JPH08137092A - マスクの検査方法及びマスクの検査装置 - Google Patents
マスクの検査方法及びマスクの検査装置Info
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- JPH08137092A JPH08137092A JP27470094A JP27470094A JPH08137092A JP H08137092 A JPH08137092 A JP H08137092A JP 27470094 A JP27470094 A JP 27470094A JP 27470094 A JP27470094 A JP 27470094A JP H08137092 A JPH08137092 A JP H08137092A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遮光部分及び透明部分のみならずハーフトー
ン部を検出して、検出したハーフトーン部と検査用デー
タとの比較評価を行うことができるとともに、転写に影
響しない領域の欠陥を検出しないようにして、欠陥検査
を効率良く行うことができる。 【構成】 マスク上のパターンを、光透過部分と、該光
透過部分よりも光の透過率の低い低光透過率部分と、該
光透過部分の光透過率と該低光透過率部分の光透過率の
間の光透過率を有する中間光透過率部分の光透過率毎に
３階調以上に分類して、画像処理を行い、この画像処理
を行った３階調以上に分類した前記パターンのデータ
と、被検査プレート及び設計データから変換されるとと
もに、前記パターンの光透過率により３階調以上に分類
した検査用データとを比較して検査する。
ン部を検出して、検出したハーフトーン部と検査用デー
タとの比較評価を行うことができるとともに、転写に影
響しない領域の欠陥を検出しないようにして、欠陥検査
を効率良く行うことができる。 【構成】 マスク上のパターンを、光透過部分と、該光
透過部分よりも光の透過率の低い低光透過率部分と、該
光透過部分の光透過率と該低光透過率部分の光透過率の
間の光透過率を有する中間光透過率部分の光透過率毎に
３階調以上に分類して、画像処理を行い、この画像処理
を行った３階調以上に分類した前記パターンのデータ
と、被検査プレート及び設計データから変換されるとと
もに、前記パターンの光透過率により３階調以上に分類
した検査用データとを比較して検査する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクの検査方法及び
マスクの検査装置に係り、詳しくは、ＬＳＩ用のマスク
・レチクル自動検査技術に適用することができ、特に、
遮光部分及び透明部分のみならずハーフトーン部を検出
して、検出したハーフトーン部と検査用データとの比較
評価を行うことができるとともに、転写に影響しない領
域の欠陥を検出しないようにして、欠陥検査を効率良く
行うことができるマスクの検査方法及びマスクの検査装
置に関する。
マスクの検査装置に係り、詳しくは、ＬＳＩ用のマスク
・レチクル自動検査技術に適用することができ、特に、
遮光部分及び透明部分のみならずハーフトーン部を検出
して、検出したハーフトーン部と検査用データとの比較
評価を行うことができるとともに、転写に影響しない領
域の欠陥を検出しないようにして、欠陥検査を効率良く
行うことができるマスクの検査方法及びマスクの検査装
置に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩの高集積化及び微細化が進
み、単純な遮光部と透過部とから構成される従来のマス
クに比べて高い解像度を実現することができる利点を有
する位相シフト露光方法が種々開発され検討されてい
る。なかでも、ハーフトーン方式は、マスクから透過す
る光波の位相を一部反転することができるため、位相シ
フトを有さない透過型マスク方式よりも解像度及び焦点
深度を向上させることができる点で注目され主流となっ
ている。このため、遮光部分と透明部分のみならず、ハ
ーフトーン部を確実に検出することができるマスクの検
査方法及びマスクの検査装置が要求されている。
み、単純な遮光部と透過部とから構成される従来のマス
クに比べて高い解像度を実現することができる利点を有
する位相シフト露光方法が種々開発され検討されてい
る。なかでも、ハーフトーン方式は、マスクから透過す
る光波の位相を一部反転することができるため、位相シ
フトを有さない透過型マスク方式よりも解像度及び焦点
