JP2000146853A - レジストパターンの欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents
レジストパターンの欠陥検査装置及び欠陥検査方法Info
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- JP2000146853A JP2000146853A JP10319126A JP31912698A JP2000146853A JP 2000146853 A JP2000146853 A JP 2000146853A JP 10319126 A JP10319126 A JP 10319126A JP 31912698 A JP31912698 A JP 31912698A JP 2000146853 A JP2000146853 A JP 2000146853A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、カラー受像管のシャドウマスクの
製造工程において、金属基体のレジストパターンをＳＮ
比の高い画像で取り込みレジストパターンの孔欠陥を精
度良く効率的に検出できるレジストパターンの欠陥検査
装置を提供する。 【解決手段】 金属基体１１上に付したレジストパター
ンを形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する光
を前記レジストパターンに励起光として照射する励起光
照射手段１２と、この励起光照射手段１２からの励起光
を基に前記レジストパターンの励起光照射部分から発せ
られた蛍光をレジストパターン像として検出するＣＣＤ
カメラ２７と、ＣＣＤカメラ２７により検出したレジス
トパターン像の信号を取り込んで演算処理し、前記金属
基体上のレジストパターンの欠陥の有無を判別する画像
処理ユニットとを有するものである。
製造工程において、金属基体のレジストパターンをＳＮ
比の高い画像で取り込みレジストパターンの孔欠陥を精
度良く効率的に検出できるレジストパターンの欠陥検査
装置を提供する。 【解決手段】 金属基体１１上に付したレジストパター
ンを形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する光
を前記レジストパターンに励起光として照射する励起光
照射手段１２と、この励起光照射手段１２からの励起光
を基に前記レジストパターンの励起光照射部分から発せ
られた蛍光をレジストパターン像として検出するＣＣＤ
カメラ２７と、ＣＣＤカメラ２７により検出したレジス
トパターン像の信号を取り込んで演算処理し、前記金属
基体上のレジストパターンの欠陥の有無を判別する画像
処理ユニットとを有するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストパターン
の欠陥検査装置及び欠陥検査方法に関するものであり、
特にカラー受像管のシャドウマスクの製造工程におい
て、シャドウマスクを形成するための金属基体上のレジ
ストパータンの孔欠陥を、精度良く効率的に検査できる
レジストパターンの欠陥検査装置及び欠陥検査方法に関
するものである。
の欠陥検査装置及び欠陥検査方法に関するものであり、
特にカラー受像管のシャドウマスクの製造工程におい
て、シャドウマスクを形成するための金属基体上のレジ
ストパータンの孔欠陥を、精度良く効率的に検査できる
レジストパターンの欠陥検査装置及び欠陥検査方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、カラー受像管のシャドウマスク
は、カラー受像管の内部の蛍光体層の直前に配置され、
このシャドウマスクの前面に設けられた多数の透孔を通
して電子銃から放射された電子ビームを選別し、シャド
ウマスクの透孔と幾何学的に一対一の関係にある蛍光体
層のみに電子ビームを衝突させる機能を有し、別名、色
選別電極とも称されている。
は、カラー受像管の内部の蛍光体層の直前に配置され、
このシャドウマスクの前面に設けられた多数の透孔を通
して電子銃から放射された電子ビームを選別し、シャド
ウマスクの透孔と幾何学的に一対一の関係にある蛍光体
層のみに電子ビームを衝突させる機能を有し、別名、色
選別電極とも称されている。
【０００３】シャドウマスクは、０．１〜０．２５ｍｍ
程度の板厚のアルミキルド鋼又はアンバー材に数万個乃
至数十万個の微小な円形又は矩形の透孔を穿設したもの
であり、フォトエッチングの手法により製造される。
程度の板厚のアルミキルド鋼又はアンバー材に数万個乃
至数十万個の微小な円形又は矩形の透孔を穿設したもの
であり、フォトエッチングの手法により製造される。
【０００４】ここで、シャドウマスクの製造方法につい
て概説すると、まず、アルミキルド鋼又はアンバー材の
表面に塗布された防錆油を除去するために脱脂洗浄を行
い、このアルミキルド鋼又はアンバー材の金属基体の両
面にカゼイン−重クロム酸塩系、ＰＶＡ−重クロム酸塩
系のレジストを塗布し、乾燥する。この後、所定のパタ
ーンが形成された一対のフォトマスクをレジストが塗布
された金属基体の両面に真空蒸着し、露光する。
て概説すると、まず、アルミキルド鋼又はアンバー材の
表面に塗布された防錆油を除去するために脱脂洗浄を行
い、このアルミキルド鋼又はアンバー材の金属基体の両
面にカゼイン−重クロム酸塩系、ＰＶＡ−重クロム酸塩
系のレジストを塗布し、乾燥する。この後、所定のパタ
ーンが形成された一対のフォトマスクをレジストが塗布
された金属基体の両面に真空蒸着し、露光する。
【０００５】この後、現像、乾燥、焼き付けを行い、一
般的には透孔形状の円形のものは表面、裏面の２回に分
けて、矩形のものは両面から同時にエッチングする。
般的には透孔形状の円形のものは表面、裏面の２回に分
けて、矩形のものは両面から同時にエッチングする。
【０００６】この後、レジストを剥離し、一枚一枚に切
り離すことでシャドウマスクが完成する。
り離すことでシャドウマスクが完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シャドウマ
スクの露光工程において、以下のような問題がある。
スクの露光工程において、以下のような問題がある。
【０００８】シャドウマスクの露光工程においては、フ
ォトマスクとしてガラス基体上に硝酸銀系の感光材をゼ
ラチン膜に分散させた乳剤を塗布したエマルジョンマス
