JPS6124233A - パタ−ンの検査方法 - Google Patents
パタ−ンの検査方法Info
- Publication number
- JPS6124233A JPS6124233A JP14438584A JP14438584A JPS6124233A JP S6124233 A JPS6124233 A JP S6124233A JP 14438584 A JP14438584 A JP 14438584A JP 14438584 A JP14438584 A JP 14438584A JP S6124233 A JPS6124233 A JP S6124233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- inspected
- inspection
- glass mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体集積回路（以下ＩＣという）の製造に用
いるマスクのＩＣパターンの検査方法に関するものであ
る。
いるマスクのＩＣパターンの検査方法に関するものであ
る。
（従来の技術）
先ず、ＩＣを製造する場合、ＩＣ製造工程ごとのマスク
を用いてウェハ上にパターンを形成するが、かかる工程
について説明すると、ウェハ全面にホトレジスト膜を塗
布形成し、数十チッゾ分の■ＣＡ？ターンを形成したマ
スク上のノＲターンをウェハに焼付は露光し、現像処理
後、ウェハをエツチング加工して、マスクのパターン通
りのＩＣ−ｆ’ターンをウェハ上に形成する。これらの
マスクは再度繰返して使用するので、パターンの欠陥、
例えばごみ、傷等の付着の有無を検査する必要があった
。しかし、マスクには同一のパターンが連続して形成さ
れているので、従来は顕微鏡による目視で検査を行って
いた。
を用いてウェハ上にパターンを形成するが、かかる工程
について説明すると、ウェハ全面にホトレジスト膜を塗
布形成し、数十チッゾ分の■ＣＡ？ターンを形成したマ
スク上のノＲターンをウェハに焼付は露光し、現像処理
後、ウェハをエツチング加工して、マスクのパターン通
りのＩＣ−ｆ’ターンをウェハ上に形成する。これらの
マスクは再度繰返して使用するので、パターンの欠陥、
例えばごみ、傷等の付着の有無を検査する必要があった
。しかし、マスクには同一のパターンが連続して形成さ
れているので、従来は顕微鏡による目視で検査を行って
いた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来の検査方法は、パターンが複雑にな
るほど多くの時間を必要とし、また検査するにしてもｒ
ｃパターンが正しいか、否かを判断する基準のパターン
が無いので見落し等があり、パターンの検査が困難であ
った。そこで本発明はマスク上のパターンの検査を正確
に、容易に、短時間に検査する方法を提供するものであ
る。
るほど多くの時間を必要とし、また検査するにしてもｒ
ｃパターンが正しいか、否かを判断する基準のパターン
が無いので見落し等があり、パターンの検査が困難であ
った。そこで本発明はマスク上のパターンの検査を正確
に、容易に、短時間に検査する方法を提供するものであ
る。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明はマスクｉ４ターンがボッパターンであれはポジ
ｉｅターンを検査する時、同一形状のネガパターンを重
ね合わせるようにしたものである。
ｉｅターンを検査する時、同一形状のネガパターンを重
ね合わせるようにしたものである。
（作用゛）
本発明は、このネガ、ポジの同一パターンを同一線上に
配置して裏面から投光するとマスクパターンに欠陥部分
が無ければすべての面で一様に暗くなるが、欠陥部分が
あれば、その部分の暗さが他の部分と異なるので容易に
その欠陥が観察できる。
配置して裏面から投光するとマスクパターンに欠陥部分
が無ければすべての面で一様に暗くなるが、欠陥部分が
あれば、その部分の暗さが他の部分と異なるので容易に
その欠陥が観察できる。
（実施例）
以下本発明の一実施例を図面によって詳細に説明する。
先ず、半導体ＩＣの製造に用いられる被検査ガラスマス
ク、例えば第１図に示すようなポジタイプｉＪ？ターン
１（但し、このパターンは略図で、その一部を示す）を
有するマスクＭを準備する。次に、被検査ガラスマスク
Ｍと同一形状のパターン１′で白黒を逆にした検査用ガ
ラスマスクＭ′を準備する。
ク、例えば第１図に示すようなポジタイプｉＪ？ターン
１（但し、このパターンは略図で、その一部を示す）を
有するマスクＭを準備する。次に、被検査ガラスマスク
Ｍと同一形状のパターン１′で白黒を逆にした検査用ガ
ラスマスクＭ′を準備する。
この際、被検査ガラスマスクＭの黒パターン１に対して
検査用ガラスマスクＭ′の白パターン１′を僅かに大き
く形成する。
検査用ガラスマスクＭ′の白パターン１′を僅かに大き
く形成する。
そして、被検査ガラスマスクＭと検査用ガラスマスクＭ
′を重ね、顕微鏡下で、黒パターン１と白パターン１′
とが一致（第４図参照）するように両マスクＭ 、 Ｍ
’を合せる。
′を重ね、顕微鏡下で、黒パターン１と白パターン１′
とが一致（第４図参照）するように両マスクＭ 、 Ｍ
’を合せる。
次に、顕微鏡下で、両マスクの下方よりランプで光を照
して両マスクＭ 、 Ｍ’をマニピュレータなどによシ
、上下左右に移動してパターン１の欠陥の有無を目視検
査する。若し被検査ガラスマスクＭに欠陥が無ければパ
ターン１，１′との間に生ずる部分のみ光が一定幅に形
成されて通過し、それ以外は一様に暗くなる。しかし、
第３図に示すように被検査ガラスマスクＭに欠陥部２及
び付着物３があれば第４図に示すように欠陥部２に対し
ては、先の一定幅の形状に乱れた部分が生じ、また付着
物３に対してはその部分が黒く見えるので短時間で発見
でき、良否の判定が行なえる。
して両マスクＭ 、 Ｍ’をマニピュレータなどによシ
、上下左右に移動してパターン１の欠陥の有無を目視検
査する。若し被検査ガラスマスクＭに欠陥が無ければパ
ターン１，１′との間に生ずる部分のみ光が一定幅に形
成されて通過し、それ以外は一様に暗くなる。しかし、
第３図に示すように被検査ガラスマスクＭに欠陥部２及
び付着物３があれば第４図に示すように欠陥部２に対し
ては、先の一定幅の形状に乱れた部分が生じ、また付着
物３に対してはその部分が黒く見えるので短時間で発見
でき、良否の判定が行なえる。
第５図は他の実施例で、検査用ガラスマスクＭ′の白パ
ターン１′を黒のノやターン１と同一形状のパターンと
し、上記実施例のように両マスクを合せ、光を照して目
