JP2024080618A - 電子ビーム装置の調整方法、装置及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】荷電粒子マルチビーム装置において１次光学系の調整時間を短縮できる技術を提供する。【解決手段】１次荷電粒子ビームを所定のパターンを有する照射対象に照射し、照射位置が２次元的に照射対象上を走査するようスキャン偏向器によって１次荷電粒子ビームを偏向させ、照射対象からの２次荷電粒子ビームによって形成される画像を取得するステップと、画像上でのパターンの直交度が目標値に近づくようスキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整するステップと、画像上でのパターンの縦横比および回転が目標値に近づくようスキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整するステップと、画像上でのパターンの倍率が目標値に近づくようスキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整するステップと、を含み、直交度調整ステップと、縦横比および回転調整ステップと、倍率調整ステップとを、この順に行うことを特徴とする。【選択図】 図４

Description

本発明は、荷電粒子マルチビーム装置の１次光学系の調整を行う方法、装置及びプログラムに関する。

電子ビームを試料に照射し、試料から放出された電子ビームを観察する電子線観察装置が知られている（例えば特許文献１）。電子線観察装置は、試料に１次電子ビームを照射する１次光学系と、試料から生じる２次電子ビームを画像として検出する２次光学系から構成される。

１次光学系における１次電子ビームを複数の電子で構成することにより、高スループット化を図れる。このような電子線観察装置においては、電子源から放出された電子ビームは、複数の開口が設けられたマルチビーム発生機構を通過することで、複数の１次電子から構成される１次電子ビームが生成される。生成された１次電子ビームは、転送レンズおよび対物レンズによって個々に集束され、試料の複数の箇所に等間隔に離散して照射される。また、１次電子ビームは、転送レンズと対物レンズとの間に配置されたスキャン偏向器によって２次元的に試料上を走査するよう偏向される。これにより、離散的に照射される１次電子ビームが試料上に万遍なく照射される。

１次光学系が有するスキャン偏向器は、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ電界または磁界を形成するための複数の電極またはコイルを有している。ここで、複数の電極またはコイルは、電子ビーム軸がその中心を通るようにＸ方向およびＹ方向のそれぞれに対称的に配置されていることが望ましく、またこのＸ方向、Ｙ方向が表示画面上のＸ方向、Ｙ方向と一致していることが望ましいが、実際はいくらかいびつな配置になっている。このような場合、画面に映し出される画像にも歪みや回転が生じてしまう。したがって、電子線観察装置においては、画像上での歪みや回転がなくなるようスキャン偏向器の各電極またはコイルに供給される電圧または電流を調整することが重要である。特許文献２には、像の回転（Ｒｏｔａｔｉｏｎ）、直交度（Ｏｒｔｈｇｏｎａｌｉｔｙ）、縦横比（Ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）および倍率（Ｍａｇｎｉｆｉｃａｔｉｏｎ）（以下、これらをまとめてＲＯＡＭと呼ぶことがある。）の調整に用いることができる制御回路の一例が開示されている。

特表２０００－４８７５５号公報 特開２０００－３１１６４４号公報

ところで、ＲＯＡＭを順に調整する場合、その順序によっては、戻り作業（前に行った調整のし直し）が必要になることがある。たとえば、縦横比の調整が終わった状態で、次に直交度を調整しようとすると、直交度の変更に伴って縦横比も変更されてしまうため、縦横比の調整のし直しが必要となる。戻り作業が生じると、その分、調整時間が延びてしまう。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたものである。本発明の目的は、荷電粒子マルチビーム装置において１次光学系の調整時間を短縮できる技術を提供することにある。

本発明の第１の態様に係る方法は、
複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームをステージ上の試料に照射する１次光学系と、前記１次荷電粒子ビームが照射された試料から放射される複数の２次荷電粒子から構成される２次荷電粒子ビームを検出器で検出する２次光学系と、を備える荷電粒子マルチビーム装置の前記１次光学系の調整を行う方法であって、
前記１次荷電粒子ビームを前記ステージ上の所定のパターンを有する照射対象に照射し、照射位置が２次元的に前記照射対象上を走査するようスキャン偏向器によって前記１次荷電粒子ビームを偏向させ、前記照射対象からの２次荷電粒子ビームによって形成される画像を取得するステップと、
前記画像上での前記パターンの直交度を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、直交度調整ステップと、
前記画像上での前記パターンの縦横比および回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、縦横比および回転角調整ステップと、
前記画像上での前記パターンの倍率を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、倍率調整ステップと、
を含み、
前記直交度調整ステップと、前記縦横比および回転調整ステップと、前記倍率調整ステップとを、この順に行うことを特徴とする。

このような態様によれば、直交度の調整と、縦横比および回転の調整と、倍率の調整とを、この順に行うことで、戻り作業（前に行った調整のし直し）を無くすことができる。これにより、荷電粒子マルチビーム装置において１次光学系の調整時間を短縮できる。

本発明の第２の態様に係る方法は、第１の態様に係る方法であって、
前記縦横比および回転調整ステップは、
前記画像上での前記パターンの縦横比を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、縦横比調整ステップと、
前記画像上での前記パターンの回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、回転調整ステップと、
を含み、
前記縦横比調整ステップと、前記回転調整ステップとを、この順に行うことを特徴とする。

本件発明者が複数の技術者にヒアリングを行ったところ、経験的に、回転を調整する前に縦横比を調整する方が、回転を調整した後に縦横比を調整する場合に比べて、戻り作業が少なくなることが分かった。したがって、このような態様によれば、縦横比の調整と、回転の調整とを、この順に行うことで、戻り作業（前に行った調整のし直し）を減らすことができるため、調整時間をさらに短縮できる。

