JPS5880837A - パタ−ン形成装置 - Google Patents
パタ−ン形成装置Info
- Publication number
- JPS5880837A JPS5880837A JP17835381A JP17835381A JPS5880837A JP S5880837 A JPS5880837 A JP S5880837A JP 17835381 A JP17835381 A JP 17835381A JP 17835381 A JP17835381 A JP 17835381A JP S5880837 A JPS5880837 A JP S5880837A
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- Japan
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- repeated
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１）発明の技術分野
本発明は、電子ビーム描画装置の如き荷電粒子によるパ
ターン形成装置に関し、そのデータ変換時間と正味描画
時間と号大幅に短縮することを可能としたパターン形成
装置に関する。
ターン形成装置に関し、そのデータ変換時間と正味描画
時間と号大幅に短縮することを可能としたパターン形成
装置に関する。
２）従来技術
先ず、ＩＣメモリー製作に用いるレティクルマスクの電
子ビーム描画による作成を例にとって、パターン形成技
術について説明する。
子ビーム描画による作成を例にとって、パターン形成技
術について説明する。
第１図は、例にとったレティクルマスクの平面図である
。ガラス板１にＣｒが蒸着され、この蒸着膜上にパター
ン２〜４が形成されている。２はマスクの名称を示すパ
ターン部、６はレティクルを露光装置に位置合せするた
めの基準マークパターン部、そして４はＩＣメモリーの
主パターン部である。主パターン部の５及び６の部分は
、それぞれａ又はｂのパターン単位の繰返しで成ってい
る。
。ガラス板１にＣｒが蒸着され、この蒸着膜上にパター
ン２〜４が形成されている。２はマスクの名称を示すパ
ターン部、６はレティクルを露光装置に位置合せするた
めの基準マークパターン部、そして４はＩＣメモリーの
主パターン部である。主パターン部の５及び６の部分は
、それぞれａ又はｂのパターン単位の繰返しで成ってい
る。
第２図は、電子ビーム描画装置２０の機構図である。そ
の電子鏡筒系は、電子源となる電子銃２１、ビームラ縮
少させるコンデンサーレンズ２２ 、２Ｂ、そしてパタ
ーンを形成しようとするマスクブランク２４上にビーム
の焦点を合わせる対物レンズ２５からなっている。ギし
て走査を制御する機構は、ビーム′ｆｒＸ方向とＹ方向
に偏向させる偏向電極２６．２６’と、ビームのオン・
オフを行々い必要部分のみにビームを照射するブランキ
ング電極２７と、レーザ測長系によりマスクブランク２
４の位置を制御するＸＹステージ２８とからなっている
。
の電子鏡筒系は、電子源となる電子銃２１、ビームラ縮
少させるコンデンサーレンズ２２ 、２Ｂ、そしてパタ
ーンを形成しようとするマスクブランク２４上にビーム
の焦点を合わせる対物レンズ２５からなっている。ギし
て走査を制御する機構は、ビーム′ｆｒＸ方向とＹ方向
に偏向させる偏向電極２６．２６’と、ビームのオン・
オフを行々い必要部分のみにビームを照射するブランキ
ング電極２７と、レーザ測長系によりマスクブランク２
４の位置を制御するＸＹステージ２８とからなっている
。
この電子ビーム描画装置でレティクルのパターン部を形
成するには、パターン・ジェネレータ（ＰＧ）フォーマ
ットデータ（共通フォーマットとして一番普及している
）から電子ビーム描画装置用のパターンデータ形式（Ｅ
Ｄフォーマットと呼ぶ）のデータに変換しなければなら
な、い。即ちＰＧフォーマットにおいては、第６図（ａ
）のように、パターンは重ね合わせの許される矩形図形
３１に分割され、各矩形図形６１は中心座標値（Ｘ、Ｙ
）と矩形の幅Ｗ、高さＨ及び回転角Ａで表現されている
。こ０ＰＧ７オーマツ）’ｅＥＢフォーマットに変換す
るには、まず図形の座標系（原点、ミラー、ローテーシ
ョン）を変更し、第６図伽）のように、例えば２５６μ
角のセル６２に分割をし、さらにＸ軸に平行な底辺をも
つ台形３３、方形、三角形６５に分割をする。そして第
３図（Ｃ）のように、各図形を輪郭系からドツト中心系
に変換して各セル内でのＥＢフォーマットデータに表現
し直す。
成するには、パターン・ジェネレータ（ＰＧ）フォーマ
ットデータ（共通フォーマットとして一番普及している
）から電子ビーム描画装置用のパターンデータ形式（Ｅ
Ｄフォーマットと呼ぶ）のデータに変換しなければなら
な、い。即ちＰＧフォーマットにおいては、第６図（ａ
）のように、パターンは重ね合わせの許される矩形図形
３１に分割され、各矩形図形６１は中心座標値（Ｘ、Ｙ
）と矩形の幅Ｗ、高さＨ及び回転角Ａで表現されている
。こ０ＰＧ７オーマツ）’ｅＥＢフォーマットに変換す
るには、まず図形の座標系（原点、ミラー、ローテーシ
