JPS63124939A - パターン検査方法およびその装置 - Google Patents
パターン検査方法およびその装置Info
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- JPS63124939A JPS63124939A JP61269617A JP26961786A JPS63124939A JP S63124939 A JPS63124939 A JP S63124939A JP 61269617 A JP61269617 A JP 61269617A JP 26961786 A JP26961786 A JP 26961786A JP S63124939 A JPS63124939 A JP S63124939A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン検査方法にかかわシ、特に、半導体ウ
ェハ上に形成されたフォトレジストパターンの欠陥を検
出するのに好適な検査方法に関する。
ェハ上に形成されたフォトレジストパターンの欠陥を検
出するのに好適な検査方法に関する。
ＬＳＩの回路パターンの形成に際し、ステッパ（縮小投
影露光装置）ではパターンの原版となるレチクル上のパ
ターンを繰シ返しウェハ上に焼き付けていく恵め、レチ
クル上あるいはステッパ光学系に異物が付着していると
、すべてのチップに欠陥が生じることになる。そこで、
レチクルを用いて半導体表面に焼付けたレジストパター
ンを検査することで、レチクルパターンの検査が行われ
ている。
影露光装置）ではパターンの原版となるレチクル上のパ
ターンを繰シ返しウェハ上に焼き付けていく恵め、レチ
クル上あるいはステッパ光学系に異物が付着していると
、すべてのチップに欠陥が生じることになる。そこで、
レチクルを用いて半導体表面に焼付けたレジストパター
ンを検査することで、レチクルパターンの検査が行われ
ている。
従来、このレクチルパターンを露光現像されたフォトレ
ジストパターン上で検査するには、顕微鏡を用いた目視
による観察が行われていた。しかし、目視による検査は
、膨大な労力と時間および高度な熟練を必要とし、また
、作業者の個人差あるいは判断規準のばらつきや、欠陥
の見逃しなどがあり、半導体の高密度化、高集積化に伴
い、はとんど実施不可能な状態になってきている。この
ため、各種の７オトレジストパターン外観検査技術が提
案されている。
ジストパターン上で検査するには、顕微鏡を用いた目視
による観察が行われていた。しかし、目視による検査は
、膨大な労力と時間および高度な熟練を必要とし、また
、作業者の個人差あるいは判断規準のばらつきや、欠陥
の見逃しなどがあり、半導体の高密度化、高集積化に伴
い、はとんど実施不可能な状態になってきている。この
ため、各種の７オトレジストパターン外観検査技術が提
案されている。
この外観検査の方法として、従来、１枚のレチクル上に
は複数個の同一チップパターンが描画されていることを
利用し、これをウエノ・上の７オトレジストに転写した
後、ウェハ上で２個のチップパターンを比較して、パタ
ーン欠陥を検出する方法が提案されている。しかし、半
導体の高集積化。
は複数個の同一チップパターンが描画されていることを
利用し、これをウエノ・上の７オトレジストに転写した
後、ウェハ上で２個のチップパターンを比較して、パタ
ーン欠陥を検出する方法が提案されている。しかし、半
導体の高集積化。
大面積化に伴い、１枚のレチクル上には１個のチップパ
ターンのみが描画されるようになりつつあシ、このよう
なチップパターンに対しては、上記の方法は適用できな
い。
ターンのみが描画されるようになりつつあシ、このよう
なチップパターンに対しては、上記の方法は適用できな
い。
そこで、このようなチップパターンの検査方法として、
ウェハ上のチップパターンに対し、例えばレチクル製造
時の設計パターンを手本パターンとして、両者を比較検
査する方法が考えられる。
ウェハ上のチップパターンに対し、例えばレチクル製造
時の設計パターンを手本パターンとして、両者を比較検
査する方法が考えられる。
この方法は、フォトマスクやレチクルパターンの外観検
査では、次のような理由で広く実用化されている方法で
ある。すなわち、フォトマスクやレチクルに透過照明を
行い、イメージセンサで撮像した場合、回路パターンは
非常に高いコントラストで撮像できるため、しきい値処
理によシ２値化データで表わされる設計パターンと容易
に比較検査できるためである。しかし、フォトレジスト
パターンは透明なパターンであるため、フォトレジスト
部分と下地のウェハ表面とのコントラストが非常に低く
、フォトマスクやレチクルパターンの場合に比べて設計
パターンとの比較は難しい。
査では、次のような理由で広く実用化されている方法で
