JPS59924A - フオトマスクの検査方法 - Google Patents
フオトマスクの検査方法Info
- Publication number
- JPS59924A JPS59924A JP57110372A JP11037282A JPS59924A JP S59924 A JPS59924 A JP S59924A JP 57110372 A JP57110372 A JP 57110372A JP 11037282 A JP11037282 A JP 11037282A JP S59924 A JPS59924 A JP S59924A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- light
- inspection
- pattern
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
に）発明の技術分野
本発明は半導体装置を製造する際に用いられるフォトマ
スクの検査方法に関する。
スクの検査方法に関する。
（６）従来技術と問題点
工Ｃの微細化と共にフォトマスク（以下マスクと呼ぶ）
Ｋ対する要求は益々厳しくなる一方、ウェハーの大型化
に伴なってマスクの大型化が進み、マスク検査の重要性
は極めて高くなってきた。したがって、アートワークを
始めとして、レチクルマスク、ワーキングマスクと各マ
スク製作工程において繰シ返えし検査が行われている。
Ｋ対する要求は益々厳しくなる一方、ウェハーの大型化
に伴なってマスクの大型化が進み、マスク検査の重要性
は極めて高くなってきた。したがって、アートワークを
始めとして、レチクルマスク、ワーキングマスクと各マ
スク製作工程において繰シ返えし検査が行われている。
このようなマスク検査法において、マスク板面上に同一
マスクパターンを多数並列し形成したワーキングマスク
、あるいはマスク板面上に複数個嬢成したレチクルマス
クでは、隣接する同一マスクパターンを相互に比較し、
不一致部分があれば不良品と判定する検査法が汎く用い
られている、そのうち、実用的検査法として、実際にフ
ォトプロセスを適用して半導体ウェハー（複写基板）上
に複数のマスクパターンを複写し、それを相互に比較し
検査する方法がある。特にレチクルマスクの場合には、
使用時に半導体ウェハー上に１１５又は１／ｌＯに縮小
投影してマスクパターンを形成するため、このような実
用的検査法が極めて有効となる。
マスクパターンを多数並列し形成したワーキングマスク
、あるいはマスク板面上に複数個嬢成したレチクルマス
クでは、隣接する同一マスクパターンを相互に比較し、
不一致部分があれば不良品と判定する検査法が汎く用い
られている、そのうち、実用的検査法として、実際にフ
ォトプロセスを適用して半導体ウェハー（複写基板）上
に複数のマスクパターンを複写し、それを相互に比較し
検査する方法がある。特にレチクルマスクの場合には、
使用時に半導体ウェハー上に１１５又は１／ｌＯに縮小
投影してマスクパターンを形成するため、このような実
用的検査法が極めて有効となる。
その実用的検査法とは、例えば第１図のモデル図に示す
ように、半導体ウェハー１上の２つの同−マスクパター
ンに発光源２からの光を照射し、その反射光をそれぞれ
受光器８．４で受光し、その片方のマスクパターン像を
像反転器６で白黒反転して、モニタテレビ６上に両者を
重ね合わせて写出する方法で、もし異常パターンがあれ
ばモニタテレビ上にその部分７が特に色の濃淡度合が異
なってあられれるものである。異常パターンとはレジス
ト膜パターンの欠け、ピンホール、突起。
ように、半導体ウェハー１上の２つの同−マスクパター
ンに発光源２からの光を照射し、その反射光をそれぞれ
受光器８．４で受光し、その片方のマスクパターン像を
像反転器６で白黒反転して、モニタテレビ６上に両者を
重ね合わせて写出する方法で、もし異常パターンがあれ
ばモニタテレビ上にその部分７が特に色の濃淡度合が異
なってあられれるものである。異常パターンとはレジス
ト膜パターンの欠け、ピンホール、突起。
接触などで、またマスクに汚れがあればそれも色の濃淡
度が異なってあられれる。
度が異なってあられれる。
ところで、このように色の濃淡度などの相異を眼で検出
する場合、またしきい値を決めて電子回路で自動的に検
出する場合も同様であるが、第２図の複写基板断面図に
示すようにレジスト膜パターン８の膜厚ムラやバ）−ン
周縁部分の形状相異のため、実際の欠陥による異常パタ
ーン検出以外の正常なパターンにも色の濃淡相異によっ
て疑似欠陥とし不良品と判断する誤）が生ずる。また、
紛られしいため不良品を良品とする逆の場合も当然起こ
る。
する場合、またしきい値を決めて電子回路で自動的に検
出する場合も同様であるが、第２図の複写基板断面図に
示すようにレジスト膜パターン８の膜厚ムラやバ）−ン
周縁部分の形状相異のため、実際の欠陥による異常パタ
ーン検出以外の正常なパターンにも色の濃淡相異によっ
て疑似欠陥とし不良品と判断する誤）が生ずる。また、
紛られしいため不良品を良品とする逆の場合も当然起こ
る。
（０） 発明の目的
本発明はかような検査方法において検査課シを防止させ
ることを目的とするものである。
ることを目的とするものである。
に）発明の構成
その目的は、基板上に予め′″−（ｎ：整数、λ：発光
源波長）の膜厚を有する透明膜を形成し、その上面にマ
スクパターンを複写して比較検出する検査方法によって
達成される。
源波長）の膜厚を有する透明膜を形成し、その上面にマ
スクパターンを複写して比較検出する検査方法によって
達成される。
（ｅ） 発明の実施例
以下、実施例によって詳細に説明する。従来、レジスト
膜のマスクパターンを検査する場合は、特にレジスト膜
に注目して検出することになるのが通例である。しかし
、レジスト膜に光を照射すれば、鏡のように研磨された
半導体ウェハーの直接露出面に比べて反射光量が少なく
且つ上記したようにレジスト膜はムラが多いため検査誤
りを生、じやすくて、それは上記の重ね合わせ検査法に
おいても、また像反転器６を用いずに２つのモニタテレ
ビにそれぞれのマスクパターンを写出する単純な検査法
においても同様である。
膜のマスクパターンを検査する場合は、特にレジスト膜
に注目して検出することになるのが通例である。しかし
、レジスト膜に光を照射すれば、鏡のように研磨された
半導体ウェハーの直接露出面に比べて反射光量が少なく
且つ上記したようにレジスト膜はムラが多いため検査誤
りを生、じやすくて、それは上記の重ね合わせ検査法に
おいても、また像反転器６を用いずに２つのモニタテレ
ビにそれぞれのマスクパターンを写出する単純な検査法
においても同様である。
したがって、レジスト膜の膜厚ムラや形状による反射光