ョン）を変更し、第６図伽）のように、例えば２５６μ
角のセル６２に分割をし、さらにＸ軸に平行な底辺をも
つ台形３３、方形、三角形６５に分割をする。そして第
３図（Ｃ）のように、各図形を輪郭系からドツト中心系
に変換して各セル内でのＥＢフォーマットデータに表現
し直す。
第４図は、変換されたＦＢフォーマットデータによる、
ラス夕方式パターン形成方法を示す概念２ 図である。ビーム径として例えば０．５μφとし唖電翫 了ビーム４１は、マスクブランク２４上で、２５６μｍ
のセル幅の偏向幅４２で、始点４６から終点４４へ偏向
電極２６によって走査する。この間必要な領域への照射
がブランキング電極２７（第２図参照）のオフで行なわ
れる。ビーム４１は再び次の始点４５へ戻り終点４６ま
で次の偏向走査がなされるＸＹステージ２８（第２図参
照）Ｆｉこの間Ｙ方向に等速で移動し、４６から４５へ
ビームが走査される間にビーム径に相当する０、５μ弱
移動する。
ラス夕方式パターン形成方法を示す概念２ 図である。ビーム径として例えば０．５μφとし唖電翫 了ビーム４１は、マスクブランク２４上で、２５６μｍ
のセル幅の偏向幅４２で、始点４６から終点４４へ偏向
電極２６によって走査する。この間必要な領域への照射
がブランキング電極２７（第２図参照）のオフで行なわ
れる。ビーム４１は再び次の始点４５へ戻り終点４６ま
で次の偏向走査がなされるＸＹステージ２８（第２図参
照）Ｆｉこの間Ｙ方向に等速で移動し、４６から４５へ
ビームが走査される間にビーム径に相当する０、５μ弱
移動する。
Ｙ軸方向の１列（ストライプ）の描画が完了したらＸＹ
ステージ２８はＸ方向に２５６μ移動し次のストライプ
を描画する。
ステージ２８はＸ方向に２５６μ移動し次のストライプ
を描画する。
そこでマスクブランク上でのパターンの形成は、各チッ
プ２〜４毎にチップ内のパターン形状をＥＢフォーマッ
トに変換されて記述されたチップデータと、当該チップ
データをマスクブランク上のどの位置に描画するかを記
述した配列情報データとにより、電子ビーム描画装置は
マスクブランク上の所定の位置に所定のパターンを形成
する。
プ２〜４毎にチップ内のパターン形状をＥＢフォーマッ
トに変換されて記述されたチップデータと、当該チップ
データをマスクブランク上のどの位置に描画するかを記
述した配列情報データとにより、電子ビーム描画装置は
マスクブランク上の所定の位置に所定のパターンを形成
する。
従来は、そのようなパターン形成において、主チツプ４
内のパターン形状についてのＰＧフォーマットデータは
、繰返しがあってもそのまますべてＥＢフォーマットに
変換してチップデータとし、各チップ２゛〜４の位置に
ついての配列情報データとともに描画機構の制御に用い
ていた。
内のパターン形状についてのＰＧフォーマットデータは
、繰返しがあってもそのまますべてＥＢフォーマットに
変換してチップデータとし、各チップ２゛〜４の位置に
ついての配列情報データとともに描画機構の制御に用い
ていた。
３）従来技術の問題点
しかし表から、従来のフォーマット変換の仕方では、主
チップ４のＰＧフォーマットデータは繰返しがあっても
そのまますべてＥＢフォーマットデータに変換していた
ので、ＰＧフォーマットデータ量が多い場合には一枚の
レティクルマスクのノ（ターン形成に数時間という時間
がかかる問題点があった。
チップ４のＰＧフォーマットデータは繰返しがあっても
そのまますべてＥＢフォーマットデータに変換していた
ので、ＰＧフォーマットデータ量が多い場合には一枚の
レティクルマスクのノ（ターン形成に数時間という時間
がかかる問題点があった。
４）発明の構成
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって
、荷電粒子によるパターン形成装置において、構成すべ
きパターンのうち、−次元若しくは二次元的に繰返しの
あるパターン部については、該繰返しパターン部の繰返
し単位のパターン形状を該装置に適するように変換して
記述した変換データ、並びに該繰返し単位の繰返し個数
及び配列位置を記述した配列情報データを作成し、当該
両データにより描画機構を制御することを特徴とするパ
ターン形成装置である。
、荷電粒子によるパターン形成装置において、構成すべ
きパターンのうち、−次元若しくは二次元的に繰返しの
あるパターン部については、該繰返しパターン部の繰返
し単位のパターン形状を該装置に適するように変換して
記述した変換データ、並びに該繰返し単位の繰返し個数
及び配列位置を記述した配列情報データを作成し、当該
両データにより描画機構を制御することを特徴とするパ
ターン形成装置である。
本発明は、繰返しのあるパターン部について、そのパタ
ーン部の全パターンｔＥＢフォーマット化せずに、繰返
し単位となるパターンのみＥＢフォーマット化してデー
タ変換を行ない、そして繰返し個数とその配列位置とを
配列情報データに持たせることにより、データ変換時間
の大幅な短縮が可能となることに特徴があるパターン形
成装置である。
ーン部の全パターンｔＥＢフォーマット化せずに、繰返
し単位となるパターンのみＥＢフォーマット化してデー
