JP3168032B2

JP3168032B2 - 電子ビーム露光装置及び描画パターンを検査する方法

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Publication number: JP3168032B2
Application number: JP23665791A
Authority: JP
Inventors: 義久大饗; 樹一坂本; 洋安田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-09-18
Filing date: 1991-09-17
Publication date: 2001-05-21
Anticipated expiration: 2016-05-21
Also published as: JPH0541348A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体装置の製造
に関し、特に、半導体基板上に半導体パターンを、電子
ビームにより描画する電子ビーム露光装置、及び描画さ
れるパターンを検査する検査方法に関する。

【０００２】サブミクロンサイズで半導体のパターニン
グを行うには、電子ビーム露光装置を使うと好都合であ
る。電子ビーム露光装置では、半導体基板上に半導体パ
ターンを描画するのに、細く収束させた電子ビームを使
用するため、１μｍ以下の分解能を難なく達成できる。
一方、従来の電子ビーム露光装置では、半導体パターン
を収束電子ビームの一筆書きで描画しなければならない
システム上の制約から、スループットが低いという問題
点があった。

【０００３】このスループットが低い問題点を軽減する
ために、いわゆるブロック露光技術が提案されている。
この方法によれば、電子ビームは半導体パターンの基本
パターンに対応して成形され、選ばれた基本パターンを
くりかえし露光（ショット）することで、所望の半導体
パターンを基板上に描画する。このブロック露光の技術
は、特にメモリ等のような、基本パターンのくりかえし
を有する半導体装置の製造に特に適している。

【０００４】

【従来の技術】図９はブロック露光技術を使用する、従
来の電子ビーム露光装置の構成を示す。図面を参照する
に、電子ビーム露光装置は一般に、収束電子ビームを形
成する電子光学系１００と、電子光学系１００を制御す
る制御系２００とよりなる。

【０００５】電子光学系１００は電子ビーム源となる電
子銃１０４を含む。電子銃１０４はカソード電極１０７
と、グリッド電極１０２と、アノード電極１０３とを有
し、電子ビームを、略所定光軸方向に、発散ビームとし
て射出する。

【０００６】このようにして電子銃１０４により形成さ
れた電子ビームはアパーチャ板１０５中に形成された開
口１０５ａを通過する際に成形される。アパーチャ板１
０５は、開口１０５ａが光軸Ｏと整列するように設けら
れ、入射電子ビームの断面を矩形に成形する。

【０００７】このようにして成形された電子ビームは開
口部１５０ａ上に黒点を有する電子レンズ１０７ａに入
射する。その際、入射電子ビームは平行ビームに変換さ
れて電子レンズ１０７ｂに入り、この電子レンズ１０７
ｂにより、ブロックマスク上に収束される。レンズ１０
７ｂは、その際、矩形開口部１０５ａの像をブロックマ
スク上に投影する。図１０に示したように、ブロックマ
スク１１０は、基板上に描画しない半導体表示パターン
の基本パターン７ａ，７ｂ，７ｃ，…を開口部の形で有
しており、電子ビームが通過する際にその断面を開口部
の形状に従って成形する。

【０００８】電子レンズ１０７ｂを通過した電子ビーム
を偏向させて所望の開口部を選択するために、偏向器１
１１，１１２，１１３，１１４が設けられている。この
うち、偏向器１１１は電子ビームを、制御信号ＳＭ１に
応じて光軸Ｏからそれるように偏向させる。これに対
し、偏向器１１２は制御信号ＳＭ２に応じて、電子ビー
ムを、光軸Ｏに平行に戻す。ブロックマスク１１０を通
過した後、偏向器１１３は、制御信号ＳＭ３に応じて、
電子ビームを光軸方向に偏向させ、さらに偏向器１１４
が制御信号に応じて、電子ビームを光軸Ｏと一致させ
る。ブロックマスク１１０自体は光軸に直角方向に移動
自在に設けられており、これにより、ブロックマスク１
１０の全面に形成された全ての開口部の選択が可能にな
る。

【０００９】ブロックマスク１１０を通過した電子ビー
ムは、電子レンズ１０８および１１６により、光軸上の
点ｆ１に収束される。その際、ブロックマスク１１０上
の選択された開口部の像が縮小されて点ｆ１に結像す
る。このように収束した電子ビームはさらにブランキン
グ板１１７中に形成されたブランキングアパーチャ１１
７ａを通った後、移動ステージ１２６上に保持された基
板の表面に、別の縮小光学系を形成する電子レンズ１１
９，１２０により収束される。ここで、電子レンズ１２
０は対物レンズとして作用し、焦点補正及びスティング
補正のための補正コイル１２０や、電子ビームを基板１
２３の表面上で移動させるための偏向コイル１２４，１
２５をも含む。

