JPS6397957A - 縮小投影露光装置用フオトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は縮小投影露光装置で使用されるフォトマスク（
以下、レティクルという）に関し、特に複数チップ用の
パターンをもつレティクルに関するものである。

（従来技術） 第２図にレティクルの一例を示す。

２はレティクルであり、レティクル２には４個のチップ
用の露光領域４（４−１〜４−４）が設けられている。

領域４−１〜４−４のそれぞれが１個のチップに対応し
ている。

レティクル２は縮小投影露光装置に装着され、領域４−
１〜４−４が縮小されてウェハ（半導体基板）に転写さ
れる。各チップ用の領域４−１〜４−４はすべて同じパ
ターンをもっている。

第３図にウェハ６に転写されたパターンを示す。

レティクル２の露光領域４は縮小されて第３図で４８と
して示される４個のチップ用のパターンとして転写され
る。１回の露光で記号４ａで示されるチップ４個分のパ
ターンが１度に露光される。

パターン４ａが繰り返し露光されていくことによってウ
ェハ６に図のようなパターンが形成される。

レティクル２の露光領域４内に異物が付着したりして欠
陥８があったとすると、この欠陥８は、ウェハ６にパタ
ーンを転写した際、すべての領域４ａ内でパターン８ａ
として繰り返し転写されろ。

したがって、もし第２図に示されるように４個のチップ
用の領域４−１〜４−４のうちの１個に欠陥８があった
場合には、転写されたパターンの全体の１／４が不良と
なってしまう。

そこで縮小投影露光装置に装着されたレティクルに欠陥
があるか否かを検査するために、その装着されたレティ
クルのパターンをウェハに転写し、転写された隣り合う
チップのパターンを比較することによって異なったパタ
ーンを検出し、レティクルに欠陥があるかどうかを検査
する方式がある。

例えば１日本自動制御社製のウェハ表面検査装置である
。

この検査は、例えば第４図に示されるように。

転写された隣り合うチップのパターン、例えば４−１ａ
と４−２８の同一パターンの部分をそれぞれ顕微鏡１０
．１２で走査しながら読み取っていき、それぞれの読取
り信号の差を取って表示装置に表示していく。１方向に
ついて走査した結果、第５図に実線で示されるようなパ
ターンが得られたとする。このとき欠陥検出感度を例え
ばＡで示されるレベルに設定したとすると、ピーク１４
が欠陥として検出される。もし欠陥検出感度をＢに設定
したとすればピーク１４は欠陥としては検出されない。

従来は、欠陥検出感度の設定に基準がない。そのため、
欠陥検出感度をどのレベルに設定するかによって欠陥を
見逃したり、あるいはパターンのずれなどで発生する擬
似欠陥１６を検出しすぎたりする問題がある。

また、欠陥検出感度をどこに設定するかは作業者によっ
て一定しないという問題もある。

（目的） 本発明は縮小投影露光装置に装着されたレティクルの欠
陥を容易に発見することを目的とするものである。

（構成） 本発明のレティクルは複数チップ用のパターンをもつレ
ティクルであって、１又は２以上のチップ領域でパター
ンのない部分に欠陥検出感度設定・調整用のパターンを
備えている。

すなわち、本発明は、ウェハに転写されたとき繰り返し
欠陥となる擬似的なパターンを設けておき、その擬似的
パターンを用いて欠陥検出感度を設定したり調整したり
するようにしたものである。

以下、実施例について具体的に説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すレティクルであり、−
例としてこのレティクル２０には４個のチップ用の露光
領域２２−１〜２２−４が設けられている。しかし、１
枚のレティクルで露光されるチップの数は４に限定され
るものではない。

各領域２２−１〜２２−４には転写用のクロムパターン
２３が設けられている。４個の領域２２−１〜２２−４
のうち、領域２２−１でパターンのない部分に欠陥検出
感度設定・調整用の擬似的パターン２４を設けておく。

この擬似的パターン２４の大きさは、露光領域の転写用
パターン２３の幅に応じて設定することができる。例え
ばこの擬似的パターン２４の大きさを転写用パターン２
３の最小パターン幅の１／３程度に設定するのが適当で
ある。例えば、転写されたパターンの最小パターン幅を
１．５μｍとした場合、擬似的パターン２４の大きさを
０．５μｍとする。

また、この擬似的パターン２４の形状は正方形、長方形
、円形など種々のものとすることができる。

第１図に示されるレティクルを用いてウェハに転写し、
第４図に示されるようにレティクルの欠陥の検査を行な
うと、第５図に記号２６で示されるようなピークが現わ
れる。このピーク２６は擬似的パターン２４によるもの
である。そこで、このピーク２６のレベルＣとノイズレ
ベルとを基準にして欠陥検出感度を容易に設定したり、
調整したりすることができる。

擬似的パターン２４はチップ用の露光領域の転写用パタ
ーンを除く領域の任意の部分に設置することができる。

そして、この擬似的パターン２４を設けることによって
チップサイズが大きくなることはない。

また、擬似的パターン２４は１個に限らず、１つのチッ
プ領域内で複数個設けてもよいし、複数のチップ領域に
設けてもよい。擬似的パターン２４を複数個設けること
によって、擬似的パターン２４を見つけるのが容易にな
り、欠陥検出感度の設定や調整に要する時間が短縮でき
る。

（効果） 本発明の縮小投影露光装置用レティクルは、欠陥検出感
度を設定したり調整したりするためのパターンを備えて
いるので、欠陥検出感度の設定や調整が容易となり１作
業者によるばらつきがなくなり、縮小投影露光装置に装
着されたレティクルの欠陥の見逃しがなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のレティクルを示す平面図、
第２図は欠陥のあるレティクルを示す平面図、第３図は
パターンが転写されたウェハを示す平面図、第４図は欠
陥検査の方法を示す斜視図、第５図は欠陥検査結果を示
す波形図である。 ２０・・・・・・レティクル、 ２２−１〜２２−４・・・・・・チップ用の露光領域、
２４・・・・・・欠陥検出感度設定・調整用の擬似的パ
ターン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数チップ用のパターンをもつフォトマスクであ
   って、１又は２以上のチップ領域でパターンのない部分
   に欠陥検出感度設定・調整用のパターンを備えたことを
   特徴とする縮小投影露光装置用フォトマスク。