JPS6156865B2 - - Google Patents
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- JPS6156865B2 JPS6156865B2 JP11072279A JP11072279A JPS6156865B2 JP S6156865 B2 JPS6156865 B2 JP S6156865B2 JP 11072279 A JP11072279 A JP 11072279A JP 11072279 A JP11072279 A JP 11072279A JP S6156865 B2 JPS6156865 B2 JP S6156865B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、パターン検査装置特にプリント板用
マスクのパターン欠陥検出装置に関する。
マスクのパターン欠陥検出装置に関する。
多数の集積回路（IC）素子が搭載されて該IC
の支持及び結線を行うプリント基板は例えば第１
図ａに示すように基板１０の周辺に多数の端子部
導体パターン１２をまた内部にICのピンが挿し
込まれる多数の導体パターン１４が設けられ、こ
れらは配線１６により適宜接続されている。なお
図示しないが導体パターン１４にはICのピン挿
し込み用の孔があけられる。導体パターン１２，
１４，１６は周知のようにフオトプロセスにより
作られる。即ち表面に銅箔を被着したプリント基
板にフオトレジストを塗布し、マスクを当てて露
光し、現像後エツチングし、といつた工程で作ら
れるが、出来上つた導体パターンには同図ｂに示
す空洞部１８、同図ｃに示す一部欠落部２０、ま
た図示しないが所望パターン部以外の所にできた
微小導体パターン（黒点）、所望パターンからひ
げ状に延長する小突起部などが存在することがあ
る。これらの形成原因には種々のものがあるが、
その１つはマスクそれ自身に存在する欠陥であ
る。マスクは一般には感光剤を塗布したガラス基
板に、設計者が紙面上に画いた白黒パターン（マ
スク画面）を縮尺投影し、次いで現像して作られ
るが、このマスク作成時にピンホール、黒点、ヒ
ゲなどの欠陥が導入され、またマスクが繰り返し
使用される間にパターンの一部欠落などの欠陥が
導入されてしまう。従つてマスクは作成時に、ま
た使用中に適宜欠陥検査し、正常か否かをチエツ
クする必要がある。
の支持及び結線を行うプリント基板は例えば第１
図ａに示すように基板１０の周辺に多数の端子部
導体パターン１２をまた内部にICのピンが挿し
込まれる多数の導体パターン１４が設けられ、こ
れらは配線１６により適宜接続されている。なお
図示しないが導体パターン１４にはICのピン挿
し込み用の孔があけられる。導体パターン１２，
１４，１６は周知のようにフオトプロセスにより
作られる。即ち表面に銅箔を被着したプリント基
板にフオトレジストを塗布し、マスクを当てて露
光し、現像後エツチングし、といつた工程で作ら
れるが、出来上つた導体パターンには同図ｂに示
す空洞部１８、同図ｃに示す一部欠落部２０、ま
た図示しないが所望パターン部以外の所にできた
微小導体パターン（黒点）、所望パターンからひ
げ状に延長する小突起部などが存在することがあ
る。これらの形成原因には種々のものがあるが、
その１つはマスクそれ自身に存在する欠陥であ
る。マスクは一般には感光剤を塗布したガラス基
板に、設計者が紙面上に画いた白黒パターン（マ
スク画面）を縮尺投影し、次いで現像して作られ
るが、このマスク作成時にピンホール、黒点、ヒ
ゲなどの欠陥が導入され、またマスクが繰り返し
使用される間にパターンの一部欠落などの欠陥が
導入されてしまう。従つてマスクは作成時に、ま
た使用中に適宜欠陥検査し、正常か否かをチエツ
クする必要がある。
従来このマスク検査は目視に依つており、基板
上の微細パターンの全体に亘つて顕微鏡などを通
してピンホール、黒点等の有無をチエツクしてい
るが、これは相当に厄介な作業である。そこで本
発明はこのマスク欠陥検査を自動的に行なうこと
ができる装置を提供しようとするものである。本
発明は、被検パターンを記憶する２次元レジスタ
と、該レジスタ上の被検パターンに対して検査マ
スクを相対的に移動させてパターン内のピンホー
ル、およびパターン周囲の黒点を検出するパター
ン検査装置において、該検査マスクを第１および
第２のマスクで構成し、第１のマスクは０゜、90
゜、180゜、270゜方向に置かれ、そしてパターン
エツジに直交する方向に並ぶ複数ビツトを有して
パターンエツジおよび黒点またはピンホールを検
出する黒点検出パターン１１１１，１１１２、そ
の両側に並ぶ複数ビツトを有して検査領域の始終
端を定める第１のガードパターン１１２１，１１
２２、およびその前方にあつて検出された輪郭の
