JPS6083328A - フオトマスクの検査方法 - Google Patents

フオトマスクの検査方法

Info

Publication number
JPS6083328A
JPS6083328A JP58191618A JP19161883A JPS6083328A JP S6083328 A JPS6083328 A JP S6083328A JP 58191618 A JP58191618 A JP 58191618A JP 19161883 A JP19161883 A JP 19161883A JP S6083328 A JPS6083328 A JP S6083328A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vernier
pattern
synthetic
vernier pattern
patterns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58191618A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0456972B2 (ja
Inventor
Takayoshi Matsuyama
松山　隆義
Kenichi Kobayashi
賢一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP58191618A priority Critical patent/JPS6083328A/ja
Priority to KR1019840006236A priority patent/KR890004884B1/ko
Priority to US06/659,425 priority patent/US4701859A/en
Priority to EP84306894A priority patent/EP0141548B1/en
Priority to DE8484306894T priority patent/DE3485433D1/de
Priority to IE2628/84A priority patent/IE57375B1/en
Publication of JPS6083328A publication Critical patent/JPS6083328A/ja
Publication of JPH0456972B2 publication Critical patent/JPH0456972B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （８）角明の技術分野 本発明はフォトマスクの検査に係り、特にステップ・ア
ンド・リピートカメラ（以下リピータと略称する）に起
因する送すビソチ誤差を、バーニアパターンを利用して
検査するマスクの送りピッチ検査方法に関する。
山）技術の背景 半導体装置の主要部をなす半導体素子の製造において、
ウェハープロ：セスに使用されるフォトマスクは必須の
ものであり、使用量の増大に伴いその検査の簡便化が望
ま□れている。
（Ｃ１従来技術と問題点 第１図は原板の一例、第２図は第１図に示した原板から
同一フォトマスク上に焼きつけられたマスクパターンの
一例、第３図はフォトマスク上のバーニアパターン部拡
大図を示す。
第１図において原板１のマスクパターン２は周縁部にバ
ーニアパターン３ａ、　３ｂ、　３ｃおよび３ｄを有し
ており、これをリピータで焼付＆）第２図に示したフォ
トマスク４を作製する。したがってフォトマスク４には
りピークで繰り返し焼き（（Ｊりた数だけマスクパター
ン２が形成されている。
しかしフォトマスク４にマスクパターン２を繰り返し焼
き付けるために感光基材を載置したりピークのステージ
をＸ方向・Ｙ方向に移動させる必要があり、移動の際の
誤差によってフォトマスク４上に形成されたマスクパタ
ーン２の間隔は必ずしも同一ではない。この誤差（以後
ピッチ誤差と称する）が極小であれば問題は無いが、ピ
ンチ誤差が許容範囲を超えるとパターンずれの原因とな
るため、そのようなフォトマスクは不良品として取り除
かれる。
そこでマスクパターン２のピンチ誤差の変化を容易に検
出できるようにバーニアパターン３８〜３ｄが設けられ
ている。第３図においてマスクパターン２Ａのバーニア
パターン３ａと隣接するマスクパターン２Ｄのバーニア
パターン３ｂ、マスクパターン２Ｂのバーニアパターン
３ａと隣接するマスクパターン２Ｅのバーニアパターン
３ｂ、マスクパターン２Ｃのバーニアパターン３ａと隣
接するマスクパターン２Ｆのバーニアパターン３ｂを比
較して、二つのバーニアパターン３ａと３ｂの“ずれ”
の大きさが等しければそれぞれのマスクパターンのピッ
