JP3168032B2 - 電子ビーム露光装置及び描画パターンを検査する方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置及び描画パターンを検査する方法Info
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に関し、特に、半導体基板上に半導体パターンを、電子
ビームにより描画する電子ビーム露光装置、及び描画さ
れるパターンを検査する検査方法に関する。
グを行うには、電子ビーム露光装置を使うと好都合であ
る。電子ビーム露光装置では、半導体基板上に半導体パ
ターンを描画するのに、細く収束させた電子ビームを使
用するため、1μm以下の分解能を難なく達成できる。
一方、従来の電子ビーム露光装置では、半導体パターン
を収束電子ビームの一筆書きで描画しなければならない
システム上の制約から、スループットが低いという問題
点があった。
ために、いわゆるブロック露光技術が提案されている。
この方法によれば、電子ビームは半導体パターンの基本
パターンに対応して成形され、選ばれた基本パターンを
くりかえし露光(ショット)することで、所望の半導体
パターンを基板上に描画する。このブロック露光の技術
は、特にメモリ等のような、基本パターンのくりかえし
を有する半導体装置の製造に特に適している。
来の電子ビーム露光装置の構成を示す。図面を参照する
に、電子ビーム露光装置は一般に、収束電子ビームを形
成する電子光学系100と、電子光学系100を制御す
る制御系200とよりなる。
子銃104を含む。電子銃104はカソード電極107
と、グリッド電極102と、アノード電極103とを有
し、電子ビームを、略所定光軸方向に、発散ビームとし
て射出する。
れた電子ビームはアパーチャ板105中に形成された開
口105aを通過する際に成形される。アパーチャ板1
05は、開口105aが光軸Oと整列するように設けら
れ、入射電子ビームの断面を矩形に成形する。
口部150a上に黒点を有する電子レンズ107aに入
射する。その際、入射電子ビームは平行ビームに変換さ
れて電子レンズ107bに入り、この電子レンズ107
bにより、ブロックマスク上に収束される。レンズ10
7bは、その際、矩形開口部105aの像をブロックマ
スク上に投影する。図10に示したように、ブロックマ
スク110は、基板上に描画しない半導体表示パターン
の基本パターン7a,7b,7c,…を開口部の形で有
しており、電子ビームが通過する際にその断面を開口部
の形状に従って成形する。
を偏向させて所望の開口部を選択するために、偏向器1
11,112,113,114が設けられている。この
うち、偏向器111は電子ビームを、制御信号SM1に
応じて光軸Oからそれるように偏向させる。これに対
し、偏向器112は制御信号SM2に応じて、電子ビー
ムを、光軸Oに平行に戻す。ブロックマスク110を通
過した後、偏向器113は、制御信号SM3に応じて、
電子ビームを光軸方向に偏向させ、さらに偏向器114
が制御信号に応じて、電子ビームを光軸Oと一致させ
る。ブロックマスク110自体は光軸に直角方向に移動
自在に設けられており、これにより、ブロックマスク1
10の全面に形成された全ての開口部の選択が可能にな
る。
ムは、電子レンズ108および116により、光軸上の
点f1に収束される。その際、ブロックマスク110上
の選択された開口部の像が縮小されて点f1に結像す
る。このように収束した電子ビームはさらにブランキン
グ板117中に形成されたブランキングアパーチャ11
7aを通った後、移動ステージ126上に保持された基
板の表面に、別の縮小光学系を形成する電子レンズ11
9,120により収束される。ここで、電子レンズ12
0は対物レンズとして作用し、焦点補正及びスティング
補正のための補正コイル120や、電子ビームを基板1
23の表面上で移動させるための偏向コイル124,1
25をも含む。
軸Oに一致して設けられており、電子ビームの軸出しに
使われる。この目的のため、種々の調整コイル127〜
130が使用される。露光開始に当り、電子ビームを出
して、調整コイル127〜130を制御しながら、電子
ビームがステージ126に到達するのを検出する。この
過程の間、マスク110は光路Oから外して電子ビーム
が自由に通過できるようにする。あるいは、マスク11
0に、電子ビームを自由に通過させる大きな開口部を形
成しておいてもよい。
状態を示し、電子ビームは基板123の表面に収束され
ている。この状態では、レンズ108,116により形
成される光学系がなす焦点f1は、所望の縮小を達成す
る関係上、ブランキングアパーチャ板117の上方に形
成される。
ム露光装置は制御系200を使用する。ここで、制御系