正否を確認するための第２のガードパターン１１
３１，１１３２を備え、第２のマスクは45゜、
135゜、225゜、315゜方向に置かれ、そして前記
黒点検出パターンおよび第１、第２のガードパタ
ーンの他に、該黒点検出パターンと45゜をなして
並ぶ複数ビツトを有して検査領域の始終端を定め
る第３のガードパターン１１４１，１１４２を備
えることを特徴とするが、次に実施例を参照しな
がらこれを詳細に説明する。
上の微細パターンの全体に亘つて顕微鏡などを通
してピンホール、黒点等の有無をチエツクしてい
るが、これは相当に厄介な作業である。そこで本
発明はこのマスク欠陥検査を自動的に行なうこと
ができる装置を提供しようとするものである。本
発明は、被検パターンを記憶する２次元レジスタ
と、該レジスタ上の被検パターンに対して検査マ
スクを相対的に移動させてパターン内のピンホー
ル、およびパターン周囲の黒点を検出するパター
ン検査装置において、該検査マスクを第１および
第２のマスクで構成し、第１のマスクは０゜、90
゜、180゜、270゜方向に置かれ、そしてパターン
エツジに直交する方向に並ぶ複数ビツトを有して
パターンエツジおよび黒点またはピンホールを検
出する黒点検出パターン１１１１，１１１２、そ
の両側に並ぶ複数ビツトを有して検査領域の始終
端を定める第１のガードパターン１１２１，１１
２２、およびその前方にあつて検出された輪郭の
正否を確認するための第２のガードパターン１１
３１，１１３２を備え、第２のマスクは45゜、
135゜、225゜、315゜方向に置かれ、そして前記
黒点検出パターンおよび第１、第２のガードパタ
ーンの他に、該黒点検出パターンと45゜をなして
並ぶ複数ビツトを有して検査領域の始終端を定め
る第３のガードパターン１１４１，１１４２を備
えることを特徴とするが、次に実施例を参照しな
がらこれを詳細に説明する。
第２図は本発明に係る欠陥検出装置の概要を示
す。３０はXYステージであり、マスク３２をの
せ、XY方向駆動モータ３４，３５によりＸ、Ｙ
方向に移動する。３６はレーザ光源であり、レン
ズ３８，４０により集束されてマスク３２上に光
点となつて投射され、かつ光スキヤナ（回転多面
鏡）４２により走査される。レーザ光の走査範囲
は図示Ｌの如き比較的狭いものであつて、この幅
Ｌの走査と、ステージ３０のＸ方向およびＹ方向
移動とが組合わされて図示の如くジグザグ状にマ
スク３２の全面が走査される。マスク３２を通過
したレーザ光はハーフミラーを介して光検知器４
４で光電変換され、パターン信号となる。このパ
ターン信号はマスクの白黒画像データを表わすも
のであるが、アナログ信号であるので次の信号処
理回路４６で２値化する。これは本例では走査方
向の10μｍ単位でパターン信号を白レベルまたは
黒レベルのいずれかにするという方法で行なう。
信号処理回路４６ではこの他パターン認識などで
周知の弧立ビツト除去、まるめ処理などを行な
い、然るのち欠陥検出、欠陥の測長などを行な
う。一方、欠陥の位置は該欠陥が検出されたとき
のXYステージ制御系４８から得られるステージ
従つてマスクのＸ、Ｙ位置と、位置クロツク板５
０、光検知器５２から得られるレーザ光のマスク
上への投射位置（光点アドレス）との合成として
検知でき、この信号アドレスは欠陥出力と共に検
査装置制御系５４に入力し、検査結果表示器５６
に欠陥の位置が表示される。５８は角度検出用の
光検知器でエツジ信号を出力し、これは信号処理
回路６０で補間処理、不要エツジ信号除去などが
行なわれ、測長方向が判定される。これは欠陥の
測長の角度パラメータを提供する。
す。３０はXYステージであり、マスク３２をの
せ、XY方向駆動モータ３４，３５によりＸ、Ｙ
方向に移動する。３６はレーザ光源であり、レン
ズ３８，４０により集束されてマスク３２上に光
点となつて投射され、かつ光スキヤナ（回転多面
鏡）４２により走査される。レーザ光の走査範囲
は図示Ｌの如き比較的狭いものであつて、この幅
Ｌの走査と、ステージ３０のＸ方向およびＹ方向
移動とが組合わされて図示の如くジグザグ状にマ
スク３２の全面が走査される。マスク３２を通過
したレーザ光はハーフミラーを介して光検知器４
４で光電変換され、パターン信号となる。このパ
ターン信号はマスクの白黒画像データを表わすも
のであるが、アナログ信号であるので次の信号処
理回路４６で２値化する。これは本例では走査方
向の10μｍ単位でパターン信号を白レベルまたは
黒レベルのいずれかにするという方法で行なう。
信号処理回路４６ではこの他パターン認識などで
周知の弧立ビツト除去、まるめ処理などを行な
い、然るのち欠陥検出、欠陥の測長などを行な
う。一方、欠陥の位置は該欠陥が検出されたとき
のXYステージ制御系４８から得られるステージ
従つてマスクのＸ、Ｙ位置と、位置クロツク板５