の変動に惑わされることのないように、一層コントラス
トを強める方法を提唱する。それには、半導体ウェハー
の露出鏡面の反射光量を更に強める方法を講するもので
、鏡面の反射光量はレジスト膜に比べて強いものの、な
お乱反射などノの影響で弱くなっているから、表面に透
明膜を被着し、その膜厚を７（λ：発光源波長、ｎ：整
数）とする。そうすれば、反射光は干渉によって強めら
れて、コントラストは一層高くなる。
の変動に惑わされることのないように、一層コントラス
トを強める方法を提唱する。それには、半導体ウェハー
の露出鏡面の反射光量を更に強める方法を講するもので
、鏡面の反射光量はレジスト膜に比べて強いものの、な
お乱反射などノの影響で弱くなっているから、表面に透
明膜を被着し、その膜厚を７（λ：発光源波長、ｎ：整
数）とする。そうすれば、反射光は干渉によって強めら
れて、コントラストは一層高くなる。
第８図は本発明にか＼る複写基板の断面図を示し、１０
が透明膜である。透明膜としては、半導体ウェハー面を
高温酸化して形成した二酸化シリコン（Ｓｉｎ、）膜や
気相成長法で被着した窒化シリコン（Ｓｉ６Ｎ＋）膜が
妥尚で、発光源の波長（λ）が例え１１００Ａとする。
が透明膜である。透明膜としては、半導体ウェハー面を
高温酸化して形成した二酸化シリコン（Ｓｉｎ、）膜や
気相成長法で被着した窒化シリコン（Ｓｉ６Ｎ＋）膜が
妥尚で、発光源の波長（λ）が例え１１００Ａとする。
このようにすれば、レジスト膜８と複写基板の半導体ウ
ェハー１の面との光量差が大きくなって、目視検査によ
っても見誤υがなくなシ、また電子回路的な自動検査法
によってもしきい値を紛られしくない適値に設定するこ
とが可能となる。第４図は光検出信号の図表を示したも
ので、信号値の大小は光量に比例しておシ、Ｉは従来の
信号値。
ェハー１の面との光量差が大きくなって、目視検査によ
っても見誤υがなくなシ、また電子回路的な自動検査法
によってもしきい値を紛られしくない適値に設定するこ
とが可能となる。第４図は光検出信号の図表を示したも
ので、信号値の大小は光量に比例しておシ、Ｉは従来の
信号値。
■は本発明による透明膜でコントラストを大むくした信
号値である。尚、このようにコントラストを強めた上、
直接露出した基板面に注目して検出する方法がなお正確
になることは言うまでもない。
号値である。尚、このようにコントラストを強めた上、
直接露出した基板面に注目して検出する方法がなお正確
になることは言うまでもない。
（ト）発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明はマスク検査法
において疑似欠陥を間違って検出する検査課シをなくす
る方法で、フォトマスク検査の信頼度を高め、半導体装
置の高品質化に極めて役立つものである。
において疑似欠陥を間違って検出する検査課シをなくす
る方法で、フォトマスク検査の信頼度を高め、半導体装
置の高品質化に極めて役立つものである。
第１図は本発明が適用されるマスク検査法の一例のモデ
ル図、第２図は従来の複写基板、第８図は本発明にか−
る複写基板、第４図は光検出信号図である。 図中、ｌは複写基板（半導体ウェハー）、２は発光源、
８．４は受光器、５は像反転器、６はモニタテレビ、８
はレジスト暎バター７．１０は透明膜を示す。
ル図、第２図は従来の複写基板、第８図は本発明にか−
る複写基板、第４図は光検出信号図である。 図中、ｌは複写基板（半導体ウェハー）、２は発光源、
８．４は受光器、５は像反転器、６はモニタテレビ、８
はレジスト暎バター７．１０は透明膜を示す。
Claims (1)
- 被検査フォトマスクによシ基板上にレジスト膜パターン
を稙写して、該基板上の２つのり一マヌクパターンから
の反射光像を比較し欠陥を検出するフォトマスクの検査
方法において、上記基板上に予め’１’ＩＮ ＜ ｎ、
整数、ム：発光源波長）の膜厚を有する透明膜を形成し
、その上面にマスクパターンを複写して比較検出するこ
とを特徴とするフォトマスクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110372A JPS59924A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | フオトマスクの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110372A JPS59924A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | フオトマスクの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59924A true JPS59924A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14534125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57110372A Pending JPS59924A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | フオトマスクの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59924A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7802918B2 (en) | 2005-02-07 | 2010-09-28 | Hochiki Corporation | Heat detector |
| JP2016138837A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 検査装置および検査方法 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57110372A patent/JPS59924A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7802918B2 (en) | 2005-02-07 | 2010-09-28 | Hochiki Corporation | Heat detector |
| JP2016138837A (ja) * | 2015-01-28 | 2016-08-04 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 検査装置および検査方法 |
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