JP2006093579A - マスク検査装置、マスク検査方法及び電子ビーム露光装置 - Google Patents
マスク検査装置、マスク検査方法及び電子ビーム露光装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】電子ビームを発生する電子銃と、前記電子ビームを所定の断面形状に整形する露光用マスクと、前記露光用マスクによって整形された電子ビームを走査する走査手段と、前記走査手段により走査された電子ビームを透過する微小透過口を有する薄膜と、前記微小透過口よりも大きな開口を有し、前記薄膜の厚さより厚い基板とを含んで構成され、前記整形された電子ビームの一部を選択して透過する選択手段と、前記選択手段により透過した電子ビームを検出して電流信号を出力する検出手段とを備えたことを特徴とするマスク検査装置による。
【選択図】図2
Description
図1は、本実施形態に係る電子ビーム露光装置の構成図である。
この電子ビーム露光装置は、電子光学系コラム100と、電子光学系コラム100の各部を制御する制御部200とに大別される。このうち、電子光学系コラム100は、電子ビーム生成部130、マスク偏向部140及び基板偏向部150によって構成され、その内部が減圧される。
(制御部の説明)
一方、制御部200は、電子銃制御部202、電子光学系制御部203、マスク偏向制御部204、マスクステージ制御部205、ブランキング制御部206、基板偏向制御部207及びウェハステージ制御部208を有する。これらのうち、電子銃制御部202は電子銃101を制御して、電子ビームEBの加速電圧やビーム放射条件等を制御する。また、電子光学系制御部203は、電磁レンズ102、105、108、111、114、116及び121への電流量等を制御して、これらの電磁レンズが構成される電子光学系の倍率や焦点位置等を調節する。ブランキング制御部206は、ブランキング電極127への印加電圧を制御することにより、露光開始前から発生している電子ビームEBを遮蔽板115上に偏向し、露光前に基板W上に電子ビームEBが照射されるのを防ぐ。
(透過型電子ビーム検出装置の説明)
図2は本実施形態で使用される透過型電子ビーム検出装置160を示す構成図である。この透過型電子ビーム検出装置160は、シリコンからなる薄膜23に形成した微小透過口27を透過した電子ビームEBだけを透過し、シリコンからなる薄膜23で散乱する電子ビームを透過させないようにした電子ビーム透過部21と、電子ビーム透過部21を透過した電子ビームEBを検出する電子ビーム検出部22とを含んで構成される。
(露光用マスク検査方法)
図3は、透過型電子ビーム検出装置160を用いて露光用マスクを検査する方法の概要を説明する図である。ここでは、図3に示す露光用マスクのパターン(部分一括パターン)31について検査する。
Claims (6)
- 電子ビームを発生する電子銃と、
前記電子ビームを所定の断面形状に整形する露光用マスクと、
前記露光用マスクによって整形された電子ビームを走査する走査手段と、
前記走査手段により走査された電子ビームを透過する微小透過口を有する薄膜と、前記微小透過口よりも大きな開口を有し、前記薄膜の厚さより厚い基板とを含んで構成され、前記整形された電子ビームの一部を選択して透過する選択手段と、
前記選択手段により透過した電子ビームを検出して電流信号を出力する検出手段と
を備えたことを特徴とするマスク検査装置。 - 前記検出手段は、前記選択手段により選択された電子ビームを反射させる反射体と、
前記反射体により反射する電子ビームを検出する検出器とを有することを特徴とする請求項1に記載のマスク検査装置。 - 前記反射体は、金属又は半導体であることを特徴とする請求項2に記載のマスク検査装置。
- 前記検出器は、PINダイオードであることを特徴とする請求項2に記載のマスク検査装置。
- 電子ビームを検査対象の露光用マスクによって所定の断面形状に整形し、
前記露光用マスクによって整形された電子ビームを走査し、
前記電子ビームを透過する微小透過口を有する薄膜と、前記微小透過口よりも大きな開口を有し前記薄膜の厚さより厚い基板とにより、前記電子ビームの一部を選択し透過して、前記露光用マスクのパターンに対応した第1の信号波形を取得し、
前記第1の信号波形と前記露光用マスクの欠陥のないパターンに対応した第2の信号波形とを比較し、
比較結果に基づいて前記露光用マスクの欠陥を検査することを特徴とするマスク検査方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のマスク検査装置としても機能することを特徴とする電子ビーム露光装置。
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