０、光検知器５２から得られるレーザ光のマスク
上への投射位置（光点アドレス）との合成として
検知でき、この信号アドレスは欠陥出力と共に検
査装置制御系５４に入力し、検査結果表示器５６
に欠陥の位置が表示される。５８は角度検出用の
光検知器でエツジ信号を出力し、これは信号処理
回路６０で補間処理、不要エツジ信号除去などが
行なわれ、測長方向が判定される。これは欠陥の
測長の角度パラメータを提供する。
第３図に示す如きマスク３２のパターン１２の
光走査出力を２値化すると、第４図の太線１２に
示す如きパターンとなる。この第４図のパターン
１２の輪郭にある凹凸は、２値化処理の結果生じ
たものである。このパターン１２の欠陥検査は、
該パターンを包含する矩形部全体について行なう
必要はなく、斜線を付して示す有害欠陥存在区域
についてのみ行なえばよい。即ちパターン内欠陥
はピンホールであるが、ピンホールは広いパター
ンの中央部１２ｃなどにあつてもそこは結線のた
めの半田付けが行なわれパターン１４などでは
ICのピン挿入のための孔があけられる部分であ
るから何ら支障はなく、支障があるのは断線など
に連がる恐れがあるパターン内側周縁部１２ｂで
ある。またパターン外周の有害欠陥は、短絡事故
を招く恐れがある他パターンからの突出部または
ひげなどであり、パターン１２を包囲する細帯状
部１２ａに黒点（突出部、ひげなどを総称する）
がなければ無欠陥としてよい。即ち部分１２ｂに
ピンホール、部分１２ａに黒点がなければ良品と
してよく、本発明はこの部分１２ａ，１２ｂの欠
陥検査を画像パターンを２値化信号として２次元
レジスタ７０上に記憶させ、該レジスタ上の被検
パターンに対し検査マスク６２，６４を用いて走
査して行なおうとするものである。
光走査出力を２値化すると、第４図の太線１２に
示す如きパターンとなる。この第４図のパターン
１２の輪郭にある凹凸は、２値化処理の結果生じ
たものである。このパターン１２の欠陥検査は、
該パターンを包含する矩形部全体について行なう
必要はなく、斜線を付して示す有害欠陥存在区域
についてのみ行なえばよい。即ちパターン内欠陥
はピンホールであるが、ピンホールは広いパター
ンの中央部１２ｃなどにあつてもそこは結線のた
めの半田付けが行なわれパターン１４などでは
ICのピン挿入のための孔があけられる部分であ
るから何ら支障はなく、支障があるのは断線など
に連がる恐れがあるパターン内側周縁部１２ｂで
ある。またパターン外周の有害欠陥は、短絡事故
を招く恐れがある他パターンからの突出部または
ひげなどであり、パターン１２を包囲する細帯状
部１２ａに黒点（突出部、ひげなどを総称する）
がなければ無欠陥としてよい。即ち部分１２ｂに
ピンホール、部分１２ａに黒点がなければ良品と
してよく、本発明はこの部分１２ａ，１２ｂの欠
陥検査を画像パターンを２値化信号として２次元
レジスタ７０上に記憶させ、該レジスタ上の被検
パターンに対し検査マスク６２，６４を用いて走
査して行なおうとするものである。
検査マスク６２，６４の詳細を第５図および第
６図に示す。第５図ａ，ｂは第３図の２次元シフ
トレジスタ７０の面にあらかじめ形成される検査
マスクの１例を示すものであり、同図ａは走査方
向に対し０゜、90゜、180゜、270゜方向に配置す
る検査マスク、同図ｂは45゜、135゜、225゜、
315゜方向に配置する検査マスクである。すなわ
ち、同図ａに示すように０゜方向に形成されたパ
ターンエツジ１１０に直交する90゜方向の直線状
の複数ビツトより成る黒点検出パターン１１１
１，１１１２と、その中央両側の３ビツトより成
る第１のガードパターン１１２１，１１２２と、
その前方両側に配したビツト群より成る第２のガ
ードパターン１１３１，１１３２より構成され
る。同図ｂは135゜方向に形成されたパターンエ
ツジ１１０に直交する45゜方向に形成された黒点
検出パターン１１１１，１１１２と、第１のガー
ドパターン１１２１，１１２２と、第２のガード
パターン１１３１，１１３２の外に０゜と90゜方
向の複数ビツトより成る第３のガードパターン１
１４１，１１４２より構成される。このうち、黒
点検出パターンはパターンエツジを検出するとと
もに、パターンの黒点部の走査方向の長さを示
し、ガードパターンは検出パターンエツジ近傍に
おけるパターン屈曲部での誤検出を禁止し、指定
外角度方向の検出を禁止するためのものである。
このため検査パターンの各検出ビツトにつき次の
３つの検出条件により正常時の被検パターンを判
定する。
６図に示す。第５図ａ，ｂは第３図の２次元シフ
トレジスタ７０の面にあらかじめ形成される検査
マスクの１例を示すものであり、同図ａは走査方
向に対し０゜、90゜、180゜、270゜方向に配置す
る検査マスク、同図ｂは45゜、135゜、225゜、