チ誤差は皆無とみなされるが、二つのバーニアパターン
３ａと３ｂの“ずれ”の大きさが変化すると、そのマス
クパターンと隣接するマスクパターンとの間にピッチ誤
差が生じているといえる。従来は全てのバーニアパター
ンについて隣接するマスクパターンのバーニアパターン
との“ずれ゛の大きさを目視で検査し、相違点があれば
その間におけるピンチ誤差の大きさを計測してフォトマ
スクの良否を判定し）いた。しかし顕微鏡の下で数多く
のバーニアパターンの“ずれ”の大きさを検査する作業
は多くの労力と時間を要し、フォトマスクに傷をっけ塵
埃を付着せしめる原因となる。
＋ｄ）　発明の目的 本発明の目的はフォトマスクの検査における上記問題点
を無くし、フォトマスクの検査を簡便にする方法を提供
することにある。
（ｅ）　発明の構成 そしてこの目的は任意の位置にあるバーニアパターンと
隣接するバーニアパターンとで構成される合成バーニア
パターンを基準とし、該合成バーニアパターンの形状と
同一フォトマスク内にある他の合成バーニアパターンの
形状とを、比較照合することによりマスクパターンの送
りピ・ノチの良否を判別することで達成している。
ｉｆ）　発明の実施例　： 以下添付図により本発明の詳細な説明する。
なお全、図を通し同じ対象物は同一符号で表している。
第４図は任意の位置にあるバーニアパターンと、隣接す
るバーニアパターンとで構成される合成バーニアパター
ンを示した図で、第４図（ａｌおよび第４図（ｂ）は良
品のマスクパターンの例、第４図（（＋）は不良のマス
クパターンの例、第５図は本発明になる検査方法を実施
するための検査装置の一例を示す。
第４図ｔａ＞および第４図１ｂ）において任意の位置に
あるバーニアパターン３ａと隣接するバーニアパターン
３ｂとで構成される合感バーニアパターン５ａを基準と
し、合成バーニアパターン５ａと同一フォトマスク上の
他の位置にあや合成バーニアパターン５ｂとを比較して
、合成バーニアパターンの形状に相違点がなければその
間←おけるピッチ誤差は極小であるといえる。しかし第
４図（Ｃ）の合成バーニアパターン５ａと合成バーニア
パターン５ｃのように、形状に相違点があればその間に
おいて大きいピンチ誤差を生じていると見なされる。図
ではＸ軸方向のピッチ誤差を検出する合成バーニアパタ
ーンのみ図示しているが、Ｙ軸方向のピンチ誤差を検出
する合成バーニアパターンも形成されており、Ｘ軸方向
・Ｙ軸方向のピンチ誤差の変化を検出することができる
。
かかる合成バーニアパターンの比較は目視でもって行う
ことも可能である。しかし本発明においては第５図に示
す検査装置により合成バーニアパターンの比較を簡略化
している。
図において任官の位置にある合成バーニアパターンの像
をイメージセンサで撮像し、イメージセンサ内で像の細
分化、細分化・された像の電気信号への置換および走査
順序に沿った信号の配列を行い、合成バーニアパターン
の像を電気信号として取り出して記憶装置に記憶せしめ
、これを基準合成バーニアパターン信号とする。一方（
１の合成バーニアパターンの像についてもイメージセン
サで撮像し、像を電気信号として取り出して記憶装置に
記憶せしめる。この二種類の電気信号を比較・照合する
ことによって、合成パーニアパターンノ相違点が検出で
き、これを表示させることも可能である。また良否判定
基準を設定して置けば装置に良否判定をせしめることが
できる。
同様に他の合成バーニアパターンについても像をイメー
ジセンサで撮像し、その電気信号を前述の基準合成バー
ニアパターン信号と比較・照合することによって、目視
で検査を行うことなく装置に良否判定をせしめることが
できる。
（ｇｌ　発明の効果 以上述べたように本発明によれば、フォトマスクの検査
において多くの労力と時間を要し、且つフォトマスクに
傷をっけ塵埃を付着せしめる原因となっていた、バーニ
アパターンの“ずれ”の大きさを検査する作業が簡略化
され、フォトマスクの高品質化に寄与するフォトマスク
の検査方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は原板の一例、第２図は同一フォトマスク上に焼
きつけられたマスクパターンの一例、第３図はバーニア
パターン部拡大図、第４図は合成バーニアパターン、第
４図＋ａｌおよび第４図（ｂｌは良品のマスクパターン
の例、第４図（Ｃ１は不良のマスクパターンの例、第５
図は検査装置の一例を示す。 図において１は原板、２．２Ａ、　２Ｂ、　２Ｇ、　２
Ｄ、　２Ｅ。 ２Ｆはマスクパターン、３ａ、　３ｂ、　３ｃおよび３
ｄはバーニアパターン、４はフォトマスク、５ａ、　５
ｂ、５ｃは合成バーニアパターンを示す。 奪　１　図　牟　２　図 第　３　口 隼　４．　図 「 ”０聞凹　ロ凹ロ聞　凹囲凹