クに所定のパターンを形成したものを用いている。
ォトマスクとしてガラス基体上に硝酸銀系の感光材をゼ
ラチン膜に分散させた乳剤を塗布したエマルジョンマス
クに所定のパターンを形成したものを用いている。
【０００９】このエマルジョンマスクは、安価でシャド
ウマスク用やＰＤＰ用の大型マスクが容易に得られる反
面、乳剤層としてゼラチン膜を用いているため、膜硬
度、膜強度が弱く、傷が付き易いという欠点がある。
ウマスク用やＰＤＰ用の大型マスクが容易に得られる反
面、乳剤層としてゼラチン膜を用いているため、膜硬
度、膜強度が弱く、傷が付き易いという欠点がある。
【００１０】しかも、シャドウマスクの露光工程におい
て、所謂ハードコンタクト露光と呼ばれるレジスト膜と
乳剤層とを強く押し付けて密着させて露光を行うことか
ら、レジスト膜と乳剤層の間に異物が入ってしまうと、
膜硬度、膜強度が弱い乳剤層の方に傷が付いたり、パタ
ーンの一部が欠落したり、異物が本来の透孔部にめり込
んでしまったり、結果としてこれらに起因する露光領域
に孔欠陥不良を生じさせてしまう。
て、所謂ハードコンタクト露光と呼ばれるレジスト膜と
乳剤層とを強く押し付けて密着させて露光を行うことか
ら、レジスト膜と乳剤層の間に異物が入ってしまうと、
膜硬度、膜強度が弱い乳剤層の方に傷が付いたり、パタ
ーンの一部が欠落したり、異物が本来の透孔部にめり込
んでしまったり、結果としてこれらに起因する露光領域
に孔欠陥不良を生じさせてしまう。
【００１１】しかも、このようなダメージがエマルジョ
ンマスクに生じると、その後回復することがないので、
気付かなければ以降のすべてのシャドウマスクの同じ部
位に共通欠陥が生じ、大きな歩留まり低下の要因となっ
てしまう。
ンマスクに生じると、その後回復することがないので、
気付かなければ以降のすべてのシャドウマスクの同じ部
位に共通欠陥が生じ、大きな歩留まり低下の要因となっ
てしまう。
【００１２】特にエッチング処理がされてしまうと、も
はや金属基体に回復できないことからその影響は大き
い。
はや金属基体に回復できないことからその影響は大き
い。
【００１３】このため、エマルジョンマスクの表面に特
殊な保護膜を形成して膜強度を上げる手段、更に膜硬度
及び膜強度が弱いエマルジョンマスクの代りに、液晶や
半導体の製造に用いられるガラス上に金属クロム膜をス
パッタリング等により形成したハードマスクの使用、さ
らには、無電界メッキ方法で形成したハードマスクの使
用等が提案され、また、実用化に向けて検討されている
が、検討課題も多く、実用化にはかなりの時間を要する
のが実情である。
殊な保護膜を形成して膜強度を上げる手段、更に膜硬度
及び膜強度が弱いエマルジョンマスクの代りに、液晶や
半導体の製造に用いられるガラス上に金属クロム膜をス
パッタリング等により形成したハードマスクの使用、さ
らには、無電界メッキ方法で形成したハードマスクの使
用等が提案され、また、実用化に向けて検討されている
が、検討課題も多く、実用化にはかなりの時間を要する
のが実情である。
【００１４】そこで、生産性の観点からは問題がある
が、現像処理後のレジストパターンを検査し、共通欠陥
を検出して、共通欠陥が存在するものはエッチングしな
いでレジストを剥離し、金属基体を再使用することが望
まれている。
が、現像処理後のレジストパターンを検査し、共通欠陥
を検出して、共通欠陥が存在するものはエッチングしな
いでレジストを剥離し、金属基体を再使用することが望
まれている。
【００１５】このような現像処理後のレジストパターン
の検査方法としては、レーザ顕微鏡を用いる方法、レジ
ストパターンへ光を照射して反射光をＣＣＤカメラで取
り込む方法等があるが、これらの方法では反射光がシャ
ドウマスクの金属基体特有のタル表面の凹凸の影響を受
けてしまい、ＳＮ比の高いレジストパターン画像を取り
込むことは困難であるという問題があった。
の検査方法としては、レーザ顕微鏡を用いる方法、レジ
ストパターンへ光を照射して反射光をＣＣＤカメラで取
り込む方法等があるが、これらの方法では反射光がシャ
ドウマスクの金属基体特有のタル表面の凹凸の影響を受
けてしまい、ＳＮ比の高いレジストパターン画像を取り
込むことは困難であるという問題があった。
【００１６】本発明は上述した問題に鑑みてなされたも
のであり、特にカラー受像管のシャドウマスクの製造工
程において、金属基体上のレジストパターンをＳＮ比の
高い画像で取り込みレジストパターンの孔欠陥を精度良
く効率的に検出できるレジストパターンの欠陥検査装置
及び欠陥検査方法を提供することを目的とするものであ
る。
のであり、特にカラー受像管のシャドウマスクの製造工
程において、金属基体上のレジストパターンをＳＮ比の
高い画像で取り込みレジストパターンの孔欠陥を精度良
く効率的に検出できるレジストパターンの欠陥検査装置
及び欠陥検査方法を提供することを目的とするものであ
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
るレジストパターンの欠陥検査装置は、金属基体上に付
したレジストパターンを形成するレジストが蛍光を発す
る波長域を有する光を前記レジストパターンに励起光と
して照射する励起光照射手段と、この励起光照射手段か
らの励起光を基に前記レジストパターンの励起光照射部
分から発せられた蛍光をレジストパターン像として検出
する検出手段と、検出手段により検出したレジストパタ
ーン像の信号を取り込んで演算処理し、前記金属基体上
のレジストパターンの欠陥の有無を判別する欠陥判別手
段とを有することを特徴とするものである。
るレジストパターンの欠陥検査装置は、金属基体上に付
したレジストパターンを形成するレジストが蛍光を発す
る波長域を有する光を前記レジストパターンに励起光と
して照射する励起光照射手段と、この励起光照射手段か
らの励起光を基に前記レジストパターンの励起光照射部
分から発せられた蛍光をレジストパターン像として検出
する検出手段と、検出手段により検出したレジストパタ
ーン像の信号を取り込んで演算処理し、前記金属基体上
のレジストパターンの欠陥の有無を判別する欠陥判別手
段とを有することを特徴とするものである。
【００１８】本発明によれば、励起光照射手段によって
レジストが蛍光を発する波長領域を含む光をレジストパ
ターン上に照射し、このレジストパターンから発せられ
た蛍光を検出手段によりレジストパターン像として検出
