JP2006292862A - パターン形成方法 - Google Patents

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宏樹 林
Shinichi Nagamori
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Abstract

【課題】 マスクの欠陥の有無を確実に検出し、マスクの欠陥により、一連のワークに不具合が発生するのを防止すること。
【解決手段】 レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。ここでは、レジストパターンを少なくとも2ショット分取り出し、この内の少なくとも1ショット分のレジストパターンと、検査の基準となるマスタパターンとを比較して上記レジストパターンの欠陥の有無を検査し欠陥個所を抽出する。そして他のレジストパターンについて、上記欠陥個所と同一個所に欠陥が存在するかを検査し、同一個所に欠陥が存在する場合、露光に用いたマスクに欠陥があると判定する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えばテープキャリア方式によるTAB (Tape Automated Bonding) テープ等の基板上に配線等のパターン形成するパターン形成方法に関し、特に、マスクを用いて形成されたレジストパターンにより、当該マスクにゴミ等の付着による欠陥が生じていないかどうか検査するようにしたパターン形成方法に関するものである。
TABテープは、ポリエステルフィルム等の絶縁性フィルム基板上に銅箔などの導電性薄膜を設け、この導電性薄膜をフォトリソグラフィによりパターン化してフィルム回路基板のリードを形成したものである。このリードには、半導体チップがボンディングされる。
図6は上記TABテープなどのフィルムワーク上に配線等のパターンを形成する全体の手順を示す図である。パターン形成は、通常以下の手順で行われている。なお、以下の括弧数字(1)〜(6)は、図6に付した括弧数字(1)〜(6)に対応している。
(1)樹脂製のフィルムワーク(TABテープ)上に金属箔(銅箔)を貼り付け、レジストを塗布する。
(2)顕微鏡などを用い目視によりマスクを検査し、マスクに欠陥がないかを調べる。マスクパターンに欠陥があったり、マスクにゴミが付着している場合には、マスクを交換したりマスクを洗浄する。
(3)マスクに欠陥がなければ、マスクを露光装置にセットし、マスクを介してフイルムワーク(以下ワークという)に露光光を照射し、ワークにマスクのパターンを露光(転写)する。ついで、現像装置により露光されたワークを現像し、レジストによるレジストパターンを形成する。
フィルムワークを露光する露光装置としては、例えば、特許文献1に記載のものが知られている。
上記特許文献1に記載されるように、フィルムワークの露光は次のように行われる。
送り出しリールにまかれたワークを搬送装置により露光位置まで搬送し、パターンが形成されたマスクを介して露光光を照射する。これによりワーク上にマスクパターンが露光(転写)される。この処理をワークを順次搬送しながら繰り返し、露光が終わったワークを順次巻き取りリールに巻き取る。以上の処理を行うことにより、ワーク上には一連の複数ショットのマスクパターンが露光(転写)される。
(4)上記レジストパターンを化学研磨した後、エッチング装置により、レジストの残っている以外の場所の金属箔をエッチングし、金属箔によるパターン(ワークパターン)を形成する。
(5)検査装置により、ワークパターンが正しく形成されているか基準パターンと比較し検査を行なう。この検査により、ワークパターンの欠陥が見つかると、欠陥のあるワークパターンは廃棄(ロットアウト)される。
上記検査装置としては、例えば特許文献2、特許文献3に記載のものが知られている。 上記特許文献2,3に記載されるように、上記ワークパターンの検査は、検査対象となるワークパターンに光を照射して撮像手段によりワークパターン像を撮像し、このワークパターン像と基準パターンとを比較し欠陥パターンの有無を検査する。この検査は通常、上記検査装置を用いて自動的に行われる。
(6)ワークパターンが形成されたワークは、めっき、ソルダーレジスト工程を経て、最終検査が行われる。
特許第2892079公報 特開2002−250700号公報 特開平5−175302号公報
TABテープなどのフィルムワークにマスク(レチクルともいう)のパターンを露光装置で露光する際、マスクパターン自体に欠陥があると、そのマスクで露光されたワークが全て不具合となる。そのため、マスクパターンを直接撮像し欠陥が生じていないか検査する方法や装置は、従来からよく知られている。