本発明の第３の態様に係る方法は、第１または２の態様に係る方法であって、
前記照射対象上での前記パターンの形状は正方形であることを特徴とする。

このような態様によれば、照射対象上でのパターンの形状が正方形であることで、画像上でのパターンの回転、直交度、縦横比および倍率が目標値からずれていることが分かりやすく、回転、直交度、縦横比および倍率を容易に調整することが可能である。

本発明の第４の態様に係る方法は、第１～３のいずれかの態様に係る方法であって、
前記倍率調整ステップでは、
倍率レンズに第１の電圧または電流Ａ１を供給した状態で、前記画像上での前記パターンの倍率および照射位置間のピッチを測定し、それぞれの測定値の目標値からの誤差ΔＭ１、ΔＰ１を求め、
前記倍率レンズに第２の電圧または電流Ａ２を供給した状態で、前記画像上での前記パターンの倍率および照射位置間のピッチを測定し、それぞれの測定値の目標値からの誤差ΔＭ２、ΔＰ２を求め、
前記倍率レンズに供給される電圧または電流と前記誤差とを２軸とするグラフ上で、（Ａ１、ΔＭ１）と（Ａ２、ΔＭ２）とを結ぶ直線と、（Ａ１、ΔＰ１）と（Ａ２、ΔＰ２）とを結ぶ直線との交点における前記電圧または電流の値Ａ３を求め、
前記倍率レンズに前記求めた電圧または電流Ａ３を供給した状態で、前記画像上での前記パターンの倍率を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する。

スキャン偏向器で倍率を調整した後に倍率レンズで照射位置間のピッチを調整しようとすると、倍率レンズの調整に伴って倍率も変更されてしまうため、倍率の調整のし直しが必要になる。これに対し、第４の態様によれば、倍率の調整と同時に照射位置間のピッチも調整されるため、戻り作業（前に行った調整のし直し）を減らすことができ、調整時間をさらに短縮できる。

本発明の第５の態様に係る方法は、第１～３のいずれかの態様に係る方法であって、
前記画像上での照射位置の配置の回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう転送レンズに供給される電圧または電流を調整する、照射位置回転調整ステップと、
前記画像上での照射位置間のピッチを測定し、その測定値が目標値に近づくよう倍率レンズに供給される電圧または電流を調整する、照射位置ピッチ調整ステップと、
をさらに含み、
前記直交度調整ステップと、前記縦横比および回転調整ステップと、前記倍率調整ステップとを、前記照射位置回転調整ステップおよび照射位置ピッチ調整ステップより前に行うことを特徴とする。

このような態様によれば、画像上でのパターンの回転、直交度、縦横比および倍率を先に調整しておくため、画像上での照射位置間のピッチおよび照射位置の配置の回転を正確に測定できる。

本発明の第６の態様に係る方法は、第５の態様に係る方法であって、
前記照射位置回転調整ステップと、前記照射位置ピッチ調整ステップとを、この順に行うことを特徴とする。

このような態様によれば、照射位置の配置の回転の調整と、照射位置間のピッチの調整とを、この順に行うことで、戻り作業（前に行った調整のし直し）を無くすことができるため、調整時間を短縮できる。

本発明の第７の態様に係る装置は、
複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームをステージ上の試料に照射する１次光学系と、前記１次荷電粒子ビームが照射された試料から放射される複数の２次荷電粒子から構成される２次荷電粒子ビームを検出器で検出する２次光学系と、を備える荷電粒子マルチビーム装置の前記１次光学系の調整を行う装置であって、
命令を記憶するメモリと、
前記１次荷電粒子ビームを前記ステージ上の所定のパターンを有する照射対象に照射し、照射位置が２次元的に前記照射対象上を走査するようスキャン偏向器によって前記１次荷電粒子ビームを偏向させ、前記照射対象からの２次荷電粒子ビームによって形成される画像を取得するステップと、
前記画像上での前記パターンの直交度を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、直交度調整ステップと、
前記直交度調整ステップの後に、前記画像上での前記パターンの縦横比および回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、縦横比および回転調整ステップと、
前記縦横比および回転調整ステップの後に、前記画像上での前記パターンの倍率を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、倍率調整ステップと、
を行うための前記命令を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサと、
を備える。

本発明の第８の態様に係るプログラムは、
複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームをステージ上の試料に照射する１次光学系と、前記１次荷電粒子ビームが照射された試料から放射される複数の２次荷電粒子から構成される２次荷電粒子ビームを検出器で検出する２次光学系と、を備える荷電粒子マルチビーム装置の前記１次光学系の調整を行うためのプログラムであって、
コンピュータに、
前記１次荷電粒子ビームを前記ステージ上の所定のパターンを有する照射対象に照射し、照射位置が２次元的に前記照射対象上を走査するようスキャン偏向器によって前記１次荷電粒子ビームを偏向させ、前記照射対象からの２次荷電粒子ビームによって形成される画像を取得するステップと、
前記画像上での前記パターンの直交度を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、直交度調整ステップと、
前記直交度調整ステップの後に、前記画像上での前記パターンの縦横比および回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、縦横比および回転調整ステップと、
前記縦横比および回転調整ステップの後に、前記画像上での前記パターンの倍率を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、倍率調整ステップと、
を実行させる。

