幅器１１．ＣＲＴ１２．２値化
回路１３．設計データ続出装置１４゜パターン発生器１
５．比較回路１６．欠陥判定回路１７、ＸＹステージ制
御装置１８．タイミングコントローラ１９から成る。
ンズ３．ビーム偏向コイル４．被検査マスク５．試料台
６ｔ’ｒＲ子線検出器７．ＸＹｆ″−プル８、試料室９
．偏向制御装置１０．増幅器１１．ＣＲＴ１２．２値化
回路１３．設計データ続出装置１４゜パターン発生器１
５．比較回路１６．欠陥判定回路１７、ＸＹステージ制
御装置１８．タイミングコントローラ１９から成る。
電子銃１から発生する電子線２０は、コンデンサレンズ
詳２、および対物レンズ乙によって被検査マスク５上に
スポット状に収束される＠本実節例では磁気的に行って
いるが、静電的に行りてもよい。偏向系も同様である。
詳２、および対物レンズ乙によって被検査マスク５上に
スポット状に収束される＠本実節例では磁気的に行って
いるが、静電的に行りてもよい。偏向系も同様である。
電子の加速電圧はマスク５を透過しうるに十分な程に高
くスポットの大きさは検出しようとする欠陥の大きさよ
りも小さい。を子線２０は偏向制御装置１０により駆動
される偏向コイル４によりマスク５上を２次元に走査さ
れる。マスクを透過した電子は、マスクの下に設置され
ている電子線検出器７により検出され、透過電子量に応
じた出力信号が得られる。試料台６はＸＹテーブル８の
上に固定されており、マスク５とＸＹテーブル８０間に
透過電子線検出器７を配置するスペースを確保する。ま
た、試料台６の試料と接する上面は、電子線が透過する
ように穴があけられている。電子線検出器７の電子線が
入射する部分の大きさは、偏向コイル４により電子線が
偏向される領域より広く、電子線がどこに偏向されても
透過電子は電子線検出ＮＺに検出される開口を有する。
くスポットの大きさは検出しようとする欠陥の大きさよ
りも小さい。を子線２０は偏向制御装置１０により駆動
される偏向コイル４によりマスク５上を２次元に走査さ
れる。マスクを透過した電子は、マスクの下に設置され
ている電子線検出器７により検出され、透過電子量に応
じた出力信号が得られる。試料台６はＸＹテーブル８の
上に固定されており、マスク５とＸＹテーブル８０間に
透過電子線検出器７を配置するスペースを確保する。ま
た、試料台６の試料と接する上面は、電子線が透過する
ように穴があけられている。電子線検出器７の電子線が
入射する部分の大きさは、偏向コイル４により電子線が
偏向される領域より広く、電子線がどこに偏向されても
透過電子は電子線検出ＮＺに検出される開口を有する。
試料台乙の上面の穴の大きさも同様に十分広いとする。
また、電子線の経路は、電子の通過にさまたげのないよ
５鏡体および拭料室９は十分な高真空に保たれている。
５鏡体および拭料室９は十分な高真空に保たれている。
更に電子線を収束する電源（図示せず）は、偏向制御装
置１０によって制御可能な様にも構成できる。
置１０によって制御可能な様にも構成できる。
電子線検出器７は、第２図に示すように蛍光板２１に光
電子増倍管２２を組合わせたもので、マスクを透過した
電子は蛍光板に当り、蛍光板より光子２３を発生させる
。光子は光電子増倍管に入射し、電流に変換されマスク
パターン検出信号を得る。
電子増倍管２２を組合わせたもので、マスクを透過した
電子は蛍光板に当り、蛍光板より光子２３を発生させる
。光子は光電子増倍管に入射し、電流に変換されマスク
パターン検出信号を得る。
本実施例では蛍光板２１から発生する光子の検出手段と
して光電子増倍管な用いたが、十分な感麿が得られるな
らば、フォトダイオード、ｃｄｓ等の光検出素子を泪い
てもよい。また、第３図に示すように蛍光板のかわりに
チャンネルプレート２４を用いてもよい。チャンネルプ
レートは、電子が入射すると、内部で電子増倍作用によ
り多くの電子が発生し、その電子を出力端の蛍光板に発
生させるため、極わずかの電子が入射しても蛍光板を明
るく光らせることができる。従って、マスクに当てる電
子線量を少なくシ、電子線によって引き起こされるダメ
ージ、温度上昇によるパターン寸法変化を最小限にとど
めることができる。別の電子線検出器の例を第４図に示
す。これは金属プレート２６をカーボンなどの電子を吸
収しやすく反射しにくい物質２５で覆ったもので、全体
は電気的に絶縁されている。金属プレートの−か所から
電線を引き出し、鏡体に接地する。電子ビームがマスク
を透過して電子吸収体２５に当ると吸収され金属プレー
ト、電＠２７を経て鏡体へと電流となって流れる。電子
線がメンブレム上を走査している場合には透過電子量が
多いためプレートに多くの電子が吸収され、電線を流れ
る電流も多くなる。電子線が回路パターン上を走査して
いる場合には透過電子量が少ないため、Ｎ線を流れる電
流値も少なくなる。従って、電線を流れる電流値を検出
することにより、回路パターンを検出することかできる
。
して光電子増倍管な用いたが、十分な感麿が得られるな
らば、フォトダイオード、ｃｄｓ等の光検出素子を泪い
てもよい。また、第３図に示すように蛍光板のかわりに
チャンネルプレート２４を用いてもよい。チャンネルプ
レートは、電子が入射すると、内部で電子増倍作用によ
り多くの電子が発生し、その電子を出力端の蛍光板に発
生させるため、極わずかの電子が入射しても蛍光板を明
るく光らせることができる。従って、マスクに当てる電
子線量を少なくシ、電子線によって引き起こされるダメ
ージ、温度上昇によるパターン寸法変化を最小限にとど
めることができる。別の電子線検出器の例を第４図に示
す。これは金属プレート２６をカーボンなどの電子を吸