315゜方向に配置する検査マスクである。すなわ
ち、同図ａに示すように０゜方向に形成されたパ
ターンエツジ１１０に直交する90゜方向の直線状
の複数ビツトより成る黒点検出パターン１１１
１，１１１２と、その中央両側の３ビツトより成
る第１のガードパターン１１２１，１１２２と、
その前方両側に配したビツト群より成る第２のガ
ードパターン１１３１，１１３２より構成され
る。同図ｂは135゜方向に形成されたパターンエ
ツジ１１０に直交する45゜方向に形成された黒点
検出パターン１１１１，１１１２と、第１のガー
ドパターン１１２１，１１２２と、第２のガード
パターン１１３１，１１３２の外に０゜と90゜方
向の複数ビツトより成る第３のガードパターン１
１４１，１１４２より構成される。このうち、黒
点検出パターンはパターンエツジを検出するとと
もに、パターンの黒点部の走査方向の長さを示
し、ガードパターンは検出パターンエツジ近傍に
おけるパターン屈曲部での誤検出を禁止し、指定
外角度方向の検出を禁止するためのものである。
このため検査パターンの各検出ビツトにつき次の
３つの検出条件により正常時の被検パターンを判
定する。
(1) 黒点検出パターン１１１１，１１１２はパタ
ーンエツジを検知し検出のスタートを示し、黒
点パターンの走査方向の長さを黒点検出で示
す。
ーンエツジを検知し検出のスタートを示し、黒
点パターンの走査方向の長さを黒点検出で示
す。
(2) ガードパターン１１２１，１１２２および１
１４１，１１４２は各群とも中に１個以上の白
ビツトを含むものとする。
１４１，１１４２は各群とも中に１個以上の白
ビツトを含むものとする。
(3) ガードパターン１１３１，１１３２は同符号
であること、すなわち被検パターンエツジの検
出時その近傍に誤検出のおそれのある屈曲部や
角度方向である場合にはガードパターンで誤検
出を禁止し、指定角度以外を禁止するものであ
る。
であること、すなわち被検パターンエツジの検
出時その近傍に誤検出のおそれのある屈曲部や
角度方向である場合にはガードパターンで誤検
出を禁止し、指定角度以外を禁止するものであ
る。
第６図は第３図の２次元シフトレジスタ７０に
第５図ａ，ｂに示す検査パターンを設定したもの
である。そしてそれぞれのパターンのビツト素子
に下記の符号を与える。
第５図ａ，ｂに示す検査パターンを設定したもの
である。そしてそれぞれのパターンのビツト素子
に下記の符号を与える。
黒点検出パターン１１１１，１１１２；Ｄ，Ｋ，
S1〜Sn ガードパターン１１２１，１１２２；ＧA1〜ＧA
３，ＧB1〜ＧB3 ガードパターン１１３１，１１３２；ＧC，ＧD ガードパターン１１４１，１１４２；ＧE1〜ＧE
ｏ，ＧF1〜ＧFo 通常のパターンエツジの方向は０゜、45゜、90
゜、135゜、180゜、225゜、270゜、315゜の８方
向に限られるから第５図ａと同じパターンを０
゜、90゜、180゜、270゜、同図ｂのパターンを45
゜、135゜、225゜、315゜に設定すれば全部のパ
ターンエツジに適用することができる。
S1〜Sn ガードパターン１１２１，１１２２；ＧA1〜ＧA
３，ＧB1〜ＧB3 ガードパターン１１３１，１１３２；ＧC，ＧD ガードパターン１１４１，１１４２；ＧE1〜ＧE
ｏ，ＧF1〜ＧFo 通常のパターンエツジの方向は０゜、45゜、90
゜、135゜、180゜、225゜、270゜、315゜の８方
向に限られるから第５図ａと同じパターンを０
゜、90゜、180゜、270゜、同図ｂのパターンを45
゜、135゜、225゜、315゜に設定すれば全部のパ
ターンエツジに適用することができる。
第１０図は第５図ａ，ｂで説明した検出条件を
実現する検出回路の１例である。すなわち検査パ
ターンの黒点検出パターン１１１に属するＤを直
接に、ＫをNOT回路２１を介して検出し、次に
ガードパターン１１３１，１１３２は正常時は同
符号であるから、ＧC，ＧDをEXNOR２２に入力
し正常ならば“１”異常ならば“０”となる。ガ
ードパターン１１２１，１１２２（こゝではこれ
らはＧA1〜ＧAo，ＧB1〜ＧBoとする）および、
（ＧE1〜ＧEo）１１４１，（ＧF1〜ＧFo）１１４は
正常時は１つ以上の白ビツトを含むからNAND回
路１２３，１２４，１２６，１２７により検出
し、正常ならば“１”、異常ならば“０”とな
る。黒点検出パターン１１１１のS1〜Snは、黒
点検出であるからOR回路１２５の出力となる。
実現する検出回路の１例である。すなわち検査パ
ターンの黒点検出パターン１１１に属するＤを直
接に、ＫをNOT回路２１を介して検出し、次に
ガードパターン１１３１，１１３２は正常時は同
符号であるから、ＧC，ＧDをEXNOR２２に入力
し正常ならば“１”異常ならば“０”となる。ガ
ードパターン１１２１，１１２２（こゝではこれ