し、欠陥判別手段により、検出したレジストパターン像
の信号を取り込んで演算処理し、前記金属基体上のレジ
ストパターンの欠陥の有無を判別するものであり、レジ
ストパターンから発せられた蛍光を利用するものである
から、金属基体の凹凸等の影響を受けることがないＳＮ
比の高いレジストパターン像を得て欠陥判別を行うこと
ができる。
レジストが蛍光を発する波長領域を含む光をレジストパ
ターン上に照射し、このレジストパターンから発せられ
た蛍光を検出手段によりレジストパターン像として検出
し、欠陥判別手段により、検出したレジストパターン像
の信号を取り込んで演算処理し、前記金属基体上のレジ
ストパターンの欠陥の有無を判別するものであり、レジ
ストパターンから発せられた蛍光を利用するものである
から、金属基体の凹凸等の影響を受けることがないＳＮ
比の高いレジストパターン像を得て欠陥判別を行うこと
ができる。
【００１９】請求項２記載の発明に係るレジストパター
ンの欠陥検査装置は、請求項１記載のレジストパターン
の欠陥検査装置において、レジストが蛍光を発する波長
域を有する励起光を前記レジストパターンに照射する励
起光照射手段は、近紫外及び可視の短波長域において放
射スペクトルを有する光を、特定の波長に対して最大の
透過率を示し他の照射光は遮るように構成されたフィル
タを用いて所定の波長の励起光としてレジストパターン
に照射する構成であることを特徴とするものである。
ンの欠陥検査装置は、請求項１記載のレジストパターン
の欠陥検査装置において、レジストが蛍光を発する波長
域を有する励起光を前記レジストパターンに照射する励
起光照射手段は、近紫外及び可視の短波長域において放
射スペクトルを有する光を、特定の波長に対して最大の
透過率を示し他の照射光は遮るように構成されたフィル
タを用いて所定の波長の励起光としてレジストパターン
に照射する構成であることを特徴とするものである。
【００２０】本発明によれば、前記励起光照射手段を、
近紫外及び可視の短波長域において放射スペクトルを有
する光を、特定の波長に対して最大の透過率を示し他の
照射光は遮るように構成されたフィルタを用いて所定の
波長の励起光を得るように構成したものであるから、前
記フィルタを用いた簡略な構成からなる励起光照射手段
により前記レジストパターンから蛍光を発生させること
ができる。
近紫外及び可視の短波長域において放射スペクトルを有
する光を、特定の波長に対して最大の透過率を示し他の
照射光は遮るように構成されたフィルタを用いて所定の
波長の励起光を得るように構成したものであるから、前
記フィルタを用いた簡略な構成からなる励起光照射手段
により前記レジストパターンから蛍光を発生させること
ができる。
【００２１】請求項３記載の発明に係るレジストパター
ンの欠陥検査装置は、請求項１又は２記載のレジストパ
ターンの欠陥検査装置において、前記近紫外及び可視の
短波長域において放射スペクトルを有する光は、ガス放
電ンプ、ハロゲンランプ、水銀ランプ、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ又は高圧キセノ
ンランプの中から選定される光源から発せられる光であ
ることを特徴とするものである。
ンの欠陥検査装置は、請求項１又は２記載のレジストパ
ターンの欠陥検査装置において、前記近紫外及び可視の
短波長域において放射スペクトルを有する光は、ガス放
電ンプ、ハロゲンランプ、水銀ランプ、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ又は高圧キセノ
ンランプの中から選定される光源から発せられる光であ
ることを特徴とするものである。
【００２２】本発明によれば、前記近紫外及び可視の短
波長域において放射スペクトルを有する光を、ガス放電
ンプ、ハロゲンランプ、水銀ランプ、高圧水銀ランプ、
超高圧水銀ランプ、キセノンランプ又は高圧キセノンラ
ンプの中から選定されるいずれかの光源から発するよう
に構成したものであるから、前記レジストパターンの欠
陥検査装置を構成する励起光照射手段の光源として上述
した種々のランプから任意に選択して使用することがで
きる。
波長域において放射スペクトルを有する光を、ガス放電
ンプ、ハロゲンランプ、水銀ランプ、高圧水銀ランプ、
超高圧水銀ランプ、キセノンランプ又は高圧キセノンラ
ンプの中から選定されるいずれかの光源から発するよう
に構成したものであるから、前記レジストパターンの欠
陥検査装置を構成する励起光照射手段の光源として上述
した種々のランプから任意に選択して使用することがで
きる。
【００２３】請求項４記載の発明に係るレジストパター
ンの欠陥検査装置は、請求項１記載のレジストパターン
の欠陥検査装置において、レジストが蛍光を発する波長
域を有する励起光を前記レジストパターンに照射する励
起光照射手段は、近紫外及び可視の短波長域の特定の波
長の光を発するレーザ光源であることを特徴とするもの
である。
ンの欠陥検査装置は、請求項１記載のレジストパターン
の欠陥検査装置において、レジストが蛍光を発する波長
域を有する励起光を前記レジストパターンに照射する励
起光照射手段は、近紫外及び可視の短波長域の特定の波
長の光を発するレーザ光源であることを特徴とするもの
である。
【００２４】本発明によれば、前記近紫外及び可視の短
波長域において単一波長のスペクトルを有する光を、レ
ーザ光源より発するようにしたものであるから、前記レ
ジストパターンの欠陥検査装置を構成する極めて効率の
よい励起光照射手段として用いることができる。
波長域において単一波長のスペクトルを有する光を、レ
ーザ光源より発するようにしたものであるから、前記レ
ジストパターンの欠陥検査装置を構成する極めて効率の
よい励起光照射手段として用いることができる。
【００２５】請求項５記載の発明に係るレジストパター
ンの欠陥検査装置は、請求項１、２又は４のいずれかに
記載のレジストパターンの欠陥検査装置において、前記
励起光照射手段は、金属基体上に付したレジストパター
ンに対して斜め上方から励起光を照射し、前記検出手段
は前記レジストパターンの励起光照射部分から発せられ
た蛍光を真上又は略真上から検出することを特徴とする
ものである。
ンの欠陥検査装置は、請求項１、２又は４のいずれかに
記載のレジストパターンの欠陥検査装置において、前記
励起光照射手段は、金属基体上に付したレジストパター