視検査すると第５図に示すようにすべての裏面からの光
が遮断され、暗くなシ、第３図の欠陥部２のあるマスク
パターンでは、その欠陥部２の部分のみ光が通過して、
ピンホール状に光るので欠陥部２の有無が短時間で発見
でき、良否の判定ができる。この場合は欠陥部が付着物
かの判別が不要なので目視によらずフォトセンサにより
自動検査が可能となる。
ターン１′を黒のノやターン１と同一形状のパターンと
し、上記実施例のように両マスクを合せ、光を照して目
視検査すると第５図に示すようにすべての裏面からの光
が遮断され、暗くなシ、第３図の欠陥部２のあるマスク
パターンでは、その欠陥部２の部分のみ光が通過して、
ピンホール状に光るので欠陥部２の有無が短時間で発見
でき、良否の判定ができる。この場合は欠陥部が付着物
かの判別が不要なので目視によらずフォトセンサにより
自動検査が可能となる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によればネガ、ポジ
の固形の、？ターンを形成したマスクＩＣ１４ターンを
同一線上に配置して光学的に判定するので正確かつ容易
になされるので、誤って欠陥マスクを使用することもな
く、ＩＣの製造における歩留向上に効果が大である。
の固形の、？ターンを形成したマスクＩＣ１４ターンを
同一線上に配置して光学的に判定するので正確かつ容易
になされるので、誤って欠陥マスクを使用することもな
く、ＩＣの製造における歩留向上に効果が大である。
第１図はポジタイプパターンを有する被検査ガラスマス
クの一実施例を示す図、第２図は被検査パターンと同形
の検査用ネガタイプパターンを示す図、第３図は被検査
パターンに欠陥部を有する図、第４図、第５図は欠陥部
のあるパターンと検査用ネガタイプパターンを重ね合せ
た状態図である。 Ｍ・・・被検査ガラスマスク、Ｍｌ・・・検査用ガラス
マスク、１・・・ポジタイプパターン、１′・・・ネガ
タイプパターン、２・・・欠陥部、３・・・付着物。
クの一実施例を示す図、第２図は被検査パターンと同形
の検査用ネガタイプパターンを示す図、第３図は被検査
パターンに欠陥部を有する図、第４図、第５図は欠陥部
のあるパターンと検査用ネガタイプパターンを重ね合せ
た状態図である。 Ｍ・・・被検査ガラスマスク、Ｍｌ・・・検査用ガラス
マスク、１・・・ポジタイプパターン、１′・・・ネガ
タイプパターン、２・・・欠陥部、３・・・付着物。
Claims (1)
- 被検査パターンとこの被検査パターンとは逆のタイプ
で、かつ同形であるダミーパターンを準備する工程と、
前記被検査パターンとダミーパターンとを一致させて重
ね合わせる工程と、この重ね合わせたパターンのパター
ン面に光を投射して検査する工程とを含むパターンの検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14438584A JPS6124233A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | パタ−ンの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14438584A JPS6124233A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | パタ−ンの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124233A true JPS6124233A (ja) | 1986-02-01 |
Family
ID=15360902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14438584A Pending JPS6124233A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | パタ−ンの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6124233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009150910A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Lasertec Corp | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、光学式走査装置、半導体デバイス製造方法 |
| JP2015014756A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 株式会社東芝 | マスク歪計測装置および方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328371U (ja) * | 1976-08-16 | 1978-03-10 | ||
| JPS5432766A (en) * | 1977-08-18 | 1979-03-10 | Fujitsu Ltd | Inspecting system for pattern and like |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP14438584A patent/JPS6124233A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328371U (ja) * | 1976-08-16 | 1978-03-10 | ||
| JPS5432766A (en) * | 1977-08-18 | 1979-03-10 | Fujitsu Ltd | Inspecting system for pattern and like |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009150910A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Lasertec Corp | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、光学式走査装置、半導体デバイス製造方法 |
| JP2015014756A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 株式会社東芝 | マスク歪計測装置および方法 |
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