らはＧA1〜ＧAo，ＧB1〜ＧBoとする）および、
（ＧE1〜ＧEo）１１４１，（ＧF1〜ＧFo）１１４は
正常時は１つ以上の白ビツトを含むからNAND回
路１２３，１２４，１２６，１２７により検出
し、正常ならば“１”、異常ならば“０”とな
る。黒点検出パターン１１１１のS1〜Snは、黒
点検出であるからOR回路１２５の出力となる。
以上の論理回路のうち、Ａのグループの論理積
をとれば第５図ａの検査パターンの検出条件を、
Ａ＋Ｂのグループの論理積をとれば同図ｂの検査
パターンの検出条件を満足するもので、この結果
が“１”ならば正常、“０”ならば欠陥と判定さ
れる。又、各検査パターンの出力の論理和をとる
ことにより、８方向のどこか一方以上に欠陥があ
る事がわかる。
をとれば第５図ａの検査パターンの検出条件を、
Ａ＋Ｂのグループの論理積をとれば同図ｂの検査
パターンの検出条件を満足するもので、この結果
が“１”ならば正常、“０”ならば欠陥と判定さ
れる。又、各検査パターンの出力の論理和をとる
ことにより、８方向のどこか一方以上に欠陥があ
る事がわかる。
検査マスク６２，６４による欠陥検査要領を、
次に第７図〜第９図を参照しながら説明する。先
ず第７図でマスク６２が６２ａの位置にあるとビ
ツトＤ，Ｋは白黒に分れるので検査可であり、ビ
ツト群ＧA1〜ＧAo，ＧB1〜ＧBo，ＧC，ＧDそれぞ
れ白または黒にあつて検査可であるからビツト群
S1〜Sn内の黒点検出が行なわれる。マスク６２
を矢印G1，G2方向に移すと同様な黒点検出可領
域が存在し、これらをまとめると枠F1の如くな
る。枠F1の左端はビツトＧCがパターン１２の外
に出て白になる直前の点であり、枠F1の右端は
ビツトＧDがパターン１２の外に出て白になる直
前の点である。検査マスクを90゜時計方向に倒し
てパターン１２の右縁を走査すると枠F2内の領
域が検査される。マスク６２が６２ｂの状態にあ
ると枠F3内の領域がチエツクされ、この領域の
左端はビツトＧA1〜ＧAoがパターン１２内に入る
直前の位置である。更にマスクを６２ｃの状態に
おくと枠F4内が検査され、同様にして枠F5内も
検査される。これらの枠F4，F5の左、右端はビ
ツト群ＧA1〜ＧAoまたはＧB1〜ＧB1〜ＧBoがパタ
ーン１２内に入る直前の位置である。
次に第７図〜第９図を参照しながら説明する。先
ず第７図でマスク６２が６２ａの位置にあるとビ
ツトＤ，Ｋは白黒に分れるので検査可であり、ビ
ツト群ＧA1〜ＧAo，ＧB1〜ＧBo，ＧC，ＧDそれぞ
れ白または黒にあつて検査可であるからビツト群
S1〜Sn内の黒点検出が行なわれる。マスク６２
を矢印G1，G2方向に移すと同様な黒点検出可領
域が存在し、これらをまとめると枠F1の如くな
る。枠F1の左端はビツトＧCがパターン１２の外
に出て白になる直前の点であり、枠F1の右端は
ビツトＧDがパターン１２の外に出て白になる直
前の点である。検査マスクを90゜時計方向に倒し
てパターン１２の右縁を走査すると枠F2内の領
域が検査される。マスク６２が６２ｂの状態にあ
ると枠F3内の領域がチエツクされ、この領域の
左端はビツトＧA1〜ＧAoがパターン１２内に入る
直前の位置である。更にマスクを６２ｃの状態に
おくと枠F4内が検査され、同様にして枠F5内も
検査される。これらの枠F4，F5の左、右端はビ
ツト群ＧA1〜ＧAoまたはＧB1〜ＧB1〜ＧBoがパタ
ーン１２内に入る直前の位置である。
検査マスク６２は90゜ずつ回転して０゜、90
゜、180゜、270゜の状態で検査することができる
が、いずれにしても第７図にマークＨを付して示
すパターンコーナ部は検査できない。これを検査
するのが検査マスク６４であり、第８図にその検
査状態を示す。検査マスクが６４ａの位置にある
ときビツトＤはパターン内、ビツトＫはパターン
外にあるから検査可であり、ビツト群ＧA1〜ＧA
ｏ，ＧB1〜ＧBoおよびＧC，ＧDはいずれもパター
ン外または内にあるから検査可であり、従つてビ
ツト群S1〜Sn内の黒点検査が行なわれる。この
マスク６４をビツトＤとＫの間にパターン１２の
輪郭がくるように移動させてみると明らかなよう
に、この位置６４ａのマスク６４を矢印G3，G4
方向に移動させることにより枠F6内の領域が検
査され、マスク６２では不可能だつた領域の黒点
検出を行なうことができる。検査マスク６４を６
４ｂの状態にすると枠F7内の領域が探傷され、
この領域の上方の境界線はビツト群ＧF1〜ＧFoが
パターン１２内に入る直前で終了する。
゜、180゜、270゜の状態で検査することができる
が、いずれにしても第７図にマークＨを付して示
すパターンコーナ部は検査できない。これを検査
するのが検査マスク６４であり、第８図にその検
査状態を示す。検査マスクが６４ａの位置にある