ンに対して斜め上方から励起光を照射し、前記検出手段
は前記レジストパターンの励起光照射部分から発せられ
た蛍光を真上又は略真上から検出することを特徴とする
ものである。
【００２６】本発明によれば、前記励起光照射手段の配
置を金属基体に対して斜め上方から励起光を照射する傾
斜配置として、前記検出手段に対してレジストパターン
に当って反射した励起光が入射することを回避しつつ前
記検出手段によりレジストパターンから発せられた蛍光
を効率よく検出することができる。
置を金属基体に対して斜め上方から励起光を照射する傾
斜配置として、前記検出手段に対してレジストパターン
に当って反射した励起光が入射することを回避しつつ前
記検出手段によりレジストパターンから発せられた蛍光
を効率よく検出することができる。
【００２７】請求項６記載の発明に係るレジストパター
ンの欠陥検査装置は、請求項１、２又は４のいずれかに
記載のレジストパターンの欠陥検査装置において、前記
励起光照射手段は、金属基体上に付したレジストパター
ンに対して真上又は略真上から励起光を照射し、前記検
出手段は、前記レジストパターンの励起光照射部分から
発せられた蛍光を真上又は略真上から蛍光を透過し励起
光を遮る受光フイルタを介して検出することを特徴とす
るものである。
ンの欠陥検査装置は、請求項１、２又は４のいずれかに
記載のレジストパターンの欠陥検査装置において、前記
励起光照射手段は、金属基体上に付したレジストパター
ンに対して真上又は略真上から励起光を照射し、前記検
出手段は、前記レジストパターンの励起光照射部分から
発せられた蛍光を真上又は略真上から蛍光を透過し励起
光を遮る受光フイルタを介して検出することを特徴とす
るものである。
【００２８】本発明によれば、前記励起光照射手段の配
置を金属基体に対して真上又は略真上から励起光を照射
する配置とするとともに、前記金属基体に対して真上又
は略真上に配置した検出手段により、蛍光を透過し励起
光を遮る受光フイルタを介して前記レジストパターンの
励起光照射部分から発せられた蛍光を検出するものであ
るから、前記検出手段への励起光の入射を遮りつつこの
検出手段によりレジストパターンから発せられた蛍光を
効率よく検出することができる。
置を金属基体に対して真上又は略真上から励起光を照射
する配置とするとともに、前記金属基体に対して真上又
は略真上に配置した検出手段により、蛍光を透過し励起
光を遮る受光フイルタを介して前記レジストパターンの
励起光照射部分から発せられた蛍光を検出するものであ
るから、前記検出手段への励起光の入射を遮りつつこの
検出手段によりレジストパターンから発せられた蛍光を
効率よく検出することができる。
【００２９】請求項７記載の発明に係るレジストパター
ンの欠陥検査方法は、金属基体上に付したレジストパタ
ーンを形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する
光を前記レジストパターンに対して励起光として斜め上
方から照射し、この励起光照射に基づく前記レジストパ
ターンの励起光照射部分から発せられた蛍光をレジスト
パターン像として検出し、検出したレジストパターン像
の信号を取り込んで演算処理し、前記金属基体上のレジ
ストパターンの欠陥の有無を判別することを特徴とする
ものである。
ンの欠陥検査方法は、金属基体上に付したレジストパタ
ーンを形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する
光を前記レジストパターンに対して励起光として斜め上
方から照射し、この励起光照射に基づく前記レジストパ
ターンの励起光照射部分から発せられた蛍光をレジスト
パターン像として検出し、検出したレジストパターン像
の信号を取り込んで演算処理し、前記金属基体上のレジ
ストパターンの欠陥の有無を判別することを特徴とする
ものである。
【００３０】本発明によれば、金属基体上に付したレジ
ストパターンに対して励起光を斜め上方から照射し、こ
の励起光照射に基づく前記レジストパターンの励起光照
射部分から発せられた蛍光を検出することでレジストパ
ターン像を得て、このレジストパターン像の信号を演算
処理することによって、前記金属基体上のレジストパタ
ーンの欠陥の有無を判別するものであるから、レジスト
パターンに対する励起光の斜め上方からの照射、レジス
トパターンからの蛍光の検出によるレジストパターン像
の取得及びレジストパターン像の信号の演算処理という
一連の処理によって、金属基体の凹凸等の影響を受ける
ことがないＳＮ比の高いレジストパターン像を得て欠陥
判別を効率よく実行できるレジストパターンの欠陥検査
方法を提供できる。
ストパターンに対して励起光を斜め上方から照射し、こ
の励起光照射に基づく前記レジストパターンの励起光照
射部分から発せられた蛍光を検出することでレジストパ
ターン像を得て、このレジストパターン像の信号を演算
処理することによって、前記金属基体上のレジストパタ
ーンの欠陥の有無を判別するものであるから、レジスト
パターンに対する励起光の斜め上方からの照射、レジス
トパターンからの蛍光の検出によるレジストパターン像
の取得及びレジストパターン像の信号の演算処理という
一連の処理によって、金属基体の凹凸等の影響を受ける
ことがないＳＮ比の高いレジストパターン像を得て欠陥
判別を効率よく実行できるレジストパターンの欠陥検査
方法を提供できる。
【００３１】請求項８記載の発明に係るレジストパター
ンの欠陥検査方法は、金属基体上に付したレジストパタ
ーンを形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する
光を前記レジストパターンに対して励起光として真上又
は略真上から照射し、この励起光照射に基づく前記レジ
ストパターンの励起光照射部分から発せられた蛍光を、
真上又は略真上から蛍光を透過し励起光を遮る受光フイ
ルタを介して検出し、検出したレジストパターン像の信
号を取り込んで演算処理し、前記金属基体上のレジスト
パターンの欠陥の有無を判別することを特徴とするもの
である。
ンの欠陥検査方法は、金属基体上に付したレジストパタ
ーンを形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する
光を前記レジストパターンに対して励起光として真上又
は略真上から照射し、この励起光照射に基づく前記レジ
ストパターンの励起光照射部分から発せられた蛍光を、