しかし、上記のような直接の検査により欠陥がないとされたマスクであっても、長い月日使用されていると、いつの間にか傷がつき欠陥が生じることがある。
そこで、前記したように、露光前に顕微鏡などを用い目視によりマスクを検査し、マスクに欠陥がないかを調べるといった方法が採られている。
しかし、上記のように目視で検査したマスクであっても、露光装置のマスクを別のものと交換する際、作業者が自らの手で行なうような装置においては、マスクの保管場所や上記マスク検査装置から露光装置までの搬送中や、露光装置のマスクステージ取り付け時に、マスク表面にゴミが付着するなどして欠陥が生じる場合がある。
ゴミが付着したマスクによりワークを露光すると、そのゴミの形がそのままワークに転写(露光)されてしまう。したがって、マスクへのゴミに気がつかないまま露光を続けると、その状態で露光した全てのワークが不具合になるという問題がある。
例えば、ワークに塗布されているレジストがポジレジストの場合、光が照射された部分が現像液により溶けるので、影が生じるとレジストが残る。その後のエッチング工程ではエッチングしたい部分がされずに残り、配線が許容範囲よりも太くなる「太り」の欠陥になる。
一方、ネガレジストの場合は反対で、影が生じるとレジストがなくなり、エッチングされたくない部分まで配線が削られ、許容範囲よりも細くなる「欠け」の欠陥になる。
上記欠陥は、前記したエッチング後のパターン検査により発見されることになり、工場からの流出は防ぐことができる。
しかし、前記検査装置により検査するのは、金属箔をエッチングし、金属箔によるパターン(ワークパターン)を形成した後であるので、欠陥が見つかっても再度やり直すことはできず、マスクの欠陥により不具合が発生した一連のワークは、すべて廃棄せざるを得ない。このため、大きな損失につながることがある。
マスクパターン検査後に生じたマスクの欠陥によるワーク不具合を未然に防ぐために、例えば前記図6のAの位置において、露光現像後のレジストにより形成されたパターン(レジストパターン)を検査するのが望ましい。
この時点であれば金属箔がエッチングされていないので、パターンに欠陥が生じていると判定されれば、不具合が生じていると思われるワークから、現像後のレジストを剥離し、レジストの塗布からやり直すことができる。
しかし、この段階でワーク上に形成されているのは現像後のレジストパターンであり、エッチングにより金属箔のパターンが形成されたワークパターンではないので、前記図6の(5)で使用される検査装置をそのまま用いてパターンの欠陥の有無を検査することは難しい。
特に現像後のレジストパターンの検査には、次のような問題がある。
(1)レジストパターンは半透明なので、エッチング後のワークパターンに比べて見難く、前記検査装置をそのまま使用したのでは、欠陥の有無を検査することができない。
(2)マスクパターン(現像されたレジストパターン)は、エッチング後のパターンが所望のパターンになるように、例えば図7に示すように角の部分に突起を形成するなど予め補正されている。
このため、エッチング後のワークパターンを検査する従来の検査装置では、この補正部分を太り(配線パターンが太すぎる)等による欠陥であると判定したり、ゴミが付着していると判定するなど、正しく欠陥の有無の判定を行うことができない場合がある。
したがって、仮にこの段階でパターンの欠陥の有無を検査するにしても、現状では作業者が目視により、基準となるパターンの外観とレジストパターンの外観とを比較するほかない。
しかしながら、レジストパターンと基準となるパターンとの比較作業は、膨大なデータを比較する必要があり、実際問題として人手では困難である。
また、仮に、目視によりレジストパターンの外観に欠陥、例えば欠けが発見されても、それがマスクに付着したゴミによるものなのか、現像時に衝撃等何か他の原因で生じたものなのか、判別をつけることができない。
そのため、欠陥が発見された場合には、例えば作業者が露光装置のところまでそのマスクを見に行き、対応する場所にゴミが付着しているかどうか調べる、というようなことをしなければならない。
また、欠陥を見逃せば、上記のように大量の不具合を発生させてしまう可能性があるため、目視検査を行うにしても、作業者が感じるプレッシャーは大変に大きい。
以上のように、マスクの欠陥は重大な問題を引き起こすが、従来においては、露光装置にセットされたマスクの欠陥の有無を確実に検出する方法がなく、マスクの欠陥により、一連のワークをすべて廃棄せざるを得ないという事態も生じていた。
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであって、本発明の目的は、マスクの欠陥の有無を確実に検出し、マスクの欠陥により、一連のワークに不具合が発生するのを防止することである。さらには、現像されたレジストパターンからマスクの欠陥の有無を自動的にかつ効率的に検出し、仮にマスクに欠陥があっても、マスクの欠陥による不良ワークの発生を極力少なくすることである。
