JPH1195410A - フォトマスクの欠陥検査方法および欠陥検査装置 - Google Patents
フォトマスクの欠陥検査方法および欠陥検査装置Info
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- JPH1195410A JPH1195410A JP27387897A JP27387897A JPH1195410A JP H1195410 A JPH1195410 A JP H1195410A JP 27387897 A JP27387897 A JP 27387897A JP 27387897 A JP27387897 A JP 27387897A JP H1195410 A JPH1195410 A JP H1195410A
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- photomask
- transmitted light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスク１４の遮光帯２３の欠陥を見過
ごすことなく、検査用パターンデータを準備することな
く、容易に遮光帯２３の欠陥を検出する欠陥検査方法お
よび欠陥検査装置１０を提供する。 【解決手段】 適正な遮光帯の透過光強度および非遮光
帯の透過光強度から閾値２７を設定すること、フォトマ
スク１４の遮光帯２３を透過光によって走査し、検出さ
れた透過光の強度を閾値２７との比較から２値に判定
し、当該判定データにより、遮光帯２３の欠陥を検出す
る。
ごすことなく、検査用パターンデータを準備することな
く、容易に遮光帯２３の欠陥を検出する欠陥検査方法お
よび欠陥検査装置１０を提供する。 【解決手段】 適正な遮光帯の透過光強度および非遮光
帯の透過光強度から閾値２７を設定すること、フォトマ
スク１４の遮光帯２３を透過光によって走査し、検出さ
れた透過光の強度を閾値２７との比較から２値に判定
し、当該判定データにより、遮光帯２３の欠陥を検出す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣ用フォ
トレジストにパターンを転写するためのフォトマスクに
設けられる遮光帯の欠陥を検査する方法およびこの検査
方法を実施する欠陥検査装置に関する。
トレジストにパターンを転写するためのフォトマスクに
設けられる遮光帯の欠陥を検査する方法およびこの検査
方法を実施する欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣ装置の製造技術に、フォトリ
ソグラフィ技術がある。フォトリソグラフィ技術によれ
ば、半導体ウェハ上に形成された被加工膜を覆うフォト
レジストに、例えば回路パターンが転写される。転写さ
れたフォトレジストからエッチングマスクが形成され、
このエッチングマスクを用いて、被加工膜がエッチング
を受ける。フォトレジストに回路パターン等を転写する
ためにフォトレジストは露光を受けるが、その露光法
に、縮小投影露光法がある。
ソグラフィ技術がある。フォトリソグラフィ技術によれ
ば、半導体ウェハ上に形成された被加工膜を覆うフォト
レジストに、例えば回路パターンが転写される。転写さ
れたフォトレジストからエッチングマスクが形成され、
このエッチングマスクを用いて、被加工膜がエッチング
を受ける。フォトレジストに回路パターン等を転写する
ためにフォトレジストは露光を受けるが、その露光法
に、縮小投影露光法がある。
【０００３】縮小投影露光法では、レティクルと呼ばれ
る拡大マスクが用いられ、このマスクには、複数チップ
分の拡大パターンが配置されたパターン領域を取り巻い
て、遮光帯が形成されている。この遮光帯は、例えばク
ロム膜等からなり、全体に矩形の枠状を呈する。ウェハ
上のフォトレジストにマスクを順次移動しながら、パタ
ーンを転写する際に、遮光帯は、露光対象領域に隣接す
る他のフォトレジスト部分に露光が漏れ出ることを防止
する作用をなす。遮光帯に光の透過を許す欠陥がある
と、この欠陥部分を経る露光により、漏れた光を受ける
隣接したパターン部分に欠陥が生じる。この欠陥の発生
を防止するために、フォトマスクに設けられる遮光帯の
欠陥を検査することが不可欠となる。
る拡大マスクが用いられ、このマスクには、複数チップ