タ変換を行ない、そして繰返し個数とその配列位置とを
配列情報データに持たせることにより、データ変換時間
の大幅な短縮が可能となることに特徴があるパターン形
成装置である。
荷電粒子によるパターン形成装置には、電子線によるも
ののほかガリウムなどのイオンビームによるものがある
。イオンビームは電子線と同様にレンズによる集束、偏
向板による偏向が可能であ本発明におけるパターンの分
割は、第５図のように、従来法と異なり、繰返しのある
パターン部と繰返しのないパターン部とに分割される。
ののほかガリウムなどのイオンビームによるものがある
。イオンビームは電子線と同様にレンズによる集束、偏
向板による偏向が可能であ本発明におけるパターンの分
割は、第５図のように、従来法と異なり、繰返しのある
パターン部と繰返しのないパターン部とに分割される。
第５図は第１図に示したレティクルマスクのマスク名称
を示すパターン部２、基準マークパターン部３は繰返し
のないパターン部でその分割は従来と同じであるが、繰
返しのあるパターン部である主・ぐターン部４は、Ａ−
Ｇに分割される。それらのうち、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｆ及びＧ
は繰返しのないパターン部であり、Ｃ及びＥは、繰返し
単位Ｃ及びｅが繰返されたパターン部である。
を示すパターン部２、基準マークパターン部３は繰返し
のないパターン部でその分割は従来と同じであるが、繰
返しのあるパターン部である主・ぐターン部４は、Ａ−
Ｇに分割される。それらのうち、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｆ及びＧ
は繰返しのないパターン部であり、Ｃ及びＥは、繰返し
単位Ｃ及びｅが繰返されたパターン部である。
第６図は、主パターン４′ｔ−表現しているＰＧフォー
マットデータから、繰返しのない部分（Ａ、Ｂ。
マットデータから、繰返しのない部分（Ａ、Ｂ。
Ｄ、Ｆ、Ｇ）と繰返しのある部分（Ｃ，Ｅ）とを分離し
、Ｃ，Ｅに関しては繰返し単位Ｃ，ｅｌ の部分のデ
ータ変換を行なわせるための指定データの構造の一例で
ある。
、Ｃ，Ｅに関しては繰返し単位Ｃ，ｅｌ の部分のデ
ータ変換を行なわせるための指定データの構造の一例で
ある。
第７図は、分割された領域の配列情報データの構造の一
例を示すものである。ここに、各チップの個数とマスク
上の配列位置が明記されている。
例を示すものである。ここに、各チップの個数とマスク
上の配列位置が明記されている。
これら変換データと配列情報データの処理は、パターン
形成装置の一部をなす計算機により行なわれ、電子ビー
ムの偏向電極２６．２６’による偏向、ブランキング電
極２７によるオンオフ、ＸＹステージ２８の駆動など描
画機構を制御することによってレディクルマスク等の上
にパターンを形成することができる。
形成装置の一部をなす計算機により行なわれ、電子ビー
ムの偏向電極２６．２６’による偏向、ブランキング電
極２７によるオンオフ、ＸＹステージ２８の駆動など描
画機構を制御することによってレディクルマスク等の上
にパターンを形成することができる。
５）発明の効果
本発明のパターン形成装置によれば、繰返しのあるパタ
ーン部については、ＰＧフォーマットデータをそのｔま
すべてＥＢフォーマットデータに変換せずに、繰返し単
位についてのみデータ変換をするので、変換データ作成
時間の大幅な短縮が可能となった。その短縮を具体的に
説明すると、ＩＣメモリーパターンでは繰返しのあるパ
ターン数と繰返しのないパターン数との比が平均して１
０：１であるので、従来法に比較して１／１０の時間、
ですむという大幅なものである。また、一本装置用のＰ
Ｇフォーマットデータ作成においては、繰返し部につい
て必ずしも全てＰＧフォーマットデータを作成する必要
がない（ＥＢ変換する部分だけあればよい）ので、ＰＧ
データ券成においても時間が短縮できる。
ーン部については、ＰＧフォーマットデータをそのｔま
すべてＥＢフォーマットデータに変換せずに、繰返し単
位についてのみデータ変換をするので、変換データ作成
時間の大幅な短縮が可能となった。その短縮を具体的に
説明すると、ＩＣメモリーパターンでは繰返しのあるパ
ターン数と繰返しのないパターン数との比が平均して１
０：１であるので、従来法に比較して１／１０の時間、
ですむという大幅なものである。また、一本装置用のＰ
Ｇフォーマットデータ作成においては、繰返し部につい
て必ずしも全てＰＧフォーマットデータを作成する必要
がない（ＥＢ変換する部分だけあればよい）ので、ＰＧ
データ券成においても時間が短縮できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のデータ変換におけるパターン分割を示す
平面図、第２図は電子ビーム描画装置の機構説明図、第
６図はＰＧフォーマットからＥＢフォーマットへのデー
タ変換説明図、第４図はラス夕方式パターン形成方法を
示す概念図、第５図は本発明のデータ変換におけるパタ
ーン分割を示す平面図、第６図は本発明の図形データ構
造例の説明図、第７図は本発明の配列情報データ構造例