200は磁気テープ装置201や磁気ディスク装置20
2,203等の記憶装置を有しており、これらの記憶装
置に描画したい半導体装置のデバイスパターンが記憶さ
れる。図示の例では磁気テープ装置201がパラメータ
を記憶するのに使われ、一方、磁気ディスク装置202
が露光パターンデータを記憶するのに使われる。また、
磁気ディスク装置203はブロックマスク110上の開
口パターンを記憶する。
04により読出されて、圧縮解除の後、インタフェース
205に送られる。ここで、ブロックマスク110上の
パターンを指定するデータが抽出され、データメモリ2
06に記憶される。データメモリ206に記憶されたデ
ータは次いで第1の制御ユニット207に送られ、前記
制御信号SM1〜SM4が形成される。これらの信号は
次いで偏向器111〜114に送られる。制御ユニット
207はマスク移動機構209の制御信号を成形し、こ
れによりブロックマスク110を光軸Oに直交する方向
に移動させる。偏向器111〜114による偏向及びブ
ロックマスク110の水平移動の結果、マスク110上
のどの開口部でも電子ビームによりアドレスすることが
可能となる。
キング制御ユニット210に制御信号を送り、ブランキ
ング制御ユニット210はこれに応じて電子ビームを遮
断するブランキング信号を出力する。このブランキング
信号はD/A変換器211によりアナログ信号SBに変
換され、一方、アナログ信号SBは電子ビームを光軸か
らそらす偏向器115に供給される。その結果、電子ビ
ームはブランキングアパーチャ117aをそれ、基板1
23表面から消失する。さらに、制御ユニット207が
パターン補正データHadjを出力し、これをD/A変
換器に供給する。D/A変換器208はこれに応じて制
御信号Sadjを形成し、これを電子レンズ107aと
電子レンズ107bの間に設けられた偏向器106に供
給する。これにより、マスク110の選択された開口を
通過した電子ビームの断定形状とされた変化させること
ができる。この機能は、所望の電子ビーム形状がブロッ
クマスク110上の開口部から得られるものと一致しな
い場合に使われる。
基板123上での動きを制御するデータを抽出し、これ
を第2の制御ユニット212に送る。制御ユニット21
2は基板123表面上での電子ビームの偏向を制御する
制御信号を形成し、これをウェハ偏向制御ユニット21
5に送る。ウェハ偏向制御ユニット215はこれに応じ
て制御信号を形成し、これをD/A変換器216,21
7に送る。D/A変換器216,217は偏向器駆動信
号SW1,SW2をそれぞれ形成し、これを偏向器12
4,125に送って電子ビームを偏向させる。その際、
ステージ126の位置がレーザ干渉計214により検出
され、ウェハ偏向制御ユニット215は出力信号を修正
する。これに応じて、駆動信号SW1,SW2と変換す
る。さらに、第2の制御ユニット212はステージ12
6の横方向への移動を制御する制御信号を出力する。
ク露光装置においては、かなりひんぱんに、ブロックマ
スク110上の開口部のパターンに欠陥がないかどうか
検査する必要が生じる。ブロックマスク110上の各パ
ターンの寸法は数100μm角程度であり、このような
パターンがマスク110上には数100ないし数100
0の規模で形成されている。従って、そのうちのいくつ
かのパターンが損傷する危険は無視できない。このよう
な損傷は、例えばマスク110の製造工程で生じること
もあれば、その使用中に生じることもある。特に、使用
時には、ブロックマスク110中の薄いメンブランは電
子ビームのエネルギで変形を受けている。そこで、露光
に先立って、ブロックマスク110の検査を行う必要が
ある。また、このような検査は、露光作業中も、規則的
な間隔で行うのが好ましい。
上の開口パターンの検査は、顕微鏡観察によってなされ
ていた。すなわち、ブロックマスク110を電子ビーム
露光装置の光学系100から取外し、顕微鏡下にセット
する。しかし、かかる検査工程は時間がかかり、またブ
ロックマスク110が取付・取外し工程で損傷してしま
う危険を増大させる。さらに、このような工程では、顕
微鏡検査後にマスク110に付着したごみなどは検出で
きない。
ンを、ブロックマスクを取外すことなく検査できる、電
子ビーム露光装置を提供することを目的とする。
を、電子ビームを発生させ、これを光軸に沿って、対象
物へ出射させる電子ビーム源と;光軸上に設けられ、電
子ビームを通過させる開口パターンを少なくとも一つ有
し、電子ビームの断面を所望の形状に成形するビーム成
形手段と;光軸に沿って、ビーム成形手段と対象物との
間に設けられ、ビーム成形手段により成形された電子ビ
ームを対象物上に収束させ、電子ビームが通過したビー
ム成形手段上の開口部の像を対象物上に投影する収束手
