JPS59108318A - １チツプレテイクルマスクの検査方法 - Google Patents
１チツプレテイクルマスクの検査方法Info
- Publication number
- JPS59108318A JPS59108318A JP57217695A JP21769582A JPS59108318A JP S59108318 A JPS59108318 A JP S59108318A JP 57217695 A JP57217695 A JP 57217695A JP 21769582 A JP21769582 A JP 21769582A JP S59108318 A JPS59108318 A JP S59108318A
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- Japan
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- mask
- defect
- patterns
- wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、ステッパに用いるｌチップレティクルマス
ク上の塵挨などの欠陥をウエノ蔦にノ々ターンを転写し
たのち自動的に検査する１チツプレテイクルマスクの検
査方法に関する。
ク上の塵挨などの欠陥をウエノ蔦にノ々ターンを転写し
たのち自動的に検査する１チツプレテイクルマスクの検
査方法に関する。
（従来技術）
ｌチップレティクルマスクそのものの欠陥の有無を検査
する方法としては、マスク製作時に用いるパターンデー
タとマスク自動欠陥検査機を組み合わせて行なう方法が
ある。
する方法としては、マスク製作時に用いるパターンデー
タとマスク自動欠陥検査機を組み合わせて行なう方法が
ある。
また、レティクルマスク上に２個以上のチップがある場
合はマスク自動欠陥検査機でデータを用いずにマスクツ
量ターンの周期性を利用してチップ内の同一個所を比較
して差異信号を欠陥として認識する方法で検査可能であ
る。
合はマスク自動欠陥検査機でデータを用いずにマスクツ
量ターンの周期性を利用してチップ内の同一個所を比較
して差異信号を欠陥として認識する方法で検査可能であ
る。
これと同様の方法で、ステッパにマスクをセットしたの
ちウェハにパターンを転写し、そのウェハをウェハ自動
欠陥検査機を用いて比較することは可能であるが、１チ
ツゾレテイクルマスクを同様の方法で行なう場合は同一
レティクルマスクを用いてウェハに／ｌターンを転写す
るため、欠陥が発生しても共通欠陥となシ、検出は不可
能であシ、従来はウェハに２個以上の／４ターンを転写
し、顕微鏡を用いて目視で２チツプの比較を行ない、同
一個所に生じた欠陥をマスク上の欠陥として判定してい
た。
ちウェハにパターンを転写し、そのウェハをウェハ自動
欠陥検査機を用いて比較することは可能であるが、１チ
ツゾレテイクルマスクを同様の方法で行なう場合は同一
レティクルマスクを用いてウェハに／ｌターンを転写す
るため、欠陥が発生しても共通欠陥となシ、検出は不可
能であシ、従来はウェハに２個以上の／４ターンを転写
し、顕微鏡を用いて目視で２チツプの比較を行ない、同
一個所に生じた欠陥をマスク上の欠陥として判定してい
た。
したがって、検査に費やす時間が１０ｓａＸ１０ｌチッ
プで３０〜４５分と長くなるとともに、長時間検査によ
る疲労、欠陥の見落しなどの欠点があった。
プで３０〜４５分と長くなるとともに、長時間検査によ
る疲労、欠陥の見落しなどの欠点があった。
（発明の目的）
この発明は、これらの欠点を解決するためになされたも
ので、Ｖ−ＬＳＩ製造工程における、スループットの向
上と歩留向上を計ることのできる１チツプレテイクルマ
スクの検査方法を提供することを目的とする。
ので、Ｖ−ＬＳＩ製造工程における、スループットの向
上と歩留向上を計ることのできる１チツプレテイクルマ
スクの検査方法を提供することを目的とする。
（発明の構成）
この発明の１チツゾレテイクルマスクの検査方法は、ウ
ェハに酸化膜などを形成して、あらかじめ検査済みの無
欠陥レティクルマスクを用いて所定のｚ４ターンおよび
マスク合せ用のマークを形成し、このマークを用いて上
記ノ９ターンの鱗にチェックするノ等ターンを形成し、
この二つのノやターンをウェハ自動欠陥検査機を用いて
比較検査を行なって差異信号を欠陥として識別するよう
にしたものである。
ェハに酸化膜などを形成して、あらかじめ検査済みの無
欠陥レティクルマスクを用いて所定のｚ４ターンおよび
マスク合せ用のマークを形成し、このマークを用いて上
記ノ９ターンの鱗にチェックするノ等ターンを形成し、
この二つのノやターンをウェハ自動欠陥検査機を用いて
比較検査を行なって差異信号を欠陥として識別するよう
にしたものである。
（実施例）
以下、この発明の１チツグレテイクルマスクの検査方法
の実施例について図面に基づき説明する。
の実施例について図面に基づき説明する。
第１図ないし第３図はその一実施例の検査順序を説明す
るための図であシ、第４図は第３図の平面図である。
るための図であシ、第４図は第３図の平面図である。
これらの第１図ないし第４図において、まず第１図に示
すように、ウェハｌに酸化膜２を成長したのち、周知の
ホトリソグラフィ法により、あらかじめ検査済みの無欠
陥レディクルマスクを用いて第２図に示すように、酸化
膜パターン３およびマスク合せ用マーク４を形成する。
すように、ウェハｌに酸化膜２を成長したのち、周知の
ホトリソグラフィ法により、あらかじめ検査済みの無欠
