JPH05100414A - レチクルマスクの欠陥検出方法 - Google Patents
レチクルマスクの欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPH05100414A JPH05100414A JP26033091A JP26033091A JPH05100414A JP H05100414 A JPH05100414 A JP H05100414A JP 26033091 A JP26033091 A JP 26033091A JP 26033091 A JP26033091 A JP 26033091A JP H05100414 A JPH05100414 A JP H05100414A
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- Japan
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- mask
- pattern
- reticle
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はレチクルマスクの製作中にサイジン
グエラーが発生し形成されたレチクルマスクの欠陥部分
を簡単に検出可能にする方法を提供すること。 【構成】 シリコンウェハ３上にＳｉＯ2 膜２とホトレ
ジスト膜１を順次形成する。次にホトレジスト膜１の所
定部を除去した後、ＳｉＯ2 膜２をエッチングする。こ
の後に、ホトレジスト膜１を除去し、ＳｉＯ2膜２の表
面状態を確認するようにした。
グエラーが発生し形成されたレチクルマスクの欠陥部分
を簡単に検出可能にする方法を提供すること。 【構成】 シリコンウェハ３上にＳｉＯ2 膜２とホトレ
ジスト膜１を順次形成する。次にホトレジスト膜１の所
定部を除去した後、ＳｉＯ2 膜２をエッチングする。こ
の後に、ホトレジスト膜１を除去し、ＳｉＯ2膜２の表
面状態を確認するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
工程で用いるレチクルマスクの欠陥検出方法に関する。
工程で用いるレチクルマスクの欠陥検出方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、レチクルマスクの欠陥検出用ウェハ
は、ウェハ上にホトレジスト膜を形成し、次に、パター
ンの転写、さらに現像処理にて作成している。
は、ウェハ上にホトレジスト膜を形成し、次に、パター
ンの転写、さらに現像処理にて作成している。
【０００３】ウェハ上へ転写するパターンは図３（ａ）
に示すレチクルマスク１００を使用している。レチクル
マスク中には例えば、Ａ，Ａ’という同一のパターンが
描画されている。このマスクを使用して露光機によりウ
ェハ１０１上に転写したのが図３（ｂ）である。露光機
によりマスクパターンを繰り返し転写している。レチク
ルマスクの欠陥検出用ウェハを使用し、図３（ｂ）に示
すＡパターンとＡ’パターンを比較検査している。レチ
クルマスク中のＡパターンになんらかの欠陥がある場合
にはＡ’パターンとパターン像が異なるため欠陥として
検出される。
に示すレチクルマスク１００を使用している。レチクル
マスク中には例えば、Ａ，Ａ’という同一のパターンが
描画されている。このマスクを使用して露光機によりウ
ェハ１０１上に転写したのが図３（ｂ）である。露光機
によりマスクパターンを繰り返し転写している。レチク
ルマスクの欠陥検出用ウェハを使用し、図３（ｂ）に示
すＡパターンとＡ’パターンを比較検査している。レチ
クルマスク中のＡパターンになんらかの欠陥がある場合
にはＡ’パターンとパターン像が異なるため欠陥として
検出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし以上述べた方法
では例えば露光装置（ＮＡ＝０．４５，Ｃｏｈｅｒｅｎ
ｃｙσ＝０．５レチクル：５倍レチクル）でウェハ上
０．６μｍのコンタクトを開孔しようとした場合、レチ
クルは５倍レチクルであるので３．０口μｍである。
では例えば露光装置（ＮＡ＝０．４５，Ｃｏｈｅｒｅｎ
ｃｙσ＝０．５レチクル：５倍レチクル）でウェハ上
０．６μｍのコンタクトを開孔しようとした場合、レチ
クルは５倍レチクルであるので３．０口μｍである。
【０００５】このレチクルコンタクト寸法３．０□μｍ
がマスク製作上の何らかの問題でサイジングエラーが発
生し例えば２．５□μｍに仕上がった場合、ウェハ上の
レジストに与える光強度は約１．０から約０．７に減衰
する。このマスクを使用し露光機でウェハ上にパターン
を転写すると、ウェハ上に塗布されているレジストは光
強度の違いから、レジストボトムまで開孔できるエネル
ギーを得られず次工程の現像処理後得られるパターンは
レジストボトムが開孔していないパターンであった。こ
のウェハをウェハ検査機で欠陥検査するとレジスト表面
は開孔しているため欠陥として検出することは不可能で
あった。
がマスク製作上の何らかの問題でサイジングエラーが発
生し例えば２．５□μｍに仕上がった場合、ウェハ上の
レジストに与える光強度は約１．０から約０．７に減衰
する。このマスクを使用し露光機でウェハ上にパターン