段と;光軸上に、ビーム成形手段と対象物との間で、電
子ビームが光軸から外れた場合に電子ビームを遮断する
ように設けられ、光軸に対応して電子ビームを通過させ
る貫通孔を設けられた、スクリーンと;収束手段を制御
して、ビーム成形手段上の開口部のパターンを検査する
際に、電子ビームが通過したビーム成形手段の開口部の
像を、該スクリーン上面と投影する制御手段と;スクリ
ーン上に投影された前記開口部の像を検出する検出手段
とを備え、対象物上に描画されるパターンを検査するこ
とのできる電子ビーム露光装置により、達成する。
口部パターンを検査することで、ブロックマスクを電子
ビーム露光装置から取外さなくとも、ブロックマスク上
のパターンを検査でき、露光工程の効率を向上でき、ま
たマスクパターンの損傷を減ずることができる。
び本発明に対応する図1を参照しながら説明する。ここ
で、図11は図9に対応して、ブロックマスク110上
の開口部の像を、基板123表面に結像させている通常
の状態を示す。これに対し、図1は、本願の特徴であ
る、ブロックマスク110上の開口パターンの像を、ブ
ランキングアパーチャー板117に結像させている状態
を示す。
され、成形用開口部105aで成形された電子ビームは
ブロックマスク110上に収束され、ブロックマスク1
10上に開口部105aの矩形パターンが形成される。
電子ビームはさらに、マスク110を通過することによ
り成形され、レンズ108,116及びレンズ119,
122により、基板上に収束される。その結果、ブロッ
クマスク110上の開口部の縮小像が、基板123上に
形成される。レンズ108,116が形成する縮小光学
系は、焦点f1を、ブランキングアパーチャ板117よ
りも上に形成する。
や減少させる。この状況を図1にレンズ108’として
示す。図1を参照するに、レンズ系108及び116の
焦点f1は、この結果、ブランキングアパーチャ板11
7上の点f2に移動する。これにより、マスク110上
のパターンの像は、ブランキングアパーチャ板117上
に結像される。本発明は、このように、ブランキングア
パーチャ板上に形成された像を検出して、ブロックマス
ク110上の開口部のパターンの検査を行う。図2は、
ブランキングアパーチャ板117上の像の検出を示す。
図2に示すように、電子ビームEBが、ブロックマスク
110上の像が動かないように、偏向される。その結
果、ブランキングアパーチャ板117上で、開口パター
ン像は電子ビームEBの偏向に応じて移動する。その
際、ブランキングアパーチャ117aの部分で像は板1
17を通過し、基板123に到達する。そこで、電子ビ
ームのブランキングアパーチャ板117の通過を、電子
ビームの走査に同期して検出することにより、ブランキ
ングアパーチャ板117上に投影されたブロックマスク
110の開口パターン像を再生することができる。
ム露光装置を示す。図3において、先に説明した部分は
同一符号を付して、その説明を省略する。
制御するために、コントローラ300が設けられ、これ
により、検査時にブロックマスク110上の開口部の像
をブランキングアパーチャ板117上に収束させる。更
に、基板123への電子ビームの到達を検出する検出系
300Aが設けられる。検出系300Aは入射電子ビー
ムに応じて放出される反射電子を検出する電子検出器3
01と、検出器301の出力を供給されてブランキング
アパーチャ板117上の像を再生する画像処理ユニット
302とよりなる。画像処理ユニット302により再生
された画像は、表示装置303上に表示される。検出系
300Aとしては、SEMを使用すると好都合である。
走査を行うため、コントローラ300は走査信号Sx,
Syを形成し、これを、電子鏡140に隣接したアライ
ンメントコイル127に供給する。このアラインメント
コイル127は電子ビームの軸出しのために設けられて
いるものであるが、走査信号Sx,Syに応じて電子ビ
ームを偏向させ、その結果、ブランキングアパーチャ板
117上で、像は図5に示すように移動する。更に、コ
ントローラ300は同期信号SYNCを発生し、これを
画像処理ユニット302に供給する。画像処理ユニット
302は、検出器301から供給され、電子ビームの到
達をあらわす入力信号と、電子ビームの走査をあらわす
同期信号SYNCとにもとづいて、像の再生を行う。
の像の走査を示す。
向に応じて、ブランキングアパーチャ板117上の像
は、X−方向に像の全幅分動かれると同時に、X方向に
対して直角なY方向にも、走査信号Syに応じて動かさ
れる。ここで、X−方向は通常のテレビにおける水平走
査方向となり、Y方向は垂直走査方向となる。Y方向へ
の走査では、像は開口部117aの径に対応した量だけ
動かされる。
に到達した電子ビームEBは検出器310により検出さ