深度を向上させることができる点で注目され主流となっ
ている。このため、遮光部分と透明部分のみならず、ハ
ーフトーン部を確実に検出することができるマスクの検
査方法及びマスクの検査装置が要求されている。
【０００３】
【従来の技術】従来のレチクル検査装置では、遮光膜の
部分の光強度を１００％とし、透明な部分の光強度を０
％として、得られた光学像の比較を行うことにより、レ
チクルの遮光膜部分と透明部分を検出することができ
る。さて、従来のＣｒ等からなるレチクル遮光膜は、光
を透過しないが、前述の如く、位相シフトを有さない透
過型マスク方式よりも解像度及び焦点深度を向上させる
ことができる点で注目されているハーフトーン位相シフ
トレチクルでは、自動検査装置で検査する光の波長では
ハーフトーン部が数十％の透過率を有する。
部分の光強度を１００％とし、透明な部分の光強度を０
％として、得られた光学像の比較を行うことにより、レ
チクルの遮光膜部分と透明部分を検出することができ
る。さて、従来のＣｒ等からなるレチクル遮光膜は、光
を透過しないが、前述の如く、位相シフトを有さない透
過型マスク方式よりも解像度及び焦点深度を向上させる
ことができる点で注目されているハーフトーン位相シフ
トレチクルでは、自動検査装置で検査する光の波長では
ハーフトーン部が数十％の透過率を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のレチクル検査装置では、遮光部分の光強度を１００％
とし、透明部分の光強度を０％として、遮光部分と透明
部分のみを検出していたため、光の波長で、数十％もの
透過率を有するハーフトーン部を検出することができ
ず、検査用データと比較する方式の検査を行うことがで
きないという問題があった。
のレチクル検査装置では、遮光部分の光強度を１００％
とし、透明部分の光強度を０％として、遮光部分と透明
部分のみを検出していたため、光の波長で、数十％もの
透過率を有するハーフトーン部を検出することができ
ず、検査用データと比較する方式の検査を行うことがで
きないという問題があった。
【０００５】また、通常、遮光膜上に異物が存在する
と、露光した時に光透過率が変化するため、良好な位相
シフト効果が得られ難くなる。しかし、位相シフト効果
は、遮光部のエッジ部で得られるため、大きな遮光部の
内部では遮光部自身の効果しか得られず、遮光部上に異
物が存在しても位相シフト効果への影響は生じない。従
来のレチクル検査装置では、異物が何の位置にあっても
遮光膜上の欠陥を全て同一に検出するため、欠陥の検出
データを全てメモリに記憶し、この欠陥の検出データを
１つずつ全て検査用データと比較評価している。このた
め、転写に影響しない領域の検査用データとの確認作業
まで行わなければならず、欠陥検査に手間がかかり面倒
であるという問題があった。
と、露光した時に光透過率が変化するため、良好な位相
シフト効果が得られ難くなる。しかし、位相シフト効果
は、遮光部のエッジ部で得られるため、大きな遮光部の
内部では遮光部自身の効果しか得られず、遮光部上に異
物が存在しても位相シフト効果への影響は生じない。従
来のレチクル検査装置では、異物が何の位置にあっても
遮光膜上の欠陥を全て同一に検出するため、欠陥の検出
データを全てメモリに記憶し、この欠陥の検出データを
１つずつ全て検査用データと比較評価している。このた
め、転写に影響しない領域の検査用データとの確認作業
まで行わなければならず、欠陥検査に手間がかかり面倒
であるという問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、遮光部分及び透明部分
のみならずハーフトーン部を検出して、検出したハーフ
トーン部と検査用データとの比較評価を行うことができ
るとともに、転写に影響しない領域の欠陥を検出しない
ようにして、欠陥検査を効率良く行うことができるマス
クの検査方法及びマスクの検査装置を提供することを目
的とする。
のみならずハーフトーン部を検出して、検出したハーフ
トーン部と検査用データとの比較評価を行うことができ
るとともに、転写に影響しない領域の欠陥を検出しない
ようにして、欠陥検査を効率良く行うことができるマス
クの検査方法及びマスクの検査装置を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
マスク上のパターンを、光透過部分と、該光透過部分よ
りも光透過率の低い低光透過率部分と、該光透過部分の