分の拡大パターンが配置されたパターン領域を取り巻い
て、遮光帯が形成されている。この遮光帯は、例えばク
ロム膜等からなり、全体に矩形の枠状を呈する。ウェハ
上のフォトレジストにマスクを順次移動しながら、パタ
ーンを転写する際に、遮光帯は、露光対象領域に隣接す
る他のフォトレジスト部分に露光が漏れ出ることを防止
する作用をなす。遮光帯に光の透過を許す欠陥がある
と、この欠陥部分を経る露光により、漏れた光を受ける
隣接したパターン部分に欠陥が生じる。この欠陥の発生
を防止するために、フォトマスクに設けられる遮光帯の
欠陥を検査することが不可欠となる。
【０００４】フォトマスクの遮光帯の欠陥を検査する従
来方法には、二点比較方式とデータ比較方式とがある。
二点比較方式では、矩形の枠状を示す遮光帯の互いに対
応する２点を透過光によって同時に走査し、この対応す
る２点の走査によって得られた透過光強度のデータを比
較する。走査した２点間のデータに光強度の差がある
と、いずれか一方の走査点に欠陥があることが分かる。
従って、二点比較方式は、対応する２点の光強度を比較
することにより、遮光帯の欠陥を検出する。他方、デー
タ比較方式では、検査用パターンデータを予め作成した
後、フォトマスクの遮光帯を透過光によって走査する。
走査によって得られた透過光強度を対応する検査用パタ
ーンデータと比較することにより、遮光帯の欠陥を検出
する。
来方法には、二点比較方式とデータ比較方式とがある。
二点比較方式では、矩形の枠状を示す遮光帯の互いに対
応する２点を透過光によって同時に走査し、この対応す
る２点の走査によって得られた透過光強度のデータを比
較する。走査した２点間のデータに光強度の差がある
と、いずれか一方の走査点に欠陥があることが分かる。
従って、二点比較方式は、対応する２点の光強度を比較
することにより、遮光帯の欠陥を検出する。他方、デー
タ比較方式では、検査用パターンデータを予め作成した
後、フォトマスクの遮光帯を透過光によって走査する。
走査によって得られた透過光強度を対応する検査用パタ
ーンデータと比較することにより、遮光帯の欠陥を検出
する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記したよ
うな従来の二点比較方式では、データ比較方式のような
検査用データを予め作成する必要がない。しかしなが
ら、同時に走査を受ける互いに対応する２点に欠陥が共
に存在すれば、このとき、２点のデータ間に光強度差が
生じないことから、この欠陥を見過ごし、これを検出す
ることができない。また、走査された２点のデータ間の
光強度差により、欠陥があることが検出されても、改め
て、その２点のうちのいずれの点が欠陥であるのかを判
定する作業が必要となる。また、従来のデータ比較方式
では、予め検査用パターンデータを準備する作業が不可
欠となる。
うな従来の二点比較方式では、データ比較方式のような
検査用データを予め作成する必要がない。しかしなが
ら、同時に走査を受ける互いに対応する２点に欠陥が共
に存在すれば、このとき、２点のデータ間に光強度差が
生じないことから、この欠陥を見過ごし、これを検出す
ることができない。また、走査された２点のデータ間の
光強度差により、欠陥があることが検出されても、改め
て、その２点のうちのいずれの点が欠陥であるのかを判
定する作業が必要となる。また、従来のデータ比較方式
では、予め検査用パターンデータを準備する作業が不可
欠となる。
【０００６】そのため、フォトマスクの遮光帯の欠陥を
容易に検出できる欠陥検査方法およびこの検査方法を実
施する欠陥検査装置の出現が望まれていた。
容易に検出できる欠陥検査方法およびこの検査方法を実
施する欠陥検査装置の出現が望まれていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の点を解
決するために、次の構成を採用する。 〈構成〉本発明に係るフォトマスクの欠陥検査方法は、
半導体ＩＣ用フォトレジストにパターンを転写するため
のフォトマスクに設けられる遮光帯の欠陥を検査する方
法であって、適正な遮光帯の透過光強度および非遮光帯
の透過光強度から閾値を設定すること、フォトマスクの
遮光帯を透過光によって走査し、検出された透過光の強
度を閾値との比較から２値に判定し、当該判定データに
より、遮光帯の欠陥を検出することを特徴とする。
