JPS63122119A - 縮小投影露光装置用フオトマスクの検査方法 - Google Patents
縮小投影露光装置用フオトマスクの検査方法Info
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- JPS63122119A JPS63122119A JP61268868A JP26886886A JPS63122119A JP S63122119 A JPS63122119 A JP S63122119A JP 61268868 A JP61268868 A JP 61268868A JP 26886886 A JP26886886 A JP 26886886A JP S63122119 A JPS63122119 A JP S63122119A
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- Japan
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Links
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 18
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- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は縮小投影露光装置で使用するフォトマスク（以
下、レティクルという）を縮小投影露光装置に装着した
状態で検査する方法に関し、特にレティクルが１チップ
分のパターンのみを持っている場合の検査方法に関する
ものである。
下、レティクルという）を縮小投影露光装置に装着した
状態で検査する方法に関し、特にレティクルが１チップ
分のパターンのみを持っている場合の検査方法に関する
ものである。
（従来技術）
縮小投影露光装置ではレティクルを装着し、そのレティ
クルのパターンを縮小してウェハ上に繰り返し転写して
いくので、もし縮小投影露光装置に装着されたレティク
ルに欠陥がある場合には。
クルのパターンを縮小してウェハ上に繰り返し転写して
いくので、もし縮小投影露光装置に装着されたレティク
ルに欠陥がある場合には。
その欠陥はウェハ上に繰り返し転写されていく。
そこで、レティクルが１チップ分のパターンのみをもっ
ている場合には、転写されたすべてのパターンに欠陥が
入ることになる。
ている場合には、転写されたすべてのパターンに欠陥が
入ることになる。
縮小投影露光装置に装着されたレティクルの検査方法と
しては、レティクルが複数のチップのパターンをもって
いる場合、レティクルのパターンをウェハに転写し、転
写されたウェハのパターンを隣接するチップ間で比較す
ることによってレティクルの欠陥を検出する方法がある
。
しては、レティクルが複数のチップのパターンをもって
いる場合、レティクルのパターンをウェハに転写し、転
写されたウェハのパターンを隣接するチップ間で比較す
ることによってレティクルの欠陥を検出する方法がある
。
しかし、レティクルが１チップ分のパターンのみをもっ
ている場合には、転写されたパターンはすべて同じパタ
ーンであり、欠陥があってもすべてのチップのパターン
に欠陥が含まれているので、１つのレティクルのパター
ンを転写したものを比較することによってはレティクル
の欠陥を検査することはできない。
ている場合には、転写されたパターンはすべて同じパタ
ーンであり、欠陥があってもすべてのチップのパターン
に欠陥が含まれているので、１つのレティクルのパター
ンを転写したものを比較することによってはレティクル
の欠陥を検査することはできない。
本発明は、レティクルが１チップ分のパターンのみをも
っている場合に、縮小投影露光装置に装着されたレティ
クルを検査することができるようにすることを目的とす
るものである。
っている場合に、縮小投影露光装置に装着されたレティ
クルを検査することができるようにすることを目的とす
るものである。
（構成）
本発明の検査方法では、１チップ分のパターンのみをも
つ第１のフォトマスクを縮小投影露光装置に装着してウ
ェハの一部に転写し、前記第１のフォトマスクと同一パ
ターンをもつ第２のフォトマスクを前記第１のフォトマ
スクに代えて縮小投影露光装置に装着し、この第２のフ
ォトマスクのパターンを前記ウェハの残部に転写し、前
記第１のフォトマスクによる転写パターンと前記第２の
フォトマスクによる転写パターンとをウェハ検査装置に
より比較する。
つ第１のフォトマスクを縮小投影露光装置に装着してウ
ェハの一部に転写し、前記第１のフォトマスクと同一パ
ターンをもつ第２のフォトマスクを前記第１のフォトマ
スクに代えて縮小投影露光装置に装着し、この第２のフ
ォトマスクのパターンを前記ウェハの残部に転写し、前
記第１のフォトマスクによる転写パターンと前記第２の
フォトマスクによる転写パターンとをウェハ検査装置に
より比較する。
本発明では同一のパターンをもつ２枚のレティクルを使
用する。
用する。
以下、実施例について具体的に説明する。
２枚のレティクルのうち、まず第１のレティクルを縮小
投影露光装置に装着し、第１図に示されるようにウェハ
２に間隔を設けて縮小パターン４を転写していく。
投影露光装置に装着し、第１図に示されるようにウェハ
２に間隔を設けて縮小パターン４を転写していく。
次に第１のレティクルに代えて、第１のレティクルと同
じパターンをもつ第２のレティクルを縮小投影露光装置
に装着し、第１のレティクルによるパターン４を転写し
た同一のウェハ２に、第２図に示されるように、パター
ン４間の隙間の部分を埋めるように縮小パターン６を転
写していく。
じパターンをもつ第２のレティクルを縮小投影露光装置
に装着し、第１のレティクルによるパターン４を転写し
た同一のウェハ２に、第２図に示されるように、パター
ン４間の隙間の部分を埋めるように縮小パターン６を転
写していく。
第１のレティクルによるパターン４と第２のレティクル
によるパターン６が隣接して転写される。
によるパターン６が隣接して転写される。
次にパターン４とパターン６を比較し検査を行なう。こ
の検査には例えば日本自動制御社のウェハ検査装置を使
用することができる。この比較検査では、第３図（Ａ）
及び同図（Ｂ）に示されるように、転写パターン４と転
写パターン６の同一部分を矢印で示されるように光学的
に走査し、この走査による検出信号の差をとる。両方の
転写パターン４，６にはパターン８があり、転写パター
ン６には欠陥１０があるものとすると、矢印で示される
ように欠陥１０の部分を走査したとき１両方の検出信号
の差は、第４図に示されるように表示装置に表示され、
ピーク１２が欠陥１０のピークとして表示される。
の検査には例えば日本自動制御社のウェハ検査装置を使
用することができる。この比較検査では、第３図（Ａ）