ときビツトＤはパターン内、ビツトＫはパターン
外にあるから検査可であり、ビツト群ＧA1〜ＧA
ｏ，ＧB1〜ＧBoおよびＧC，ＧDはいずれもパター
ン外または内にあるから検査可であり、従つてビ
ツト群S1〜Sn内の黒点検査が行なわれる。この
マスク６４をビツトＤとＫの間にパターン１２の
輪郭がくるように移動させてみると明らかなよう
に、この位置６４ａのマスク６４を矢印G3，G4
方向に移動させることにより枠F6内の領域が検
査され、マスク６２では不可能だつた領域の黒点
検出を行なうことができる。検査マスク６４を６
４ｂの状態にすると枠F7内の領域が探傷され、
この領域の上方の境界線はビツト群ＧF1〜ＧFoが
パターン１２内に入る直前で終了する。
検査マスク６２，６４による検査は並行して行
ない、従つて各々のマスクによる検査領域が全部
もしくは一部重複する場合も生じるが、重視は正
確な検査の上でむしろ望ましく、何ら障害にはな
らない。また以上ではパターン外周の黒点検出法
を説明したが、白黒を反転させるとこれらの検査
マスクでパターン内ピンホール（反転後は黒点）
を検出することができる。その例を第９図に示
す。
ない、従つて各々のマスクによる検査領域が全部
もしくは一部重複する場合も生じるが、重視は正
確な検査の上でむしろ望ましく、何ら障害にはな
らない。また以上ではパターン外周の黒点検出法
を説明したが、白黒を反転させるとこれらの検査
マスクでパターン内ピンホール（反転後は黒点）
を検出することができる。その例を第９図に示
す。
第９図で１２はパターン１２を示すが、白、黒
が反転されているのでパターン内が白、外が黒で
ある。なお検査マスク６２，６４の大きさは適宜
変更することができ、パターン内を検査する場合
はパターン外を検査する場合より検査マスクを適
宜小さくする事も可能である。第９図ではこれと
は逆に検査マスクは同一とし、パターンを第７
図、第８図よりは大きくしてある。マスク６２を
６２ｄの状態にして検査すると実線枠F8内のピ
ンホール検出が可能である。またマスク６４を６
４ｃの状態にして検査すると点線枠F9内のピン
ホール検出が可能である。
が反転されているのでパターン内が白、外が黒で
ある。なお検査マスク６２，６４の大きさは適宜
変更することができ、パターン内を検査する場合
はパターン外を検査する場合より検査マスクを適
宜小さくする事も可能である。第９図ではこれと
は逆に検査マスクは同一とし、パターンを第７
図、第８図よりは大きくしてある。マスク６２を
６２ｄの状態にして検査すると実線枠F8内のピ
ンホール検出が可能である。またマスク６４を６
４ｃの状態にして検査すると点線枠F9内のピン
ホール検出が可能である。
ピンホール検出に当つては検査マスクは固定
し、導体パターンをメモリ内で移動させる。即ち
第３図に示すようにプリント板マスク３２のパタ
ーン１２をレーザビームで走査し光検知器４４で
光電変換し、図示しないが２値化などの信号処理
をしたのち２次元シフトレジスタ７０に入力し、
該レジスタ内を次々とシフトさせる。レジスタ７
０は走査幅Ｌの画像信号をすべて受入れることが
できる長さのレジスタ素子を50個ほど並設したも
ので、その各素子を７０１，７０２，………７５
０で示す。このレジスタ群への画像信号の入力端
は素子７０１の入力端であり、素子７０２の入力
端は素子７０１の出力端であり、以下同様であ
る。従つてイメージ的には第４図等に示すパター
ン１２がそのＸ方向端から次第に現われながらシ
フト方向へ移動しかつそれを繰り返しながらＹ方
向に成長し、やがて１ビツト下方へ移動して左端
から再び出現してゆくという経過を辿る。その任
意の位置に検査マスク６２，６４を置く（これは
レジスタ群のビツトＤ，Ｋ，………Sn対応セル
の情報を読取るということである）と、第７図〜
第９図で説明した検査マスクを移動させて欠陥検
出するというのと同じ結果が得られる。検査マス
クは前述したようにマスク６２については０゜、
90゜、180゜、270゜位置、マスク６４については
45゜、135゜、225゜、315゜位置をとらせる必要
があるので、図面ではこれを複数枚のマスク７２
で示している。７４，７６，７８，８０はマスク
７２下のレジスタ内容を可視像化して示し、像７
８，８０は７４，７６を反転させたものである。
この反転には実際にレジスタ７０の各信号ビツト
の１，０を反転させる代りに、マスクの各ビツト
に対するレジスタの各信号ビツトの読取りを反転
させて行なえばよい。線７４，７６および検査パ
ターン６２，６４で前述のパターン外周の黒点検
出を行ない、像７８，８０および検査パターン６
２，６４でパターン内ピンホール検出を行なう。
し、導体パターンをメモリ内で移動させる。即ち
第３図に示すようにプリント板マスク３２のパタ
ーン１２をレーザビームで走査し光検知器４４で