光透過率と該低光透過率部分の光透過率の間の光透過率
を有する中間光透過率部分の光透過率毎に３階調以上に
分類して、画像処理を行い、この画像処理を行った３階
調以上に分類した前記パターンのデータと、被検査プレ
ート及び設計データから変換されるとともに、前記パタ
ーンの光透過率により３階調以上に分類した検査用デー
タとを比較して検査することを特徴とするものである。
マスク上のパターンを、光透過部分と、該光透過部分よ
りも光透過率の低い低光透過率部分と、該光透過部分の
光透過率と該低光透過率部分の光透過率の間の光透過率
を有する中間光透過率部分の光透過率毎に３階調以上に
分類して、画像処理を行い、この画像処理を行った３階
調以上に分類した前記パターンのデータと、被検査プレ
ート及び設計データから変換されるとともに、前記パタ
ーンの光透過率により３階調以上に分類した検査用デー
タとを比較して検査することを特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の発明において、前記検査用データは、透過率の異なる
パターンを識別する記号を有するデータフォーマットか
らなることを特徴とするものである。請求項３記載の発
明は、上記請求項１，２記載の発明において、前記マス
クに形成されたハーフトーン遮光部分を、前記中間光透
過率部分として画像処理を行うことを特徴とするもので
ある。
の発明において、前記検査用データは、透過率の異なる
パターンを識別する記号を有するデータフォーマットか
らなることを特徴とするものである。請求項３記載の発
明は、上記請求項１，２記載の発明において、前記マス
クに形成されたハーフトーン遮光部分を、前記中間光透
過率部分として画像処理を行うことを特徴とするもので
ある。
【０００９】請求項４記載の発明は、上記請求項３記載
の発明において、前記検査用データの光透過部分と境界
のハーフトーン部分に、遮光膜が小さくなるデータのシ
フトを行い、パターン境界からシフトで発生させた領域
内の透過率の低下する部分のみを欠陥として検出するこ
とを特徴とするものである。請求項５記載の発明は、マ
スク上のパターンを、光透過部分と、該光透過部分より
も光の透過率の低い低光透過率部分と、該光透過部分の
光透過率と該低光透過率部分の光透過率の間の光透過率
を有する中間光透過率部分の光透過率毎に３階調以上に
分類して、画像処理を行う画像処理手段と、被検査プレ
ート及び設計データから変換されるとともに、前記パタ
ーンの透過率により３階調以上に分類した検査用データ
を作成する検査用データ作成手段と、画像処理した前記
パターンのデータと作成した検査用データとを比較する
比較手段とを有することを特徴とするものである。
の発明において、前記検査用データの光透過部分と境界
のハーフトーン部分に、遮光膜が小さくなるデータのシ
フトを行い、パターン境界からシフトで発生させた領域
内の透過率の低下する部分のみを欠陥として検出するこ
とを特徴とするものである。請求項５記載の発明は、マ
スク上のパターンを、光透過部分と、該光透過部分より
も光の透過率の低い低光透過率部分と、該光透過部分の
光透過率と該低光透過率部分の光透過率の間の光透過率
を有する中間光透過率部分の光透過率毎に３階調以上に
分類して、画像処理を行う画像処理手段と、被検査プレ
ート及び設計データから変換されるとともに、前記パタ
ーンの透過率により３階調以上に分類した検査用データ
を作成する検査用データ作成手段と、画像処理した前記
パターンのデータと作成した検査用データとを比較する
比較手段とを有することを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本実施例では、後述する実施例の図１〜図５に
示す如く、レチクル上のパターンを高光透過部分とハー
フトーン膜部分と低光透過率部分との光透過率毎に３階
調に分類して、画像処理を行い、この画像処理を行った
３階調以上に分類した実パターンのデータと、被検査プ
レート及び設計データから変換されるとともに、パター
ンの光透過率により３階調以上に分類した検査用データ
とを比較して検査するように構成する。
示す如く、レチクル上のパターンを高光透過部分とハー
フトーン膜部分と低光透過率部分との光透過率毎に３階
調に分類して、画像処理を行い、この画像処理を行った
３階調以上に分類した実パターンのデータと、被検査プ
レート及び設計データから変換されるとともに、パター