ある。すなわち、フォトマスクやレチクルに透過照明を
行い、イメージセンサで撮像した場合、回路パターンは
非常に高いコントラストで撮像できるため、しきい値処
理によシ２値化データで表わされる設計パターンと容易
に比較検査できるためである。しかし、フォトレジスト
パターンは透明なパターンであるため、フォトレジスト
部分と下地のウェハ表面とのコントラストが非常に低く
、フォトマスクやレチクルパターンの場合に比べて設計
パターンとの比較は難しい。
上記の点を考慮して、フォトレジストパターンと設計パ
ターンとを比較検査する方法として、例エバ ニス
ビー アイ イー、第５５８ 巻、オプチカル マイク
ロリソグラフィーＩＶ（１９８５年）、第１２２頁から
第１２９頁（ＳＰＩＥ％Ｖｏ１．５３Ｂ、０ｐｔｉｏａ
ｌ Ｍｉｏｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｒｖ （１９８
ｓ ） ｐｐ １２２−１２９）に記載されている方法
がある。この方法は、フォトレジストパターンをイメー
ジセンサで撮像する際に、光学フィルタを用いてウエノ
・からの反射光の波長を限定し、回路パターンとのコン
トラストを向上させるものである。フォトレジストは透
明薄膜であるため、光が入射すると、フォトレジスト表
面からの反射光と、フォトレジストを透過し下地との境
界面で反射した光とが干渉を起こし、このため、フォト
レジストの膜厚に応じて、ある波長の光は強めあい、他
のおる波長の光は弱めあう。そこで、前記光学フィルタ
の透過波長帯域を選択することにより、フォトレジスト
部分を暗く検出し、コントラストの高い画像を得ること
がでキ、フォトマスクやレチクルパターンの場合と同様
な手法により、容易に設計パターンとの比較検査が行え
るというものである。
ターンとを比較検査する方法として、例エバ ニス
ビー アイ イー、第５５８ 巻、オプチカル マイク
ロリソグラフィーＩＶ（１９８５年）、第１２２頁から
第１２９頁（ＳＰＩＥ％Ｖｏ１．５３Ｂ、０ｐｔｉｏａ
ｌ Ｍｉｏｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｒｖ （１９８
ｓ ） ｐｐ １２２−１２９）に記載されている方法
がある。この方法は、フォトレジストパターンをイメー
ジセンサで撮像する際に、光学フィルタを用いてウエノ
・からの反射光の波長を限定し、回路パターンとのコン
トラストを向上させるものである。フォトレジストは透
明薄膜であるため、光が入射すると、フォトレジスト表
面からの反射光と、フォトレジストを透過し下地との境
界面で反射した光とが干渉を起こし、このため、フォト
レジストの膜厚に応じて、ある波長の光は強めあい、他
のおる波長の光は弱めあう。そこで、前記光学フィルタ
の透過波長帯域を選択することにより、フォトレジスト
部分を暗く検出し、コントラストの高い画像を得ること
がでキ、フォトマスクやレチクルパターンの場合と同様
な手法により、容易に設計パターンとの比較検査が行え
るというものである。
上記従来技術は、フォトレジストパターンの膜厚むらの
点に配慮がされておらず、膜厚むらのため場所によって
はコントラストが低下し、設計パターンとの比較検査が
できないという問題があった。
点に配慮がされておらず、膜厚むらのため場所によって
はコントラストが低下し、設計パターンとの比較検査が
できないという問題があった。
上記従来技術においては、検査するフォトレジストパタ
ーンの膜厚は均一でなければならない。
ーンの膜厚は均一でなければならない。
すなわち、フォトレジストを暗く検出するための光学フ
ィルタの特性は、そのフォトレジストの膜厚に依存して
おり、１チツプ内で膜厚にむらがある場合には、場所に
よって７オトレジスト部分のコントラストが低下し、し
きい値処理によりフォトレジスト部分のみを完全に２値
化することは困難となる。
ィルタの特性は、そのフォトレジストの膜厚に依存して
おり、１チツプ内で膜厚にむらがある場合には、場所に
よって７オトレジスト部分のコントラストが低下し、し
きい値処理によりフォトレジスト部分のみを完全に２値
化することは困難となる。
一方、実際のＬＳＩ製造工程では、フォ）ｌ／シスト塗
布時の膜厚むら、および現像時の膜厚むらなどが発生す
る。また、最近では膜厚よりも細い線幅の回路パターン
が存在するが、このようなパターンでは、幅の広いパタ
ーンに比べて膜厚は薄くなってしまう。
布時の膜厚むら、および現像時の膜厚むらなどが発生す
る。また、最近では膜厚よりも細い線幅の回路パターン
が存在するが、このようなパターンでは、幅の広いパタ
ーンに比べて膜厚は薄くなってしまう。
このため、上記従来技術では、１チツプ内でフォトレジ
ストパターンに膜厚むらがある場合、パターンを２値化
することができず、設計パターンとの比較検査ができな
い。