を転写すると、ウェハ上に塗布されているレジストは光
強度の違いから、レジストボトムまで開孔できるエネル
ギーを得られず次工程の現像処理後得られるパターンは
レジストボトムが開孔していないパターンであった。こ
のウェハをウェハ検査機で欠陥検査するとレジスト表面
は開孔しているため欠陥として検出することは不可能で
あった。
【０００６】本発明は、以上述べたレチクルマスク製作
中にサイジングエラー等によりレジスト開孔不良が発生
した欠陥部分を簡単に検出可能とするレチクルマスクの
欠陥検出方法を提供することを目的とする。
中にサイジングエラー等によりレジスト開孔不良が発生
した欠陥部分を簡単に検出可能とするレチクルマスクの
欠陥検出方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のレチクルマスク
の欠陥検出方法は、半導体ウェハ上に絶縁膜を形成し、
この絶縁膜上にホトレジスト膜を形成し、このホトレジ
スト膜の所定部を除去し、この所定部に対し先の絶縁膜
用のエッチング液によってエッチングする。このエッチ
ング後、絶縁膜の表面状態を確認するようにした。
の欠陥検出方法は、半導体ウェハ上に絶縁膜を形成し、
この絶縁膜上にホトレジスト膜を形成し、このホトレジ
スト膜の所定部を除去し、この所定部に対し先の絶縁膜
用のエッチング液によってエッチングする。このエッチ
ング後、絶縁膜の表面状態を確認するようにした。
【０００８】
【作用】本発明のレチクルマスクの欠陥検出方法では、
絶縁膜の表面状態、つまり絶縁膜がエッチングされてい
る場合は、レジストは完全に開口されていることを検出
でき、また絶縁膜がエッチングされていない場合は、レ
ジストは開口欠陥を起こしていることが分かる。これに
より、レチクルマスクの欠陥部を検出できる。
絶縁膜の表面状態、つまり絶縁膜がエッチングされてい
る場合は、レジストは完全に開口されていることを検出
でき、また絶縁膜がエッチングされていない場合は、レ
ジストは開口欠陥を起こしていることが分かる。これに
より、レチクルマスクの欠陥部を検出できる。
【０００９】
【実施例】図１を用いて本発明のレチクルマスクの欠陥
検出方法について説明する。
検出方法について説明する。
【００１０】図１はレチクルマスクの欠陥検出方法の工
程断面図である。
程断面図である。
【００１１】先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン
ウェハ３上に絶縁膜として例えばＳｉＯ2 膜２を５００
０Å生成する。このとき絶縁膜は、ＳｉＯ2 膜に限られ
るものではなくＳｉ3 Ｎ4 膜でも良い。
ウェハ３上に絶縁膜として例えばＳｉＯ2 膜２を５００
０Å生成する。このとき絶縁膜は、ＳｉＯ2 膜に限られ
るものではなくＳｉ3 Ｎ4 膜でも良い。
【００１２】次に、ＳｉＯ2 膜２上にホトレジスト膜１
を１００００Å塗布する。
を１００００Å塗布する。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように、ホトレジ
スト膜１をホトリソグラフィ技術によってパターニング
し、ホトレジストパターン１１を形成する。
スト膜１をホトリソグラフィ技術によってパターニング
し、ホトレジストパターン１１を形成する。
【００１４】次に、図１（ｃ）に示すように、ホトレジ
ストパターン１１をマスクにして下地のＳｉＯ2 膜２を
エッチングする。
ストパターン１１をマスクにして下地のＳｉＯ2 膜２を
エッチングする。
【００１５】さらに、図１（ｄ）に示すように、ＳｉＯ
2 膜２上のレジストパターン１１をエッチング除去す
る。
2 膜２上のレジストパターン１１をエッチング除去す
る。
【００１６】上述の図１（ａ）〜（ｄ）の処理を行った
時点での部分拡大図を図１（ｅ）に示す。
時点での部分拡大図を図１（ｅ）に示す。
【００１７】図１（ｅ）に示すように、マスク製作上の
何らかの問題でサイジングエラーが発生するとＡ部のよ
うにホトレジスト膜１は完全に開口しきれない。このた
め、直下のＳｉＯ2 膜２はエッチングされない。
何らかの問題でサイジングエラーが発生するとＡ部のよ
うにホトレジスト膜１は完全に開口しきれない。このた
め、直下のＳｉＯ2 膜２はエッチングされない。
【００１８】このように、ホトレジストパターン１１を
除去後、ＳｉＯ2 膜２の表面状態を確認することによ
り、簡単にレチクルマスクの欠陥部分を検出することが
できる。
除去後、ＳｉＯ2 膜２の表面状態を確認することによ
り、簡単にレチクルマスクの欠陥部分を検出することが
できる。
【００１９】次に、図２を用いてもう少こし具体的に本
発明の一実施例につき説明する。
発明の一実施例につき説明する。
【００２０】図２（ａ）に示すように、シリコンウェハ
３上にＳｉＯ2 膜２とホトレジスト膜１を順次形成す
る。
３上にＳｉＯ2 膜２とホトレジスト膜１を順次形成す
る。
【００２１】次に、図２（ｂ）に示すように例えば１〜
１６の領域に分けて、領域毎に露光エネルギーを変化さ
せて露光処理を行なう。その後、現像処理を行ない、次
いでＳｉＯ2 膜２をエッチング処理し、さらに、ホトレ
ジスト膜１をエッチング除去する。
１６の領域に分けて、領域毎に露光エネルギーを変化さ
せて露光処理を行なう。その後、現像処理を行ない、次
