JPS6166349U - - Google Patents

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JPS6166349U
JPS6166349U JP1984149954U JP14995484U JPS6166349U JP S6166349 U JPS6166349 U JP S6166349U JP 1984149954 U JP1984149954 U JP 1984149954U JP 14995484 U JP14995484 U JP 14995484U JP S6166349 U JPS6166349 U JP S6166349U
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ion beam
ion
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、本考案の実施例の装置概略図、第２
図は、カセツト、第３図、第４図は、マークの２
次イオン像を示す図である。 １……イオンビーム発生源、２……イオンビー
ム、３，４……デフレクター、５……カセツト、
６……ＸＹステージ、７……２次イオン、８……
２次イオン検出器、９……２値化回路、１０……
VRAM、１１……ＣＰＵ、１２，１３……加算器、
１４，１５……オフセツトメモリ、１６，１７…
…ＤＡコンバータ、２０……マスク、２１……マ
ーク、２２……マークの２次イオン像、２３……
Ｘ座標、２４……Ｙ座標。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. イオンビームマスクリペア装置において、マス
    クを保持するカセツト上は特定のマークをつけ、
    これをイオンビームで走査して得られた２次イオ
    ン像をコンピユータで処理することによりイオン
    ビームの光軸のずれを補正する機構を有すること
    を、特徴とする、光軸自動合わせ機構を持つイオ
    ンビームマスクリペア装置。
JP1984149954U 1984-10-03 1984-10-03 Expired JPS6312346Y2 (ja)

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JPS6166349U true JPS6166349U (ja) 1986-05-07
JPS6312346Y2 JPS6312346Y2 (ja) 1988-04-08

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ID=30708118

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55150225A (en) * 1979-05-11 1980-11-22 Hitachi Ltd Method of correcting white spot fault of photomask
JPS5759325A (en) * 1980-09-26 1982-04-09 Toshiba Corp Device for exposure of electron beam
JPS5821326A (ja) * 1981-07-29 1983-02-08 Toshiba Corp 電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法
JPS5856332A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Hitachi Ltd マスクの欠陥修正方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55150225A (en) * 1979-05-11 1980-11-22 Hitachi Ltd Method of correcting white spot fault of photomask
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JPS5821326A (ja) * 1981-07-29 1983-02-08 Toshiba Corp 電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法
JPS5856332A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Hitachi Ltd マスクの欠陥修正方法

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JPS6312346Y2 (ja) 1988-04-08

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