【００１０】前記ブランキングアパーチャ１１７ａは光
軸Ｏに一致して設けられており、電子ビームの軸出しに
使われる。この目的のため、種々の調整コイル１２７〜
１３０が使用される。露光開始に当り、電子ビームを出
して、調整コイル１２７〜１３０を制御しながら、電子
ビームがステージ１２６に到達するのを検出する。この
過程の間、マスク１１０は光路Ｏから外して電子ビーム
が自由に通過できるようにする。あるいは、マスク１１
０に、電子ビームを自由に通過させる大きな開口部を形
成しておいてもよい。

【００１１】図９の状態は、電子ビーム露光装置の動作
状態を示し、電子ビームは基板１２３の表面に収束され
ている。この状態では、レンズ１０８，１１６により形
成される光学系がなす焦点ｆ１は、所望の縮小を達成す
る関係上、ブランキングアパーチャ板１１７の上方に形
成される。

【００１２】露光動作を制御するため、図９の電子ビー
ム露光装置は制御系２００を使用する。ここで、制御系
２００は磁気テープ装置２０１や磁気ディスク装置２０
２，２０３等の記憶装置を有しており、これらの記憶装
置に描画したい半導体装置のデバイスパターンが記憶さ
れる。図示の例では磁気テープ装置２０１がパラメータ
を記憶するのに使われ、一方、磁気ディスク装置２０２
が露光パターンデータを記憶するのに使われる。また、
磁気ディスク装置２０３はブロックマスク１１０上の開
口パターンを記憶する。

【００１３】記憶装置中に記憶されたデータはＣＰＵ２
０４により読出されて、圧縮解除の後、インタフェース
２０５に送られる。ここで、ブロックマスク１１０上の
パターンを指定するデータが抽出され、データメモリ２
０６に記憶される。データメモリ２０６に記憶されたデ
ータは次いで第１の制御ユニット２０７に送られ、前記
制御信号ＳＭ１〜ＳＭ４が形成される。これらの信号は
次いで偏向器１１１〜１１４に送られる。制御ユニット
２０７はマスク移動機構２０９の制御信号を成形し、こ
れによりブロックマスク１１０を光軸Ｏに直交する方向
に移動させる。偏向器１１１〜１１４による偏向及びブ
ロックマスク１１０の水平移動の結果、マスク１１０上
のどの開口部でも電子ビームによりアドレスすることが
可能となる。

【００１４】更に、第１の制御ユニット２０７はブラン
キング制御ユニット２１０に制御信号を送り、ブランキ
ング制御ユニット２１０はこれに応じて電子ビームを遮
断するブランキング信号を出力する。このブランキング
信号はＤ／Ａ変換器２１１によりアナログ信号ＳＢに変
換され、一方、アナログ信号ＳＢは電子ビームを光軸か
らそらす偏向器１１５に供給される。その結果、電子ビ
ームはブランキングアパーチャ１１７ａをそれ、基板１
２３表面から消失する。さらに、制御ユニット２０７が
パターン補正データＨａｄｊを出力し、これをＤ／Ａ変
換器に供給する。Ｄ／Ａ変換器２０８はこれに応じて制
御信号Ｓａｄｊを形成し、これを電子レンズ１０７ａと
電子レンズ１０７ｂの間に設けられた偏向器１０６に供
給する。これにより、マスク１１０の選択された開口を
通過した電子ビームの断定形状とされた変化させること
ができる。この機能は、所望の電子ビーム形状がブロッ
クマスク１１０上の開口部から得られるものと一致しな
い場合に使われる。