上記課題を解決するため、本発明においては、レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し、露光されたワークを現像処理した後、エッチング処理を行い、必要に応じてワーク上に形成されたパターンの検査を行い、上記ワーク上にパターンを形成するパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前に、図1に示すように、マスクを検査する工程を設ける。
上記マスクを検査する工程においては、露光・現像処理によりワーク上に形成されたレジストパターンを少なくとも2ショット分取り出し、上記取り出したレジストパターンの内の少なくとも1ショット分のレジストパターンと、検査の基準となるマスクパターンとを比較して上記レジストパターンの欠陥の有無を検査し欠陥個所を抽出する。
そして上記取り出した他のレジストパターンについて、少なくとも上記欠陥個所と同一個所に欠陥が存在するかを検査し、同一個所に欠陥が存在する場合、上記露光に用いたマスクに欠陥があると判定する。
マスクに欠陥がある場合、そのマスクで露光されて形成されたレジストパターンは、常に同じ位置に同じ欠陥が生じるはずである。本発明においては、このことを利用してマスクに欠陥が生じているかどうかを判定する。
即ち、そのマスクで露光された複数のレジストパターンに共通の欠陥を見つけ出し、個々のレジストパターンに生じている欠陥は無視する。
具体的には、例えば以下のようにしてマスクの欠陥の有無を検出する。
あらかじめ検査の基準となるマスターパターンを装置に記憶させておき、該マスターパターンと、検査を行なうマスクで露光した第1のレジストパターンを比較し、第1パターンの欠陥候補点を検出し、その位置記憶する。
また、マスターパターンもしくは上記検査済みの第1のレジストパターンと、同じマスクで露光した第2のレジストパターンを比較し、第2パターンの欠陥候補点を検出し、その位置記憶する。
第1パターンの欠陥候補点の位置と、第2パターンの欠陥候補点の位置とを比較する。いずれか一方のパターンにしか存在しない欠陥候補点は欠陥候補から削除する。両方のパターンの同じ位置に欠陥候補点が存在する場合、マスクの欠陥とする。
いずれか一方のパターンにしか存在しない欠陥については、マスクではなく、別の原因で生じた欠陥と考え、この段階では欠陥として認定しない。
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
(1)現像後のレジストパターンを用いてマスクに欠陥があるか否かを検査しているので、仮にマスクの欠陥が見つかった場合でも、前記したように不具合が生じているワークから、現像後のレジストを剥離し、レジストを塗布からやり直すことができる。このため、マスクの欠陥による損失を最小限にすることができる。
また、数ショットの露光を行い、この数ショットのレジストパターンを用いて、マスクの欠陥の有無を検査することにより、仮にマスクの欠陥が見つかっても、このサンプル露光したレジストパターンのみを廃棄すればよい。このため、マスクの欠陥による損失をさらに小さくすることができる。
(2)検査を行なうマスクにより形成された個々のレジストパターンに固有の欠陥は無視し、レジストパターンに共通の欠陥があるかを判定しマスクの欠陥を見つけ出すようにしたので、効率的にマスクの欠陥を見つけ出すことができる。
(3)露光装置にセットされたマスクの検査を行うことができるので、露光装置までの搬送中や、露光装置へのマスクのセッティング時にマスク表面にゴミが付着した場合でも、マスクの欠陥として検出することができる。
図1は本発明の実施例のパターン形成の全体の流れを示す図であり、本実施例は、前記図6に示した手順において、図1に示すように露光工程にマスクの欠陥の有無を検査する工程(3’)を追加したものである。
本実施例においては、以下のようにしてパターン形成を行う。
(1)樹脂製のフィルムワーク(TABテープ)上に金属箔(銅箔)を貼り付け、レジストを塗布する。
(2)顕微鏡などを用い目視によりマスクを検査し、マスクに欠陥がないかを調べる。マスクパターンに欠陥があったり、マスクにゴミが付着している場合には、マスクを交換したりマスクを洗浄する。なお、本実施例ではマスクの検査工程を設けてマスクを検査しているので、この工程は省略してもよい。
(3)マスクを露光装置にセットし、マスクを介してワークに露光光を照射し、ワークにマスクのパターンを露光(転写)し、現像装置により現像する。この露光装置としては、例えば前記特許文献1に記載のものを使用することができる。
(3’)全てのワークの露光を行う前に、検査用の2〜3ピースについて露光し、現像後の2〜3ショット(以下ショットをコマともいう)のレジストパターンを用いて、後述する手順によりマスクの欠陥の有無を検査する。