真上又は略真上から蛍光を透過し励起光を遮る受光フイ
ルタを介して検出し、検出したレジストパターン像の信
号を取り込んで演算処理し、前記金属基体上のレジスト
パターンの欠陥の有無を判別することを特徴とするもの
である。
【００３２】本発明によれば、金属基体上に付したレジ
ストパターンに対して励起光を真上又は略真上から照射
し、この励起光照射に基づく前記レジストパターンの励
起光照射部分から発せられた蛍光を蛍光を透過し励起光
を遮る受光フイルタを介して検出することでレジストパ
ターン像を得て、このレジストパターン像の信号を演算
処理することによって、前記金属基体上のレジストパタ
ーンの欠陥の有無を判別するものであるから、レジスト
パターンに対する励起光の真上又は略真上からの照射、
レジストパターンからの反射励起光を遮りつつの蛍光の
検出によるレジストパターン像の取得及びレジストパタ
ーン像の信号の演算処理という一連の処理によって、金
属基体の凹凸等の影響を受けることがないＳＮ比の高い
レジストパターン像を得て欠陥判別を効率よく実行でき
るレジストパターンの欠陥検査方法を提供できる。
ストパターンに対して励起光を真上又は略真上から照射
し、この励起光照射に基づく前記レジストパターンの励
起光照射部分から発せられた蛍光を蛍光を透過し励起光
を遮る受光フイルタを介して検出することでレジストパ
ターン像を得て、このレジストパターン像の信号を演算
処理することによって、前記金属基体上のレジストパタ
ーンの欠陥の有無を判別するものであるから、レジスト
パターンに対する励起光の真上又は略真上からの照射、
レジストパターンからの反射励起光を遮りつつの蛍光の
検出によるレジストパターン像の取得及びレジストパタ
ーン像の信号の演算処理という一連の処理によって、金
属基体の凹凸等の影響を受けることがないＳＮ比の高い
レジストパターン像を得て欠陥判別を効率よく実行でき
るレジストパターンの欠陥検査方法を提供できる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００３４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１のレジストパターンの欠陥検査装置を示すもので
あり、このレジストパターンの欠陥検査装置は、図１に
示す矢印方向に垂直配置で搬送される検査対象となるカ
ゼイン−重クロム塩系のレジストからなるレジストパタ
ーンが付いた金属基体１１に対して、所定の波長の光を
照射し、レジストパターンから蛍光を発せさせる励起光
照射手段１２と、金属基体１１に付いたレジストからの
蛍光を検出する検出手段１３と、検出手段１３からの出
力信号を取り込んで画像処理し、レジストパターンの欠
陥の有無を判別する欠陥判別手段である画像処理ユニッ
ト１７と、この欠陥検査装置全体を制御するとともに前
記画像処理ユニット１７による処理結果の表示等を行う
コンピュータ装置１８とを有している。コンピュータ装
置１８は、ディスプレイ１９、キーボード２０、本体２
１を具備している。
形態１のレジストパターンの欠陥検査装置を示すもので
あり、このレジストパターンの欠陥検査装置は、図１に
示す矢印方向に垂直配置で搬送される検査対象となるカ
ゼイン−重クロム塩系のレジストからなるレジストパタ
ーンが付いた金属基体１１に対して、所定の波長の光を
照射し、レジストパターンから蛍光を発せさせる励起光
照射手段１２と、金属基体１１に付いたレジストからの
蛍光を検出する検出手段１３と、検出手段１３からの出
力信号を取り込んで画像処理し、レジストパターンの欠
陥の有無を判別する欠陥判別手段である画像処理ユニッ
ト１７と、この欠陥検査装置全体を制御するとともに前
記画像処理ユニット１７による処理結果の表示等を行う
コンピュータ装置１８とを有している。コンピュータ装
置１８は、ディスプレイ１９、キーボード２０、本体２
１を具備している。
【００３５】前記励起光照射手段１２は、図２に示すよ
うに、近紫外及び可視の短波長域において図４に示す光
スペクトル２４ａをもった光を発する直流タイプに構成
した超高圧水銀ランプ２４と、図５に示すように、３５
５ｎｍと４２５ｎｍのハーフパワーポイント２５ａを有
し、超高圧水銀ランプ２４からの光のうち、３５５ｎｍ
乃至４２５ｎｍの間の波長の光を透過して励起光とする
フィルタ２５と、集光光学系２６とを具備し、前記金属
基体１１に付いたレジストパターンに斜め上方から励起
光を照射して、金属基体１１に付いたレジストに蛍光を
発生させるように構成している。
うに、近紫外及び可視の短波長域において図４に示す光
スペクトル２４ａをもった光を発する直流タイプに構成
した超高圧水銀ランプ２４と、図５に示すように、３５
５ｎｍと４２５ｎｍのハーフパワーポイント２５ａを有
し、超高圧水銀ランプ２４からの光のうち、３５５ｎｍ
乃至４２５ｎｍの間の波長の光を透過して励起光とする
フィルタ２５と、集光光学系２６とを具備し、前記金属
基体１１に付いたレジストパターンに斜め上方から励起
光を照射して、金属基体１１に付いたレジストに蛍光を
発生させるように構成している。
【００３６】尚、超高圧水銀ランプ２４の他に、ガス放
電ンプ、ハロゲンランプ、水銀ランプ、高圧水銀ラン
プ、キセノンランプ又は高圧キセノンランプを使用する
こともでき、これら各ランプから任意に選択したランプ
を光源として用いることができる。さらに、図示してい
ないが、近紫外及び可視の短波長域において放射スペク
トルを有する光を発する光源としてレーザ光源を使用す
ることもできる。
電ンプ、ハロゲンランプ、水銀ランプ、高圧水銀ラン
プ、キセノンランプ又は高圧キセノンランプを使用する
こともでき、これら各ランプから任意に選択したランプ
を光源として用いることができる。さらに、図示してい
ないが、近紫外及び可視の短波長域において放射スペク
トルを有する光を発する光源としてレーザ光源を使用す
ることもできる。
【００３７】前記検出手段１３は、例えばレンズ２８を
装着したＣＣＤカメラ２７を用いて構成している。
装着したＣＣＤカメラ２７を用いて構成している。
【００３８】前記画像処理ユニット１７は、図３に示す
ように、ＣＣＤカメラ２７の出力信号をディジタル信号
に変換するＡ／Ｄ変換器３１と、制御動作を実行するＣ
ＰＵ３２と、このＣＰＵ３２の制御の基に所定の欠陥検
出アルゴリズムに従った欠陥検出のための演算を行う演
算部３３と、この演算部３３の演算結果を取り込み欠陥
