JPH02300861A - パターン欠陥検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はパターン欠陥検査装置に関し、特に半導体装置
等の製造に用いられるマスク・レチクルのパターンを検
査するパターン欠陥検査装置に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造ではパターンの微細化に伴い、ウェー
ハにパターンを焼き付ける露光機にステッパーが用いら
れるようになってきた。このステプバーは、ウェーハ上
の５〜１０倍のパターンサイズを有するレチクルを使用
し、このパターンをウェーハに投影縮小露光しながら数
十〜数百個の半導体チップを形成する。レチクルのパタ
ーンは繰返し露光されるので、パターンの欠陥に関して
精度の高い検査が要求される。レチクルには、通常、１
〜数個の半導体チップ分のパターンが形成されている。

この複数の半導体チップのパターンが形成されたレチク
ルの欠陥検査は、隣接した２個の半導体チップパターン
の同一箇所を比較する方法で行われ、検査効率が高い。

ところが大規模ナパターンを有する製品ではレチクル上
に１個の半導体チップ分しか形成出来ないため、この様
なレチクルの検査にはパターンジェネレーターや電子ビ
ーム露光機でパターンを発生させる時に使うデータを加
工１−て検査データとし、これとレチクルのパターンを
照合するデータ照合検査装置が使用されてきた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した１個の半導体チップパターンしか形成されない
レチクル（以下、単面レチクルと呼ぶ）をデータ照合検
査装置だけで検査すると、１つのパターンで多数個を検
査する必要とする場合に、欠陥検査に多大の負荷がかか
る。すなわち、メモリーのように汎用性が高く、大量に
生産しなければならないＩＣや、メモリはど大量でなく
ても、生産マツプの関係から月々の生産をいろいろな拡
散ラインでおこなわなければならないＩＣのレチクルで
は、各拡散基地の確答する拡散ラインに供給する必要が
生ずる、例えば、メモリＩＣを国内３ケ所の拡散基地の
５つの拡散ラインと海外２つの拡散ラインで生産する場
合に必要となる。さらに、１工程分のレチクル数は、通
常、各拡散ラインが同一バタ・−ンのレチクルを２〜５
枚使って生産するので、最大３５枚となる。

これだけの同一パターンの単面レチクルを製造するには
、ＥＢＢ光装置によって１枚のマスターレチクルを描画
し、必要な数だけコピーすることによって比較的短期間
につくれるが、これをすべてデータ照合検査装置で検査
していたのでは短い期間に各拡散基地にレチクルを供給
できないという問題がある。本発明の目的は、検査時間
を、Ｉり短縮出来るレチクルのパターン欠陥検査装置を
提供することである。

〔課題を解決するだめの手段〕

本発明のパターン欠陥検査装置は、マスターレチクルと
コピーｌ／チクルを同一ステージに載せて走査し、一方
から得られた走査情報を一列走査する毎に左右反転させ
る部材を持ち、左右反転した情報と他方からえられた走
査情報とを比較してパターンの欠陥を検出することを特
徴とｌ−でいる。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照１−で説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すバタ・−ン欠陥検査装
置のブロック図である。このパターン欠陥検査装置は、
二つのレンズ５，６、センサ部７．８及びメモ！Ｊ９，
１６とからなる検出手段と、マスターレチクル２とコピ
ーレチクル３を隣接して載せるステージ１と一方から得
られた走査情報を一列走査する毎に左右反転差せる反転
部１１と、左右反転された走査情報と他方から得られた
走査情報とを比較して検査する比較部１４とが設けられ
ている。

次に、このパターン欠陥検査装置の動作を説明する。第
２図（ａ）及び（ｂ）はマスターレチクルとコピーレチ
クルを示す平面図、第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明に
よる処理が行われたパターン情報を示す平面図である。

まず、ステ・−ジ１にマスターレチクル２とコピーレチ
クル３をパターン面を上にしてセットする。このことに
より、マスターレチクルト＝ビーレチクルのパターンの
関係は第２図に示す通り、マスターレチクル（ａ）に大
してコピーレチクル（ｂ）は線対称、すなわちミラー反
転の状態となる。次に、この２つのレチクルに対して入
力ターミナル］９により、あらかじめパターンが形成さ
れている範囲にレンズ５，６０間隔を合わぜておき、Ｃ
ＰＵ１５から指示される情報によりステージコントロー
ラ１６でＸドライブ１７、Ｘドライブ１８を制御しなが
らステージを動かす。次に、レンズはまずパターンの左
上から横方向に右端まで走査する。（以下これを１スキ
ヤンと呼ぶ。）レンズが右端まできたらパターンの一段
下を右から左ヘスキャンし、これを下端まで繰返す。光
源４から照射された光はパターンを通してレンズに入り
、センサ一部７，８によって電気信号に変換されメモリ
部９，１０に記憶される。

１スキヤン分が終了した時点でマスターレチクル側のパ
ターン情報はそのまま比較部１４へ、コピーレチクル側
は反射部１１によって１スキヤン分をミラー反転させ比
較部へ送る。コピーレチクル側のパターン情報を１スキ
ヤン分づつ反転処理することにより、比較部では第３図
に示す同じ向きのパターン情報を比較処理することにな
り、マスターレチクル、コピ・−レチクルのパターンの
差、すなわち欠陥を検出する。比較処理１−ている間も
、ステージ１は動き続け、パターン情報はメモリ部に入
り続けるが、比較処理の終了したパターン情報は遂時消
去され新１−いパターン情報に書換えられる。欠陥と認
識した部分はその座標を記憶しておき、検査終了後ディ
スプレイ１２．１３で確認できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、半面レチクルでも同一パターンを
多数製造する場合に、本発明のパターン検査装置を使用
することにより、検査時間を１／２〜１／３にできる。

また′、コピーレチクルの製造時期が長期にわたる場合
、データ照合検査装置では検査用データを保管Ｉまたり
、あるいは製造時毎に検査データを作成しなくてはなら
ないが、本発明のパターン検査装置ではコピーレチクル
の原版となるマスターレチクルと比較検査するので検査
データを長期にわたって扱う必要がなく検査が容易とな
る。従って、本発明によれば、検査時間をより短縮出来
、操作性の良いパターン欠陥検査装置が得られるという
効果がある。

【図面の簡単な説明】

クルと、コピーレチクルの平面図、第３図（ａ）及び（
Ｉ））は本発明による処理が行われたパターン情報を示
す平面図である。 １・・・・・・ステージ、２・・・・・・マスターレチ
クル、３・・・・・・コピーｌ／チクル、４・・・・・
・光？ＩＡｓ　　５　、　６・・・・・・１／ンズ、７
，８・・・・・・センサ一部、９，１０・・・・・・メ
モリ部、１１・・・・・・反転部、１２，１３・・・・
・・ディスプレイ、１４・・・・・・比較部、１５・・
・・・・ＣＰＵ。 １６・・・・・−ステージコントロラ、１７・・・・・
・Ｘドライブ、１８・・・・・・Ｘドライブ。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 ￥１厨 （ａ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　（１７）［１）　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　（ｂ）茅３回

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. マスクパターンを有する２枚のプレートを同一ステージ
   に載せて走査し、両者の各パターン部を比較することに
   よってパターンの欠陥を検出するパターン欠陥検査装置
   において、一方のプレートから得られた走査情報を一列
   走査する毎に左右反転させる部材を持ち、左右反転した
   情報と他方のプレートから得られた走査情報とを比較し
   てパターンの欠陥を検出することを特徴とするパターン
   欠陥検査装置。