本発明の第９の態様に係る荷電粒子マルチビーム装置は、第７の態様に係る装置を備える。

本発明によれば、荷電粒子マルチビーム装置において１次光学系の調整時間を短縮できる。

図１Ａは、一実施の形態に係る荷電粒子マルチビーム装置の概略構成を示す図である。 図１Ｂは、検出器の概略構成を示す図である。 図１Ｃは、一変形例に係る荷電粒子マルチビーム装置の概略構成を示す図である。 図２は、マルチビーム発生機構における開口の配置の一例を示す平面図である。 図３は、図２に示す配置の開口を通過した各荷電粒子ビームの、照射対象上でのスキャン領域を示す平面図である。 図４は、第１の実施の形態に係る調整方法の手順を示すフローチャートである。 図５は、ステップＳ１０で得られる画像の一例を示す図である。 図６Ａは、直交度調整ステップ（ステップＳ１１）を説明するための図である。 図６Ｂは、縦横比調整ステップ（ステップＳ１２）を説明するための図である。 図６Ｃは、回転調整ステップ（ステップＳ１３）を説明するための図である。 図６Ｄは、倍率調整ステップ（ステップＳ１４）を説明するための図である。 図７は、ステップＳ１５で得られる画像の一例を示す図である。 図８Ａは、照射位置回転調整ステップ（ステップＳ１６）を説明するための図である。 図８Ｂは、照射位置ピッチ調整ステップ（ステップＳ１７）を説明するための図である。 図９Ａは、転送レンズに供給する電流値と照射位置の配置の回転との相関関係を示すテーブルである。 図９Ｂは、転送レンズに供給する電流値と照射位置の配置の回転との相関関係を示すグラフである。 図１０Ａは、倍率レンズに供給する電圧値と照射位置間のピッチとの相関関係を示すテーブルである。 図１０Ｂは、倍率レンズに供給する電圧値と照射位置間のピッチとの相関関係を示すグラフである。 図１１は、複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームを生成する構成の一変形例を説明するための図である。 図１２は、第２の実施の形態に係る調整方法の手順を示すフローチャートである。 図１３は、第２の実施の形態における倍率調整ステップ（ステップＳ１４０）の具体的な手順を示すフローチャートである。 図１４は、倍率レンズに供給する電圧値と画像上でのパターンの倍率および照射位置間のピッチとの相関関係を示すグラフである。

以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明および以下の説明で用いる図面では、同一に構成され得る部分について、同一の符号を用いるとともに、重複する説明を省略する。

図１Ａは、一実施の形態に係る荷電粒子マルチビーム装置１の概略構成を示す図である。なお、以下では、荷電粒子マルチビーム装置１の一例として、電子マルチビーム装置について説明するが、電子マルチビーム装置はあくまでも一例であり、本実施の形態に係る荷電粒子マルチビーム装置は、電子マルチビーム装置に限定されるものではなく、たとえば、イオンマルチビーム装置であってもよい。また、荷電粒子マルチビーム装置１は、観察装置（たとえば顕微鏡）であってもよいし、露光装置であってもよい。荷電粒子マルチビーム装置１の処理対象である試料は、シリコンウエハ、ガラスマスク、半導体基板、半導体パターン基板、または金属膜を有する基板などであってもよい。

図１Ａに示すように、荷電粒子マルチビーム装置１は、試料を保持するステージ１６と、ステージ１６上の試料に荷電粒子マルチビームを照射する１次光学系１０（照射系またはマルチビーム光学系とも呼ばれる）と、試料からの信号電子（二次電子、反射電子など）の拡大像を検出器２８に結像させる２次光学系２０（結像系または投影光学系とも呼ばれる）と、制御装置３とを有している。

このうち１次光学系１０ａは、ステージ１６上の試料の複数箇所に複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームを集束して照射するものであり、荷電粒子源１１と、マルチビーム発生機構１２と、倍率レンズ１８と、転送レンズ１３と、ビーム分離器１４と、対物レンズ１５と、ステージ１６と、スキャン偏向器１７とを有している。

荷電粒子源１１は、不図示のコラム（真空管）の一端に設けられており、コラム内に荷電粒子ビーム（たとえば電子線）を放出する。荷電粒子源１１としては、たとえば、特開２０１２－２５３００７に記載されたような、レーザ光源と光電面とを有する光電子源を使用することができる。光電子源に使用される光電面構造は、高効率を実現できる。なお、荷電粒子源１１としては、荷電粒子ビーム（たとえば電子線）を放出できるものであれば、光電子源に限定されず、たとえば、ＬａＢ₆などの電子銃を使用することもできる。

荷電粒子源１１から放出された荷電粒子ビームは、適宜、加速器（不図示）によって加速されるとともにレンズ（不図示）によって拡げられ、マルチビーム発生機構１２に入射する。

マルチビーム発生機構１２には、マルチビームを通過させる複数の開口が形成されている。図２は、マルチビーム発生機構１２における開口の配置の一例を示す平面図である。荷電粒子源１１からの荷電粒子ビームは、マルチビーム発生機構１２に形成された複数の開口を通過することにより、複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームが生成される。生成された１次荷電粒子ビームは、倍率レンズ１８、転送レンズ１３、ビーム分離器１４および対物レンズ１５によって個々に集束され、ステージ１６上に載置された試料の複数の箇所に等間隔に離散して照射される。

なお、図２に示す例では、マルチビーム発生機構１２において、荷電粒子ビームを通過させる複数の開口が四角格子状（マトリクス状）に配置されているが、複数の開口が互いに等間隔（等ピッチ）で配置されている限りでは、複数の開口の配置は四角格子状（マトリクス状）に限定されるものではなく、たとえば、三角格子状であってもよい。