収しやすく反射しにくい物質２５で覆ったもので、全体
は電気的に絶縁されている。金属プレートの−か所から
電線を引き出し、鏡体に接地する。電子ビームがマスク
を透過して電子吸収体２５に当ると吸収され金属プレー
ト、電＠２７を経て鏡体へと電流となって流れる。電子
線がメンブレム上を走査している場合には透過電子量が
多いためプレートに多くの電子が吸収され、電線を流れ
る電流も多くなる。電子線が回路パターン上を走査して
いる場合には透過電子量が少ないため、Ｎ線を流れる電
流値も少なくなる。従って、電線を流れる電流値を検出
することにより、回路パターンを検出することかできる
。
電子線検出器７の出力信号は増幅器１１で適当なレベル
に増幅された後、２値化回路１３により２値化され、Ｘ
Ｎを透過する部分は１′、透過しない部分すなわち回路
パターン部分は ０ の、パターン検出信号が得られる
。
に増幅された後、２値化回路１３により２値化され、Ｘ
Ｎを透過する部分は１′、透過しない部分すなわち回路
パターン部分は ０ の、パターン検出信号が得られる
。
パターン検出信号は、設計データ読出し装置から読出し
たマスク設計データをもとにパターン発生器１５が発生
する欠陥のないマスクパターン検出信号と比較回路１６
により位置合せ後、比較され、両者の不一致部分を出力
する。第６図Ａ−Ａ′線上を電子線が走査する際、パタ
ーン発生器１５が発生する欠陥のないパターン検出信号
を第１１図に、比較回路１６が出力する不一致検出信号
を第１２図に示す。欠陥判定回路は不一致部分の内から
パターン寸法許容値以上の大きさの不一致のみを検出し
、欠陥と判定する。第１３図に欠陥判定結果信号例を示
す。
たマスク設計データをもとにパターン発生器１５が発生
する欠陥のないマスクパターン検出信号と比較回路１６
により位置合せ後、比較され、両者の不一致部分を出力
する。第６図Ａ−Ａ′線上を電子線が走査する際、パタ
ーン発生器１５が発生する欠陥のないパターン検出信号
を第１１図に、比較回路１６が出力する不一致検出信号
を第１２図に示す。欠陥判定回路は不一致部分の内から
パターン寸法許容値以上の大きさの不一致のみを検出し
、欠陥と判定する。第１３図に欠陥判定結果信号例を示
す。
電子線の走査、設計データ、パターン発生器。
はタイミングコントローラ１９により、同期がとられ、
常に実際に検出しているマスクパターンと対応する欠陥
のないパターン検出信号がパターン発生器から発生、比
較される。電子線が走査できるすべての領域が検査され
たらＸＹ′ｙ″−プル制御装置１８がタイミングコント
ローラ１９の指示によりＸＹテーブル８を駆動し、マス
クの未検査領域を電子線が走査できるよ５にし、再び電
子線を走査して検査を行う。マスク全面が検査されるま
でＸＹテーブルの移動、検査を繰返す。
常に実際に検出しているマスクパターンと対応する欠陥
のないパターン検出信号がパターン発生器から発生、比
較される。電子線が走査できるすべての領域が検査され
たらＸＹ′ｙ″−プル制御装置１８がタイミングコント
ローラ１９の指示によりＸＹテーブル８を駆動し、マス
クの未検査領域を電子線が走査できるよ５にし、再び電
子線を走査して検査を行う。マスク全面が検査されるま
でＸＹテーブルの移動、検査を繰返す。
電子線検出器の増幅後の信号は偏向制御装置１０と、同
期して走査されるＣＲＴ１２に入力され、ＣＲＴ上に２
次元画像として表示される。検査終了後、ＸＹテーブル
を検出した欠陥に電子線が当るように移動させ、電子線
を走査すればＣＲＴ上に欠陥の２次元透過電子像が表示
される。
期して走査されるＣＲＴ１２に入力され、ＣＲＴ上に２
次元画像として表示される。検査終了後、ＸＹテーブル
を検出した欠陥に電子線が当るように移動させ、電子線
を走査すればＣＲＴ上に欠陥の２次元透過電子像が表示
される。
本実施例では、被検査マスクのパターン検出信号と設計
データより発生させる欠陥のないパターン検出信号とを
比較したが、マスク上に同一回路パターンが複数個存在
する場合には、１つの回路パターンの検出信号を一時記
憶しておき、もう１つの被検査パターンの検出と同期し
て再生、比較してもよい。両者のパターンは本来同一で
あるから、両者の不一致部分は欠陥と判定してよい。こ
の方法は、回路パターンを一時記憶するためのメモリ、
あるいはディスク装置などの記憶装置が必要であるが、
設計データ続出装置、パターン発生器は不要であり、装
置コストを低減でき、また、設計データ読出装置の読出
速度による検査速度の制限を受けずに高速な検査が可能
である。
データより発生させる欠陥のないパターン検出信号とを
比較したが、マスク上に同一回路パターンが複数個存在
する場合には、１つの回路パターンの検出信号を一時記
憶しておき、もう１つの被検査パターンの検出と同期し
て再生、比較してもよい。両者のパターンは本来同一で
あるから、両者の不一致部分は欠陥と判定してよい。こ
の方法は、回路パターンを一時記憶するためのメモリ、
あるいはディスク装置などの記憶装置が必要であるが、
設計データ続出装置、パターン発生器は不要であり、装
置コストを低減でき、また、設計データ読出装置の読出
速度による検査速度の制限を受けずに高速な検査が可能
である。
本発明によれば、Ｘｌｌ１ｉｉ！光プロセスに用いるヤ
スクの回路パターン検査において、Ｘｌｓを透過する異
物による欠陥の誤検出を防止でき、かつ、表面にポリイ
ミド等の保護膜があってもパターンの検出が可能であり
、検査信頼性が向上する。
スクの回路パターン検査において、Ｘｌｓを透過する異
物による欠陥の誤検出を防止でき、かつ、表面にポリイ
ミド等の保護膜があってもパターンの検出が可能であり