決するために、次の構成を採用する。 〈構成〉本発明に係るフォトマスクの欠陥検査方法は、
半導体ＩＣ用フォトレジストにパターンを転写するため
のフォトマスクに設けられる遮光帯の欠陥を検査する方
法であって、適正な遮光帯の透過光強度および非遮光帯
の透過光強度から閾値を設定すること、フォトマスクの
遮光帯を透過光によって走査し、検出された透過光の強
度を閾値との比較から２値に判定し、当該判定データに
より、遮光帯の欠陥を検出することを特徴とする。
【０００８】本発明に係るフォトレジストの欠陥検査方
法では、遮光帯の走査によって得られた透過光の強度
が、設定した閾値と比較され、この比較の結果が、例え
ば遮光状態の弱い透過光強度を表示する「０」あるいは
非遮光状態の強い透過光強度を表示する「１」の２値に
判別される。この２値化処理により得られたパターンデ
ータから、例えば遮光帯であるべき領域にパターンの欠
損を生じる欠損欠陥、あるいは本来遮光帯ではないこと
ろにパターンがはみ出す過剰欠陥を検出することができ
る。
法では、遮光帯の走査によって得られた透過光の強度
が、設定した閾値と比較され、この比較の結果が、例え
ば遮光状態の弱い透過光強度を表示する「０」あるいは
非遮光状態の強い透過光強度を表示する「１」の２値に
判別される。この２値化処理により得られたパターンデ
ータから、例えば遮光帯であるべき領域にパターンの欠
損を生じる欠損欠陥、あるいは本来遮光帯ではないこと
ろにパターンがはみ出す過剰欠陥を検出することができ
る。
【０００９】従って、本発明に係るフォトレジストの欠
陥検査方法によれば、従来の二点比較方式におけるよう
な欠陥の見過ごしを招くことなく、また、従来のデータ
比較方式におけるような検査用パターンデータの準備を
必要とすることなく、容易にフォトマスクの遮光帯の欠
陥を検出することができる。
陥検査方法によれば、従来の二点比較方式におけるよう
な欠陥の見過ごしを招くことなく、また、従来のデータ
比較方式におけるような検査用パターンデータの準備を
必要とすることなく、容易にフォトマスクの遮光帯の欠
陥を検出することができる。
【００１０】本発明に係るフォトマスクの欠陥検査装置
は、半導体ＩＣ用フォトレジストにパターンを転写する
ためのフォトマスクに設けられる遮光帯の欠陥を検査す
る装置であって、フォトマスクの遮光帯を透過し、相対
的に遮光帯を走査する透過光のための光源と、遮光帯の
適正な透過光強度および非遮光帯の透過光強度に基づい
て設定される閾値と遮光帯を走査する透過光強度とを比
較し、該閾値を基準に２値信号を出力する検出回路と、
該検出回路からの出力信号および前記透過光の走査位置
についての情報を格納する記憶回路とを含む。
は、半導体ＩＣ用フォトレジストにパターンを転写する
ためのフォトマスクに設けられる遮光帯の欠陥を検査す
る装置であって、フォトマスクの遮光帯を透過し、相対
的に遮光帯を走査する透過光のための光源と、遮光帯の
適正な透過光強度および非遮光帯の透過光強度に基づい
て設定される閾値と遮光帯を走査する透過光強度とを比
較し、該閾値を基準に２値信号を出力する検出回路と、
該検出回路からの出力信号および前記透過光の走査位置
についての情報を格納する記憶回路とを含む。
【００１１】本発明に係るフォトマスクの欠陥検査装置
では、検出回路がフォトマスクの遮光帯を透過した光強
度と閾値とを比較することにより、２値信号を出力す
る。従って、本発明に係るフォトマスクの欠陥検査装置
によれば、前記検出回路により、２値化された遮光帯の
パターン情報を得ることができ、この情報に基づき、遮
光帯の欠陥の有無を判定することができることから、本
発明に係る検査方法を容易に実施することができる。
では、検出回路がフォトマスクの遮光帯を透過した光強
度と閾値とを比較することにより、２値信号を出力す
る。従って、本発明に係るフォトマスクの欠陥検査装置
によれば、前記検出回路により、２値化された遮光帯の
パターン情報を得ることができ、この情報に基づき、遮
光帯の欠陥の有無を判定することができることから、本
発明に係る検査方法を容易に実施することができる。
【００１２】透過光の走査領域をフォトマスクの遮光帯
に限定することができる。全体に矩形の枠状を呈する遮
光帯では、該矩形の対角線方向に配列されるそれぞれ内
側および外側の直角交点の座標データにより、遮光帯の