図１Ａおよび図２に示す例では、複数の開口を有するマルチビーム発生機構１２を用いて複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームを生成するものであったが、１次荷電粒子ビームを生成するための構成は、複数の開口を有するマルチビーム発生機構１２を用いるものに限定されるものではなく、たとえば、図１１に示すように、荷電粒子源１およびマルチビーム発生機構１２の代わりに、複数の荷電粒子源１１１～１１３が設けられており、荷電粒子源１１１～１１３のそれぞれが１つの荷電粒子ビームを放出することにより、複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームが生成されてもよい。なお、マルチビーム発生機構１２としては、複数の開口を有するもの（図１Ａ、図２参照）とともに、フィールドエミッターアレイ（たとえば特開２００５－２１３５６７の図１０参照）や単一の一次荷電粒子ビーム鏡筒を複数束ねたマルチ鏡筒（たとえば特開２００５－１９７１２１の図３、８、９参照）が知られているが、これに限らない。

なお、図１１では、模式的に３つの荷電粒子源１１１～１１３が示されているが、その数に特に制限はなく、たとえば数個～１０００個あるいはそれ以上であってもよい。また、後述する図１Ｃに示す荷電粒子マルチビーム装置１の荷電粒子源１およびマルチビーム発生機構１２に代えて複数の荷電粒子源１１１～１１３が設けられていてもよい。

スキャン偏向器１７は、転送レンズ１３と対物レンズ１５との間に配置されており、１次荷電粒子ビームの進行方向をＸＹ方向に偏向させる。これにより、離散的に照射される１次荷電粒子ビームが、試料上を２次元に万遍なく走査（スキャン）される。図３は、図２に示すような四角格子状（マトリクス状）の配置の開口を通過した各荷電粒子ビームの、試料面上でのスキャン領域を示す平面図である。

２次光学系２０は、１次荷電粒子ビームが照射された試料から放射される複数の２次荷電粒子から構成される２次荷電粒子ビームを検出器２８で検出するものであり、対物レンズ１５と、ビーム分離器１４と、ビームベンダ２１と、投影レンズ２７と、開口絞り２６と、検出器２８とを有している。なお、対物レンズ１５およびビーム分離器１４は１次光学系と共用される。

試料からの２次荷電粒子ビームは対物レンズ１５によって集束される。そして、電界と磁界の重畳界を形成するビーム分離器１４により、２次荷電粒子ビームは１次光学系２０とは異なる方向に曲げられる。２次荷電粒子ビームはビームベンダ２１によってさらに曲げられる。

２次荷電粒子ビームは投影レンズ２７によって光軸付近に近づけられる。開口絞り２６は、複数の２次荷電粒子が光軸中心で互いに最も近接する位置に配置される。開口絞り２６は開口部を有しており、開口部を通過した２次荷電粒子ビームのみが投影レンズ２７に到達する。これにより、２次荷電粒子ビームの開き角が規定される。

図１Ｃは、一変形例に係る荷電粒子マルチビーム装置１の概略構成図である。図１Ｃに示すように、図１Ａに示す荷電粒子マルチビーム装置の２次光学系２０に対し、第１リレーレンズ２２と、第２リレーレンズ２３と、フィールドレンズ２５とを追加してもよい。この場合、投影レンズ２７は、開口絞り２６と検出器２８との間に配置される。

図１Ｃに示す荷電粒子マルチビーム装置１において、第１リレーレンズ２２および第２リレーレンズ２３は、２次荷電粒子ビームが、試料の電位に関わらず、フィールドレンズ２５のレンズ主面近傍における一定の位置に一定のサイズで結像するように調整する。これら第１リレーレンズ２２および第２リレーレンズ２３を設けることで、幅広い試料電位に対応できる。

フィールドレンズ２５は、開口絞り２６の位置近傍において、２次荷電粒子ビームを構成する複数の２次荷電粒子が光軸中心で互いに最も近接するよう、電界または磁界を発生させて２次荷電粒子ビームの軌道を調整する。言い換えると、開口絞り２６は、複数の２次荷電粒子が光軸中心で互いに最も近接する位置に配置される。

投影レンズ２７は開口絞り２６の開口部を通過した２次荷電粒子ビームを検出器２８上に結像させる。

図１Ｂは、検出器２８の概略構成を示す図である。図１Ｂに示すように、検出器２８は、たとえばシンチレータ２８１と、光増幅器２８２と、イメージセンサ２８３（たとえばＣＭＯＳイメージセンサ）と、拡大レンズ２８４と、ハーフミラー２８５とを有している。

試料上の複数箇所から放出された２次荷電粒子は、シンチレータ２８１上で結像し、シンチレータ２８１に到達した２次荷電粒子ビームの多寡に応じた光がシンチレータ２８１から生じる。生じた光は発散光であるので、光路に配置された拡大レンズ２８４を用いて拡大投影される。拡大レンズ２８４を通過した光は、その一部がハーフミラー２８５を通過して光増幅器２８２に向かい、また、その一部がハーフミラー２８５によって反射されてイメージセンサ２８３に向かう。前者の光は光増幅器２８２によって電気信号に変換され、２次荷電粒子ビームの多寡に応じたビーム本数の走査画像（ＳＥＭ画像）が形成される。後者の光はイメージセンサ２８３上に結像し、２次荷電粒子ビームによる画像が得られる。検出器２８にて取得された画像は、制御装置３のディスプレイ（不図示）に表示される。

制御装置３は、１または複数のコンピュータから構成されており、１次光学系１０および２次光学系２０の各構成要素に制御信号を送信してその動作の制御を行う。制御装置３は、命令を記憶するメモリと、メモリに記憶された命令を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサとを有している。