いでＳｉＯ2 膜２をエッチング処理し、さらに、ホトレ
ジスト膜１をエッチング除去する。
【００２２】次に領域毎にＳｉＯ2 膜２に形成されたコ
ンタクト径を測長する。その結果、所定の径が得られて
いるＡ部と、全くエッチングされていないＢ部を検出す
ることができる。Ｂ部はＡ部に比べてマイナス２０％の
露光エネルギーのためマスクのサイジングエラーが発生
していることが分かる。このようにして、レチクルマス
ク中のパターンになんらかの欠陥がある場合でも簡単に
欠陥を検出することができる。
ンタクト径を測長する。その結果、所定の径が得られて
いるＡ部と、全くエッチングされていないＢ部を検出す
ることができる。Ｂ部はＡ部に比べてマイナス２０％の
露光エネルギーのためマスクのサイジングエラーが発生
していることが分かる。このようにして、レチクルマス
ク中のパターンになんらかの欠陥がある場合でも簡単に
欠陥を検出することができる。
【００２３】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように本発明
のレチクルマスクの欠陥検出方法では、レチクルマスク
製作中にサイジングエラーが発生し形成されたレチクル
マスクの欠陥部分を確実にかつ、簡単に検出できるた
め、後工程への影響がなくなる。従って、半導体集積回
路の高品質性が図れる。
のレチクルマスクの欠陥検出方法では、レチクルマスク
製作中にサイジングエラーが発生し形成されたレチクル
マスクの欠陥部分を確実にかつ、簡単に検出できるた
め、後工程への影響がなくなる。従って、半導体集積回
路の高品質性が図れる。
【図１】本発明のレチクルマスクの欠陥検出方法の説明
に供する図。
に供する図。
【図２】本発明の一実施例の説明に供する図。
【図３】従来のレチクルマスクの欠陥検出方法の説明に
供する図。
供する図。
１ ホトレジスト膜 ２ ＳｉＯ2 膜 ３ シリコンウェハ １１ ホトレジストパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハ上に絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜上にホトレジスト膜を形成し、 前記ホトレジスト膜の所定部を除去し、 前記所定部に対し、前記絶縁膜用のエッチング液によっ
てエッチングし、 前記エッチング後前記絶縁膜の表面状態を確認すること
を特徴とするレチクルマスクの欠陥検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26033091A JP2766098B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | レチクルマスクの欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26033091A JP2766098B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | レチクルマスクの欠陥検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100414A true JPH05100414A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2766098B2 JP2766098B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=17346499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26033091A Expired - Fee Related JP2766098B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | レチクルマスクの欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2766098B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108318A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | １チツプレテイクルマスクの検査方法 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP26033091A patent/JP2766098B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108318A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | １チツプレテイクルマスクの検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2766098B2 (ja) | 1998-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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