【００１５】インタフェース２０５はまた電子ビームの
基板１２３上での動きを制御するデータを抽出し、これ
を第２の制御ユニット２１２に送る。制御ユニット２１
２は基板１２３表面上での電子ビームの偏向を制御する
制御信号を形成し、これをウェハ偏向制御ユニット２１
５に送る。ウェハ偏向制御ユニット２１５はこれに応じ
て制御信号を形成し、これをＤ／Ａ変換器２１６，２１
７に送る。Ｄ／Ａ変換器２１６，２１７は偏向器駆動信
号ＳＷ１，ＳＷ２をそれぞれ形成し、これを偏向器１２
４，１２５に送って電子ビームを偏向させる。その際、
ステージ１２６の位置がレーザ干渉計２１４により検出
され、ウェハ偏向制御ユニット２１５は出力信号を修正
する。これに応じて、駆動信号ＳＷ１，ＳＷ２と変換す
る。さらに、第２の制御ユニット２１２はステージ１２
６の横方向への移動を制御する制御信号を出力する。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】かかる、従来のブロッ
ク露光装置においては、かなりひんぱんに、ブロックマ
スク１１０上の開口部のパターンに欠陥がないかどうか
検査する必要が生じる。ブロックマスク１１０上の各パ
ターンの寸法は数１００μｍ角程度であり、このような
パターンがマスク１１０上には数１００ないし数１００
０の規模で形成されている。従って、そのうちのいくつ
かのパターンが損傷する危険は無視できない。このよう
な損傷は、例えばマスク１１０の製造工程で生じること
もあれば、その使用中に生じることもある。特に、使用
時には、ブロックマスク１１０中の薄いメンブランは電
子ビームのエネルギで変形を受けている。そこで、露光
に先立って、ブロックマスク１１０の検査を行う必要が
ある。また、このような検査は、露光作業中も、規則的
な間隔で行うのが好ましい。

【００１７】従来、このような、ブロックマスク１１０
上の開口パターンの検査は、顕微鏡観察によってなされ
ていた。すなわち、ブロックマスク１１０を電子ビーム
露光装置の光学系１００から取外し、顕微鏡下にセット
する。しかし、かかる検査工程は時間がかかり、またブ
ロックマスク１１０が取付・取外し工程で損傷してしま
う危険を増大させる。さらに、このような工程では、顕
微鏡検査後にマスク１１０に付着したごみなどは検出で
きない。

【００１８】本発明は、ブロックマスク上の開口パター
ンを、ブロックマスクを取外すことなく検査できる、電
子ビーム露光装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題
を、電子ビームを発生させ、これを光軸に沿って、対象
物へ出射させる電子ビーム源と；光軸上に設けられ、電
子ビームを通過させる開口パターンを少なくとも一つ有
し、電子ビームの断面を所望の形状に成形するビーム成
形手段と；光軸に沿って、ビーム成形手段と対象物との
間に設けられ、ビーム成形手段により成形された電子ビ
ームを対象物上に収束させ、電子ビームが通過したビー
ム成形手段上の開口部の像を対象物上に投影する収束手
段と；光軸上に、ビーム成形手段と対象物との間で、電
子ビームが光軸から外れた場合に電子ビームを遮断する
ように設けられ、光軸に対応して電子ビームを通過させ
る貫通孔を設けられた、スクリーンと；収束手段を制御
して、ビーム成形手段上の開口部のパターンを検査する
際に、電子ビームが通過したビーム成形手段の開口部の
像を、該スクリーン上面と投影する制御手段と；スクリ
ーン上に投影された前記開口部の像を検出する検出手段
とを備え、対象物上に描画されるパターンを検査するこ
とのできる電子ビーム露光装置により、達成する。

【００２０】

【作用】本発明によれば、スクリーン上に投影された開
口部パターンを検査することで、ブロックマスクを電子
ビーム露光装置から取外さなくとも、ブロックマスク上
のパターンを検査でき、露光工程の効率を向上でき、ま
たマスクパターンの損傷を減ずることができる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明を、従来例と対応する図１１及
び本発明に対応する図１を参照しながら説明する。ここ
で、図１１は図９に対応して、ブロックマスク１１０上
の開口部の像を、基板１２３表面に結像させている通常
の状態を示す。これに対し、図１は、本願の特徴であ
る、ブロックマスク１１０上の開口パターンの像を、ブ
ランキングアパーチャー板１１７に結像させている状態
を示す。

【００２２】図１１を参照すると、電子鏡１０４で形成
され、成形用開口部１０５ａで成形された電子ビームは
ブロックマスク１１０上に収束され、ブロックマスク１
１０上に開口部１０５ａの矩形パターンが形成される。
電子ビームはさらに、マスク１１０を通過することによ
り成形され、レンズ１０８，１１６及びレンズ１１９，
１２２により、基板上に収束される。その結果、ブロッ
クマスク１１０上の開口部の縮小像が、基板１２３上に
形成される。レンズ１０８，１１６が形成する縮小光学
系は、焦点ｆ１を、ブランキングアパーチャ板１１７よ
りも上に形成する。