ところで、１次光学系１０におけるスキャン偏向器１７は、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ電界または磁界を形成するための複数の電極またはコイル（不図示）を有している。電極またはコイルの数は、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ電界または磁界を形成できる限りでは特に限定されるものではなく、たとえば４極、８極、または１２極であってもよい。電極またはコイルは１次荷電粒子ビームの光軸方向に対して１段で配置されていてもよいし、２段で配置されていてもよい。各電極またはコイルにそれぞれ供給されるレンズパワー（電圧または電流）に応じて、形成される電界または磁界の向きおよび大きさが調整される。

ここで、複数の電極またはコイルは、１次荷電粒子ビームの光軸がその中心を通るようにＸ方向およびＹ方向のそれぞれに対称的に配置されていることが望ましく、またこのＸ方向、Ｙ方向が表示画面上のＸ方向、Ｙ方向と一致していることが望ましいが、実際はいくらかいびつな配置になっている。このような場合、制御装置３のディスプレイに映し出される画像にも歪みや回転が生じてしまう。したがって、荷電粒子マルチビーム装置１においては、画像上での歪みや回転がなくなるようスキャン偏向器１７の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整することが重要である。

以下では、図４を参照し、制御装置３の動作の一例であって、一実施の形態に係る荷電粒子マルチビーム装置１の１次光学系１０の調整を行う方法について説明する。図４は、第１の実施の形態に係る調整方法の手順を示すフローチャートである。なお、以下に説明する各ステップは、制御装置３のプロセッサがメモリに記憶された命令に基づいて自動的に実行してもよいし、オペレータが制御装置３を手動で操作して実行してもよい。

図４に示すように、まず、所定のパターンを有する照射対象（サンプルプレート）をステージ１６上に載置させ、マルチビーム発生機構１２により生成される１次荷電粒子ビームを当該照射対象に照射し、照射位置が２次元的に照射対象上を走査するようスキャン偏向器１７によって１次荷電粒子ビームを偏向させ、照射対象からの２次荷電粒子ビームによって形成される画像を取得する（ステップＳ１０）。図５は、取得される画像１３０の一例を示す図である。図５に示すように、画像１３０には、照射対象上のパターンに対応するパターン１３１が映し出される。照射対象上のパターンの形状は、たとえば１０μｍピッチでマトリクス状に等間隔で配置された正方形のパターンおよび円形のパターンであってもよい。

次に、図６Ａを参照し、画像１３０上でのパターン１３１の直交度θ１を測定し、その測定値が目標値（照射対象上のパターンの形状が正方形である場合には９０°）に近づくよう（目標値との誤差が所定の規格内に収まるよう）、スキャン偏向器１７の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整する（ステップＳ１１）。ここで、正方形のパターン１３１の直交度の調整では、縦辺および横辺のうちの一方を他方に対して９０°の向きになるよう回転させるため、パターン１３１の縦横比や回転が変わってしまう可能性があるが、後述するように、パターン１３１の縦横比および回転の調整は、直交度の調整の後に行うため、縦横比および回転の調整のし直しが生じることはない。

次に、図６Ｂを参照し、画像１３０上でのパターン１３１の縦横比Ａ：Ｂを測定し、その測定値が目標値（照射対象上のパターンの形状が正方形である場合には１：１）に近づくよう（目標値との誤差が所定の規格内に収まるよう）、スキャン偏向器１７の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整する（ステップＳ１２）。ここで、正方形のパターン１３１の縦横比の調整では、縦辺および横辺のうちの一方の長さを他方の長さと一致するよう拡大または縮小させるため、パターン１３１の倍率が変わってしまうが、後述するように、パターン１３１の倍率の調整は、縦横比の調整の後に行うため、倍率の調整のし直しが生じることはない。

また、本件発明者が複数の技術者にヒアリングを行ったところ、経験的に、回転を調整する前に縦横比を調整する方が、回転を調整した後に縦横比を調整する場合に比べて、戻り作業が少なくなることが分かった。本実施の形態では、後述するように、パターンの回転の調整を、縦横比の調整の後に行うため、経験的に、戻り作業を減らすことができる。

次に、図６Ｃを参照し、画像１３０上でのパターン１３１の回転θ２を測定し、その測定値が目標値（照射対象上のパターンの形状が正方形である場合には各辺の向きが表示画面上のＸ方向およびＹ方向と一致した状態）に近づくよう（目標値との誤差が所定の規格内に収まるよう）、スキャン偏向器１７の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整する（ステップＳ１３）。

次に、図６Ｄを参照し、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０を測定し、その測定値が目標値（たとえば１）に近づくよう（目標値との誤差が所定の規格内に収まるよう）、スキャン偏向器１７の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整する（ステップＳ１４）。

次に、スキャン偏向器１７による１次荷電粒子ビームの走査を停止し、１次荷電粒子ビームの照射位置を一定時間（たとえば１分間）静止させることで、図７に示すように、照射対象上に照射位置に対応する照射痕１３２を付ける（ステップＳ１５）。

次に、図８Ａを参照し、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）の配置の回転θ３を測定し、その測定値が目標値（照射位置の並びが表示画面上のＸ方向またはＹ方向と一致した状態）に近づくよう、転送レンズ１３の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整する（ステップＳ１６）。具体的には、たとえば、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、あらかじめシミュレーションを行って、転送レンズ１３に供給するレンズパワー（たとえば電流値）と照射位置（照射痕１３２）の配置の回転θ３との相関関係を示すテーブルまたはグラフを用意しておく。そして、たとえば、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）の配置の回転θ３が５°であった場合には、図９Ａおよび図９Ｂを参照し、転送レンズ１３に供給するレンズパワーを３．９８に変更（調整）する。これにより、照射位置の並びが表示画面上のＸ方向またはＹ方向と一致した状態に調整される。なお、転送レンズ１３に供給するレンズパワーを変更する場合、像のフォーカスが変わるため、像のフォーカスが変わらないよう、対物レンズ１５に供給するレンズパワーも調整することが望ましい。