れる。検出器301は、単に、ブランキングアパーチャ
板17上の像Cに対応した電子ビームの到達・遮断を検
出するのみである。すなわち、マスク110上のパター
ンの検査にあたって、基板123上にパターン像を結像
させることはない。
号SYNCとにもとづいて、画像処理ユニット302が
行う再生画像の合成を示す。
は、X方向の走査をくりかえしながら線順次に検出され
る。同期信号SYNCはX−方向への同期信号成分Xと
Y−方向への同期信号成分Yとを含み、偏向制御信号S
xが同期信号成分Xに応じて変化される。X方向への走
査毎に、偏向制御手段Syの大きさが所定量だけ変化さ
せられ、この後、X方向への走査がくりかえされる。こ
れにより、ブランキングアパーチャ板117上の像が再
生され、表示装置303上に表示される。
づいて、以後の露光過程では、欠陥を有すると判定され
た開口パターンを使用しない等の措置がとられる。
露光装置の一般的な動作を示す。
300が電子レンズ108を制御して、電子ビームを、
ブランキングアパーチャ板117上の点f1に収束させ
る。次のステップ102では、マスク110上の開口部
の一が、偏向器111〜114の駆動することにより選
択される。さらに、ステップ103では、駆動信号S
x,Syによりアラインメントコイル127を駆動する
ことにより、電子ビーム110でマスク110を走査す
る。同時に、ステップ104で、走査に同期して、電子
ビームの基板123への到達を、検出系300により検
出する。さらに、ステップ105で、フランキングアパ
ーチャ板117上の像を、検出器301の出力信号及び
同期信号SYNCにより再生する。更に、ステップ10
6で、表示装置に表示されたパターンの検査がなされ
る。選択された開口パターンが不良である場合、そのパ
ターンは不良パターンとして登録される。
ップ107で終了すると、コントローラ300は電子ビ
ームを点f1に収束させる。この後、不良な開口部を避
けて、通常の露光工程が、ステップ109で実行され
る。
口パターンのチェックを、マスクを光学系から取外すこ
となく行うことができるため、検査時にブロックマスク
110を取外すことに関連して生じる様々な問題点を解
決することができる。特に、本発明は、マスク110上
に開口部を冗長度をもって形成してある場合に有効であ
る。また、パターンの検査は、パターンマッチング技術
により、自動的に行うことも可能である。
の像の検出及び再生は、前記の走査法に限られるもので
はなく、他の手段を使ってもよい。
おいて、図4に対応する部分には同一符号を付し、説明
を省略する。
を減少させ、電子ビームが平行ビームのまま、マスク1
10を通過して電子レンズ108に入射するようにす
る。マスク110を通過する際、電子ビームは開口パタ
ーンに従って成形される。
に駆動され、これにより、電子ビームはレンズ100と
レンズ116との間の点f3に収束される。レンズ11
6を通った後、電子ビームは平行ビームとなってブラン
キングアパーチャ板117に当たる。その際、マスク1
10の影がブランキングアパーチャ板117上に投影さ
れ、このように投影されたパターンを検出することによ
り、マスク110上のパターンを検査することが可能に
なる。
はなく、様々な変形、偏向が可能である。
スクリーンとして用い、電子光学系を制御してブロック
マスク上の開口パターンをスクリーン上に投影し、その
パターンを走査することで、ブロックマスク上の開口パ
ターンを、電子ビーム露光装置から取外すことなく検査
することを可能にし、露光工程のスループットを向上さ
せ、また、ブロックマスクの投影を回避することを可能
にする。
る。
工程を示す図である。
工程を示す別の図である。
る。
ックマスクを示す図である。
を示す図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 電子ビームを発生させ、これを光軸に沿
って、対象物へ出射させる電子ビーム源と;光軸上に設
けられ、電子ビームを通過させる開口パターンを少なく
とも一つ有し、電子ビームの断面を所望の形状に成形す
るビーム成形手段と;光軸に沿って、ビーム成形手段と
対象物との間に設けられ、ビーム成形手段により成形さ
れた電子ビームを対象物上に収束させ、電子ビームが通
過したビーム成形手段上の開口部の像を対象物上に投影
する収束手段と;光軸上に、ビーム成形手段と対象物と
の間で、電子ビームが光軸から外れた場合に電子ビーム
を遮断するように設けられ、光軸に対応して電子ビーム
を通過させる貫通孔を設けられた、スクリーンと;収束
手段を制御して、ビーム成形手段上の開口部のパターン
を検査する際に、電子ビームが通過したビーム成形手段
の開口部の像を、該スクリーン上面に投影する制御手段