陥レディクルマスクを用いて第２図に示すように、酸化
膜パターン３およびマスク合せ用マーク４を形成する。
次に、第３図に示すように、酸化膜パターン３の隣にマ
スク合せ用マーク４を用いて酸化膜パターン３と同一の
レジストパターン５を形成し、これをパターンの同期性
を利用し、チップ内の同一個所を比較して差異信号を欠
陥として識別するウェハ自動欠陥検査機を用いて比較検
査を行なう。
スク合せ用マーク４を用いて酸化膜パターン３と同一の
レジストパターン５を形成し、これをパターンの同期性
を利用し、チップ内の同一個所を比較して差異信号を欠
陥として識別するウェハ自動欠陥検査機を用いて比較検
査を行なう。
たとえば、第４図に示すように、レジストパターンの欠
陥６は１個しかないため、これはウェハ上の欠陥であシ
、レジストパターンの欠陥７け両方のレジストパターン
に発生しておシ、これはマスク上の欠陥である。これを
酸化膜パターン３と比較することによシ、欠陥のある部
分で差異信号が発生し、検出を行なうとともに、欠陥の
位置、個数などを座標で確認することができる。
陥６は１個しかないため、これはウェハ上の欠陥であシ
、レジストパターンの欠陥７け両方のレジストパターン
に発生しておシ、これはマスク上の欠陥である。これを
酸化膜パターン３と比較することによシ、欠陥のある部
分で差異信号が発生し、検出を行なうとともに、欠陥の
位置、個数などを座標で確認することができる。
これによシ、レティクルマスク上の欠陥であるか、また
はウェハ上の欠陥であるかを識別することが可能である
。
はウェハ上の欠陥であるかを識別することが可能である
。
従来、ステッパに１チツプレテイクルをセットしたのち
の検査方法は、顕微鏡を用いて目視で検査する方法しか
なかったが、この発明では、あらかじめ無欠陥の酸化膜
ノｆターンを作り、隣に同一マスクのレジストパターン
を作ることによシ、パターンの周期性を利用して欠陥の
比較検査を行なうウェハ自動欠陥検査機を用いて検査す
ることが可能となり、スループットの向上および欠陥の
見落しを防ぐなどの利点がある。
の検査方法は、顕微鏡を用いて目視で検査する方法しか
なかったが、この発明では、あらかじめ無欠陥の酸化膜
ノｆターンを作り、隣に同一マスクのレジストパターン
を作ることによシ、パターンの周期性を利用して欠陥の
比較検査を行なうウェハ自動欠陥検査機を用いて検査す
ることが可能となり、スループットの向上および欠陥の
見落しを防ぐなどの利点がある。
上記第１の実施例では、参照側の酸化膜などで作ったＬ
ＳＩチップのパターンを無欠陥に作り上げたが、第２の
実施例では、あらかじめ白ピンホール、黒ピンホールが
無いことを確認したマスクで参照側のチップを作る。
ＳＩチップのパターンを無欠陥に作り上げたが、第２の
実施例では、あらかじめ白ピンホール、黒ピンホールが
無いことを確認したマスクで参照側のチップを作る。
この場合には、塵埃によるウェハ段階での欠陥が発生し
ていてもよい。次に、このマスクを実際に使用するごと
に洗浄を行ってマスクのセットをする。
ていてもよい。次に、このマスクを実際に使用するごと
に洗浄を行ってマスクのセットをする。
このようにすると、たとえマスク上に塵埃かとが付着し
ても、参照用のチップとは異なった位置に欠陥が発生す
るので、両者は別々の場所に欠陥が発生しているため、
出来上った検査用のウェハーの両チップのパターンを欠
陥自動検査機で比較すると、レティクル上の欠陥および
ウェハ上のそれぞれの欠陥が検出可能となる。
ても、参照用のチップとは異なった位置に欠陥が発生す
るので、両者は別々の場所に欠陥が発生しているため、
出来上った検査用のウェハーの両チップのパターンを欠
陥自動検査機で比較すると、レティクル上の欠陥および
ウェハ上のそれぞれの欠陥が検出可能となる。
さらに、短時間に検査を行う方法としてこれらの欠陥は
主として、４ジレジスト工程では黒ピンホールであるか
ら、両チップの黒ピンホールの信号のうち、被検査チッ
プの黒ピンホールのみを取シ出すと検査時間の短縮が計
れる。また、これらの比較検査する組合せの数を増すと
信頼度が向上する。
主として、４ジレジスト工程では黒ピンホールであるか
ら、両チップの黒ピンホールの信号のうち、被検査チッ
プの黒ピンホールのみを取シ出すと検査時間の短縮が計
れる。また、これらの比較検査する組合せの数を増すと
信頼度が向上する。
（発明の効果）
以上のように、この発明の１チツゾレテイクルマスクの
検査方法によれば、ウェハ酸化膜などを形成し、あらか
じめ検査済みの無欠陥のレディクルマスクを用いて所定
の回路などのパターンとマスク合せ用マークを形成し、
このパターンの隣にこのマスク合せ用マークを用いて検
査用のパターンを形成し、この二つのパターンをウェハ
自動欠陥検査機を用いて比較検査を行ない、両者間に差
異信号が出ると欠陥として識別するようにしたので、レ
ティクルマスク上の欠陥からウェハ上の欠陥であるか否
かを識別でき、Ｖ−ＬＳＩ製造工程におけるスループッ
トの向上と歩留向上が可能となるものである。
検査方法によれば、ウェハ酸化膜などを形成し、あらか
じめ検査済みの無欠陥のレディクルマスクを用いて所定
の回路などのパターンとマスク合せ用マークを形成し、
このパターンの隣にこのマスク合せ用マークを用いて検
査用のパターンを形成し、この二つのパターンをウェハ
自動欠陥検査機を用いて比較検査を行ない、両者間に差
異信号が出ると欠陥として識別するようにしたので、レ
ティクルマスク上の欠陥からウェハ上の欠陥であるか否