、検査信頼性が向上する。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は電子線検
出器の一実施例の構成図、第３図はチャンネルプレート
を用いた電子線検出器の一実施例の構成図、第４図は電
子線吸収体を用いた電子線検出器の一実施例の構成図、
第５図はｘｔｍｍ光用マスクの断面図、第６図はマスク
上のパターンの一例を示す図、第７図はマスクの反射ま
たは２次電子の検出信号、第８図は第７図の検出信号を
２値化して得られた回路パターン検出信号、第９図はマ
スクの透過電子の検出信号、第１０図は第９図の検出信
号を２値化して得られた回路パターン検出信号、第１１
図は欠陥のない場合の回路パターン検出信号、第１２図
は比較回路の出力信号、第１３図は欠陥判定回路の出力
信号である。 １・・・電子銃、２・・・コンデンサレンズ詳、３・・
・対物レンズ、４・・・ビーム偏向コイル、５・・・被
検査マスク、６・・・試料台、７・・・電子線検出器、
８・・・ＸＹテーブル、９・・・試料室、１０・・・偏
向制御装置、１１・・・増幅器、１２・・・ＣＲＴ、１
３・・・２値化回路、１４・・・設計データ続出装置、
１５・・・パターン発生器、１６・・・比較回路、１７
・・・欠陥判定回路、１８・・・ＸＹステージ制御装置
、１９・・・タイミングコントローラ、２０・・・電子
線。 代理人弁理士 小 川 謬 男 ｒ”ｒ ｔｔｒ− 第 ２ 図 第 ３ 図 第苓図 第５１２１ 躬６図 第８図 第 １０ 図 第 ７ 図 第 ９ 図 躬１１図 第 １３ 区
出器の一実施例の構成図、第３図はチャンネルプレート
を用いた電子線検出器の一実施例の構成図、第４図は電
子線吸収体を用いた電子線検出器の一実施例の構成図、
第５図はｘｔｍｍ光用マスクの断面図、第６図はマスク
上のパターンの一例を示す図、第７図はマスクの反射ま
たは２次電子の検出信号、第８図は第７図の検出信号を
２値化して得られた回路パターン検出信号、第９図はマ
スクの透過電子の検出信号、第１０図は第９図の検出信
号を２値化して得られた回路パターン検出信号、第１１
図は欠陥のない場合の回路パターン検出信号、第１２図
は比較回路の出力信号、第１３図は欠陥判定回路の出力
信号である。 １・・・電子銃、２・・・コンデンサレンズ詳、３・・
・対物レンズ、４・・・ビーム偏向コイル、５・・・被
検査マスク、６・・・試料台、７・・・電子線検出器、
８・・・ＸＹテーブル、９・・・試料室、１０・・・偏
向制御装置、１１・・・増幅器、１２・・・ＣＲＴ、１
３・・・２値化回路、１４・・・設計データ続出装置、
１５・・・パターン発生器、１６・・・比較回路、１７
・・・欠陥判定回路、１８・・・ＸＹステージ制御装置
、１９・・・タイミングコントローラ、２０・・・電子
線。 代理人弁理士 小 川 謬 男 ｒ”ｒ ｔｔｒ− 第 ２ 図 第 ３ 図 第苓図 第５１２１ 躬６図 第８図 第 １０ 図 第 ７ 図 第 ９ 図 躬１１図 第 １３ 区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、加速された電子線を検査対象に照射し、当該検査対
象上で当該電子線を走査し、当該検査対象を透過した荷
電粒子を検出することを特徴とするパターン検査方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載のパターン検査方法にお
いて、 前記検査対象は、Ｘ線が透過し易い物質で形成された基
材上に、Ｘ線が透過しにくい物質により回路パターンが
形成されたマスクであるパターン検査方法。 ３、特許請求の範囲第１項記載のパターン検査方法にお
いて、 前記電子線の加速は、前記検査対象を透過するのに十分
なエネルギーを供給できる加速器によって成されるパタ
ーン検査方法。 ４、特許請求の範囲第１項記載のパターン検査方法にお
いて、 前記電子線の走査は、前記検査対象上に前記電子線を収
束して成され、前記検査対象と走査に係る電子線との間
で相対的に成されるパターン検査方法。 ５、特許請求の範囲第１項記載のパターン検査方法にお
いて、 前記透過した荷電粒子の検出は、チャンネルプレートを
介在させ若しくは介在させずに、光電変換素子又は蛍光
板に導入するパターン検査方法。 ６、特許請求の範囲第１項記載のパターン検査方法にお
いて、 前記透過した荷電粒子の検出は、荷電粒子を吸収する物
質を塗布した金属プレートにより行うパターン検査方法
。 ７、電子源からの電子線を加速する手段と、加速された
電子線を収束し、偏向する手段と、電子線の照射位置に
あって移動可能な検査対象を載置する手段と、 検査対象を透過した荷電粒子を検出する手段と、 前記電子線を収束し、偏向する手段と前記荷電粒子を検
出する手段とを制御し検査を行う電子装置から成るパタ
ーン検査装置。 ８、特許請求の範囲第７項記載のパターン検査装置にお
いて、 前記電子線を加速する手段は、少くとも前記検査対象の
一部を透過し得るエネルギーを付与するパターン検査装
置。 ９、特許請求の範囲第７項記載のパターン検査装置にお
いて、 前記検査対象は、Ｘ線が透過し易い物質で形成された基
材上に、Ｘ線が透過しにくい物質により回路パターンが
形成されたマスクであるパターン検査装置。 １０、特許請求の範囲第７項記載のパターン検査装置に
おいて、 前記荷電粒子を検出する手段は、チャンネルプレートを
介在させ若しくは介在させずに、光電変換素子又は蛍光
板に導入する構成としたパターン検査装置。 １１、特許請求の範囲第７項記載のパターン検査装置に
おいて、 前記荷電粒子を検出する手段は、荷電粒子を吸収する物