ストパターンに膜厚むらがある場合、パターンを２値化
することができず、設計パターンとの比較検査ができな
い。
本発明の目的は、検査するフォトレジストパターンの膜
厚むらに影響されることなく、撮像したフォトレジスト
パターンと設計パターンとの比較検査が行える検査方法
を提供することにある。
厚むらに影響されることなく、撮像したフォトレジスト
パターンと設計パターンとの比較検査が行える検査方法
を提供することにある。
上記目的は、フォトレジストバター／を撮像して得られ
る検査パターンと、設計データから得られる手本パター
ンとを比較して欠陥を検出する際に、手本パターン中で
パターンの存在する部分、すなわちレチクル上で光を遮
蔽する部分を検査禁止領域とし、手本パターンの中でパ
ターンの存在しない部分、すなわちレチクル上で光を透
過する部分のみを検査することにより、達成される。
る検査パターンと、設計データから得られる手本パター
ンとを比較して欠陥を検出する際に、手本パターン中で
パターンの存在する部分、すなわちレチクル上で光を遮
蔽する部分を検査禁止領域とし、手本パターンの中でパ
ターンの存在しない部分、すなわちレチクル上で光を透
過する部分のみを検査することにより、達成される。
手本パターンの中でパターンの存在しない部分は、ウェ
ハ上でフォトレジストが本来存在しない部分となる。そ
こで、このフォトレジストが本来存在しない部分のみを
検査し、フォトレジストが存在した場合に欠陥あシと判
定する。このとき、フォトレジストパターンの部分は、
設計パターンによシマスキングして検査禁止領域とする
ため、フォトレジストの膜厚むらが検査結果に影響を与
えることはない。
ハ上でフォトレジストが本来存在しない部分となる。そ
こで、このフォトレジストが本来存在しない部分のみを
検査し、フォトレジストが存在した場合に欠陥あシと判
定する。このとき、フォトレジストパターンの部分は、
設計パターンによシマスキングして検査禁止領域とする
ため、フォトレジストの膜厚むらが検査結果に影響を与
えることはない。
フォトレジストパターンの欠陥は、前述したように、レ
チクル上あるいはステッパ光学系に付着した異物が原因
となって発生するものである。そのため、フォトレジス
トパターンに存在する欠陥は、第１０図に示すように、
フォトレジストパターン１０に対し、突起１、孤立点２
、短絡３など、本来フォトレジストが存在すべきではな
いところに余分なフォトレジストが残ってしまった欠陥
である。第１１図に、第１０図に示す欠陥を含む検査パ
ターンに対する手本パターンを示す。第１２図は、第１
０図に示す検査パターンと第１１図に示す手本パターン
とを重ね合わせたもので、ハツチングを施した部分が検
査禁止領域１１、それ以外が検査領域１２である。第１
２図かられかるように、検査領域１２では、平坦でほぼ
−様な反射率をもつウェハ表面にフォトレジストパター
ンの欠陥部のみが存在しているため、容易にこれらの欠
陥を検出することが可能となる。
チクル上あるいはステッパ光学系に付着した異物が原因
となって発生するものである。そのため、フォトレジス
トパターンに存在する欠陥は、第１０図に示すように、
フォトレジストパターン１０に対し、突起１、孤立点２
、短絡３など、本来フォトレジストが存在すべきではな
いところに余分なフォトレジストが残ってしまった欠陥
である。第１１図に、第１０図に示す欠陥を含む検査パ
ターンに対する手本パターンを示す。第１２図は、第１
０図に示す検査パターンと第１１図に示す手本パターン
とを重ね合わせたもので、ハツチングを施した部分が検
査禁止領域１１、それ以外が検査領域１２である。第１
２図かられかるように、検査領域１２では、平坦でほぼ
−様な反射率をもつウェハ表面にフォトレジストパター
ンの欠陥部のみが存在しているため、容易にこれらの欠
陥を検出することが可能となる。
以下、本発明の実施例を図面によシ説明する。
第１図は本発明の一実施例に用いる欠陥検出回路の構成
を示すブロック図である。図において。
を示すブロック図である。図において。
パターン検出器２０で検出した検査パターンは、Ａ／Ｄ
変換器２１によ）、数ビットのディジタル信号の検査パ
ターン２７に変換する。手本パターン発生器２２では、
パターン発生器２０に同期した手本パターン２８を発生
する。検査パターン２７と手本パターン２８とを位置合
わせするため、位置ずれ検出器２３によって手本パター
ン２８と検査パターン２７との位置ずれ量を求めた後、
位置ずれ補正回路２４によシ手本パターン２８をシフト
して、検査パターン２７に位置合わせする。マスキング
回路２５で、検査パターン２７を、位置合わせの済んだ
手本パターン２９によシマスキングした後、マスキング
回路２５の出力を２値化回路２６によシ２値化し、欠陥
とする。
変換器２１によ）、数ビットのディジタル信号の検査パ