マスクの欠陥が検出されれば、マスクを交換、もしくは、洗浄する。そして再度2〜3ピース露光し、マスクの欠陥の有無を検査する。
マスクに欠陥がなければ、他の一連のワークについて、前記したように露光・現像を行う。
(4)上記レジストパターンを化学研磨した後、エッチング装置により、レジストの残っている以外の場所の金属箔をエッチングし、金属箔によるパターン(ワークパターン)を形成する。
(5)検査装置により、ワークパターンが正しく形成されているか基準パターンと比較し検査を行なう。この検査により、ワークパターンの欠陥が見つかると、欠陥のあるワークパターンを廃棄する。
(6)ワークパターンが形成されたワークは、めっき、ソルダーレジスト工程を経て、最終検査が行われる。
なお、上記手順では、マスクの検査工程(3’)において2〜3ピースのワークについて露光・現像してマスクの検査を行うようにしているが、1ロットのワークを全て露光・現像し、その内の2〜3コマ分のレジストパターンをサンプルとして取り出し、このレジストパターンを用いてマスクの欠陥の検査を行うようにしてもよい。
これにより、マスクの欠陥が検出された場合には、前記したように、現像後のレジストを剥離しレジストの塗布からやり直す。
次に、上記(3’)のマスクの検査工程について説明する。
図2は本発明の実施例のマスク検査装置の構成例を示す図である。図2において、検査部1は、現像されたレジストのパターンが金属箔上に形成されたワークWを載置するステージ1cを有する。
なお、上記ワークWは、前記図1の手順の(3’)で説明した、2〜3コマのマスク検査用のレジストパターンが形成されたワークである。
また、検査部1には、ステージ1cに載置されたワークWに対して、パターンが形成された側から照明光を照射する反射照明手段1aと、ワークWで反射した照明光により、ワークWに形成されているパターンを撮像するCCDカメラなどの撮像手段1bが設けられている。なお、フィルムワーク上には金属箔がエッチングされていない状態で残っており、レジストパターンはその金属箔上に形成されているので、透過光による検査は行なうことができない。
上記反射照明手段1aが放射する光の波長は、レジストパターン像を撮像するに好適な値に選定されており、ワークW上のレジストパターン像は撮像手段1bで撮像され、制御部2に送られる。
制御部2は、撮像手段1bで撮像されたレジストパターン像と、基準となるパターン(マスタパターン)3とを比較しレジストパターンの欠陥の有無を検査する。
上記マスタパターンとしては、マスクパターンの作成に用いられたCADデータをもちいても良いし、あるいは、上記欠陥のないマスクを用いて露光され現像されたレジストパターン像であって、欠陥がないと判明している実パターンの画像でもよい。
なお、上記CADデータなど基準となるパターンは、前記図7に示したように、角の部分に突起が形成されるなど、エッチング後のパターンが所望のパターンになるように予め補正されたデータであり、レジストパターン像も上記補正がされたマスクパターンを転写したものであるから同様の形状である。したがって、上記制御部2は上記基準パターンとレジストパターンの違いの有無を判定することで、レジストパターンの欠陥の有無を判定することができる。
図3は、上記のようにして撮像された現像後のレジストパターン像の一例を示す図である。同図は、1ピクセル7μmのCCDカメラを使って撮像したものであり、レンズの投影倍率は3.5倍、分解能は2μm/ピクセルである。上記CCDカメラをワークの幅方向にワークの幅方向の長さ分、スキャンして画像を取り込んでいる。1コマのパターンの長さは30〜40mm程度であるので、1パターンの検査のためにCCDカメラを2〜3回スキャンしている。
同図において、黒く見える部分が銅箔の部分(レジストが除去されている部分)、やや色の薄い部分がレジストである。図3は銅箔部分とレジスト部分のピッチが45μmの画像でありライン/スペース(銅箔部分とレジスト部分の幅)は10μm/35μmである。 同図の右上に白く見える部分が異物が付着した欠陥部分である。同図に示すように、図2の検査装置によりレジストパターンの欠陥部分を抽出することができた。
図4は、本発明の実施例のマスクの検査方法の概要を説明する図である。
本実施例においては、以下の方法のいずれかによりマスクの欠陥を検出することができる。なお、図4では、2コマのレジストパターンを用いてマスクの欠陥の有無を検査する場合について説明するが、3コマ以上のレジストパターンを用いる場合にも、同様に行うことができる。
(a)第1の方法
図4(a)に示すように、まず、マスターパターン(マスタという)と、第1のレジストパターン(第1パターンという)および第2のレジストパターン(第2パターンという)とをそれぞれ比較し、第1、第2パターンの欠陥候補位置を抽出する(同図の(1)(2))。
