JPS5821326A - 電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法 - Google Patents
電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPS5821326A JPS5821326A JP11764481A JP11764481A JPS5821326A JP S5821326 A JPS5821326 A JP S5821326A JP 11764481 A JP11764481 A JP 11764481A JP 11764481 A JP11764481 A JP 11764481A JP S5821326 A JPS5821326 A JP S5821326A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cassette
- electron beam
- stage
- substrate
- marks
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ζＯ発明は電子ビーム描画装置Ｏ力竜ット位置會わ着方
法に―する。
法に―する。
電子ビーム／４ターン錨画装置ｏｘ′）ＫＪＩｌｌｍｌ
に示すものがあるｅ ｌＩＫ＆−で、 １１）は電子光
学鏡筒で電子銃（２Ｊ、電子レンズ（３１、ブランキン
〆（４、領内−四を内装し、かつ下部は抽画富（ｌａ）
Ｋ＆りており、こζに試料台（６）を内輪して除震台（
７）上に設けられている。また、前記電子光学鏡筒（１
）の電子銃（２３や電子レンズ（３１等を操作するため
、仁れらに電子光学鏡筒電源（８）が接ａされ、試料の
オートフィーダ（９１を備える。次にブランキング（４
ｊ１偏向器（５）、試料台（６）を操作する毫−ターと
レーザ１１１１長系（１１）等に１！絖し制御する制御
インターフェーモ操作盤Ｑ３が設けられている。窃らに
前記制御インターフェースに指示をする高速デーメＪ６
１１装置Ｏ→（例えにＴＯ８１１ＡＣ−４０Ｄ （ｉｉ
品名、東京芝謔電気株式会社製））、および前記高速デ
ータ処理装置にデータを送入する磁気テープ装置四、磁
気ディスク装置−、テレタイプａ力等が接続されて−る
。畝上０うち゛、４１に電子光学鏡筒ｓ籠Ｊと描画１ｉ
［（１魯）Ｓ分Ｏみを第３１１に示す、この園で畳に詳
細に示す試料台（４０１１分は基台−上にｘ、！ステー
ジ鵠を設け、これが外＠０４−１９４″ｔＩ駆―され、
畜らにＸ ｅ ｙ ｘ ｔ−ＮＩＣＫ ｖ−４ｗ最ＩＩ
（ｌｌａ）ｅｌｋけ、これが外部Ｏレーず欄＊１ｉｌｌ
ｌに陶応して−る。そして、前記Ｘ、Ｙステージ■上に
はマスタ基ａｔ保持するカセット−がオートフィーダ（
９）から送ルこ筐れて載置される。なお、オートフィー
ダは描ＷＩＭ室（１１）Ｃ） ＠方に設けられたゲート
パルプ（９ａ）をｒＩａ−てカセットの出し入れを行な
５が、描画中は描ｌｌ１ｉｉＩ内の真空（真空開口Ｑｉ
ｌが真空系（図示省略）に値載されて真空に保友れる）
を良好にするため閉じられる。
に示すものがあるｅ ｌＩＫ＆−で、 １１）は電子光
学鏡筒で電子銃（２Ｊ、電子レンズ（３１、ブランキン
〆（４、領内−四を内装し、かつ下部は抽画富（ｌａ）
Ｋ＆りており、こζに試料台（６）を内輪して除震台（
７）上に設けられている。また、前記電子光学鏡筒（１
）の電子銃（２３や電子レンズ（３１等を操作するため
、仁れらに電子光学鏡筒電源（８）が接ａされ、試料の
オートフィーダ（９１を備える。次にブランキング（４
ｊ１偏向器（５）、試料台（６）を操作する毫−ターと
レーザ１１１１長系（１１）等に１！絖し制御する制御
インターフェーモ操作盤Ｑ３が設けられている。窃らに
前記制御インターフェースに指示をする高速デーメＪ６
１１装置Ｏ→（例えにＴＯ８１１ＡＣ−４０Ｄ （ｉｉ
品名、東京芝謔電気株式会社製））、および前記高速デ
ータ処理装置にデータを送入する磁気テープ装置四、磁
気ディスク装置−、テレタイプａ力等が接続されて−る
。畝上０うち゛、４１に電子光学鏡筒ｓ籠Ｊと描画１ｉ
［（１魯）Ｓ分Ｏみを第３１１に示す、この園で畳に詳
細に示す試料台（４０１１分は基台−上にｘ、！ステー
ジ鵠を設け、これが外＠０４−１９４″ｔＩ駆―され、
畜らにＸ ｅ ｙ ｘ ｔ−ＮＩＣＫ ｖ−４ｗ最ＩＩ
（ｌｌａ）ｅｌｋけ、これが外部Ｏレーず欄＊１ｉｌｌ
ｌに陶応して−る。そして、前記Ｘ、Ｙステージ■上に
はマスタ基ａｔ保持するカセット−がオートフィーダ（
９）から送ルこ筐れて載置される。なお、オートフィー
ダは描ＷＩＭ室（１１）Ｃ） ＠方に設けられたゲート
パルプ（９ａ）をｒＩａ−てカセットの出し入れを行な
５が、描画中は描ｌｌ１ｉｉＩ内の真空（真空開口Ｑｉ
ｌが真空系（図示省略）に値載されて真空に保友れる）
を良好にするため閉じられる。
上に述べた従来の電子ビーム描画装置ではＸ。
Ｙステージの駆動および電子ビームの偏向にょシカセッ
トに収められてｉるマスク基板の指定された位置にパタ
ーンを描画する。上記の方式によれｌｆＸ 、 Ｙスｆ
−シトマスク基［またはカセットとの間に、描画中に相