【００２３】本発明では、電子レンズ１０８の強度をや
や減少させる。この状況を図１にレンズ１０８’として
示す。図１を参照するに、レンズ系１０８及び１１６の
焦点ｆ１は、この結果、ブランキングアパーチャ板１１
７上の点ｆ２に移動する。これにより、マスク１１０上
のパターンの像は、ブランキングアパーチャ板１１７上
に結像される。本発明は、このように、ブランキングア
パーチャ板上に形成された像を検出して、ブロックマス
ク１１０上の開口部のパターンの検査を行う。図２は、
ブランキングアパーチャ板１１７上の像の検出を示す。
図２に示すように、電子ビームＥＢが、ブロックマスク
１１０上の像が動かないように、偏向される。その結
果、ブランキングアパーチャ板１１７上で、開口パター
ン像は電子ビームＥＢの偏向に応じて移動する。その
際、ブランキングアパーチャ１１７ａの部分で像は板１
１７を通過し、基板１２３に到達する。そこで、電子ビ
ームのブランキングアパーチャ板１１７の通過を、電子
ビームの走査に同期して検出することにより、ブランキ
ングアパーチャ板１１７上に投影されたブロックマスク
１１０の開口パターン像を再生することができる。

【００２４】図３は、本発明の一実施例による電子ビー
ム露光装置を示す。図３において、先に説明した部分は
同一符号を付して、その説明を省略する。

【００２５】本実施例では、電子レンズ１０８の強度を
制御するために、コントローラ３００が設けられ、これ
により、検査時にブロックマスク１１０上の開口部の像
をブランキングアパーチャ板１１７上に収束させる。更
に、基板１２３への電子ビームの到達を検出する検出系
３００Ａが設けられる。検出系３００Ａは入射電子ビー
ムに応じて放出される反射電子を検出する電子検出器３
０１と、検出器３０１の出力を供給されてブランキング
アパーチャ板１１７上の像を再生する画像処理ユニット
３０２とよりなる。画像処理ユニット３０２により再生
された画像は、表示装置３０３上に表示される。検出系
３００Ａとしては、ＳＥＭを使用すると好都合である。

【００２６】ブランキングアパーチャ板１１７上の像の
走査を行うため、コントローラ３００は走査信号Ｓｘ，
Ｓｙを形成し、これを、電子鏡１４０に隣接したアライ
ンメントコイル１２７に供給する。このアラインメント
コイル１２７は電子ビームの軸出しのために設けられて
いるものであるが、走査信号Ｓｘ，Ｓｙに応じて電子ビ
ームを偏向させ、その結果、ブランキングアパーチャ板
１１７上で、像は図５に示すように移動する。更に、コ
ントローラ３００は同期信号ＳＹＮＣを発生し、これを
画像処理ユニット３０２に供給する。画像処理ユニット
３０２は、検出器３０１から供給され、電子ビームの到
達をあらわす入力信号と、電子ビームの走査をあらわす
同期信号ＳＹＮＣとにもとづいて、像の再生を行う。

【００２７】図４はブランキングアパーチャ板１１７上
の像の走査を示す。

【００２８】走査信号Ｓｘにより生じる電子ビームの偏
向に応じて、ブランキングアパーチャ板１１７上の像
は、Ｘ−方向に像の全幅分動かれると同時に、Ｘ方向に
対して直角なＹ方向にも、走査信号Ｓｙに応じて動かさ
れる。ここで、Ｘ−方向は通常のテレビにおける水平走
査方向となり、Ｙ方向は垂直走査方向となる。Ｙ方向へ
の走査では、像は開口部１１７ａの径に対応した量だけ
動かされる。

【００２９】先にも説明したように、基板１２３の表面
に到達した電子ビームＥＢは検出器３１０により検出さ
れる。検出器３０１は、単に、ブランキングアパーチャ
板１７上の像Ｃに対応した電子ビームの到達・遮断を検
出するのみである。すなわち、マスク１１０上のパター
ンの検査にあたって、基板１２３上にパターン像を結像
させることはない。