領域を特定することができ、これにより、遮光帯の領域
のみを走査することができる。このとき、遮光帯の領域
では、２値データのうち、強い透過光を示すデータ点
が、欠陥の存在を示すこととなる。
に限定することができる。全体に矩形の枠状を呈する遮
光帯では、該矩形の対角線方向に配列されるそれぞれ内
側および外側の直角交点の座標データにより、遮光帯の
領域を特定することができ、これにより、遮光帯の領域
のみを走査することができる。このとき、遮光帯の領域
では、２値データのうち、強い透過光を示すデータ点
が、欠陥の存在を示すこととなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
について詳細に説明する。 〈具体例〉図１は、本発明に係るフォトマスクの遮光帯
の欠陥を検査するための検査装置を示す。本発明に係る
フォトマスクの欠陥検査装置１０は、図１に示されてい
るように、検査用光源１１と、該光源からの被検査体を
透過した照射光を受ける検出回路１２と、該検出回路か
らの出力情報を格納するための記憶回路１３とを含む。
について詳細に説明する。 〈具体例〉図１は、本発明に係るフォトマスクの遮光帯
の欠陥を検査するための検査装置を示す。本発明に係る
フォトマスクの欠陥検査装置１０は、図１に示されてい
るように、検査用光源１１と、該光源からの被検査体を
透過した照射光を受ける検出回路１２と、該検出回路か
らの出力情報を格納するための記憶回路１３とを含む。
【００１４】光源１１からの照射光を受ける被検査体で
あるフォトマスク１４は、ステージ１５上に配置されて
いる。ステージ１５は、制御回路１６により制御を受け
る駆動回路１７の作動により、ｘ軸方向およびｙ軸方向
へ移動可能である。ステージ１５へ向けて発散する光源
１１からの照射光は、下方コリメータレンズ１８によ
り、平行光束に変換され、この平行光束は下方コンデン
サレンズ１９により、フォトマスク１４上の後述する遮
光帯に集光される。フォトマスク１４を透過した光源１
１からの照射光は、上方コリメータレンズ２０により、
平行光束に変換された後、上方コンデンサレンズ２１に
より、検出回路１２の検出手段である例えばフォトセン
サのような光−電気信号変換器１２ａに集光される。
あるフォトマスク１４は、ステージ１５上に配置されて
いる。ステージ１５は、制御回路１６により制御を受け
る駆動回路１７の作動により、ｘ軸方向およびｙ軸方向
へ移動可能である。ステージ１５へ向けて発散する光源
１１からの照射光は、下方コリメータレンズ１８によ
り、平行光束に変換され、この平行光束は下方コンデン
サレンズ１９により、フォトマスク１４上の後述する遮
光帯に集光される。フォトマスク１４を透過した光源１
１からの照射光は、上方コリメータレンズ２０により、
平行光束に変換された後、上方コンデンサレンズ２１に
より、検出回路１２の検出手段である例えばフォトセン
サのような光−電気信号変換器１２ａに集光される。
【００１５】従って、光源１１の照射光がフォトマスク
１４を透過した状態で、制御回路１６により、ステージ
１５をｘ軸方向およびｙ軸方向へ順次移動させることに
より、相対的に透過光でフォトマスク１４を走査するこ
とができる。また、検出回路１２のフォトセンサ１２ａ
により、この走査時の透過光強度を電気信号として検出
することができる。走査時に透過光が通過するフォトマ
スク１４の座標（ｘ, ｙ）位置の情報は、逐次、制御回
路１６により、検出される。制御回路１６には、所望の
領域を走査するための座標情報を格納するための座標設
定部１６ａが設けられている。
１４を透過した状態で、制御回路１６により、ステージ
１５をｘ軸方向およびｙ軸方向へ順次移動させることに
より、相対的に透過光でフォトマスク１４を走査するこ
とができる。また、検出回路１２のフォトセンサ１２ａ
により、この走査時の透過光強度を電気信号として検出
することができる。走査時に透過光が通過するフォトマ
スク１４の座標（ｘ, ｙ）位置の情報は、逐次、制御回
路１６により、検出される。制御回路１６には、所望の
領域を走査するための座標情報を格納するための座標設
定部１６ａが設けられている。
【００１６】検出回路１２は、後で詳述する閾値を設定
するための設定部１２ｂと、比較部１２ｃとを備える。
比較部１２ｃは、設定部１２ｂに設定された閾値と検出