次に、図８Ｂを参照し、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤを測定し、その測定値が目標値に近づくよう、倍率レンズ１８の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整する（ステップＳ１７）。具体的には、たとえば、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、あらかじめシミュレーションを行って、倍率レンズ１８に供給するレンズパワー（たとえば電圧値）と照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤとの相関関係を示すテーブルまたはグラフを用意しておく。そして、たとえば、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤが目標値に対して５％大きかった場合には、図１０Ａおよび図１０Ｂを参照し、倍率レンズ１８に供給するレンズパワーを－１６．４６に変更（調整）する。これにより、照射位置間のピッチが目標値と一致するよう調整される。

必ずしも必須ではないが、ステップＳ１７の後、微調整のために、ステップＳ１１～Ｓ１４をこの順に繰り返してもよい。この場合、ステップＳ１１、Ｓ１２を省略してもよい。

ところで、発明が解決しようとする課題の欄でも言及したように、像の回転（Ｒｏｔａｔｉｏｎ）、直交度（Ｏｒｔｈｇｏｎａｌｉｔｙ）、縦横比（Ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ）および倍率（Ｍａｇｎｉｆｉｃａｔｉｏｎ）を順に調整する場合、その順序によっては、戻り作業（前に行った調整のし直し）が必要になることがある。たとえば、縦横比の調整が終わった状態で、次に直交度を調整しようとすると、直交度の変更に伴って縦横比も変更されてしまうため、縦横比の調整のし直しが必要となる。戻り作業が生じると、その分、調整時間が延びてしまう。

これに対し、本実施の形態によれば、直交度の調整と、縦横比および回転の調整と、倍率の調整とを、この順に行うことで、戻り作業（前に行った調整のし直し）を無くすことができる。これにより、荷電粒子マルチビーム装置１において１次光学系１０の調整時間を短縮できる。

また、本実施の形態によれば、縦横比および回転の調整では、縦横比の調整と、回転の調整とを、この順に行うことで、経験的に、戻り作業（前に行った調整のし直し）を減らすことができるため、調整時間をさらに短縮できる。

また、本実施の形態によれば、照射対象上でのパターンの形状が正方形であることで、画像１３０上でのパターン１３１の回転、直交度、縦横比および倍率が目標値からずれていること（目標値に対する誤差）が分かりやすく、回転、直交度、縦横比および倍率を容易に調整することが可能である。

また、本実施の形態によれば、画像１３０上での照射位置間のピッチおよび照射位置の配置の回転の調整を行う前に、画像１３０上でのパターン１３１の回転、直交度、縦横比および倍率を先に調整しておくため、画像１３０上での照射位置間のピッチおよび照射位置の配置の回転を正確に測定して調整することができる。

また、本実施の形態によれば、照射位置の配置の回転の調整と、照射位置間のピッチの調整とを、この順に行うことで、戻り作業（前に行った調整のし直し）を無くすことができるため、調整時間を短縮できる。

次に、図１２を参照し、制御装置３の動作の別の一例であって、一実施の形態に係る荷電粒子マルチビーム装置１の１次光学系１０の調整を行う方法について説明する。図１２は、第２の実施の形態に係る調整方法の手順を示すフローチャートである。なお、以下に説明する各ステップは、制御装置３のプロセッサがメモリに記憶された命令に基づいて自動的に実行してもよいし、オペレータが制御装置３を手動で操作して実行してもよい。

第２の実施の形態において、所定のパターンを有する照射対象（サンプルプレート）に荷電粒子ビームを照射して画像を取得する工程（ステップＳ１０）～画像１３０上でのパターン１３１を調整する工程（ステップＳ１３）は、第１の実施の形態（図４参照）と同様であり、説明を省略する。

図１２に示すように、第２の実施の形態では、画像１３０上でのパターン１３１を調整したのち（ステップＳ１３）、第１の実施形態とは異なる手順で、画像１３０上でのパターン１３１の倍率を調整する（ステップＳ１４０）。

図１３は、第２の実施の形態において、倍率を調整するステップ（ステップＳ１４０）の具体的な手順を示すフローチャートである。

図１３に示すように、第２の実施の形態では、まず、スキャン偏向器１７による１次荷電粒子ビームの走査を停止し、１次荷電粒子ビームの照射位置を一定時間（たとえば１分間）静止させることで、図７に示すように、照射対象上に照射位置に対応する照射痕１３２を付ける（ステップＳ１４１）。

次に、倍率レンズ１８に第１のレンズパワー（電圧または電流）Ａ１を供給した状態で、図６Ｄを参照し、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０を測定するとともに、図８Ｂを参照し、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤを測定する。以下では、それぞれの測定値をＣ１／Ｃ０、Ｄ１と表す。そして、それぞれの測定値Ｃ１／Ｃ０、Ｄ１の目標値１、Ｄ０からの相対誤差ΔＭ１（＝Ｃ１／Ｃ０－１）、ΔＰ１（＝（Ｄ１－Ｄ０）／Ｄ０）を求める（ステップＳ１４２）。

次に、倍率レンズ１８に（第１のレンズパワーＡ１とは異なる）第２のレンズパワー（電圧または電流）Ａ２を供給した状態で、図６Ｄを参照し、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０を測定するとともに、図８Ｂを参照し、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤを測定する。以下では、それぞれの測定値をＣ２／Ｃ０、Ｄ２と表す。それぞれの測定値Ｃ２／Ｃ０、Ｄ２の目標値１、Ｄ０からの相対誤差ΔＭ２（＝Ｃ２／Ｃ０－１）、ΔＰ２（＝（Ｄ２－Ｄ０）／Ｄ０）を求める（ステップＳ１４３）。