部位の寸法（大きさ）を求める寸法算出部３４と、演算
部３３及び寸法算出部３４の処理結果を記憶するメモリ
３５と、ＣＰＵ３２の制御の基に演算部３３及び寸法算
出部３４の処理結果を前記コンピュータ装置１８に転送
するインターフェース３６とを具備している。
ように、ＣＣＤカメラ２７の出力信号をディジタル信号
に変換するＡ／Ｄ変換器３１と、制御動作を実行するＣ
ＰＵ３２と、このＣＰＵ３２の制御の基に所定の欠陥検
出アルゴリズムに従った欠陥検出のための演算を行う演
算部３３と、この演算部３３の演算結果を取り込み欠陥
部位の寸法（大きさ）を求める寸法算出部３４と、演算
部３３及び寸法算出部３４の処理結果を記憶するメモリ
３５と、ＣＰＵ３２の制御の基に演算部３３及び寸法算
出部３４の処理結果を前記コンピュータ装置１８に転送
するインターフェース３６とを具備している。
【００３９】次に、上述した本実施の形態１のレジスト
パターンの欠陥検査装置による欠陥検出動作について図
６を参照して説明する。
パターンの欠陥検査装置による欠陥検出動作について図
６を参照して説明する。
【００４０】図６の左欄において、４２は金属基体１１
上でレジストが被着した部分であり４１は金属基体１１
が剥き出しの部分である。
上でレジストが被着した部分であり４１は金属基体１１
が剥き出しの部分である。
【００４１】金属基体１１上のレジスト４２は、前記超
高圧水銀ランプ２４から放射され、フィルタ２５を経た
励起光の照射により蛍光を発し、これにより、レンズ２
８を介して拡大されＣＣＤカメラ２７により検出される
レジスト４１に対応するレジストパターンの開口部５１
は図６の右欄においてクロス斜線を付していない明部と
して検出される。
高圧水銀ランプ２４から放射され、フィルタ２５を経た
励起光の照射により蛍光を発し、これにより、レンズ２
８を介して拡大されＣＣＤカメラ２７により検出される
レジスト４１に対応するレジストパターンの開口部５１
は図６の右欄においてクロス斜線を付していない明部と
して検出される。
【００４２】一方、金属基体１１が剥き出しの部分４１
は、励起光の照射によっても蛍光を発することはなく、
かつ、この部分４１に当って反射した励起光は斜め左上
方向に至るためＣＣＤカメラ２７に入射しないので、Ｃ
ＣＤカメラ２７により検出される前記剥き出しの部分４
１に対応する領域は暗部となる。
は、励起光の照射によっても蛍光を発することはなく、
かつ、この部分４１に当って反射した励起光は斜め左上
方向に至るためＣＣＤカメラ２７に入射しないので、Ｃ
ＣＤカメラ２７により検出される前記剥き出しの部分４
１に対応する領域は暗部となる。
【００４３】図６の左欄に示す欠陥のあるレジスト４１
ａ（一部突出）、レジスト４１ｂ（一部欠落）に関して
は、各々図６の右欄に示すレジストパターン像５１ａ、
５１ｂのようにＣＣＤカメラ２７により検出される。
ａ（一部突出）、レジスト４１ｂ（一部欠落）に関して
は、各々図６の右欄に示すレジストパターン像５１ａ、
５１ｂのようにＣＣＤカメラ２７により検出される。
【００４４】このようなＣＣＤカメラ２７の検出結果
は、前記Ａ／Ｄ変換器３１によりディジタル信号に変換
され、前記演算部３３に送られる。演算部３３は、隣り
合うパターン像を一定ピッチで比較し、その部分を欠陥
として検出する隣接比較法、周期パターンを自動検出
し、周期パターン以外の特異点を欠陥として検出する周
期化相関法、検査画像とモフォロノ処理画像の差分を欠
陥として検出するＤＲＣ法さらには細線化後の画像の節
点の情報により欠陥を検出する時徴抽出法等の耕地の欠
陥検出アルゴリズムに従って演算処理を行い、レジスト
パターン像５１ａ、５１ｂの欠陥部の位置を特定する。
は、前記Ａ／Ｄ変換器３１によりディジタル信号に変換
され、前記演算部３３に送られる。演算部３３は、隣り
合うパターン像を一定ピッチで比較し、その部分を欠陥
として検出する隣接比較法、周期パターンを自動検出
し、周期パターン以外の特異点を欠陥として検出する周
期化相関法、検査画像とモフォロノ処理画像の差分を欠
陥として検出するＤＲＣ法さらには細線化後の画像の節
点の情報により欠陥を検出する時徴抽出法等の耕地の欠
陥検出アルゴリズムに従って演算処理を行い、レジスト
パターン像５１ａ、５１ｂの欠陥部の位置を特定する。
【００４５】また、寸法算出部３４は、前記レジストパ
ターンの開口部５１に対応するディジタル信号を基にこ
れらの寸法（大きさ）を算出する。
ターンの開口部５１に対応するディジタル信号を基にこ
れらの寸法（大きさ）を算出する。
【００４６】前記演算部３３、寸法算出部３４の処理結
果は前記コンピュータ装置１８に送られ、繰り返し同じ
２以上の位置に欠陥が生じている場合は欠陥発生のメッ
セージ又は通常は所定位置のレジストの開口径の寸法が
ディスプレイ１９により表示される。
果は前記コンピュータ装置１８に送られ、繰り返し同じ
２以上の位置に欠陥が生じている場合は欠陥発生のメッ
セージ又は通常は所定位置のレジストの開口径の寸法が
ディスプレイ１９により表示される。
【００４７】本実施の形態１のレジストパターンの欠陥
検査装置によれば、レジストパターンに対する励起光の
斜め上方からの照射、レジストパターンからの蛍光の検
出によるレジストパターン像の取得及びレジストパター
ン像の信号の演算処理という一連の処理によって、金属
基体１１の凹凸等の影響を受けることがないＳＮ比の高
いレジストパターン像を得て欠陥判別を効率よく実行す
ることができる。
検査装置によれば、レジストパターンに対する励起光の
斜め上方からの照射、レジストパターンからの蛍光の検
出によるレジストパターン像の取得及びレジストパター
ン像の信号の演算処理という一連の処理によって、金属
基体１１の凹凸等の影響を受けることがないＳＮ比の高
いレジストパターン像を得て欠陥判別を効率よく実行す
ることができる。
【００４８】（実施の形態２）次に、図７を参照して、
本発明の実施の形態２の構成を説明する。
本発明の実施の形態２の構成を説明する。
【００４９】本実施の形態２においては、前記励起光照
射手段１２は、金属基体１１上に付したレジストパター
ンに対して真上又は略真上から励起光を照射するととも
に、金属基体１１上に付したレジストパターンの真上又
は略真上に配置した前記検出手段１３であるＣＣＤカメ
ラ２７の受光面の前方に、蛍光を透過し励起光を遮る受
光フイルタ２８を配置したことが特徴である。この他の