光電変換し、図示しないが２値化などの信号処理
をしたのち２次元シフトレジスタ７０に入力し、
該レジスタ内を次々とシフトさせる。レジスタ７
０は走査幅Ｌの画像信号をすべて受入れることが
できる長さのレジスタ素子を50個ほど並設したも
ので、その各素子を７０１，７０２，………７５
０で示す。このレジスタ群への画像信号の入力端
は素子７０１の入力端であり、素子７０２の入力
端は素子７０１の出力端であり、以下同様であ
る。従つてイメージ的には第４図等に示すパター
ン１２がそのＸ方向端から次第に現われながらシ
フト方向へ移動しかつそれを繰り返しながらＹ方
向に成長し、やがて１ビツト下方へ移動して左端
から再び出現してゆくという経過を辿る。その任
意の位置に検査マスク６２，６４を置く（これは
レジスタ群のビツトＤ，Ｋ，………Sn対応セル
の情報を読取るということである）と、第７図〜
第９図で説明した検査マスクを移動させて欠陥検
出するというのと同じ結果が得られる。検査マス
クは前述したようにマスク６２については０゜、
90゜、180゜、270゜位置、マスク６４については
45゜、135゜、225゜、315゜位置をとらせる必要
があるので、図面ではこれを複数枚のマスク７２
で示している。７４，７６，７８，８０はマスク
７２下のレジスタ内容を可視像化して示し、像７
８，８０は７４，７６を反転させたものである。
この反転には実際にレジスタ７０の各信号ビツト
の１，０を反転させる代りに、マスクの各ビツト
に対するレジスタの各信号ビツトの読取りを反転
させて行なえばよい。線７４，７６および検査パ
ターン６２，６４で前述のパターン外周の黒点検
出を行ない、像７８，８０および検査パターン６
２，６４でパターン内ピンホール検出を行なう。
以上説明したように本発明によればプリント板
用マスクの欠陥検出を自動化することができ、極
めて有効である。また検査パターンは側方ガード
ビツト群ＧA1〜ＧAo，ＧB1〜ＧBoおよび輪郭確認
ビツトＧC，ＧD等を持つており、不必要な領域の
欠陥検出を避けることができる。更に縦横方向の
検査マスクの他に斜め方向の検査マスクを備えて
おり、検査もれのない確実な検出が可能である。
用マスクの欠陥検出を自動化することができ、極
めて有効である。また検査パターンは側方ガード
ビツト群ＧA1〜ＧAo，ＧB1〜ＧBoおよび輪郭確認
ビツトＧC，ＧD等を持つており、不必要な領域の
欠陥検出を避けることができる。更に縦横方向の
検査マスクの他に斜め方向の検査マスクを備えて
おり、検査もれのない確実な検出が可能である。
第１図はプリント板のパターンの説明図、第２
図は本発明装置の概要を示す説明図、第３図、第
４図、第７図〜第９図は検査要領の説明図、第５
図および第６図は検査マスクの説明図、第１０図
は検出回路説明図である。 図面で、３２はプリント板用マスク、３６はレ
ーザ光源、４２は走査用回転多面体ミラー、４４
は光検知器、４６は信号処理回路、７０はシフト
レジスタ、７０１，７０２………はレジスタ素
子、６２，６４は検査マスク、D1，K2，ＧA1〜
ＧAo，ＧB1〜ＧBo，ＧC，ＧD，ＧF1〜ＧFo，ＧE1
〜ＧEo，S1〜Snはその各ビツトである。
図は本発明装置の概要を示す説明図、第３図、第
４図、第７図〜第９図は検査要領の説明図、第５
図および第６図は検査マスクの説明図、第１０図
は検出回路説明図である。 図面で、３２はプリント板用マスク、３６はレ
ーザ光源、４２は走査用回転多面体ミラー、４４
は光検知器、４６は信号処理回路、７０はシフト
レジスタ、７０１，７０２………はレジスタ素
子、６２，６４は検査マスク、D1，K2，ＧA1〜
ＧAo，ＧB1〜ＧBo，ＧC，ＧD，ＧF1〜ＧFo，ＧE1
〜ＧEo，S1〜Snはその各ビツトである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被検パターンを記憶する２次元レジスタと、
該レジスタ上の被検パターンに対して検査マスク
を相対的に移動させてパターン内のピンホール、
およびパターン周囲の黒点を検出するパターン検
査装置において、 該検査マスクを第１および第２のマスクで構成
し、 第１のマスクは０゜、90゜、180゜、270゜方向
に置かれ、そしてパターンエツジに直交する方向
に並ぶ複数ビツトを有してパターンエツジおよび
黒点またはピンホールを検出する黒点検出パター
ン１１１１，１１１２、その両側に並ぶ複数ビツ
トを有して検査領域の始終端を定める第１のガー
ドパターン１１２１，１１２２、およびその前方
にあつて検出された輪郭の正否を確認するための
第２のガードパターン１１３１，１１３２を備
え、 第２のマスクは45゜、135゜、225゜、315゜方
向に置かれ、そして前記黒点検出パターンおよび
第１、第２のガードパターンの他に、該黒点検出