【００３０】図５は、検出器３０１の出力信号と同期信
号ＳＹＮＣとにもとづいて、画像処理ユニット３０２が
行う再生画像の合成を示す。

【００３１】図５を参照するに、検出器３０１の出力
は、Ｘ方向の走査をくりかえしながら線順次に検出され
る。同期信号ＳＹＮＣはＸ−方向への同期信号成分Ｘと
Ｙ−方向への同期信号成分Ｙとを含み、偏向制御信号Ｓ
ｘが同期信号成分Ｘに応じて変化される。Ｘ方向への走
査毎に、偏向制御手段Ｓｙの大きさが所定量だけ変化さ
せられ、この後、Ｘ方向への走査がくりかえされる。こ
れにより、ブランキングアパーチャ板１１７上の像が再
生され、表示装置３０３上に表示される。

【００３２】表示装置３０３上に表示された画像にもと
づいて、以後の露光過程では、欠陥を有すると判定され
た開口パターンを使用しない等の措置がとられる。

【００３３】図６及び図７は、本発明による電子ビーム
露光装置の一般的な動作を示す。

【００３４】第１のステップ１０７では、コントローラ
３００が電子レンズ１０８を制御して、電子ビームを、
ブランキングアパーチャ板１１７上の点ｆ１に収束させ
る。次のステップ１０２では、マスク１１０上の開口部
の一が、偏向器１１１〜１１４の駆動することにより選
択される。さらに、ステップ１０３では、駆動信号Ｓ
ｘ，Ｓｙによりアラインメントコイル１２７を駆動する
ことにより、電子ビーム１１０でマスク１１０を走査す
る。同時に、ステップ１０４で、走査に同期して、電子
ビームの基板１２３への到達を、検出系３００により検
出する。さらに、ステップ１０５で、フランキングアパ
ーチャ板１１７上の像を、検出器３０１の出力信号及び
同期信号ＳＹＮＣにより再生する。更に、ステップ１０
６で、表示装置に表示されたパターンの検査がなされ
る。選択された開口パターンが不良である場合、そのパ
ターンは不良パターンとして登録される。

【００３５】マスク１１０上の全ての開口の検査がステ
ップ１０７で終了すると、コントローラ３００は電子ビ
ームを点ｆ１に収束させる。この後、不良な開口部を避
けて、通常の露光工程が、ステップ１０９で実行され
る。

【００３６】本発明では、ブロックマスク１１０上の開
口パターンのチェックを、マスクを光学系から取外すこ
となく行うことができるため、検査時にブロックマスク
１１０を取外すことに関連して生じる様々な問題点を解
決することができる。特に、本発明は、マスク１１０上
に開口部を冗長度をもって形成してある場合に有効であ
る。また、パターンの検査は、パターンマッチング技術
により、自動的に行うことも可能である。

【００３７】また、ブランキングアパーチャ板１１７上
の像の検出及び再生は、前記の走査法に限られるもので
はなく、他の手段を使ってもよい。

【００３８】図８は本発明の別の実施例を示す。図８に
おいて、図４に対応する部分には同一符号を付し、説明
を省略する。

【００３９】本実施例では、電子レンズ１０７ｂの強度
を減少させ、電子ビームが平行ビームのまま、マスク１
１０を通過して電子レンズ１０８に入射するようにす
る。マスク１１０を通過する際、電子ビームは開口パタ
ーンに従って成形される。

【００４０】電子レンズ１０８は強度が大きくなるよう
に駆動され、これにより、電子ビームはレンズ１００と
レンズ１１６との間の点ｆ３に収束される。レンズ１１
６を通った後、電子ビームは平行ビームとなってブラン
キングアパーチャ板１１７に当たる。その際、マスク１
１０の影がブランキングアパーチャ板１１７上に投影さ
れ、このように投影されたパターンを検出することによ
り、マスク１１０上のパターンを検査することが可能に
なる。

【００４１】本発明は以上の実施例に限定されるもので
はなく、様々な変形、偏向が可能である。

【００４２】

【発明の効果】本発明は、ブランキングアパーチャ板を
スクリーンとして用い、電子光学系を制御してブロック
マスク上の開口パターンをスクリーン上に投影し、その
パターンを走査することで、ブロックマスク上の開口パ
ターンを、電子ビーム露光装置から取外すことなく検査
することを可能にし、露光工程のスループットを向上さ
せ、また、ブロックマスクの投影を回避することを可能
にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を示す図である。