の説明図である。 ２０・・・パターン形成装置（電子ビーム描画装置）、
２４・・・レティクルマスク、２６．２６’・・・偏向
電極、２７・・・ブランキング電極、２８・・・ＸＹス
テージ、２゜３、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｇ・・・繰返しのな
いパターン部、Ｃ２Ｅ・・・繰返しのあるパターン部、
ｃ、ｅ・・・繰返し単位。 ＩＦ！５ 図 第６図 第７図 １４３−
平面図、第２図は電子ビーム描画装置の機構説明図、第
６図はＰＧフォーマットからＥＢフォーマットへのデー
タ変換説明図、第４図はラス夕方式パターン形成方法を
示す概念図、第５図は本発明のデータ変換におけるパタ
ーン分割を示す平面図、第６図は本発明の図形データ構
造例の説明図、第７図は本発明の配列情報データ構造例
の説明図である。 ２０・・・パターン形成装置（電子ビーム描画装置）、
２４・・・レティクルマスク、２６．２６’・・・偏向
電極、２７・・・ブランキング電極、２８・・・ＸＹス
テージ、２゜３、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｇ・・・繰返しのな
いパターン部、Ｃ２Ｅ・・・繰返しのあるパターン部、
ｃ、ｅ・・・繰返し単位。 ＩＦ！５ 図 第６図 第７図 １４３−
Claims (1)
- １ 荷電粒子によるパターン形成装置において、形成す
べきパターンのうち、−次元若しくは二次元的に繰返し
のあるパターン部については、該繰返しパターン部の繰
返し単位のパターン形状を該装置に適するように変換し
て記述した変換データ、並びに該繰返し単位の繰返し個
数及び配列位置を記述した配列情報データを作成し、当
該側データにより描画機構を制御することを特徴とする
パターン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17835381A JPS5880837A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | パタ−ン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17835381A JPS5880837A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | パタ−ン形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880837A true JPS5880837A (ja) | 1983-05-16 |
Family
ID=16047001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17835381A Pending JPS5880837A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | パタ−ン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010669A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の受光部のパタ−ン描画方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483773A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-04 | Fujitsu Ltd | Electron-beam exposure unit |
| JPS5493364A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-24 | Fujitsu Ltd | Exposure system for electron beam |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP17835381A patent/JPS5880837A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483773A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-04 | Fujitsu Ltd | Electron-beam exposure unit |
| JPS5493364A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-24 | Fujitsu Ltd | Exposure system for electron beam |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010669A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の受光部のパタ−ン描画方法 |
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