ンの光透過率により３階調以上に分類した検査用データ
とを比較して検査するように構成する。
【００１１】このため、実パターンと検査用データを光
透過率毎に３階調で分類して各々を比較検査することが
できるので、遮光部分及び透明部分のみならず、ハーフ
トーン部を検出することができる。従って、検出したハ
ーフトーン部と検査用データとの比較評価を行うことが
できる。
透過率毎に３階調で分類して各々を比較検査することが
できるので、遮光部分及び透明部分のみならず、ハーフ
トーン部を検出することができる。従って、検出したハ
ーフトーン部と検査用データとの比較評価を行うことが
できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明に係る一実施例のマスク・レチクル
自動検査装置の構成を示すブロック図である。本実施例
では、まず、Ａｒ（アルゴン）レーザ等の光源１から被
検査プレート２のレチクル上のパターンに光を照射し、
レチクルのパターンを透過する光を受光素子３で受光
し、画像処理部４で画像処理を行った後、画像処理した
パターンの画像データ（ビットマップ）を画像記憶部５
に記憶する。この時、画像処理は、レチクル上のパター
ンを高光透過率部分とハーフトーン遮光膜部分と低透過
率部分との光透過率毎に３階調以上に分類して行われ
る。
する。図１は本発明に係る一実施例のマスク・レチクル
自動検査装置の構成を示すブロック図である。本実施例
では、まず、Ａｒ（アルゴン）レーザ等の光源１から被
検査プレート２のレチクル上のパターンに光を照射し、
レチクルのパターンを透過する光を受光素子３で受光
し、画像処理部４で画像処理を行った後、画像処理した
パターンの画像データ（ビットマップ）を画像記憶部５
に記憶する。この時、画像処理は、レチクル上のパター
ンを高光透過率部分とハーフトーン遮光膜部分と低透過
率部分との光透過率毎に３階調以上に分類して行われ
る。
【００１３】ここで、ハーフトーン位相シフトレチクル
のパターンと光透過率を図２に示し、通常のレチクルの
パターンと光透過率を図３に示す。図２（ａ）の透明基
板１１上にハーフトーン膜１２のパターンが形成された
ハーフトーン位相シフトレチクルでは、図２（ｂ）に示
す如く、ハーフトーン膜１２部分の光透過率が数十％で
あるのに対し、図３（ａ）の透明基板１１上にＣｒ等の
遮光膜１３のパターンが形成された通常のレチクルで
は、遮光膜１３部分の光透過率が０％である。なお、透
明基板１１が露出された部分の光透過率は、１００％で
ある。
のパターンと光透過率を図２に示し、通常のレチクルの
パターンと光透過率を図３に示す。図２（ａ）の透明基
板１１上にハーフトーン膜１２のパターンが形成された
ハーフトーン位相シフトレチクルでは、図２（ｂ）に示
す如く、ハーフトーン膜１２部分の光透過率が数十％で
あるのに対し、図３（ａ）の透明基板１１上にＣｒ等の
遮光膜１３のパターンが形成された通常のレチクルで
は、遮光膜１３部分の光透過率が０％である。なお、透
明基板１１が露出された部分の光透過率は、１００％で
ある。
【００１４】次に、図４は図２に示すハーフトーン位相
シフトレチクルのパターンと光透過率を３階調に分けた
場合のビットマップの例を示す図、図５は図３に示す通
常のレチクルのパターンと光透過率を３階調に分けた場
合のビットマップの例を示す図である。本実施例では、
図４，５に示すように、図２のハーフトーン位相シフト
レチクルのパターンと図３の通常のレチクルのパターン
とから、画像処理部４により３値化されたビットマップ
を各々作成する。ビットマップは、高光透過率部分とハ
ーフトーン遮光膜部分と低光透過率部分との光透過率毎
に３階調で分類される。
シフトレチクルのパターンと光透過率を３階調に分けた
場合のビットマップの例を示す図、図５は図３に示す通
常のレチクルのパターンと光透過率を３階調に分けた場
合のビットマップの例を示す図である。本実施例では、
図４，５に示すように、図２のハーフトーン位相シフト
レチクルのパターンと図３の通常のレチクルのパターン
とから、画像処理部４により３値化されたビットマップ
を各々作成する。ビットマップは、高光透過率部分とハ
ーフトーン遮光膜部分と低光透過率部分との光透過率毎
に３階調で分類される。
【００１５】次に、検査用データは、被検査プレート２
と設計データ２１からデータ変換部２２により検査用に
変換されて、磁気ディスク２３や磁気テープ２４に記憶
される。次いで、磁気ディスク２３や磁気テープ２４か