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 周縁部にバーニアパターンを有するマスクパターンの同
    一原板から、同一フォトマスク上に焼きつけられた複数
    個のマスクパターンの検査において、任意の位置にある
    バーニアパターンと隣接すルバーニアパターンとで構成
    される合成バーニアパターンを基準とし、該合成バーニ
    アパターンの形状と同一フォトマスク内にある他の合成
    バーニアパターンの形状とを、比較照合することにより
    マスクパターンの送りピッチの良否を判別することを特
    徴とするフォトマスクの検査方法。
JP58191618A 1983-10-13 1983-10-13 フオトマスクの検査方法 Granted JPS6083328A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58191618A JPS6083328A (ja) 1983-10-13 1983-10-13 フオトマスクの検査方法
KR1019840006236A KR890004884B1 (ko) 1983-10-13 1984-10-06 포토마스크 패턴 검사방법 및 장치
US06/659,425 US4701859A (en) 1983-10-13 1984-10-10 Inspecting method and apparatus for a photomask pattern
EP84306894A EP0141548B1 (en) 1983-10-13 1984-10-10 Photomask pattern inspection
DE8484306894T DE3485433D1 (de) 1983-10-13 1984-10-10 Kontrolle von motiven einer fotomaske.
IE2628/84A IE57375B1 (en) 1983-10-13 1984-10-12 Photomask pattern inspection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58191618A JPS6083328A (ja) 1983-10-13 1983-10-13 フオトマスクの検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6083328A true JPS6083328A (ja) 1985-05-11
JPH0456972B2 JPH0456972B2 (ja) 1992-09-10

Family

ID=16277627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58191618A Granted JPS6083328A (ja) 1983-10-13 1983-10-13 フオトマスクの検査方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4701859A (ja)
EP (1) EP0141548B1 (ja)
JP (1) JPS6083328A (ja)
KR (1) KR890004884B1 (ja)
DE (1) DE3485433D1 (ja)
IE (1) IE57375B1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4805123B1 (en) * 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
JPH077446B2 (ja) * 1986-11-12 1995-01-30 松下電器産業株式会社 部品認識方法
US4742233A (en) * 1986-12-22 1988-05-03 American Telephone And Telgraph Company Method and apparatus for automated reading of vernier patterns
JP2539856B2 (ja) * 1987-10-15 1996-10-02 株式会社ヒューテック 印刷パタ―ン周期長のずれ検知方法
JPH01284743A (ja) * 1988-05-10 1989-11-16 Toshiba Corp 半導体装置の樹脂モールドの外観検査方法とその検査装置
US5124927A (en) * 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
IL96541A (en) * 1990-12-04 2000-08-13 Orbot Instr Ltd Apparatus and method for microscopic inspection of articles
US5586058A (en) 1990-12-04 1996-12-17 Orbot Instruments Ltd. Apparatus and method for inspection of a patterned object by comparison thereof to a reference
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
KR0168772B1 (ko) * 1994-03-10 1999-02-01 김주용 포토마스크 및 그를 이용한 반도체 장치 제조 방법
JP3515199B2 (ja) * 1995-01-06 2004-04-05 大日本スクリーン製造株式会社 欠陥検査装置
US6466314B1 (en) * 1998-09-17 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Reticle design inspection system
US6040912A (en) * 1998-09-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device
JP4265722B2 (ja) * 2000-08-07 2009-05-20 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 パターンデータ修正方法及び装置
JP2003302743A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクの検査方法
US7484625B2 (en) * 2003-03-13 2009-02-03 Varco I/P, Inc. Shale shakers and screens with identification apparatuses
JP2005351631A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 欠陥検出装置および欠陥検出方法
ATE425452T1 (de) * 2006-06-13 2009-03-15 Abb Oy Verfahren und vorrichtung zur erkennung von sich wiederholenden mustern
CN102109755B (zh) * 2009-12-29 2012-09-26 北大方正集团有限公司 一种光刻技术中实现对准偏差测量的装置和方法
JP5832345B2 (ja) * 2012-03-22 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
CN105954985A (zh) * 2016-06-30 2016-09-21 上海华力微电子有限公司 测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5098277A (ja) * 1973-12-26 1975-08-05