ターン２７に変換する。手本パターン発生器２２では、
パターン発生器２０に同期した手本パターン２８を発生
する。検査パターン２７と手本パターン２８とを位置合
わせするため、位置ずれ検出器２３によって手本パター
ン２８と検査パターン２７との位置ずれ量を求めた後、
位置ずれ補正回路２４によシ手本パターン２８をシフト
して、検査パターン２７に位置合わせする。マスキング
回路２５で、検査パターン２７を、位置合わせの済んだ
手本パターン２９によシマスキングした後、マスキング
回路２５の出力を２値化回路２６によシ２値化し、欠陥
とする。
ここで、パターン検出器２０によって得られるフォトレ
ジストパターンの映像信号について説明する。第２図（
ａ）は検査パターンの一部分の断面を示したもので、ウ
エノＳ３２上に７オトレジストパターン３１が形成され
ている。平坦なフォトレジスト部分の面に垂直に入射し
た光５３は、フォトレジスト表面あるいはフォトレジス
トとウェハとの境界面で反射し、入射してきた方向に戻
る。ウェハ表面に入射した光３５も同様である。しかし
、フォトレジストパターンのエツジ部分に入射した光３
４は、フォトレジスト表面で反射した後ウェハ表面で再
度反射する光３６と、フォトレジスト表面から屈折して
内部に入シ、ウェハとの境界面で反射する光３７とにな
シ、入射方向に戻る光はない。このため、反射光の映像
信号を示す同図（ｂ）のように、パターンのエツジ部分
は他の部分と比べて暗く検出される。
ジストパターンの映像信号について説明する。第２図（
ａ）は検査パターンの一部分の断面を示したもので、ウ
エノＳ３２上に７オトレジストパターン３１が形成され
ている。平坦なフォトレジスト部分の面に垂直に入射し
た光５３は、フォトレジスト表面あるいはフォトレジス
トとウェハとの境界面で反射し、入射してきた方向に戻
る。ウェハ表面に入射した光３５も同様である。しかし
、フォトレジストパターンのエツジ部分に入射した光３
４は、フォトレジスト表面で反射した後ウェハ表面で再
度反射する光３６と、フォトレジスト表面から屈折して
内部に入シ、ウェハとの境界面で反射する光３７とにな
シ、入射方向に戻る光はない。このため、反射光の映像
信号を示す同図（ｂ）のように、パターンのエツジ部分
は他の部分と比べて暗く検出される。
次に、第１図に示したマスキング回路２５および２値化
回路２６の動作について説明する。第３図は突起欠陥１
を含むフォトレジストパターン１０を示したもので、第
４図（ａ）は第３図のＡ −Ａ’部分の映像信号の波形
図であり、第２図に示したように、パターンエツジ部分
は暗く検出される。第２図（、）において、フォトレジ
ストパターン１０ａ。
回路２６の動作について説明する。第３図は突起欠陥１
を含むフォトレジストパターン１０を示したもので、第
４図（ａ）は第３図のＡ −Ａ’部分の映像信号の波形
図であり、第２図に示したように、パターンエツジ部分
は暗く検出される。第２図（、）において、フォトレジ
ストパターン１０ａ。
１０ｂにそれぞれ対応する映像信号レベルが異なってい
るのは、パターン１０ａと１０ｂとに膜厚差があること
を示している。同図（ｂ）は手本パターンの映像信号の
波形図であシ、フォトレジストの部分が″１＃、フォト
レジストのない部分が”０＃となっている。第１図に示
したマスキング回路２５では、手本パターンが“１ ″
のとき、検査パターンが取シ得る最大値（８ビツトの信
号の場合は″２５５″）を出力し、手本パターンが”０
″のときは、入力した検査パターンの値をそのまま出力
する。第４図（ｃ）はマスキング回路２５の出力の波形
図である。図かられかるように、正常なパターン部分は
、フォトレジストの膜厚によらず、すべて最大値となっ
ている。この信号を適当なしきい値ｖ？Ｈで２値化した
ものが同図（ｄ）であシ、図中”０″になっている部分
が欠陥を示している。
るのは、パターン１０ａと１０ｂとに膜厚差があること
を示している。同図（ｂ）は手本パターンの映像信号の
波形図であシ、フォトレジストの部分が″１＃、フォト
レジストのない部分が”０＃となっている。第１図に示
したマスキング回路２５では、手本パターンが“１ ″
のとき、検査パターンが取シ得る最大値（８ビツトの信
号の場合は″２５５″）を出力し、手本パターンが”０
″のときは、入力した検査パターンの値をそのまま出力
する。第４図（ｃ）はマスキング回路２５の出力の波形
図である。図かられかるように、正常なパターン部分は
、フォトレジストの膜厚によらず、すべて最大値となっ
ている。この信号を適当なしきい値ｖ？Ｈで２値化した
ものが同図（ｄ）であシ、図中”０″になっている部分
が欠陥を示している。
第５図は本実施例のマスキング回路２５の具体的な一例
を示す構成図である。図では、検査パターンが８ビット
信号である場合を示してお）、マスキング回路は８個の