手段たるフォトセンサ１２ａで検出した透過光の光強度
信号とを比較する。検出回路１２の比較部１２ｃがフォ
トセンサ１２ａで検出された光強度と設定部１２ｂに設
定された閾値とを比較した結果、光強度が閾値を越える
とき、検出回路１２は、強い透過光を表す例えば「１」
信号を、欠陥信号として、記憶回路１３に出力する。ま
た、検出回路１２は、フォトセンサ１２ａで検出された
光強度が閾値以下であるとき、「０」信号を記憶回路１
３に出力する。
するための設定部１２ｂと、比較部１２ｃとを備える。
比較部１２ｃは、設定部１２ｂに設定された閾値と検出
手段たるフォトセンサ１２ａで検出した透過光の光強度
信号とを比較する。検出回路１２の比較部１２ｃがフォ
トセンサ１２ａで検出された光強度と設定部１２ｂに設
定された閾値とを比較した結果、光強度が閾値を越える
とき、検出回路１２は、強い透過光を表す例えば「１」
信号を、欠陥信号として、記憶回路１３に出力する。ま
た、検出回路１２は、フォトセンサ１２ａで検出された
光強度が閾値以下であるとき、「０」信号を記憶回路１
３に出力する。
【００１７】記憶回路１３は、検出回路１２からの前記
した２値信号を受け、検出回路１２から欠陥信号を受け
たとき、その欠陥信号をそのフォトマスク１４の座標
（ｘ,ｙ）位置の情報と共に、格納する。
した２値信号を受け、検出回路１２から欠陥信号を受け
たとき、その欠陥信号をそのフォトマスク１４の座標
（ｘ,ｙ）位置の情報と共に、格納する。
【００１８】図２は、欠陥検査装置１０により検査を受
けるフォトマスク１４を拡大して示す平面図である。フ
ォトマスク１４は、透明な矩形平面形状を有するガラス
基板２２と、該ガラス基板の四辺と平行に、これからガ
ラス基板２２の内方へ間隔をおいて形成された帯状の各
辺を有する全体に矩形の枠体形状を呈する遮光帯２３と
を備える。遮光帯２３は、従来よく知られているよう
に、例えばクロム金属膜により形成されており、ガラス
基板２２上の遮光帯２３で取り巻かれたパターン領域２
４に、図示しないマスクパターンが形成される。
けるフォトマスク１４を拡大して示す平面図である。フ
ォトマスク１４は、透明な矩形平面形状を有するガラス
基板２２と、該ガラス基板の四辺と平行に、これからガ
ラス基板２２の内方へ間隔をおいて形成された帯状の各
辺を有する全体に矩形の枠体形状を呈する遮光帯２３と
を備える。遮光帯２３は、従来よく知られているよう
に、例えばクロム金属膜により形成されており、ガラス
基板２２上の遮光帯２３で取り巻かれたパターン領域２
４に、図示しないマスクパターンが形成される。
【００１９】図１に示す例では、フォトマスク１４の遮
光帯２３のみを走査するために、制御回路１６の座標設
定部１６ａに、図２に示す４点（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の座
標情報が格納される。各点Ａ（ｘ1 ，ｙ1 ）、Ｂ（ｘ
2 ，ｙ2 ）、Ｃ（ｘ3 ，ｙ3 ）、Ｄ（ｘ4 ，ｙ4 ）は、
遮光帯２３の内側および外側の８つの直角交点のうち、
遮光帯２３の対角線方向に配列された１組の交点座標で
ある。これら各点（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の座標（ｘ, ｙ）
を基に、例えば、ｘ軸方向を主走査方向とし、ｙ軸方向
を副走査方向として走査するために、それらの座標情報
Ａ（ｘ1 ，ｙ1 ）、Ｂ（ｘ2 ，ｙ2 ）、Ｃ（ｘ3 ，ｙ
3 ）、Ｄ（ｘ4 ，ｙ4 ）が、座標設定部１６ａに格納さ
れている。
光帯２３のみを走査するために、制御回路１６の座標設
定部１６ａに、図２に示す４点（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の座
標情報が格納される。各点Ａ（ｘ1 ，ｙ1 ）、Ｂ（ｘ
2 ，ｙ2 ）、Ｃ（ｘ3 ，ｙ3 ）、Ｄ（ｘ4 ，ｙ4 ）は、
遮光帯２３の内側および外側の８つの直角交点のうち、
遮光帯２３の対角線方向に配列された１組の交点座標で
ある。これら各点（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の座標（ｘ, ｙ）
を基に、例えば、ｘ軸方向を主走査方向とし、ｙ軸方向
を副走査方向として走査するために、それらの座標情報
Ａ（ｘ1 ，ｙ1 ）、Ｂ（ｘ2 ，ｙ2 ）、Ｃ（ｘ3 ，ｙ