そして、図１４を参照し、倍率レンズ１８に供給されるレンズパワー（電圧または電流）と上記相対誤差とを２軸とするグラフを作成する。ここで、本件発明者の知見によれば、倍率レンズ１８の電圧を上げると、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０が比例する（増加する）のに対し、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤが反比例する（減少する）という性質がある。したがって、図１４に示すように、グラフ上で、（Ａ１、ΔＭ１）と（Ａ２、ΔＭ２）とを結ぶ直線と、（Ａ１、ΔＰ１）と（Ａ２、ΔＰ２）とを結ぶ直線とを描くと、２つの直線は１つの交点で交わることになる。この交点では、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０と照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤの誤差が同じになる点である。そこで、この交点における倍率レンズ１８のレンズパワー（電圧または電流）の値Ａ３を求める（ステップＳ１４４）。

図１４に示す例では、倍率レンズ１８に第１のレンズパワーＡ１として－１９．４５を与えたとき、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ１／Ｃ０の誤差ΔＭ１が０．９１１５％であり、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤ１の誤差ΔＰ１が３．６３１％であった。また、倍率レンズ１８に第２のレンズパワーＡ２として－１９．２を与えたとき、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ２／Ｃ０の誤差ΔＭ２が２．３４４％であり、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤ２の誤差ΔＰ２が－０．５５５％であった。したがって、（Ａ１、ΔＭ１）と（Ａ２、ΔＭ２）とを結ぶ直線は、ｙ＝５．７２９２ｘ＋１１２．３４という式で表すことができ、（Ａ１、ΔＰ１）と（Ａ２、ΔＰ２）とを結ぶ直線は、ｙ＝－１６．７４４ｘ－３２２．０４という式で表すことができ、その交点での倍率レンズ１８のレンズパワーの値Ａ３は、－１９．３３と求めることができる。

次に、ステップＳ１４４で求めたレンズパワー（電圧または電流）Ａ３を倍率レンズ１８に供給した状態で、図６Ｄを参照し、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０を測定し、その測定値が目標値（たとえば１）に近づくよう（目標値との誤差が所定の規格内に収まるよう）、スキャン偏向器１７の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整する（ステップＳ１４５）。ここで、本件発明者の知見によれば、スキャン偏向器１７の電圧を上げると、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０と照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤはどちらも比例する（増加する）という性質がある。ステップＳ１４４で求めたレンズパワー（電圧または電流）Ａ３を倍率レンズ１８に供給した状態では、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０と照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤの誤差が同じになっており、その状態で、画像１３０上でのパターン１３１の倍率Ｃ／Ｃ０の誤差がゼロに近づくよう、スキャン偏向器１７のレンズパワー（電圧または電流）を調整するため、倍率Ｃ／Ｃ０の誤差の変化（ゼロに近づく）に比例して、照射位置（照射痕１３２）間のピッチＤの誤差もゼロに近づくことになる。これにより、倍率Ｃ／Ｃ０が目標値と一致するよう調整されるのと同時に照射位置間のピッチＤも目標値と一致するよう調整される。

次に、図１２に示すように、画像１３０上での照射位置（照射痕１３２）の配置の回転θ３（図８Ａ参照）を測定し、その測定値が目標値（照射位置の並びが表示画面上のＸ方向またはＹ方向と一致した状態）に近づくよう、転送レンズ１３の各電極またはコイルに供給されるレンズパワー（電圧または電流）を調整する（ステップＳ１６）。第２の実施の形態において画像上での照射位置（照射痕）の配置の回転を調整する工程（ステップＳ１６）は、第１の実施の形態（図４参照）と同様であり、説明を省略する。ステップ１６により、照射位置の並びが表示画面上のＸ方向またはＹ方向と一致した状態に調整される。

以上のような第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の作用効果が得られることに加えて、次のような作用効果も得られる。すなわち、スキャン偏向器１７で倍率Ｃ／Ｃ０を調整した後に倍率レンズ１８で照射位置間のピッチＤを調整しようとすると、倍率レンズ１８の調整に伴って倍率Ｃ／Ｃ０も変更されてしまうため、スキャン偏向器１８での倍率Ｃ／Ｃ０の調整のし直しが必要になる。これに対し、第２の実施の形態によれば、倍率Ｃ／Ｃ０の調整と同時に照射位置間のピッチＤも調整されるため、戻り作業（前に行った調整のし直し）を減らすことができ、調整時間をさらに短縮できる。

以上、本発明の実施の形態を例示により説明したが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではなく、請求項に記載された範囲内において目的に応じて変更・変形することが可能である。また、各実施の形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。

また、本実施の形態に係る制御装置３（１次光学系１０の調整を行う装置）は１つまたは複数のコンピュータによって構成され得るが、１つまたは複数のコンピュータに制御装置３（１次光学系１０の調整を行う装置）を実現させるためのプログラム及び当該プログラムを非一時的に記録した記録媒体も、本件の保護対象である。

１ 荷電粒子マルチビーム装置
１０ １次光学系
１１、１１１～１１３ 荷電粒子源
１２ マルチビーム発生機構
１２１ 開口
１３ 転送レンズ
１４ ビーム分離器
１５ 対物レンズ
１６ ステージ
１７ スキャン偏向器
１８ 倍率レンズ
２０ ２次光学系
２１ ビームベンダ
２２ 第１リレーレンズ
２３ 第２リレーレンズ
２５ フィールドレンズ
２６ 開口絞り
２７ 投影レンズ
２８ 検出器
２８１ シンチレータ
２８２ 光増幅器
２８３ イメージセンサ
２８４ 拡大レンズ
２８５ ハーフミラー
３ 制御装置
３０ 照射対象
１３０ 画像
１３１ パターン
１３２ 照射痕