かを識別でき、Ｖ−ＬＳＩ製造工程におけるスループッ
トの向上と歩留向上が可能となるものである。
第１図ないし第３図はそれぞれこの発明の１チツプレテ
イクルマスクの検査方法の一実施例の検査順序を説明す
るための図、第４図は第３図の平面図である。 １・・・ウェハ、２・・・酸化膜、３・・・酸化膜ノ４
ターン、４・・・マスク合セ用マーク、５・・・レジス
トノ臂ターン、６・・・ウェハ上の欠陥、７・・・マス
ク上の欠陥。 特許出願人 沖電気工業株式会社 −へ 曽 味 昧 派 手続補正書 昭和 ５８￥ １０月２５日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第 ２１７６９５ 号２、発
明の名称 １チツプレテイクルマスクの検査方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 （１） 別紙の通り図面第１図および第４図を訂正する
。 第１図 ８２−
イクルマスクの検査方法の一実施例の検査順序を説明す
るための図、第４図は第３図の平面図である。 １・・・ウェハ、２・・・酸化膜、３・・・酸化膜ノ４
ターン、４・・・マスク合セ用マーク、５・・・レジス
トノ臂ターン、６・・・ウェハ上の欠陥、７・・・マス
ク上の欠陥。 特許出願人 沖電気工業株式会社 −へ 曽 味 昧 派 手続補正書 昭和 ５８￥ １０月２５日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第 ２１７６９５ 号２、発
明の名称 １チツプレテイクルマスクの検査方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 （１） 別紙の通り図面第１図および第４図を訂正する
。 第１図 ８２−
Claims (1)
- ウェハに酸化膜などを形成してあらかじめ検査済みの無
欠陥のレティクルマスクを用いて所定のパターンおよび
マスク合せ用のマークを形成し、このマークを用いて上
記ノやターンの隣にチェックするノ９ターンを形成し、
上記二つのパターンをウェハ自動欠陥検査機を用いて比
較検査を行なって差異信号を欠陥として識別することを
特徴とする１チツプレテイクルマスクの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217695A JPS59108318A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | １チツプレテイクルマスクの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217695A JPS59108318A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | １チツプレテイクルマスクの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59108318A true JPS59108318A (ja) | 1984-06-22 |
Family
ID=16708269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217695A Pending JPS59108318A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | １チツプレテイクルマスクの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59108318A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358138A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-12 | Sony Corp | パタ−ン検査装置 |
| JPH05100414A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | レチクルマスクの欠陥検出方法 |
| US7307712B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method of detecting mask defects, a computer program and reference substrate |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57217695A patent/JPS59108318A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358138A (ja) * | 1986-08-28 | 1988-03-12 | Sony Corp | パタ−ン検査装置 |
| JPH05100414A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | レチクルマスクの欠陥検出方法 |
| US7307712B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Method of detecting mask defects, a computer program and reference substrate |
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