【図２】本発明の原理を示す別の図である。

【図３】本発明の一実施例の構成を示す図である。

【図４】本発明実施例における走査を示す図である。

【図５】本発明実施例における走査を示す別の図であ
る。

【図６】本発明による電子ビーム露光装置を使った露光
工程を示す図である。

【図７】本発明による電子ビーム露光装置を使った露光
工程を示す別の図である。

【図８】本発明の別の実施例を示す図である。

【図９】従来の電子ビーム露光装置の構成を示す図であ
る。

【図１０】従来の電子ビーム露光装置で使用されるブロ
ックマスクを示す図である。

【図１１】従来の電子ビーム露光装置による通常の描画
を示す図である。

【符号の説明】

１００電子光学系１０１カソード電極１０２グリット電極１０３アノード電極１０４電子銃１０５アパーチャ板１０５ａ開口部１０７ａ電子レンズ１０７ｂ電子レンズ１１０ブロックマスク１１１〜１１４偏向器１０８電子レンズ１１６電子レンズ１１７ブランキング板１１７ａブランキングアパーチャ１１９電子レンズ１２０電子レンズ１２３基板１２４，１２５偏向コイル１２７〜１３０調整コイル１２６ステージ２００制御系２０１磁気テープ装置２０２磁気テープ装置２０３磁気テープ装置２０４ＣＰＵ２０５インタフェース２０６データメモリ２０７第１の制御ユニット２０９マスク移動機構２１０ブランキング制御ユニット２１１Ｄ／Ａ変換器２０８Ｄ／Ａ変換器２１５ウェハ偏向制御ユニット２１６，２１７Ｄ／Ａ変換器２１４レーザ干渉計２１５偏向制御ユニット３００コントローラ３００Ａ検出系３０１電子検出器３０２処理ユニット３０３表示装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平２−237107（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−17523（ＪＰ，Ａ) 特開昭56−33829（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電子ビームを発生させ、これを光軸に沿
って、対象物へ出射させる電子ビーム源と；光軸上に設
けられ、電子ビームを通過させる開口パターンを少なく
とも一つ有し、電子ビームの断面を所望の形状に成形す
るビーム成形手段と；光軸に沿って、ビーム成形手段と
対象物との間に設けられ、ビーム成形手段により成形さ
れた電子ビームを対象物上に収束させ、電子ビームが通
過したビーム成形手段上の開口部の像を対象物上に投影
する収束手段と；光軸上に、ビーム成形手段と対象物と
の間で、電子ビームが光軸から外れた場合に電子ビーム
を遮断するように設けられ、光軸に対応して電子ビーム
を通過させる貫通孔を設けられた、スクリーンと；収束
手段を制御して、ビーム成形手段上の開口部のパターン
を検査する際に、電子ビームが通過したビーム成形手段
の開口部の像を、該スクリーン上面に投影する制御手段
と；スクリーン上に投影された前記開口部の像を検出す
る検出手段とを備え、対象物上に描画されるパターンを
検査することのできる電子ビーム露光装置。
【請求項２】該検出手段は、電子ビームを偏向させて
該スクリーン上に投影された像を、スクリーン中に形成
された孔に付して移動させる偏向手段と、前記スクリー
ン上の孔を通って対象物に到達する電子ビームを検出す
る検出器と、前記検出器の出力信号を供給され、スクリ
ーン上における像の移動に同期して、スクリーン上に投
影された像を再生する画像合成回路とよりなることを特
徴とする請求項１記載の電子ビーム露光装置。
【請求項３】該制御手段は該偏向手段に駆動信号を供
給して、該スクリーン上で像を移動させ、さらに該駆動
信号に同期して同期信号を形成し、これを画像合成回路
に供給し、該画像合成回路は前記検出器の出力にもとづ
いて、該同期信号に同期して、スクリーン上に投影され
た像を再生することを特徴とする請求項１記載の電子ビ
ーム露光装置。
【請求項４】該収束手段は、光軸上のビーム成形手段
とスクリーンとの間の位置に設けられて縮小電子光学系
を形成する電子レンズを含み、該電子レンズは制御手段
より供給される駆動信号により決まる強度を有し、該制
御手段はビーム成形手段上のパターンを検査する際に該
電子レンズの強度を変化させることを特徴とする請求項
１記載の電子ビーム露光装置。
【請求項５】電子ビーム露光装置において、物体上に
電子ビームにより描画されるパターンを検査する方法で
あって：電子ビームを、電子ビーム源から物体に向け
て、光軸に沿って出射し；電子ビームを、光軸上に設け
られた開口部を通すことにより、該開口部のパターンに
従って成形し；該電子ビームを、光軸上で、物体から離
れた位置に設けられたスクリーンに投影し、該スクリーン上に該開口部パターンに対応した像を形成
し；スクリーン上の像を検出する過程を含むことを特徴
とする方法。