ついで、第1パターン、第2パターンから抽出された欠陥候補について、同一個所に欠陥候補があるかを調べる( 同図の(3) )。第1パターンと第2パターンの同一個所に欠陥があれば、マスクに欠陥があると判定し、同一候補に欠陥がなければ、マスクの欠陥ではないと判定する。
(b)第2の方法
図4(b)に示すように、第1パターンとマスタを比較し欠陥候補を抽出する(同図の(1) )。ついで、第2パターンとマスタを比較するが、その際、第1パターンについて欠陥候補が抽出された個所と同一個所に第2パターンに欠陥があるかを調べる(同図の(2) )。同一個所に欠陥があれば、マスクに欠陥があると判定し、同一候補に欠陥がなければ、マスクの欠陥ではないと判定する。
(c)第3の方法
図4(c)に示すように、第1パターンとマスタを比較し、欠陥候補を抽出する(同図の(1) )。ついで、第1パターンと第2パターンを比較するが、その際、第1パターンについて欠陥候補が抽出された個所と同一個所について第2パターンに欠陥があるかを調べる。同一個所に欠陥があれば、マスクに欠陥があると判定し、同一候補に欠陥がなければ、マスクの欠陥ではないと判定する。
上記3つの方法の内、(a)の方法より、(b)(c)の方法の方が、比較回数を少なくすることができるので、短時間にマスクの欠陥検出処理を行うことができる。
図5は、マスク欠陥検出処理を示すフローチャートであり、図5参照しながら本実施例のマスク欠陥検出処理について説明する。
なお、ここでは、上記(a)〜(c)の方法の内、(a)の方法を用いてマスクの欠陥の検出を行う場合について説明するが、上記(b)(c)の方法を用いても同様に行うことができる。以下の括弧数字はフローチャートに付した数字に対応している。
(1)制御部2にマスタパターンを記憶させる。マスターパターンは、前記したようにCADデータに基づくマスクのパターンでも良いし、そのマスクを用いて露光し現像したレジストパターンであって、欠陥がないと判明している実パターンの画像を取り込んだものでも良い。
(2)検査対象のマスクを露光装置に搭載し、マスクパターンをワークに露光する。露光されるワークは、基板(板状の剛性の高いもの、やわらかいフィルム状もの含む)上に、金属箔または金属薄膜が形成され、その上にレジストが塗布されている。パターンが露光された後現像すると、金属上にレジストによるパターンが形成される。この後のエッチング工程において、レジストのない部分の金属がエッチングされ、配線等のパターンが形成されることになる。
なお、前記したように、マスクに欠陥が生じている可能性が低い場合、例えば念のためにマスクの検査をしたいという場合であれば1ロット全てのワークを露光しても良い。
一方、マスクに欠陥が生じている可能性が高い場合は数コマのみワークを露光する。以下では、最初の2コマ(もしくは3コマ)を露光する場合について説明する。
ついで、露光したワークを現像する。ワークに塗布されているレジストがポジレジストの場合は、露光された部分が現像液に溶け、ワーク上にはレジストによるパターンが形成される。
(3)現像によりレジストのパターンが形成されたワークから1コマ分(1ショット分)を取り出し、図2の検査装置のワークステージ1cに載置する。以下これを第1パターンと呼ぶ。TABテープのような帯状ワークの場合は、検査するパターンを切り取りワークステージに載せても良い。
第1パターンに、反射照明手段1aから照明光が照射され、撮像手段1bは第1パターンからの像を撮像する。照明光は、レジストのない金属部分では反射され、レジストの部分では吸収されやすい波長を選択する。これにより、前記したように金属の部分は明るく、レジストの残っている部分は暗い状態で撮像される。なお、前記図3はネガである。
次に、現像したワークのうち、別の1個(以下第2パターン)を取り出し、第1パターンの場合と同様に反射光により撮像を行う。さらに3コマ目のパターンがある場合には、上記と同様に反射光により撮像する。
(4)撮像された第1,第2(もしくは第1、第2、第3)のレジストパターンは制御部2に送られ、画像処理される。
第1パターンは、記憶しているマスターパターンと比較され、マスターパターンに対してあらかじめ設定した範囲を超えて太いところ(太り)や、細いところ(欠け)がないかどうか比較される。太りや欠けが検出された場合、それを第1パターンの欠陥候補点として、その位置を記憶する。制御部2は、その欠陥が太りなのか欠けなのかなどの欠陥の種類まで記憶できるようにしておくのが望ましい。
同様に、撮像された第2パターンは、記憶している基準パターンと比較され、基準パターンに対してあらかじめ設定した範囲を超えて太いところ(太り)や、細いところ(欠け)がないかどうか比較される。太りや欠けが検出された場合、それを第2パターンの欠陥候補点として、その位置を記憶する。さらに第3パターンがある場合には、上記と同様に欠陥候補点を検出する。