構成は実施の形態１のレジストパターンの欠陥検査装置
の構成と同様である。
射手段１２は、金属基体１１上に付したレジストパター
ンに対して真上又は略真上から励起光を照射するととも
に、金属基体１１上に付したレジストパターンの真上又
は略真上に配置した前記検出手段１３であるＣＣＤカメ
ラ２７の受光面の前方に、蛍光を透過し励起光を遮る受
光フイルタ２８を配置したことが特徴である。この他の
構成は実施の形態１のレジストパターンの欠陥検査装置
の構成と同様である。
【００５０】本実施の形態２のレジストパターンの欠陥
検査装置によれば、金属基体１１の上レジストパターン
に対する励起光の真上又は略真上からの照射、レジスト
パターンからの反射励起光を受光フイルタ２８で遮りつ
つＣＣＤカメラ２７による蛍光の検出によるレジストパ
ターン像の取得及びレジストパターン像の信号の演算処
理という一連の処理によって、金属基体１１の凹凸等の
影響を受けることがないＳＮ比の高いレジストパターン
像を得て欠陥判別を効率よく実行することができる。
検査装置によれば、金属基体１１の上レジストパターン
に対する励起光の真上又は略真上からの照射、レジスト
パターンからの反射励起光を受光フイルタ２８で遮りつ
つＣＣＤカメラ２７による蛍光の検出によるレジストパ
ターン像の取得及びレジストパターン像の信号の演算処
理という一連の処理によって、金属基体１１の凹凸等の
影響を受けることがないＳＮ比の高いレジストパターン
像を得て欠陥判別を効率よく実行することができる。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、レジストパターンから
発せられた蛍光を利用して、金属基体の凹凸等の影響を
受けることがないＳＮ比の高いレジストパターン像を得
て欠陥判別を行うことができるレジストパターンの欠陥
検査装置を提供できる。
発せられた蛍光を利用して、金属基体の凹凸等の影響を
受けることがないＳＮ比の高いレジストパターン像を得
て欠陥判別を行うことができるレジストパターンの欠陥
検査装置を提供できる。
【００５２】また、本発明によれば、レジストパターン
に対する励起光の照射、レジストパターンからの蛍光の
検出によるレジストパターン像の取得及びレジストパタ
ーン像の信号の演算処理という一連の処理によって、金
属基体の凹凸等の影響を受けることがないＳＮ比の高い
レジストパターン像を得て欠陥判別を効率よく実行でき
るレジストパターンの欠陥検査方法を提供できる。
に対する励起光の照射、レジストパターンからの蛍光の
検出によるレジストパターン像の取得及びレジストパタ
ーン像の信号の演算処理という一連の処理によって、金
属基体の凹凸等の影響を受けることがないＳＮ比の高い
レジストパターン像を得て欠陥判別を効率よく実行でき
るレジストパターンの欠陥検査方法を提供できる。
【図１】本発明の実施の形態１のレジストパターンの欠
陥検査装置の全体構成を示す概略図である。
陥検査装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】本発明の実施の形態１の励起光照射手段及び検
出手段の構成を示す概略図である。
出手段の構成を示す概略図である。
【図３】本発明の実施の形態１のレジストパターンの欠
陥検査装置の検出手段及び画像処理ユニットのブロック
図である。
陥検査装置の検出手段及び画像処理ユニットのブロック
図である。
【図４】本発明の実施の形態１の超高圧水銀ランプの光
の光スペクトルを示す図である。
の光スペクトルを示す図である。
【図５】本発明の実施の形態１の励起光の光スペクトル
を示す図である。
を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１のレジストパターンの欠
陥検査装置による欠陥検査方法を示す説明図である。
陥検査装置による欠陥検査方法を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２の励起光照射手段及び検
出手段の構成を示す概略図である。
出手段の構成を示す概略図である。
１１ 金属基体 １２ 励起光照射手段 １３ 検出手段 １７ 画像処理ユニット １８ コンピュータ装置 ２１ 本体 ２４ 超高圧水銀ランプ ２４ａ 光スペクトル ２５ フィルタ ２６ 集光光学系 ２７ ＣＣＤカメラ ２８ 受光フイルタ ３３ 演算部 ３４ 寸法算出部 ３５ メモリ ４１ 剥き出しの部分 ４２ レジストが被着した部分 ５１ レジストパターンの開口部
Claims (8)
- 【請求項１】 金属基体上に付したレジストパターンを
形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する光を、
前記レジストパターンに励起光として照射する励起光照
射手段と、 この励起光照射手段からの励起光を基に前記レジストパ
ターンの励起光照射部分から発せられた蛍光をレジスト
パターン像として検出する検出手段と、 検出手段により検出したレジストパターン像の信号を取
り込んで演算処理し、前記金属基体上のレジストパター
ンの欠陥の有無を判別する欠陥判別手段と、 を有することを特徴とするレジストパターンの欠陥検査
装置。 - 【請求項２】 レジストが蛍光を発する波長域を有する
励起光を前記レジストパターンに照射する励起光照射手
段は、近紫外及び可視の短波長域において放射スペクト
ルを有する光を、特定の波長に対して最大の透過率を示
し他の照射光は遮るように構成されたフィルタを用いて
所定の波長の励起光としてレジストパターンに照射する
構成であることを特徴とする請求項１記載のレジストパ
ターンの欠陥検査装置。 - 【請求項３】 前記近紫外及び可視の短波長域において
放射スペクトルを有する光は、ガス放電ンプ、ハロゲン
ランプ、水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ラン
プ、キセノンランプ又は高圧キセノンランプの中から選
定される光源から発せられる光であることを特徴とする
請求項１又は２記載のレジストパターンの欠陥検査装
置。 - 【請求項４】 レジストが蛍光を発する波長域を有する
励起光を前記レジストパターンに照射する励起光照射手
段は、近紫外及び可視の短波長域の特定の波長の光を発
するレーザ光源であることを特徴とする請求項１記載の
レジストパターンの欠陥検査装置。 - 【請求項５】 前記励起光照射手段は、金属基体上に付