3 ）、Ｄ（ｘ4 ，ｙ4 ）が、座標設定部１６ａに格納さ
れている。
【００２０】この座標設定部１６ａへの位置情報の設定
により、副走査範囲がｙ1 ≦ｙ＜ｙ2 の範囲では、主走
査範囲がｘ1 ≦ｘ≦ｘ4 に規定される。また、副走査範
囲がｙ2 ≦ｙ＜ｙ3 の範囲では、主走査範囲がｘ1 ≦ｘ
≦ｘ2 およびｘ3 ≦ｘ≦ｘ4に規定される。また副走査
範囲がｙ3 ≦ｙ≦ｙ4 の範囲では、主走査範囲がｘ1≦
ｘ≦ｘ4 に規定される。この座標設定部１６ａへの位置
情報の設定により、前記透過光により、フォトマスク１
４上に、本来あるべき遮光帯２３の領域のみを走査する
ことができる。
により、副走査範囲がｙ1 ≦ｙ＜ｙ2 の範囲では、主走
査範囲がｘ1 ≦ｘ≦ｘ4 に規定される。また、副走査範
囲がｙ2 ≦ｙ＜ｙ3 の範囲では、主走査範囲がｘ1 ≦ｘ
≦ｘ2 およびｘ3 ≦ｘ≦ｘ4に規定される。また副走査
範囲がｙ3 ≦ｙ≦ｙ4 の範囲では、主走査範囲がｘ1≦
ｘ≦ｘ4 に規定される。この座標設定部１６ａへの位置
情報の設定により、前記透過光により、フォトマスク１
４上に、本来あるべき遮光帯２３の領域のみを走査する
ことができる。
【００２１】この遮光帯２３の走査時に、閾値として検
出回路１２の設定部１２ｂに設定される前記した閾値を
求める手順を図３に沿って説明する。図３は、透過光強
度を相対値として示すグラフである。まず、フォトマス
ク１４の遮光帯２３のうち欠陥のない適正な部分におけ
る透過光強度が第１のサンプリング２５として、フォト
センサ１２ａで検出される。また、フォトマスク１４の
非遮光帯２３領域として、該遮光帯外領域のガラス基板
２２における透過光強度が第２のサンプリング２６とし
て、フォトセンサ１２ａで検出される。
出回路１２の設定部１２ｂに設定される前記した閾値を
求める手順を図３に沿って説明する。図３は、透過光強
度を相対値として示すグラフである。まず、フォトマス
ク１４の遮光帯２３のうち欠陥のない適正な部分におけ
る透過光強度が第１のサンプリング２５として、フォト
センサ１２ａで検出される。また、フォトマスク１４の
非遮光帯２３領域として、該遮光帯外領域のガラス基板
２２における透過光強度が第２のサンプリング２６とし
て、フォトセンサ１２ａで検出される。
【００２２】第１および第２のサンプリング２５および
２６の結果が、図３のグラフに、相対強度が０レベルお
よび１００レベルとして、それぞれ示されている。この
両レベル間で、検出しようとする所望の大きさの欠陥を
検知するに十分な許容限度値（スレッショルド）が前記
した閾値のレベル２７として採用され、この閾値２７が
検出回路１２の設定部１２ｂに設定される。
２６の結果が、図３のグラフに、相対強度が０レベルお
よび１００レベルとして、それぞれ示されている。この
両レベル間で、検出しようとする所望の大きさの欠陥を
検知するに十分な許容限度値（スレッショルド）が前記
した閾値のレベル２７として採用され、この閾値２７が
検出回路１２の設定部１２ｂに設定される。
【００２３】そのため、フォトマスク１４の遮光帯２３
の領域を前記透過光が走査するとき、欠損欠陥のない正
常な遮光部分では、フォトセンサ１２ａが検出する透過
光レベルは閾値２７よりも小さいことから、検出回路１
２から欠陥信号が出力されることはない。他方、遮光帯
２３の走査領域で、フォトセンサ１２ａが閾値２７より
も高い透過光レベルを検出すると、検出回路１２は記憶
回路１３に欠陥信号を出力し、この欠陥信号が制御回路
１６からの位置情報（ｘ，ｙ）と共に、格納される。
の領域を前記透過光が走査するとき、欠損欠陥のない正
常な遮光部分では、フォトセンサ１２ａが検出する透過
光レベルは閾値２７よりも小さいことから、検出回路１
２から欠陥信号が出力されることはない。他方、遮光帯
２３の走査領域で、フォトセンサ１２ａが閾値２７より
も高い透過光レベルを検出すると、検出回路１２は記憶
回路１３に欠陥信号を出力し、この欠陥信号が制御回路
１６からの位置情報（ｘ，ｙ）と共に、格納される。
【００２４】従って、本発明に係る欠陥検査装置１０に
よれば、記憶回路１３に出力される欠陥データの有無に
より、欠損欠陥の有無を知ることができ、またその位置
情報から欠陥部位を知ることができる。
よれば、記憶回路１３に出力される欠陥データの有無に
より、欠損欠陥の有無を知ることができ、またその位置