(5)上記の処理が終了すると、制御部2において、記憶していた第1パターンの欠陥候補点の位置と、今検査を終えて記憶した第2パターンの欠陥候補点の位置とを比較する。なお、第3パターンがある場合には、上記と同様に欠陥候補点の位置を比較する。また、各欠陥候補点における欠陥の種類が記憶されている場合には、欠陥の種類を比較してもよい。
そして、いずれか一方のパターンにしか存在しない欠陥については、個々のパターンの個別の問題として欠陥候補点から削除していき、ここでは問題としない。
しかし、両方のパターンの同じ位置に存在する欠陥候補点は、マスクの問題であるとして、制御部2は、警報を鳴らしたり画面に表示したりするなどして、作業者にそのことを知らせる。
なお、制御部2において、欠陥候補点における「太り」や「欠け」といった欠陥の種類も記憶していれば、同じ位置に存在する欠陥候補が同じ種類の欠陥であるかどうかも判定できる。「太り」なら[太り]、「欠け」なら「欠け」という同じ種類の欠陥であれば、マスクの欠陥であることはほぼ確実である。
警報や画面表示になど基づきマスクに欠陥があることがわかると、作業者はそのワークを露光した露光装置のマスクの検査を行ない、前記したようにマスクのクリーニングや新しいものに交換する。残りのワークが未露光であれば、クリーニングした、または新しく交換したマスクで露光する。また、そのマスクで露光してしまったワークについては、全数が欠陥を有している可能性が高いので、レジストを剥離し、再度レジストの塗布から露光をやり直す工程に戻す。
両方のパターンの同じ位置に欠陥候補点が存在しなければ、マスクには欠陥がないとして、制御部2は表示画面等によりその旨を表示して、作業者に知らせる。作業者は、そのマスクで露光され現像されたワークを、次のエッチング工程に送る。
以上のように、本実施例では、マスクに欠陥が生じている場合、そのマスクで露光したワークについては、必ず同じ位置に同じ種類の欠陥が生じるはずであるということを利用してマスクの検査を行なう。
ここで、偶然に異なる2つのパターンの同じ位置にゴミがつくと、マスクの欠陥として検出されるが、確率的にそのようなことはほとんど起きないと考える。もし心配なら、上記のように3コマ(3ショット)のレジストパターンにより比較検査すればよい。
いずれか一方にしか存在しない欠陥については、マスクの欠陥により生じたものではなく、それ以外の原因、例えばレジストパターンにたまたまゴミが付着している等と判断し、この段階では欠陥とはしない。個々のパターンに発生している欠陥については、エッチングにより金属配線パターンを形成した後に、前記した図1の(5)において、あらためて検査を行なう。
本発明の実施例のパターン形成の全体の流れを示す図である。 本発明の実施例のマスク検査装置の構成例を示す図である。 現像後のレジストパターン像の一例を示す図である。 本発明の実施例のマスクの検査方法の概要を説明する図である。 本発明の実施例のマスク欠陥検出処理を示すフローチャートである。 ワーク上に配線等のパターンを形成する全体の手順を示す図である。 エッチング後のパターンの変形を考慮したマスクパターンの補正例を示す図である。
符号の説明
1 検査部
1a 反射照明手段
1b 撮像手段
1b ステージ
2 制御部
W ワーク

Claims (1)

  1. レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し、露光されたワークを現像処理した後、エッチング処理を行い、必要に応じてワーク上に形成されたパターンの検査を行い、上記ワーク上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
    上記露光・現像処理後であって、エッチング処理の前に、
    露光・現像処理によりワーク上に形成されたレジストパターンを少なくとも2ショット分取り出し、
    上記取り出したレジストパターンの内の少なくとも1ショット分のレジストパターンと、上記露光に用いたマスク上に形成された検査の基準となるマスタパターンとを比較して上記レジストパターンの欠陥の有無を検査し、欠陥個所を抽出し、
    上記取り出した他のレジストパターンについて、少なくとも上記欠陥個所と同一個所に欠陥が存在するかを検査し、同一個所に欠陥が存在する場合、上記露光に用いたマスクに欠陥があると判定するマスク検査工程を設けた
    ことを特徴とするパターン形成方法。