Claims (9)

1. 複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームをステージ上の試料に照射する１次光学系と、前記１次荷電粒子ビームが照射された試料から放射される複数の２次荷電粒子から構成される２次荷電粒子ビームを検出器で検出する２次光学系と、を備える荷電粒子マルチビーム装置の前記１次光学系の調整を行う方法であって、
   前記１次荷電粒子ビームを前記ステージ上の所定のパターンを有する照射対象に照射し、照射位置が２次元的に前記照射対象上を走査するようスキャン偏向器によって前記１次荷電粒子ビームを偏向させ、前記照射対象からの２次荷電粒子ビームによって形成される画像を取得するステップと、
   前記画像上での前記パターンの直交度を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、直交度調整ステップと、
   前記画像上での前記パターンの縦横比および回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、縦横比および回転角調整ステップと、
   前記画像上での前記パターンの倍率を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、倍率調整ステップと、
   を含み、
   前記直交度調整ステップと、前記縦横比および回転調整ステップと、前記倍率調整ステップとを、この順に行うことを特徴とする方法。
2. 前記縦横比および回転調整ステップは、
   前記画像上での前記パターンの縦横比を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、縦横比調整ステップと、
   前記画像上での前記パターンの回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、回転調整ステップと、
   を含み、
   前記縦横比調整ステップと、前記回転調整ステップとを、この順に行うことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記照射対象上での前記パターンの形状は正方形であることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記倍率調整ステップでは、
   倍率レンズに第１の電圧または電流Ａ１を供給した状態で、前記画像上での前記パターンの倍率および照射位置間のピッチを測定し、それぞれの測定値の目標値からの誤差ΔＭ１、ΔＰ１を求め、
   前記倍率レンズに第２の電圧または電流Ａ２を供給した状態で、前記画像上での前記パターンの倍率および照射位置間のピッチを測定し、それぞれの測定値の目標値からの誤差ΔＭ２、ΔＰ２を求め、
   前記倍率レンズに供給される電圧または電流と前記誤差とを２軸とするグラフ上で、（Ａ１、ΔＭ１）と（Ａ２、ΔＭ２）とを結ぶ直線と、（Ａ１、ΔＰ１）と（Ａ２、ΔＰ２）とを結ぶ直線との交点における前記電圧または電流の値Ａ３を求め、
   前記倍率レンズに前記求めた電圧または電流Ａ３を供給した状態で、前記画像上での前記パターンの倍率を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
5. 前記画像上での照射位置の配置の回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう転送レンズに供給される電圧または電流を調整する、照射位置回転調整ステップと、
   前記画像上での照射位置間のピッチを測定し、その測定値が目標値に近づくよう倍率レンズに供給される電圧または電流を調整する、照射位置ピッチ調整ステップと、
   をさらに含み、
   前記直交度調整ステップと、前記縦横比および回転調整ステップと、前記倍率調整ステップとを、前記照射位置回転調整ステップおよび照射位置ピッチ調整ステップより前に行うことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
6. 前記照射位置回転調整ステップと、前記照射位置ピッチ調整ステップとを、この順に行うことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
7. 複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームをステージ上の試料に照射する１次光学系と、前記１次荷電粒子ビームが照射された試料から放射される複数の２次荷電粒子から構成される２次荷電粒子ビームを検出器で検出する２次光学系と、を備える荷電粒子マルチビーム装置の前記１次光学系の調整を行う装置であって、
   命令を記憶するメモリと、
   前記１次荷電粒子ビームを前記ステージ上の所定のパターンを有する照射対象に照射し、照射位置が２次元的に前記照射対象上を走査するようスキャン偏向器によって前記１次荷電粒子ビームを偏向させ、前記照射対象からの２次荷電粒子ビームによって形成される画像を取得するステップと、
   前記画像上での前記パターンの直交度を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、直交度調整ステップと、
   前記直交度調整ステップの後に、前記画像上での前記パターンの縦横比および回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、縦横比および回転調整ステップと、
   前記縦横比および回転調整ステップの後に、前記画像上での前記パターンの倍率を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、倍率調整ステップと、
   を行うための前記命令を実行するように構成された少なくとも１つのプロセッサと、
   を備えた装置。
8. 複数の１次荷電粒子から構成される１次荷電粒子ビームをステージ上の試料に照射する１次光学系と、前記１次荷電粒子ビームが照射された試料から放射される複数の２次荷電粒子から構成される２次荷電粒子ビームを検出器で検出する２次光学系と、を備える荷電粒子マルチビーム装置の前記１次光学系の調整を行うためのプログラムであって、
   コンピュータに、
   前記１次荷電粒子ビームを前記ステージ上の所定のパターンを有する照射対象に照射し、照射位置が２次元的に前記照射対象上を走査するようスキャン偏向器によって前記１次荷電粒子ビームを偏向させ、前記照射対象からの２次荷電粒子ビームによって形成される画像を取得するステップと、
   前記画像上での前記パターンの直交度を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、直交度調整ステップと、
   前記直交度調整ステップの後に、前記画像上での前記パターンの縦横比および回転を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、縦横比および回転調整ステップと、
   前記縦横比および回転調整ステップの後に、前記画像上での前記パターンの倍率を測定し、その測定値が目標値に近づくよう前記スキャン偏向器に供給される電圧または電流を調整する、倍率調整ステップと、
   を実行させるプログラム。
9. 請求項７に記載の装置を備えた荷電粒子マルチビーム装置。