ＯＲ回路４０１〜４０８で構成されている。そして、手
本パターン２９が“１ ＃のときは、出力は＠２５５”
であり、”０＃のときは、入力した検査パターンの値が
そのまま出力される。このように手本パターン２９が”
１ “のときにその出力を最大値にすることにより、正
常なフォトレジストパターン部分を検査禁止領域とし、
次段の２値化回路２６で欠陥が誤検出されるのを防ぐこ
とができる。本実施例によれば、数個のＯＲ回路と２値
化回路だけで欠陥検出回路の要部が構成できるため、回
路の小形化が図れる。
を示す構成図である。図では、検査パターンが８ビット
信号である場合を示してお）、マスキング回路は８個の
ＯＲ回路４０１〜４０８で構成されている。そして、手
本パターン２９が“１ ＃のときは、出力は＠２５５”
であり、”０＃のときは、入力した検査パターンの値が
そのまま出力される。このように手本パターン２９が”
１ “のときにその出力を最大値にすることにより、正
常なフォトレジストパターン部分を検査禁止領域とし、
次段の２値化回路２６で欠陥が誤検出されるのを防ぐこ
とができる。本実施例によれば、数個のＯＲ回路と２値
化回路だけで欠陥検出回路の要部が構成できるため、回
路の小形化が図れる。
第６図は本発明の他の実施例に用いる欠陥検出回路の構
成を示すブロック図である。本実施例においては、Ａ／
Ｄ変換された検査パターン２７を、エツジ検出回路５０
を介してマスキング回路２５に入力している。
成を示すブロック図である。本実施例においては、Ａ／
Ｄ変換された検査パターン２７を、エツジ検出回路５０
を介してマスキング回路２５に入力している。
以下、このエツジ検出回路５０の動作を、第７図により
説明する。第７図は第３図と同様に、同図（ａ）は突起
欠陥１を含むフォトレジストパターン１０を示し、同図
（ｂ）は同図（ａ）のＡ −Ａ’部分の映像信号の波形
図、同図（０）は対応する手本パターンを示す。さて、
検査パターンの映像信号は、エツジ検出回路５０によシ
、例えば２次微分を行ってパターンエツジ信号５１に変
換される。第７図（ｄ）はこのパターンエツジ信号５１
の波形図である。マスキング回路２５は、このパターン
エツジ信号５１を入力し、手本パターン２９が“１ ＃
のときは、出力を“０＃とじ、手本パターン２９が１ｏ
１のときは、入力したパターンエツジ信号５１をそのま
ま出力する。第７図（８）はマスキング回路２５の出力
の波形図である。この出力信号を２値化回路２６により
、適当なしきい値Ｖ□で２値化したものが、同図（ｆ）
の波形図であり、出力が“１”罠なっている部分が欠陥
を示している。
説明する。第７図は第３図と同様に、同図（ａ）は突起
欠陥１を含むフォトレジストパターン１０を示し、同図
（ｂ）は同図（ａ）のＡ −Ａ’部分の映像信号の波形
図、同図（０）は対応する手本パターンを示す。さて、
検査パターンの映像信号は、エツジ検出回路５０によシ
、例えば２次微分を行ってパターンエツジ信号５１に変
換される。第７図（ｄ）はこのパターンエツジ信号５１
の波形図である。マスキング回路２５は、このパターン
エツジ信号５１を入力し、手本パターン２９が“１ ＃
のときは、出力を“０＃とじ、手本パターン２９が１ｏ
１のときは、入力したパターンエツジ信号５１をそのま
ま出力する。第７図（８）はマスキング回路２５の出力
の波形図である。この出力信号を２値化回路２６により
、適当なしきい値Ｖ□で２値化したものが、同図（ｆ）
の波形図であり、出力が“１”罠なっている部分が欠陥
を示している。
第８図は本実施例のマスキング回路２６の具体的な一例
を示す構成図で、第５図の場合と同様、検査パターン（
パターンエツジ信号）が８ビット信号である場合を例に
示している。本回路は、第５図のＯＲ回路４０１〜４０
８をＡＮＤ回路６０１〜６０８に代え、かつ手本パター
ン側の入力回路にＮＯＴ回路６１を追加挿入したもので
、手本パターンが“１＃のときは、出力は“０＃にな）
、手本パターンが”０″のときは、入力がその！ま出力
される。
を示す構成図で、第５図の場合と同様、検査パターン（
パターンエツジ信号）が８ビット信号である場合を例に
示している。本回路は、第５図のＯＲ回路４０１〜４０
８をＡＮＤ回路６０１〜６０８に代え、かつ手本パター
ン側の入力回路にＮＯＴ回路６１を追加挿入したもので
、手本パターンが“１＃のときは、出力は“０＃にな）
、手本パターンが”０″のときは、入力がその！ま出力
される。
なお、上述した実施例では、設計パターンから発生した
手本パターンで直接検査パターンをマスキングする例に
ついて説明したが、実際の７オトレジストパターンは、
第９図（、）に示すように、同図（ｂ）に示す設計パタ
ーンに比べて、かど部が丸みを帯びていたり、パターン
幅が細くなっていたシする。このため、レチクルやマス
クパターンの検査の際によく行われるように、あらかじ