対的な変化のなｉことが前提となってｈるが、実際には
ステージの駆動の振動尋によって″カセットがステージ
上で多少変位することが、Ｔｏり 、仁の変位がｉスフ
上のパターン位置精ｊｆを劣化させる欠点がある。
トに収められてｉるマスク基板の指定された位置にパタ
ーンを描画する。上記の方式によれｌｆＸ 、 Ｙスｆ
−シトマスク基［またはカセットとの間に、描画中に相
対的な変化のなｉことが前提となってｈるが、実際には
ステージの駆動の振動尋によって″カセットがステージ
上で多少変位することが、Ｔｏり 、仁の変位がｉスフ
上のパターン位置精ｊｆを劣化させる欠点がある。
この発明は上記従来の欠点を改良するためになされたも
１．Ｏて、マスク基板を収めるカセットｌＩｃ′−ｑ−
タｔＷｋけ、描−中にＸ、Ｙステージに対しカセットが
位置ずれする量を検出し補正を施すようにしたものであ
る。
１．Ｏて、マスク基板を収めるカセットｌＩｃ′−ｑ−
タｔＷｋけ、描−中にＸ、Ｙステージに対しカセットが
位置ずれする量を検出し補正を施すようにしたものであ
る。
次にこの発明ｔｌ実施例につき詳細に説明する。
Ｊ１３図およびＪＩＩ４図によって示されるように、カ
セット四は額縁型に例えばアルミニウムで形成されたカ
セット本体（２０ｍ）に、その上山から植え込まれ下方
へ突出した位置決めピン（２０ｂ）、（２０ｂ’）・・
・と、裏蓋（２０＠）に取付けられ上方へ弾力管およほ
すスプリング（２０４）、（！０４’）・・・と、ａｍ
から内方へ弾力を訃よぼす複数の側方固定ピン（２０＠
） （１１４図に１個だけが示される）とｔ備えマスク
ｊｉｌｉ（２）をカセット本体に対し定位Ｋｌ！定する
ようになっている。また、前記カセット本体（ｌｅａ）
の上−の一部１１Ｃ−ｔ−り（至）、 （２３’）が設
けられるが、このマークはマスク基板の主ｍｅ蝿長上に
あるようＫａ定する。そして、このマークの設定は一例
として次のようにする。すなわち、予めシリコンＭ’１
ｉｌＫ金を蒸着し、フォトリソダラフイ技術によって１
０ミクロン幅のプラスマークを豪数個パターニンダした
のち個々に分割して分割片とする。次ＫｔＩ−にツト上
面に研削を施しここに前記分割片を貼濡してこのプラス
マークがマスクｊｌｉｆｉの主面の蝙長上にあるように
する。つ１夛、研削はマスク基板の主面の水平面からシ
リコン基板の厚さと接着剤層の厚さとの和に相当する分
だけ深く研Ｍを細して達成される。描画方式としては、
パターン描画の直前に電子ビームにょシマークの位置測
定を行なっ九のち、通常Ｏ電子ビーム描画に移る。描画
開始後、ある時間間隔７例えば１０分間隔てマークの位
置の再測定を行なり、ｘ、ｙステージに対するカセット
の位置ずれ量を検出し、ずれた量を補正する描画装置の
詞！１會論しっつ描画が進められる。
セット四は額縁型に例えばアルミニウムで形成されたカ
セット本体（２０ｍ）に、その上山から植え込まれ下方
へ突出した位置決めピン（２０ｂ）、（２０ｂ’）・・
・と、裏蓋（２０＠）に取付けられ上方へ弾力管およほ
すスプリング（２０４）、（！０４’）・・・と、ａｍ
から内方へ弾力を訃よぼす複数の側方固定ピン（２０＠
） （１１４図に１個だけが示される）とｔ備えマスク
ｊｉｌｉ（２）をカセット本体に対し定位Ｋｌ！定する
ようになっている。また、前記カセット本体（ｌｅａ）
の上−の一部１１Ｃ−ｔ−り（至）、 （２３’）が設
けられるが、このマークはマスク基板の主ｍｅ蝿長上に
あるようＫａ定する。そして、このマークの設定は一例
として次のようにする。すなわち、予めシリコンＭ’１
ｉｌＫ金を蒸着し、フォトリソダラフイ技術によって１
０ミクロン幅のプラスマークを豪数個パターニンダした
のち個々に分割して分割片とする。次ＫｔＩ−にツト上
面に研削を施しここに前記分割片を貼濡してこのプラス
マークがマスクｊｌｉｆｉの主面の蝙長上にあるように
する。つ１夛、研削はマスク基板の主面の水平面からシ
リコン基板の厚さと接着剤層の厚さとの和に相当する分
だけ深く研Ｍを細して達成される。描画方式としては、
パターン描画の直前に電子ビームにょシマークの位置測
定を行なっ九のち、通常Ｏ電子ビーム描画に移る。描画
開始後、ある時間間隔７例えば１０分間隔てマークの位
置の再測定を行なり、ｘ、ｙステージに対するカセット
の位置ずれ量を検出し、ずれた量を補正する描画装置の
詞！１會論しっつ描画が進められる。
筐几、マークは可成離して２側設けである友め、Ｘ、Ｙ
に平行な変位と、回転による変位が検出でき、夫々に対
する補正を施す。表お、マーク位置検出、描１ｉｉａ置
の補正勢はすべてミニコンによ多制御される。
に平行な変位と、回転による変位が検出でき、夫々に対
する補正を施す。表お、マーク位置検出、描１ｉｉａ置
の補正勢はすべてミニコンによ多制御される。
この発明によればｘ、Ｙステージに対するカセットのず
れが測定中に補正さｈるのて、マスクに形成されるパタ
ーンの位置精度が重着に向上する。
れが測定中に補正さｈるのて、マスクに形成されるパタ
ーンの位置精度が重着に向上する。
またマークは金−シリコン共晶であるので電子ビーム検