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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020143371A (ja) * 2014-06-06 2020-09-10 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63122119A (ja) * 1986-11-11 1988-05-26 Ricoh Co Ltd 縮小投影露光装置用フオトマスクの検査方法
JPS63136541A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Canon Inc パターン検査装置
JPS63241927A (ja) * 1987-03-30 1988-10-07 Nikon Corp マスク検査方法
JPH03242651A (ja) * 1990-02-21 1991-10-29 Ushio Inc フィルム露光装置
JPH05175302A (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 Ushio Inc 画像検査装置
JPH0862850A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Ushio Inc プロキシミティ露光装置
JPH09211840A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd レチクルの検査方法及び検査装置並びにパターンの検査方法及び検査装置
JP2001015408A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Toshiba Corp レジストパターン形成装置及び基板検査装置
JP2002250700A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Matsushita Electric Works Ltd パターン検査方法およびその装置
JP2002365786A (ja) * 2001-06-05 2002-12-18 Sony Corp マスクの欠陥検査方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63122119A (ja) * 1986-11-11 1988-05-26 Ricoh Co Ltd 縮小投影露光装置用フオトマスクの検査方法
JPS63136541A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Canon Inc パターン検査装置
JPS63241927A (ja) * 1987-03-30 1988-10-07 Nikon Corp マスク検査方法
JPH03242651A (ja) * 1990-02-21 1991-10-29 Ushio Inc フィルム露光装置
JPH05175302A (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 Ushio Inc 画像検査装置
JPH0862850A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Ushio Inc プロキシミティ露光装置
JPH09211840A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd レチクルの検査方法及び検査装置並びにパターンの検査方法及び検査装置
JP2001015408A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Toshiba Corp レジストパターン形成装置及び基板検査装置
JP2002250700A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Matsushita Electric Works Ltd パターン検査方法およびその装置
JP2002365786A (ja) * 2001-06-05 2002-12-18 Sony Corp マスクの欠陥検査方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020143371A (ja) * 2014-06-06 2020-09-10 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
JP7191060B2 (ja) 2014-06-06 2022-12-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及びパターンの形成方法

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