ら読み出された検査用データは、パターン発生回路部２
５によりレチクルのパターンの透過率を基に３階調に分
類されてビットマップ化されて、画像記憶部２６に記憶
される。
と設計データ２１からデータ変換部２２により検査用に
変換されて、磁気ディスク２３や磁気テープ２４に記憶
される。次いで、磁気ディスク２３や磁気テープ２４か
ら読み出された検査用データは、パターン発生回路部２
５によりレチクルのパターンの透過率を基に３階調に分
類されてビットマップ化されて、画像記憶部２６に記憶
される。
【００１６】そして、画像記憶部５からビットマップ化
した実パターンのデータを読み出すとともに、画像記憶
部２６からビットマップ化した検査用データを読み出
し、この読み出した実パターンのデータと検査用データ
とを比較回路部２７により比較して検査する。このよう
に、本実施例では、レチクル上のパターンを高光透過部
分とハーフトーン膜部分と低光透過率部分との光透過率
毎に３階調に分類して、画像処理を行い、この画像処理
を行った３階調以上に分類した実パターンのデータと、
被検査プレート及び設計データから変換されるととも
に、パターンの光透過率により３階調以上に分類した検
査用データとを比較して検査するように構成している。
した実パターンのデータを読み出すとともに、画像記憶
部２６からビットマップ化した検査用データを読み出
し、この読み出した実パターンのデータと検査用データ
とを比較回路部２７により比較して検査する。このよう
に、本実施例では、レチクル上のパターンを高光透過部
分とハーフトーン膜部分と低光透過率部分との光透過率
毎に３階調に分類して、画像処理を行い、この画像処理
を行った３階調以上に分類した実パターンのデータと、
被検査プレート及び設計データから変換されるととも
に、パターンの光透過率により３階調以上に分類した検
査用データとを比較して検査するように構成している。
【００１７】このため、実パターンと検査用データを透
過率毎に３階調で分類して各々を比較検査することがで
きるので、遮光部分及び透明部分のみならず、ハーフト
ーン部を検出することができる。従って、検出したハー
フトーン部と検査用データの比較評価を行うことができ
る。本実施例は、検査用データを、透過率の異なるパタ
ーンを識別する記号を有するデータフォーマットからな
るビットマップで構成したため、実パターンと検査用デ
ータを効率良く、かつ精度良く比較評価することができ
る。
過率毎に３階調で分類して各々を比較検査することがで
きるので、遮光部分及び透明部分のみならず、ハーフト
ーン部を検出することができる。従って、検出したハー
フトーン部と検査用データの比較評価を行うことができ
る。本実施例は、検査用データを、透過率の異なるパタ
ーンを識別する記号を有するデータフォーマットからな
るビットマップで構成したため、実パターンと検査用デ
ータを効率良く、かつ精度良く比較評価することができ
る。
【００１８】本実施例は、レチクルのハーフトーン遮光
部分を中間光透過率部分として画像処理を行い、検査デ
ータから発生させる画像をハーフトーン部に対応させる
ように中間の階調としてレチクルの遮光膜と合わせるよ
うに構成したため、実パターンと検査用データのハーフ
トーン部の比較評価を効率良く行うことができる。な
お、上記実施例では、実パターンと検査用データのビッ
トマップ化を光透過率毎に３階調で分類して行う場合に
ついて説明したが、本発明はこれのみで限定されるもの
ではなく、要は３階調以上に分類すればハーフトーン部
を検出することができるので、例えば４階調で分類して
もよいし、５階調で分類してもよい。
部分を中間光透過率部分として画像処理を行い、検査デ
ータから発生させる画像をハーフトーン部に対応させる
ように中間の階調としてレチクルの遮光膜と合わせるよ
うに構成したため、実パターンと検査用データのハーフ
トーン部の比較評価を効率良く行うことができる。な
お、上記実施例では、実パターンと検査用データのビッ
トマップ化を光透過率毎に３階調で分類して行う場合に
ついて説明したが、本発明はこれのみで限定されるもの
ではなく、要は３階調以上に分類すればハーフトーン部
を検出することができるので、例えば４階調で分類して
もよいし、５階調で分類してもよい。
【００１９】次に、本発明においては、検査用データの
光透過部分と境界のハーフトーン部分に、遮光膜が小さ
くなるデータのシフトを行い、パターン境界からシフト
で発生させた領域内の透過率の低下する部分のみを欠陥