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5369063A (en) * 1976-12-01 1978-06-20 Hitachi Ltd Detector of position alignment patterns
US4328553A (en) * 1976-12-07 1982-05-04 Computervision Corporation Method and apparatus for targetless wafer alignment
JPS5923467B2 (ja) * 1979-04-16 1984-06-02 株式会社日立製作所 位置検出方法
US4388386A (en) * 1982-06-07 1983-06-14 International Business Machines Corporation Mask set mismatch
JPS6057952A (ja) * 1983-09-09 1985-04-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4581762A (en) * 1984-01-19 1986-04-08 Itran Corporation Vision inspection system
US4556317A (en) * 1984-02-22 1985-12-03 Kla Instruments Corporation X-Y Stage for a patterned wafer automatic inspection system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5098277A (ja) * 1973-12-26 1975-08-05

Also Published As

Publication number Publication date
KR890004884B1 (ko) 1989-11-30
IE57375B1 (en) 1992-08-12
EP0141548A3 (en) 1987-12-02
JPH0456972B2 (ja) 1992-09-10
EP0141548B1 (en) 1992-01-08
IE842628L (en) 1985-04-13
DE3485433D1 (de) 1992-02-20
EP0141548A2 (en) 1985-05-15
KR850003061A (ko) 1985-05-28
US4701859A (en) 1987-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6083328A (ja) フオトマスクの検査方法
JPH0750664B2 (ja) レチクルの検査方法
TW539916B (en) Photomask inspecting method
JPS6043657B2 (ja) 物体状態検査方法
JPS58196445A (ja) マスク検査方法
Sandland Automatic inspection of mask defects
JPH0743323B2 (ja) 表面異物検査装置
JP2982413B2 (ja) 共通欠陥検査方法
US8498468B1 (en) Mask inspection
JPS60120519A (ja) ホトマスクおよび自動欠陥検査装置
JPS5850414B2 (ja) パタ−ンの検査方法
US4765743A (en) Method of inspecting a master member
JPH0145735B2 (ja)
KR100447988B1 (ko) 마스크패턴의결함검사방법
JPS63124939A (ja) パターン検査方法およびその装置
JPS61230016A (ja) プリント基板パタ−ン検査方法
JPH04129241A (ja) 欠陥検査装置
JPS63271176A (ja) 配線パタ−ンの位置合せ方法
JPS59132129A (ja) 欠陥検査装置
JPH01239922A (ja) パターン欠陥検査装置
JPS63122119A (ja) 縮小投影露光装置用フオトマスクの検査方法
JPS6118143A (ja) パタ−ン検査方法
JPH01305344A (ja) パターン欠陥検査装置
JPS6123951A (ja) 回路の自動外観検査の検出方法
JPH0516585B2 (ja)