出に対する感度が高い上に長期の使用に耐えうる利点も
める。さらに、マークをマスク基板と同一平面上に、設
けたので電子ビームによる位置検出の制御が＠易で感度
の良ｉ検出が可能である利点がある。
出に対する感度が高い上に長期の使用に耐えうる利点も
める。さらに、マークをマスク基板と同一平面上に、設
けたので電子ビームによる位置検出の制御が＠易で感度
の良ｉ検出が可能である利点がある。
第１図は電子ビーム描画装置の概略を示すブロック図、
第２図は第１図の電子元学鏡筒部と描画室の部分を示す
ａｌ’ｒｌ１図、＃Ｉ３図はｌ実施例のカセット本体の
＃視図、第４図は＄３図のカセット本体の一部を順向で
示す稠面図である。 １ 電子党学鏡簡 ｌａ 描画室 ６ 試料台 １９ ＸｅＹステージ ２０ カセット ２０ｍ カセット本体 ２２ マスク基板 ２３．２３’ マーク 第 １ 図 第 第２図 ４図 １２
第２図は第１図の電子元学鏡筒部と描画室の部分を示す
ａｌ’ｒｌ１図、＃Ｉ３図はｌ実施例のカセット本体の
＃視図、第４図は＄３図のカセット本体の一部を順向で
示す稠面図である。 １ 電子党学鏡簡 ｌａ 描画室 ６ 試料台 １９ ＸｅＹステージ ２０ カセット ２０ｍ カセット本体 ２２ マスク基板 ２３．２３’ マーク 第 １ 図 第 第２図 ４図 １２
Claims (1)
- 電子ビームーセターン描−装置のｘ、Ｙステージ上に半
導体用マスク基板または半導体基板を保持するための力
七ツ）を同定し電子ビーム露光によ＃）／Ｒターンｔ−
描−するにあたシ、予めカセットにマークを設け、描画
中にカセットが！、Ｙステージに対し発生する位置ずれ
の量を検出し補正を施すことｔＩｌ＃黴とする電子ビー
ム描ｌｉｉ装置のカセット位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11764481A JPS5821326A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11764481A JPS5821326A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821326A true JPS5821326A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14716784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11764481A Pending JPS5821326A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | 電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821326A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077422A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− |
| JPS6166349U (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-07 | ||
| US4851692A (en) * | 1987-12-18 | 1989-07-25 | Master Images, Inc. | Cassette improved to reduce particle contamination of reticles during photolithographic processing operations |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP11764481A patent/JPS5821326A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077422A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− |
| JPH0578167B2 (ja) * | 1983-10-04 | 1993-10-28 | Nippon Electric Co | |
| JPS6166349U (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-07 | ||
| JPS6312346Y2 (ja) * | 1984-10-03 | 1988-04-08 | ||
| US4851692A (en) * | 1987-12-18 | 1989-07-25 | Master Images, Inc. | Cassette improved to reduce particle contamination of reticles during photolithographic processing operations |
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