情報から欠陥部位を知ることができる。
【００２５】前記したところでは、遮光帯２３の領域の
みを走査し、この遮光帯２３の欠陥信号についての情報
のみを記憶回路１３に格納した例について説明した。こ
れに代えて、フォトマスク１４の全域を走査すると共
に、検出回路１２からの２値情報をそれらの位置情報と
共に、逐次、記憶回路１３に格納することにより、遮光
帯２３に関する全体的な２値化パターンを得ることがで
きる。この２値化パターンによれば、遮光帯２３の欠損
欠陥に加えて、所定の遮光帯領域からはみ出した過剰欠
陥をも検出することが可能となる。
みを走査し、この遮光帯２３の欠陥信号についての情報
のみを記憶回路１３に格納した例について説明した。こ
れに代えて、フォトマスク１４の全域を走査すると共
に、検出回路１２からの２値情報をそれらの位置情報と
共に、逐次、記憶回路１３に格納することにより、遮光
帯２３に関する全体的な２値化パターンを得ることがで
きる。この２値化パターンによれば、遮光帯２３の欠損
欠陥に加えて、所定の遮光帯領域からはみ出した過剰欠
陥をも検出することが可能となる。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係るフォトレジストの欠陥検査
方法および欠陥検査装置によれば、前記したように、予
め設定された閾値と、フォトマスクの遮光帯を走査して
得られた透過光の強度とを比較し、それによって得られ
た２値データに基づき、欠陥の有無が判定できることか
ら、従来の二点比較方式におけるような欠陥の見過ごし
を招くことなく、また、従来のデータ比較方式における
ような検査用パターンデータの準備を必要とすることな
く、容易にフォトマスクの遮光帯の欠陥を検出すること
ができる。
方法および欠陥検査装置によれば、前記したように、予
め設定された閾値と、フォトマスクの遮光帯を走査して
得られた透過光の強度とを比較し、それによって得られ
た２値データに基づき、欠陥の有無が判定できることか
ら、従来の二点比較方式におけるような欠陥の見過ごし
を招くことなく、また、従来のデータ比較方式における
ような検査用パターンデータの準備を必要とすることな
く、容易にフォトマスクの遮光帯の欠陥を検出すること
ができる。
【図１】本発明に係るフォトレジストの欠陥検査装置を
概略的に示すブロック図である。
概略的に示すブロック図である。
【図２】本発明に係るフォトレジストの遮光帯を示す平
面図である。
面図である。
【図３】本発明に係る閾値設定方法を示す透過光強度の
グラフである。
グラフである。
１０ 欠陥検査装置 １１ 光源 １２ 検出回路 １３ 記憶回路 １４ フォトマスク ２３ 遮光帯 ２７ 閾値 Ａ（ｘ1 ，ｙ1 ） 交点座標 Ｂ（ｘ2 ，ｙ2 ） 交点座標 Ｃ（ｘ3 ，ｙ3 ） 交点座標 Ｄ（ｘ4 ，ｙ4 ） 交点座標
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ＩＣ用フォトレジストにパターン
を転写するためのフォトマスクに設けられる遮光帯の欠
陥を検査する方法であって、適正な遮光帯の透過光強度
および非遮光帯の透過光強度から閾値を設定すること、
前記フォトマスクの前記遮光帯を透過光によって走査
し、検出された透過光の強度を前記閾値との比較から２
値に判定し、当該判定データにより、前記遮光帯の欠陥
を検出することを特徴とするフォトマスクの欠陥検査方
法。 - 【請求項２】 半導体ＩＣ用フォトレジストにパターン
を転写するためのフォトマスクに設けられる遮光帯の欠
陥を検査する装置であって、前記フォトマスクの前記遮
光帯を透過し、相対的に前記遮光帯を走査する透過光の
ための光源と、前記遮光帯の適正な部分の透過光強度お
よび非遮光帯の透過光強度に基づいて設定される閾値と
前記遮光帯を走査する前記透過光強度とを比較し、該閾
値を基準に２値信号を出力する検出回路と、該検出回路
からの出力信号および前記透過光の走査位置についての
情報を格納する記憶回路とを含むフォトマスクの欠陥検
査装置。 - 【請求項３】 前記遮光帯は、全体に矩形の枠状を呈
し、該矩形の対角線方向に配列されるそれぞれ内側およ
び外側の直角交点の座標データにより特定される遮光帯
の領域が前記透過光により走査されることを特徴とする
