JP5898454B2 - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
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Description
ガス電界電離イオン源を用いた装置として、例えば、ガス電界電離イオン源からアルゴンイオンビームを照射し、フォトマスクの欠陥修正などの微細加工を行う集束イオンビーム装置が提案されている(特許文献1参照)。
(1)本発明に係る集束イオンビーム装置は、イオンビームを放出するエミッタと、エミッタを収容するイオン源室と、イオン源室に窒素を供給するガス供給部と、窒素をイオン化し、窒素イオンを引き出す電圧を印加するための引出電極と、エミッタを冷却する温度制御部と、を有するガス電界電離イオン源を備えている。
以下、本発明に係る集束イオンビーム装置の実施形態について説明する。
試料室20は、イオンビーム鏡筒10から照射されるイオンビーム1の照射位置に試料2を移動させる試料ステージ3を収容している。
以上のとおり、本実施形態の集束イオンビーム装置によれば、窒素イオンビームを安定して照射することができる。
実施形態1のガス電界電離イオン源を備えたイオンビーム鏡筒を備えたマスク修正装置の実施形態について説明する。
2…試料
3…試料ステージ
4…検出器
5…ガス供給部
6…真空ポンプ
7…表示部
10…イオンビーム鏡筒
11…コンデンサレンズ電極
12…対物レンズ電極
13…中間室
14、15…オリフィス
16…真空ポンプ
20…試料室
30…制御部
31…像形成部
32…引出電圧制御部
33…イオン源ガス制御部
34…温度制御部
40…イオン源室
41…エミッタ
42…冷却装置
43…接続部
44…壁部
45…ヒータ
46…イオン源ガス供給部
48…真空ポンプ
49…引出電極
50…電源
51…窒素分子
60…マスク
61…試料ステージ
62…デポジションガス供給部
63…エッチングガス供給部
65…試料室
66…遮光パターン部
67…欠陥
Claims (4)
- イオンビームを放出するエミッタと、
前記エミッタを収容するイオン源室と、
前記イオン源室に窒素を供給するガス供給部と、
前記窒素をイオン化し、窒素イオンを引き出す電圧を印加するための引出電極と、
前記エミッタを冷却する温度制御部と、を有するガス電界電離イオン源を備え、
前記ガス供給部は、前記イオン源室内の圧力が1.0×10 -6 Pa乃至1.0×10 -2 Paになるように前記窒素の供給を制御し、
前記温度制御部は、前記エミッタの温度を40K乃至200Kに制御する集束イオンビーム装置。 - イオンビームを放出するエミッタと、
前記エミッタを収容するイオン源室と、
前記イオン源室に窒素を供給するガス供給部と、
前記窒素をイオン化し、窒素イオンを引き出す電圧を印加するための引出電極と、
前記エミッタを冷却する温度制御部と、を有するガス電界電離イオン源を備え、
前記ガス供給部は、前記イオン源室内の圧力が1.0×10 -5 Pa乃至1.0×10 -3 Paになるように前記窒素の供給を制御し、
前記温度制御部は、前記エミッタの温度を40K乃至200Kに制御する集束イオンビーム装置。 - 前記引出電極に印加する前記電圧は、0.5kV乃至20kVである請求項1または2に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記ガス電界電離イオン源から放出されたイオンビームを用いて、マスクの欠陥を修正する請求項1乃至3のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
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EP1979925A2 (en) * | 2006-01-13 | 2008-10-15 | Technion Research And Development Foundation, Ltd. | Method and apparatus for generating ion beam |
JP5055011B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2012-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオン源 |
DE102008020145B4 (de) * | 2007-04-23 | 2012-11-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ionenstrahlbearbeitungs- und Betrachtungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten und Betrachten einer Probe |
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WO2009114230A2 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-17 | Carl Zeiss Smt, Inc. | Reducing particle implantation |
US8026492B2 (en) * | 2008-11-04 | 2011-09-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Dual mode gas field ion source |
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