したレジストパターンに対して斜め上方から励起光を照
射し、前記検出手段は前記レジストパターンの励起光照
射部分から発せられた蛍光を真上又は略真上から検出す
ることを特徴とする請求項１、２又は４のいずれかに記
載の記載のレジストパターンの欠陥検査装置。 - 【請求項６】 前記励起光照射手段は、金属基体上に付
したレジストパターンに対して真上又は略真上から励起
光を照射し、前記検出手段は、前記レジストパターンの
励起光照射部分から発せられた蛍光を真上又は略真上か
ら蛍光を透過し励起光を遮る受光フイルタを介して検出
することを特徴とする請求項１、２又は４のいずれかに
記載のレジストパターンの欠陥検査装置。 - 【請求項７】 金属基体上に付したレジストパターンを
形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する光を前
記レジストパターンに対して励起光として斜め上方から
照射し、 この励起光照射に基づく前記レジストパターンの励起光
照射部分から発せられた蛍光をレジストパターン像とし
て検出し、 検出したレジストパターン像の信号を取り込んで演算処
理し、前記金属基体上のレジストパターンの欠陥の有無
を判別することを特徴とするレジストパターンの欠陥検
査方法。 - 【請求項８】 金属基体上に付したレジストパターンを
形成するレジストが蛍光を発する波長域を有する光を前
記レジストパターンに対して励起光として真上又は略真
上から照射し、 この励起光照射に基づく前記レジストパターンの励起光
照射部分から発せられた蛍光を、真上又は略真上から蛍
光を透過し励起光を遮る受光フイルタを介して検出し、 検出したレジストパターン像の信号を取り込んで演算処
理し、前記金属基体上のレジストパターンの欠陥の有無
を判別することを特徴とするレジストパターンの欠陥検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10319126A JP2000146853A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | レジストパターンの欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10319126A JP2000146853A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | レジストパターンの欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000146853A true JP2000146853A (ja) | 2000-05-26 |
Family
ID=18106763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10319126A Pending JP2000146853A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | レジストパターンの欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000146853A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6448097B1 (en) * | 2001-07-23 | 2002-09-10 | Advanced Micro Devices Inc. | Measure fluorescence from chemical released during trim etch |
| KR100925939B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2009-11-09 | 호야 가부시키가이샤 | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 |
| JP2011051153A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nof Corp | 蛍光レジスト組成物および、その用途 |
| JP2011053013A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nof Corp | ナノインプリント成型積層体の検査方法 |
| JP2015148447A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-20 | 東レエンジニアリング株式会社 | 自動外観検査装置 |
-
1998
- 1998-11-10 JP JP10319126A patent/JP2000146853A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6448097B1 (en) * | 2001-07-23 | 2002-09-10 | Advanced Micro Devices Inc. | Measure fluorescence from chemical released during trim etch |
| KR100925939B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2009-11-09 | 호야 가부시키가이샤 | 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 |
| JP2011051153A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nof Corp | 蛍光レジスト組成物および、その用途 |
| JP2011053013A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Nof Corp | ナノインプリント成型積層体の検査方法 |
| JP2015148447A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-20 | 東レエンジニアリング株式会社 | 自動外観検査装置 |
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