と;スクリーン上に投影された前記開口部の像を検出す
る検出手段とを備え、対象物上に描画されるパターンを
検査することのできる電子ビーム露光装置。 - 【請求項2】 該検出手段は、電子ビームを偏向させて
該スクリーン上に投影された像を、スクリーン中に形成
された孔に付して移動させる偏向手段と、前記スクリー
ン上の孔を通って対象物に到達する電子ビームを検出す
る検出器と、前記検出器の出力信号を供給され、スクリ
ーン上における像の移動に同期して、スクリーン上に投
影された像を再生する画像合成回路とよりなることを特
徴とする請求項1記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項3】 該制御手段は該偏向手段に駆動信号を供
給して、該スクリーン上で像を移動させ、さらに該駆動
信号に同期して同期信号を形成し、これを画像合成回路
に供給し、該画像合成回路は前記検出器の出力にもとづ
いて、該同期信号に同期して、スクリーン上に投影され
た像を再生することを特徴とする請求項1記載の電子ビ
ーム露光装置。 - 【請求項4】 該収束手段は、光軸上のビーム成形手段
とスクリーンとの間の位置に設けられて縮小電子光学系
を形成する電子レンズを含み、該電子レンズは制御手段
より供給される駆動信号により決まる強度を有し、該制
御手段はビーム成形手段上のパターンを検査する際に該
電子レンズの強度を変化させることを特徴とする請求項
1記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項5】 電子ビーム露光装置において、物体上に
電子ビームにより描画されるパターンを検査する方法で
あって:電子ビームを、電子ビーム源から物体に向け
て、光軸に沿って出射し;電子ビームを、光軸上に設け
られた開口部を通すことにより、該開口部のパターンに
従って成形し;該電子ビームを、光軸上で、物体から離
れた位置に設けられたスクリーンに投影し、 該スクリーン上に該開口部パターンに対応した像を形成
し;スクリーン上の像を検出する過程を含むことを特徴
とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23665791A JP3168032B2 (ja) | 1990-09-18 | 1991-09-17 | 電子ビーム露光装置及び描画パターンを検査する方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2-249503 | 1990-09-18 | ||
JP24950390 | 1990-09-18 | ||
JP23665791A JP3168032B2 (ja) | 1990-09-18 | 1991-09-17 | 電子ビーム露光装置及び描画パターンを検査する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0541348A JPH0541348A (ja) | 1993-02-19 |
JP3168032B2 true JP3168032B2 (ja) | 2001-05-21 |
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ID=26532784
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JP23665791A Expired - Fee Related JP3168032B2 (ja) | 1990-09-18 | 1991-09-17 | 電子ビーム露光装置及び描画パターンを検査する方法 |
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Country | Link |
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Families Citing this family (1)
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JP2007317863A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置、及び電子ビーム露光装置用マスクの検査方法 |
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1991
- 1991-09-17 JP JP23665791A patent/JP3168032B2/ja not_active Expired - Fee Related
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