JPS6312346Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ａ 産業の利用分野 本考案は半導体製造工程で使用されるマスクリ
ペア装置のうち特にイオンビームを用いた装置に
関するものである。

ｂ 従来の技術 マスクリペア装置はマスクパターンの欠陥を修
正するものであり、通常、欠陥検査装置からの座
標データによつてマスク上の欠陥箇所へステージ
を駆動するようになつている。イオンビームを用
いた装置の場合にはイオン源の変換、経時変化な
どにより、ビームの光軸がステージ座標とずれる
ことがあり、定期的に人間がチエツクし、調整す
る必要がある。

ｃ 考案が解決しようとする問題点 ｂで述べたように、光軸のずれをチエツク及び
調整は手間と時間とがかかつている。

本考案は上記の問題点を解決するものである。

ｄ 問題点を解決しようとする手段 マスクを保持するカセツト上につけられた特定
のマークと、イオンビームで走査して２次イオン
像を得る機構と、得られた２次イオン像を処理す
るコンピユータと、光軸のずれを記憶しておくメ
モリと、このメモリのデータ分だけイオンビーム
走査をオフセツトする機構により構成された手段
である。

ｅ 作用 前記のようにして得られる２次イオン像を前記
コンピユータで２値化して、コンピユータ内の
VRAMへ0.1のデータとして取り込む。その後
VRAM内のデータを端から順に調べることによ
り前記マークの像のVRAM上の座標を求め、そ
れを前記メモリに入れておき、イオンビーム走査
時にはこのメモリ内データ分だけオフセツトをか
けてやることにより光軸合わせを行なうものであ
る。

ｆ 実施例 以下、図面に従つて本考案の実施例を説明す
る。第１図においては、１はイオンビーム発生源
で、２はイオンビームであり、３，４のデフレク
ターにより偏向される。５はマスクを保持するカ
セツトで、６はXYステージである。発生した２
次イオン７は、２次イオン検出器８により特定の
イオンだけが検出される。９は２値化回路であ
り、この出力は、CPU１１から出されるアドレ
スに従つてVRAM１０へ書き込まれる。一方
CPU１１はVRAM１０へのアドレスと同じ数値
を加算器１２，１３へ送り出す。加算器１３はオ
フセツトメモリ１４，１５の数値との加算を行な
い、１６，１７のDAコンバータへ送り、これに
よりデフレクター３，４が駆動されている。この
ような構成のためVRAM１０へは２次イオンの
２値化像が得られる。

第２図はカセツトを示している。２０はマスク
を示し、２１は光軸合わせ用のマークである。

第３図、第４図は２値化した２次イオン像を示
している。マーク２１は光軸があつている時は第
３図のように左上すみが中心にくるような位置に
付けられている。したがつて第４図のようにマー
ク２１の２次イオン像２２がずれている時には、
VRAMを１ドツトずつ走査すれば、０から１に
変わる場所の座標値２３，２４が得られ、これが
光軸のずれを示している。そこで、これらの座標
値の補数をそれぞれ１４，１５のオフセツトメモ
リに加算してやる。

ｇ 考案の効果 以上説明してきたように、本考案を使用すると
イオンビームの光軸合わせが、自動的に行なえる
ため、光軸合わせの手間を省けるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の実施例の装置概略図、第２
図は、カセツト、第３図、第４図は、マークの２
次イオン像を示す図である。 １……イオンビーム発生源、２……イオンビー
ム、３，４……デフレクター、５……カセツト、
６……XYステージ、７……２次イオン、８……
２次イオン検出器、９……２値化回路、１０……
VRAM、１１……CPU、１２，１３……加算
器、１４，１５……オフセツトメモリ、１６，１
７……DAコンバータ、２０……マスク、２１…
…マーク、２２……マークの２次イオン像、２３
……Ｘ座標、２４……Ｙ座標。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. イオンビームマスクリペア装置において、マス
   クを保持するカセツト上に特定のマークをつけ、
   これをイオンビームで走査して得られた２次イオ
   ン像をコンピユータで処理することによりイオン
   ビームの光軸のずれを補正する機構を有すること
   を、特徴とする、光軸自動合わせ機構を持つイオ
   ンビームマスクリペア装置。