請求項２記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27387897A JPH1195410A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | フォトマスクの欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27387897A JPH1195410A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | フォトマスクの欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195410A true JPH1195410A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17533839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27387897A Pending JPH1195410A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | フォトマスクの欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1195410A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894774B2 (en) | 2001-08-10 | 2005-05-17 | Hoya Corporation | Method of defect inspection of graytone mask and apparatus doing the same |
| JP2010533309A (ja) * | 2007-07-12 | 2010-10-21 | ピクサー テクノロジー リミテッド | Ｄｕｖ透過マッピングのための方法と装置 |
| JP2013152190A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 検査装置及び検査方法 |
| TWI497055B (zh) * | 2010-07-30 | 2015-08-21 | Hoya Corp | 透過率測定裝置、光罩之透過率檢查裝置、透過率檢查方法、光罩製造方法、圖案轉印方法、光罩製品 |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP27387897A patent/JPH1195410A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6894774B2 (en) | 2001-08-10 | 2005-05-17 | Hoya Corporation | Method of defect inspection of graytone mask and apparatus doing the same |
| JP2010533309A (ja) * | 2007-07-12 | 2010-10-21 | ピクサー テクノロジー リミテッド | Ｄｕｖ透過マッピングのための方法と装置 |
| US8592770B2 (en) | 2007-07-12 | 2013-11-26 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Method and apparatus for DUV transmission mapping |
| KR101387071B1 (ko) * | 2007-07-12 | 2014-04-18 | 칼 자이스 에스엠에스 엘티디 | 원자외선 투과 매핑을 위한 방법 |
| TWI497055B (zh) * | 2010-07-30 | 2015-08-21 | Hoya Corp | 透過率測定裝置、光罩之透過率檢查裝置、透過率檢查方法、光罩製造方法、圖案轉印方法、光罩製品 |
| JP2013152190A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 検査装置及び検査方法 |
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