として認識するように構成してもよい。以下、具体的に
図面を用いて説明する。次に、図６，７は検査用データ
の表記と検査用データから作成したハーフトーン位相シ
フトレチクルの画像イメージの作成例を示す図である。
光透過部分と境界のハーフトーン部分に、遮光膜が小さ
くなるデータのシフトを行い、パターン境界からシフト
で発生させた領域内の透過率の低下する部分のみを欠陥
として認識するように構成してもよい。以下、具体的に
図面を用いて説明する。次に、図６，７は検査用データ
の表記と検査用データから作成したハーフトーン位相シ
フトレチクルの画像イメージの作成例を示す図である。
【００２０】図６では、斜線部の遮光部で取り囲まれる
（ｘ1 ，ｙ2 、ｘ2 ，ｙ2 ）をパターンデータとし、こ
のパターンデータの外周を有効エリアとし、データのシ
フト方向を外側にしている。図７では、斜線部の遮光部
内側を有効エリアとし、データのシフト方向を内側にし
ている。次に、図８，９は検査用データから遮光膜上の
異物の検出不要領域の発生例を示す図である。
（ｘ1 ，ｙ2 、ｘ2 ，ｙ2 ）をパターンデータとし、こ
のパターンデータの外周を有効エリアとし、データのシ
フト方向を外側にしている。図７では、斜線部の遮光部
内側を有効エリアとし、データのシフト方向を内側にし
ている。次に、図８，９は検査用データから遮光膜上の
異物の検出不要領域の発生例を示す図である。
【００２１】図８は、図７のデータ有りの部分の階調を
Ｃ２とし、データへのシフトを−シフトとした有効エリ
アが遮光部の内側になる場合に対応したものであり、破
線の内側の部分が遮光膜上の異物の検出不要領域となる
ため、破線の内側部分に異物があっても影響しない。ま
た、図９は、図６のデータ有りの部分の階調をＣ１と
し、データへのシフトを＋シフトとした有効エリアがパ
ターンデータの外周となる場合に対応したものであり、
破線の外側の部分が遮光膜上の異物の検出不要領域とな
り、破線の外側に異物があっても影響しない。
Ｃ２とし、データへのシフトを−シフトとした有効エリ
アが遮光部の内側になる場合に対応したものであり、破
線の内側の部分が遮光膜上の異物の検出不要領域となる
ため、破線の内側部分に異物があっても影響しない。ま
た、図９は、図６のデータ有りの部分の階調をＣ１と
し、データへのシフトを＋シフトとした有効エリアがパ
ターンデータの外周となる場合に対応したものであり、
破線の外側の部分が遮光膜上の異物の検出不要領域とな
り、破線の外側に異物があっても影響しない。
【００２２】このように、高光透過率部分の画像イメー
ジの周りの転写に影響する部分の領域を検査データから
発生させ、透過率が低下する部分は、この領域以外では
欠陥として検出せず、図１の欠陥記憶部２８に記憶しな
い。このため、効率的な欠陥検査を行うことができる。
次に、図１０はハーフトーン位相レチクルのパターン部
分とピンホール欠陥部と遮光膜上の異物の部分とを示す
図、図１１は図１０に示すハーフトーン位相レチクルの
パターン部分とピンホール欠陥部と遮光膜上の異物の部
分の光透過率を示す図である。図示例は、検出が必要な
欠陥例と検出が不要な欠陥例を示している。
ジの周りの転写に影響する部分の領域を検査データから
発生させ、透過率が低下する部分は、この領域以外では
欠陥として検出せず、図１の欠陥記憶部２８に記憶しな
い。このため、効率的な欠陥検査を行うことができる。
次に、図１０はハーフトーン位相レチクルのパターン部
分とピンホール欠陥部と遮光膜上の異物の部分とを示す
図、図１１は図１０に示すハーフトーン位相レチクルの
パターン部分とピンホール欠陥部と遮光膜上の異物の部
分の光透過率を示す図である。図示例は、検出が必要な
欠陥例と検出が不要な欠陥例を示している。
【００２３】本発明においては、図１０，１１に示す如
く、パターンエッジから離れた所にある透過率が低下す
る遮光膜１３上の異物３１は、検出が不要であるので、
欠陥として欠陥記憶部２８に記憶しない。ここで、図１
０に示すパターンエッジから離れた所にある透過率が高
くなっているピンホール欠陥部３２は、検出が必要であ
るので、欠陥として図１の欠陥記憶部２８に記憶する。
このため、効率的な欠陥検査を行うことができる。
く、パターンエッジから離れた所にある透過率が低下す
る遮光膜１３上の異物３１は、検出が不要であるので、
欠陥として欠陥記憶部２８に記憶しない。ここで、図１
０に示すパターンエッジから離れた所にある透過率が高
くなっているピンホール欠陥部３２は、検出が必要であ