質を塗布した金属プレートであるパターン検査装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61102050A JPS62260335A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | パタ−ン検査方法および装置 |
| KR1019870004364A KR900008385B1 (ko) | 1986-05-06 | 1987-05-04 | X선 노출용 마스크의 회로 패턴에서 결함을 검출하는 방법 및 장치 |
| US07/045,538 US4814615A (en) | 1986-05-06 | 1987-05-04 | Method and apparatus for detecting defect in circuit pattern of a mask for X-ray exposure |
| EP87106479A EP0244816B1 (en) | 1986-05-06 | 1987-05-05 | Mask pattern defect detection apparatus |
| DE87106479T DE3787562T2 (de) | 1986-05-06 | 1987-05-05 | Gerät zum Nachweisen von Fehlern im Muster von Masken. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61102050A JPS62260335A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | パタ−ン検査方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260335A true JPS62260335A (ja) | 1987-11-12 |
Family
ID=14316936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61102050A Pending JPS62260335A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | パタ−ン検査方法および装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4814615A (ja) |
| EP (1) | EP0244816B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62260335A (ja) |
| KR (1) | KR900008385B1 (ja) |
| DE (1) | DE3787562T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215545A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2006093579A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Advantest Corp | マスク検査装置、マスク検査方法及び電子ビーム露光装置 |
| CN110595313A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-20 | 扬州辰亚光学科技有限公司 | 一种光学零部件研发用误差检测装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT392857B (de) * | 1987-07-13 | 1991-06-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Vorrichtung und verfahren zur inspektion einer maske |
| JPH0760661B2 (ja) * | 1988-07-22 | 1995-06-28 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
| EP0361516B1 (en) * | 1988-09-30 | 1996-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making X-ray mask structure |
| JP3148353B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
| JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
| JPH07335165A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 格子欠陥観察用電子顕微鏡 |
| JP3490597B2 (ja) * | 1997-01-07 | 2004-01-26 | 株式会社東芝 | マスク検査装置 |
| JPH11250850A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡及び顕微方法並びに対話型入力装置 |