パターンと45゜をなして並ぶ複数ビツトを有して
検査領域の始終端を定める第３のガードパターン
１１４１，１１４２を備えることを特徴とするパ
ターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11072279A JPS5635419A (en) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | Pattern inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11072279A JPS5635419A (en) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | Pattern inspection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5635419A JPS5635419A (en) | 1981-04-08 |
| JPS6156865B2 true JPS6156865B2 (ja) | 1986-12-04 |
Family
ID=14542821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11072279A Granted JPS5635419A (en) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | Pattern inspection device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5635419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6160667U (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-24 | ||
| JPS61108316A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-27 | 九州積水工業株式会社 | 海苔の種付方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5852981U (ja) * | 1981-09-26 | 1983-04-11 | 不二製油株式会社 | 常温ゲル化性物質圧送装置 |
| JPS59186323A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-10-23 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検査方式 |
| KR100447988B1 (ko) * | 1998-10-27 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마스크패턴의결함검사방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254483A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Hitachi Ltd | Method of inspecting photo mask patterns, etc. |
-
1979
- 1979-08-30 JP JP11072279A patent/JPS5635419A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254483A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Hitachi Ltd | Method of inspecting photo mask patterns, etc. |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6160667U (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-24 | ||
| JPS61108316A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-27 | 九州積水工業株式会社 | 海苔の種付方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5635419A (en) | 1981-04-08 |
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