るので、欠陥として図１の欠陥記憶部２８に記憶する。
このため、効率的な欠陥検査を行うことができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、遮光部分及び透明部分
のみならずハーフトーン部を検出して、検出したハーフ
トーン部と検査用データとの比較評価を行うことができ
るとともに、転写に影響しない領域の欠陥を検出しない
ようにして、欠陥検査を効率良く行うことができるとい
う効果がある。
のみならずハーフトーン部を検出して、検出したハーフ
トーン部と検査用データとの比較評価を行うことができ
るとともに、転写に影響しない領域の欠陥を検出しない
ようにして、欠陥検査を効率良く行うことができるとい
う効果がある。
【図１】本発明に係る一実施例のマスク・レチクル自動
検査装置の構成を示すブロック図である。
検査装置の構成を示すブロック図である。
【図２】ハーフトーン位相シフトレチクルのパターンと
光透過率を示す図である。
光透過率を示す図である。
【図３】通常のレチクルのパターンと光透過率を示す図
である。
である。
【図４】図２に示すハーフトーン位相シフトレチクルの
パターンと３階調のビットマップの例を示す図である。
パターンと３階調のビットマップの例を示す図である。
【図５】図３に示す通常のレチクルのパターンと３階調
のビットマップの例を示す図である。
のビットマップの例を示す図である。
【図６】検査用データの表記と検査用データから作成し
たハーフトーン位相シフトレチクルの画像イメージの作
成例を示す図である。
たハーフトーン位相シフトレチクルの画像イメージの作
成例を示す図である。
【図７】検査用データの表記と検査用データから作成し
たハーフトーン位相シフトレチクルの画像イメージの作
成例を示す図である。
たハーフトーン位相シフトレチクルの画像イメージの作
成例を示す図である。
【図８】検査用データから遮光膜上の異物の検出不要領
域の発生例を示す図である。
域の発生例を示す図である。
【図９】検査用データから遮光膜上の異物の検出不要領
域の発生例を示す図である。
域の発生例を示す図である。
【図１０】ハーフトーン位相レチクルのパターン部分と
ピンホール欠陥部と遮光膜の異物の部分とを示す図であ
る。
ピンホール欠陥部と遮光膜の異物の部分とを示す図であ
る。
【図１１】図１０に示すハーフトーン位相レチクルのパ
ターン部分とピンホール欠陥部と遮光膜上の異物の部分
の光透過率を示す図である。
ターン部分とピンホール欠陥部と遮光膜上の異物の部分
の光透過率を示す図である。
【符号の説明】 １ 光源 ２ 被検査プレート ３ 受光素子 ４ 画像処理部 ５ 画像記憶部 １１ 透明基板 １２ ハーフトーン膜 １３ 遮光膜 ２１ 設計データ ２２ データ変換部 ２３ 磁気ディスク ２４ 磁気テープ ２５ パターン発生回路部 ２６ 画像記憶部 ２７ 比較回路部 ２８ 欠陥記憶部 ３１ 異物 ３２ ピンホール欠陥部
Claims (5)
- 【請求項１】マスク上のパターンを、光透過部分と、該
光透過部分よりも光透過率の低い低光透過率部分と、該
光透過部分の光透過率と該低光透過率部分の光透過率の
間の光透過率を有する中間光透過率部分の光透過率毎に
３階調以上に分類して、画像処理を行い、この画像処理
を行った３階調以上に分類した前記パターンのデータ
と、被検査プレート及び設計データから変換されるとと
もに、前記パターンの光透過率により３階調以上に分類
した検査用データとを比較して検査することを特徴とす
るマスクの検査方法。 - 【請求項２】前記検査用データは、透過率の異なるパタ
ーンを識別する記号を有するデータフォーマットからな
ることを特徴とする請求項１記載のマスクの検査方法。 - 【請求項３】前記マスクに形成されたハーフトーン遮光
部分を、前記中間光透過率部分として画像処理を行うこ
とを特徴とする請求項１，２記載のマスクの検査方法。 - 【請求項４】前記検査用データの光透過部分と境界のハ
ーフトーン部分に、遮光膜が小さくなるデータのシフト
を行い、パターン境界からシフトで発生させた領域内の
透過率の低下する部分のみを欠陥として検出することを
特徴とする請求項３記載のマスクの検査方法。 - 【請求項５】マスク上のパターンを、光透過部分と、該
光透過部分よりも光の透過率の低い低光透過率部分と、
該光透過部分の光透過率と該低光透過率部分の光透過率
の間の光透過率を有する中間光透過率部分の光透過率毎
に３階調以上に分類して、画像処理を行う画像処理手段