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| DE10039337A1 (de) | 2000-08-04 | 2002-02-28 | Infineon Technologies Ag | Kombination von abtastenden und abbildenden Methoden bei der Überprüfung von Photomasken |
| US20030132382A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-07-17 | Sogard Michael R. | System and method for inspecting a mask |
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| US7297965B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-11-20 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Method and apparatus for sample formation and microanalysis in a vacuum chamber |
| JP4675697B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2011-04-27 | 株式会社東芝 | マスクパターン検査方法、露光条件検証方法、および半導体装置の製造方法 |
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| NL1037820C2 (en) * | 2010-03-22 | 2011-09-23 | Mapper Lithography Ip Bv | Lithography system, sensor, sensor surface element and method of manufacture. |
| TWI545611B (zh) * | 2010-11-13 | 2016-08-11 | 瑪波微影Ｉｐ公司 | 多射束曝光裝置以及用於決定其內的兩射束之間的距離之方法與感測器 |
| JPWO2012081234A1 (ja) * | 2010-12-14 | 2014-05-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| WO2012084363A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for monitoring the integrity of an article, and euv optical apparatus incorporating the same |
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| DE3410885A1 (de) * | 1984-03-24 | 1985-10-03 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Fehlerkorrigierte korpuskularstrahllithographie |
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1986
- 1986-05-06 JP JP61102050A patent/JPS62260335A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-04 US US07/045,538 patent/US4814615A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-05-04 KR KR1019870004364A patent/KR900008385B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-05-05 EP EP87106479A patent/EP0244816B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-05 DE DE87106479T patent/DE3787562T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| CN110595313A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-20 | 扬州辰亚光学科技有限公司 | 一种光学零部件研发用误差检测装置 |
Also Published As
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|---|---|
| EP0244816A3 (en) | 1989-11-23 |
| US4814615A (en) | 1989-03-21 |
| EP0244816B1 (en) | 1993-09-29 |
| DE3787562D1 (de) | 1993-11-04 |
| KR900008385B1 (ko) | 1990-11-17 |
| EP0244816A2 (en) | 1987-11-11 |
| DE3787562T2 (de) | 1994-04-28 |
| KR870011491A (ko) | 1987-12-23 |
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