め設計パターンを検査パターンの形状に一致するように
修正したものを手本パターンとして用いれば、欠陥検出
性能をさらに向上させることができる。
手本パターンで直接検査パターンをマスキングする例に
ついて説明したが、実際の７オトレジストパターンは、
第９図（、）に示すように、同図（ｂ）に示す設計パタ
ーンに比べて、かど部が丸みを帯びていたり、パターン
幅が細くなっていたシする。このため、レチクルやマス
クパターンの検査の際によく行われるように、あらかじ
め設計パターンを検査パターンの形状に一致するように
修正したものを手本パターンとして用いれば、欠陥検出
性能をさらに向上させることができる。
本発明によれば、ウェハ上の７オトレジストパターンを
、パターンの膜厚むらに影響されることなく、簡単な回
路構成の検査装置で、設計パターンと比較検査すること
ができる。！た、本発明の検査方法は、設計パターンと
の比較検査であるため、検査の信頼性は高く、半導体集
積回路の歩留り向上、製品の信頼性向上および原価低減
等に顕著な効果が得られる。
、パターンの膜厚むらに影響されることなく、簡単な回
路構成の検査装置で、設計パターンと比較検査すること
ができる。！た、本発明の検査方法は、設計パターンと
の比較検査であるため、検査の信頼性は高く、半導体集
積回路の歩留り向上、製品の信頼性向上および原価低減
等に顕著な効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例に用いる欠陥検出回路の構成
を示すブロック図、第２図はフォトレジストパターンの
映像信号の説明図、第３図および第４図は第１図に示す
実施例における信号処理方式の説明図、第５図は第１図
中のマスキング回路の具体例を示す構成図、第６図は本
発明の他の実施例に用いる欠陥検出回路の構成を示すブ
ロック図、第７図は第６図に示す実施例における信号処
理方式の説明図、第８図は第６図中のマスキング回路の
具体例を示す構成図、第９図は実際の７オトレジストパ
ターンが設計パターンから変形していることの説明図、
第１０図ないし第１２図は本発明によるパターン欠陥検
査方法の原理説明図である。 ２０・・・パターン検出器。 ２１・・・Ａ／Ｄ変換器。 ２２・・・手本パターン発生器。 ２３・・・位置ずれ検出器。 ２４・・・位置ずれ補正回路。 ２５・・・マスキング回路。 ２６・・・２値化回路。 ４０１〜４０８・・・ＯＲ回路。 ５０・・・エツジ検出回路。 ６０１〜６０８・・・ＡＮＤ回路 ６１・・・ＮＯＴ回路。 第１図 第２図 第５０ ０８回丁番 第６図 第’７１￥ｌ 第８図 系９図 第１０図 第１１図
を示すブロック図、第２図はフォトレジストパターンの
映像信号の説明図、第３図および第４図は第１図に示す
実施例における信号処理方式の説明図、第５図は第１図
中のマスキング回路の具体例を示す構成図、第６図は本
発明の他の実施例に用いる欠陥検出回路の構成を示すブ
ロック図、第７図は第６図に示す実施例における信号処
理方式の説明図、第８図は第６図中のマスキング回路の
具体例を示す構成図、第９図は実際の７オトレジストパ
ターンが設計パターンから変形していることの説明図、
第１０図ないし第１２図は本発明によるパターン欠陥検
査方法の原理説明図である。 ２０・・・パターン検出器。 ２１・・・Ａ／Ｄ変換器。 ２２・・・手本パターン発生器。 ２３・・・位置ずれ検出器。 ２４・・・位置ずれ補正回路。 ２５・・・マスキング回路。 ２６・・・２値化回路。 ４０１〜４０８・・・ＯＲ回路。 ５０・・・エツジ検出回路。 ６０１〜６０８・・・ＡＮＤ回路 ６１・・・ＮＯＴ回路。 第１図 第２図 第５０ ０８回丁番 第６図 第’７１￥ｌ 第８図 系９図 第１０図 第１１図
Claims (1)
- １、検査対象となるパターンを撮像して得られる検査パ
ターン画像信号と、該検査対象となるパターンの設計パ
ターンあるいはこれに準ずるものから発生した２値情報
からなる手本パターンとを比較することにより、前記検
査対象となるパターン上の欠陥を検出するパターン検査
方法において、前記２値情報からなる手本パターンの“
１”あるいは“０”どちらか一方の値に対応する部分の
検査パターンのみを検査することを特徴とするパターン
検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61269617A JPH0617875B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | パターン検査方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61269617A JPH0617875B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | パターン検査方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124939A true JPS63124939A (ja) | 1988-05-28 |
| JPH0617875B2 JPH0617875B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=17474845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61269617A Expired - Lifetime JPH0617875B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | パターン検査方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617875B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036409A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プリント基板の検査方法および装置 |
| JP2007334702A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | テンプレートマッチング方法、および走査電子顕微鏡 |
| JP2016028252A (ja) * | 2010-10-27 | 2016-02-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置およびコンピュータプログラム |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0890361A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Kandenko Co Ltd | ブッシングやロックナット等のねじ込み金具の廻し工具 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113244A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Yoshie Hasegawa | Inspecting device of wafer surface |
| JPS58200141A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 基板検査方式 |
| JPS61278706A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | パタ−ン外観検査装置のマスキング機構 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61269617A patent/JPH0617875B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113244A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Yoshie Hasegawa | Inspecting device of wafer surface |
| JPS58200141A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 基板検査方式 |
| JPS61278706A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | パタ−ン外観検査装置のマスキング機構 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036409A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プリント基板の検査方法および装置 |
| JP2007334702A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | テンプレートマッチング方法、および走査電子顕微鏡 |
| JP2016028252A (ja) * | 2010-10-27 | 2016-02-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置およびコンピュータプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0617875B2 (ja) | 1994-03-09 |
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