及び同図（Ｂ）に示されるように、転写パターン４と転
写パターン６の同一部分を矢印で示されるように光学的
に走査し、この走査による検出信号の差をとる。両方の
転写パターン４，６にはパターン８があり、転写パター
ン６には欠陥１０があるものとすると、矢印で示される
ように欠陥１０の部分を走査したとき１両方の検出信号
の差は、第４図に示されるように表示装置に表示され、
ピーク１２が欠陥１０のピークとして表示される。
このように検出された欠陥が同じレティクルで露光した
すべてのチップに存在すれば、そのレティクルに欠陥が
あると判断することができる。
すべてのチップに存在すれば、そのレティクルに欠陥が
あると判断することができる。
第１のレティクルと第２のレティクルのうち。
いずれのレティクルに欠陥があるかは、光学顕微鏡で容
易に見分けることができる。上記の実施例の場合、第２
のレティクルに欠陥があったものと判断されたので、現
在縮小投影露光装置に装着されているレティクルは使用
できないことになる。
易に見分けることができる。上記の実施例の場合、第２
のレティクルに欠陥があったものと判断されたので、現
在縮小投影露光装置に装着されているレティクルは使用
できないことになる。
そこで再びレティクルを交換し、同様にして検査を行な
う。欠陥が先に縮小投影露光装置に装着された第１のレ
ティクルにある場合には、現在縮小投影露光装置に装着
されている第２のレティクルを用いてウェハ上に半導体
集積回路装置などを製作することができる。
う。欠陥が先に縮小投影露光装置に装着された第１のレ
ティクルにある場合には、現在縮小投影露光装置に装着
されている第２のレティクルを用いてウェハ上に半導体
集積回路装置などを製作することができる。
（効果）
本発明によれば、レティクルが１チップ分のパーターン
のみをもっている場合であっても、縮小投影露光装置に
装着されたレティクルの欠陥検査を行なうことが可能と
なり、半導体集積回路装置などの不良品の発生を防ぐこ
とができる。
のみをもっている場合であっても、縮小投影露光装置に
装着されたレティクルの欠陥検査を行なうことが可能と
なり、半導体集積回路装置などの不良品の発生を防ぐこ
とができる。
第１図は第１のレティクルによりウェハ上に転写された
パターンを示す平面図、第２図は第１のレティクル及び
第２のレティクルによってウェハ上に転写されたパター
ンを示す平面図、第３図（Ａ）及び同図（Ｂ）は隣接す
るチップの転写パターン間の比較を行なう状態を示す平
面図、第４図は比較検査方法を示す波形図である。 ２・・・・・・ウェハ、 ４．６・・・・・・転写パターン、 ８・・・・・・パターン、 １０・・・・・・欠陥による転写パータン。
パターンを示す平面図、第２図は第１のレティクル及び
第２のレティクルによってウェハ上に転写されたパター
ンを示す平面図、第３図（Ａ）及び同図（Ｂ）は隣接す
るチップの転写パターン間の比較を行なう状態を示す平
面図、第４図は比較検査方法を示す波形図である。 ２・・・・・・ウェハ、 ４．６・・・・・・転写パターン、 ８・・・・・・パターン、 １０・・・・・・欠陥による転写パータン。
Claims (1)
- （１）１チップ分のパターンのみをもつ第１のフォトマ
スクを縮小投影露光装置に装着してウェハの一部に転写
し、前記第１のフォトマスクと同一パターンをもつ第２
のフォトマスクを前記第１のフォトマスクに代えて縮小
投影露光装置に装着し、この第２のフォトマスクのパタ
ーンを前記ウェハの残部に転写し、前記第１のフォトマ
スクによる転写パターンと前記第２のフォトマスクによ
る転写パターンとをウェハ検査装置により比較するフォ
トマスクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268868A JPS63122119A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 縮小投影露光装置用フオトマスクの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268868A JPS63122119A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 縮小投影露光装置用フオトマスクの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122119A true JPS63122119A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17464378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268868A Pending JPS63122119A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 縮小投影露光装置用フオトマスクの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108735A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Hitachi Ltd | 比較検査方法および装置 |
| JP2006292862A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Ushio Inc | パターン形成方法 |
| US7307712B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method of detecting mask defects, a computer program and reference substrate |
-
1986
- 1986-11-11 JP JP61268868A patent/JPS63122119A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03108735A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Hitachi Ltd | 比較検査方法および装置 |
| US7307712B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method of detecting mask defects, a computer program and reference substrate |
| JP2006292862A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Ushio Inc | パターン形成方法 |
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