と、被検査プレート及び設計データから変換されるとと
もに、前記パターンの透過率により３階調以上に分類し
た検査用データを作成する検査用データ作成手段と、画
像処理した前記パターンのデータと作成した検査用デー
タとを比較する比較手段とを有することを特徴とするマ
スクの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470094A JPH08137092A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470094A JPH08137092A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08137092A true JPH08137092A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17545348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27470094A Withdrawn JPH08137092A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | マスクの検査方法及びマスクの検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08137092A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351746A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡用撮像レシピ作成装置及びその方法並びに半導体パターンの形状評価装置 |
| US7257247B2 (en) | 2002-02-21 | 2007-08-14 | International Business Machines Corporation | Mask defect analysis system |
| JP2007240517A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-09-20 | Lasertec Corp | 検査装置及び検査方法並びにパターン基板の製造方法 |
| JP2008165216A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-07-17 | Hoya Corp | グレートーンマスクの検査方法、液晶装置製造用グレートーンマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
| JP2010515952A (ja) * | 2007-01-11 | 2010-05-13 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル上のリソグラフィにおいて有意な欠陥を検出する方法 |
| US8611637B2 (en) | 2007-01-11 | 2013-12-17 | Kla-Tencor Corporation | Wafer plane detection of lithographically significant contamination photomask defects |
-
1994
- 1994-11-09 JP JP27470094A patent/JPH08137092A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7257247B2 (en) | 2002-02-21 | 2007-08-14 | International Business Machines Corporation | Mask defect analysis system |
| US7492940B2 (en) | 2002-02-21 | 2009-02-17 | International Business Machines Corporation | Mask defect analysis system |
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|---|---|---|---|
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