JPH0594002A - ホトマスクの製造方法及びホトマスク - Google Patents
ホトマスクの製造方法及びホトマスクInfo
- Publication number
- JPH0594002A JPH0594002A JP25485991A JP25485991A JPH0594002A JP H0594002 A JPH0594002 A JP H0594002A JP 25485991 A JP25485991 A JP 25485991A JP 25485991 A JP25485991 A JP 25485991A JP H0594002 A JPH0594002 A JP H0594002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- pattern
- photomask
- patterns
- chip pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マトリクス状に配置された同一な複数のチッ
プパターンを有して等倍露光に用いるホトマスクに関
し、全不良検査を的確に行うことができるようにする製
造方法及びホトマスクの提供を目的とする。 【構成】 一部を除くチップパターン3aは、第１のレチ
クルを用いてステップ・アンド・レピートの投影により
形成して、中心位置Aaが上記マトリクスを構成する二次
元格子の格子点Ｂに合致し、該一部のチップパターン3b
は、第１のレチクルと同一パターンを有する第２のレチ
クルを用いて該ステップ・アンド・レピートの位置から
位置をずらした投影により形成して、周縁がスクライブ
ライン領域４に食い込まない範囲で中心位置Abが格子点
Ｂからずれており、全不良検査の際には、照合する二つ
のチップパターンの一方として、チップパターン3bの位
置ずれを利用してチップパターン3bを選択するように構
成する。上記照合の他方は斜線を施したチップパターン
3aである。
プパターンを有して等倍露光に用いるホトマスクに関
し、全不良検査を的確に行うことができるようにする製
造方法及びホトマスクの提供を目的とする。 【構成】 一部を除くチップパターン3aは、第１のレチ
クルを用いてステップ・アンド・レピートの投影により
形成して、中心位置Aaが上記マトリクスを構成する二次
元格子の格子点Ｂに合致し、該一部のチップパターン3b
は、第１のレチクルと同一パターンを有する第２のレチ
クルを用いて該ステップ・アンド・レピートの位置から
位置をずらした投影により形成して、周縁がスクライブ
ライン領域４に食い込まない範囲で中心位置Abが格子点
Ｂからずれており、全不良検査の際には、照合する二つ
のチップパターンの一方として、チップパターン3bの位
置ずれを利用してチップパターン3bを選択するように構
成する。上記照合の他方は斜線を施したチップパターン
3aである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はホトマスクの製造方法及
びホトマスクに係り、特に、マトリクス状に配置された
同一な複数のチップパターンを有して等倍露光に用いる
ホトマスクに関する。
びホトマスクに係り、特に、マトリクス状に配置された
同一な複数のチップパターンを有して等倍露光に用いる
ホトマスクに関する。
【０００２】上記等倍露光に用いるホトマスクは、半導
体装置製造のウエーハ露光においてウエーハに形成する
同一な複数のチップの分を一括露光する際に用いるもの
であり、個々のチップパターンがレチクルからの投影に
より形成されるが、形成されたチップパターンに欠陥が
あってはならない。そこで、その製造では、所要の複数
のチップパターンを形成した後に、全不良検査により上
記欠陥の有無を確認している。
体装置製造のウエーハ露光においてウエーハに形成する
同一な複数のチップの分を一括露光する際に用いるもの
であり、個々のチップパターンがレチクルからの投影に
より形成されるが、形成されたチップパターンに欠陥が
あってはならない。そこで、その製造では、所要の複数
のチップパターンを形成した後に、全不良検査により上
記欠陥の有無を確認している。
【０００３】本発明は、この全不良検査を的確に行うこ
とができるようにしようとするものである。
とができるようにしようとするものである。
【０００４】
【従来の技術】図２は上述したホトマスクに関する従来
例を説明するためのホトマスクの部分平面図である。
例を説明するためのホトマスクの部分平面図である。
【０００５】同図において、１はマスク基板、２はチッ
プ領域、3a，3bはチップパターン、４はスクライブライ
ン領域、であり、チップパターン3aと3bは同一なパター
ンをなす。
プ領域、3a，3bはチップパターン、４はスクライブライ
ン領域、であり、チップパターン3aと3bは同一なパター
ンをなす。
【０００６】このホトマスクは、マスク基板１上に、複
数のチップ領域２がスクライブライン領域４となる間隙
を置いてマトリクス状に配置され、各チップ領域２内に
チップパターン3aまたは3bがそれぞれの中心を合致させ
て形成されている。従って、チップパターン3a，3bの中
心位置Aa,Abは、上記マトリクスを構成する二次元格子
の格子点Ｂ（チップ領域２の中心位置）に合致してい
る。
数のチップ領域２がスクライブライン領域４となる間隙
を置いてマトリクス状に配置され、各チップ領域２内に
チップパターン3aまたは3bがそれぞれの中心を合致させ
て形成されている。従って、チップパターン3a，3bの中
心位置Aa,Abは、上記マトリクスを構成する二次元格子
の格子点Ｂ（チップ領域２の中心位置）に合致してい
る。
【０００７】チップパターン3bは、全チップパターンの
中の一部であり、ここでは連接した３個である。本来は
すべてのチップパターンがチップパターン3aで良いので
あるが、後述する全不良検査でパターンの欠陥有無を確
認することができるようにするために、チップパターン
3bを設けてある。
中の一部であり、ここでは連接した３個である。本来は
すべてのチップパターンがチップパターン3aで良いので
あるが、後述する全不良検査でパターンの欠陥有無を確
認することができるようにするために、チップパターン
3bを設けてある。
【０００８】即ち、上述のように配置するチップパター
ン3aは、１チップ分の拡大パターンを有する第１のレチ
クルを用いてステップ・アンド・レピートの投影により
形成し、チップパターン3bは、第１のレチクルと同一パ
ターンを有する第２のレチクルを用いて、上記ステップ
・アンド・レピートの位置に位置を合わせた投影により
形成する。そして、全不良検査では、照合する二つのチ
ップパターンの一方としてチップパターン3b（ここでは
３個）を用い、他方として図上に斜線を施したチップパ
ターン3a（チップパターン3bと同数の３個）を用いる。
ン3aは、１チップ分の拡大パターンを有する第１のレチ
クルを用いてステップ・アンド・レピートの投影により
形成し、チップパターン3bは、第１のレチクルと同一パ
ターンを有する第２のレチクルを用いて、上記ステップ
・アンド・レピートの位置に位置を合わせた投影により
形成する。そして、全不良検査では、照合する二つのチ
ップパターンの一方としてチップパターン3b（ここでは
３個）を用い、他方として図上に斜線を施したチップパ
ターン3a（チップパターン3bと同数の３個）を用いる。
【０００９】全不良検査は、ホトマスク上の同一である
べき二つのパターンを照合して、両パターンが合致した
際には何れのパターンにも欠陥が無いと判定し、合致し
ない際には何れか一方または両方のパターンに欠陥が有
ると判定するものであり、別に準備が必要な基準パター
ンと照合するよりも簡便に行うことができ然も実用的な
効果が得られるので賞用されている。
べき二つのパターンを照合して、両パターンが合致した
際には何れのパターンにも欠陥が無いと判定し、合致し
ない際には何れか一方または両方のパターンに欠陥が有
ると判定するものであり、別に準備が必要な基準パター
ンと照合するよりも簡便に行うことができ然も実用的な
効果が得られるので賞用されている。
【００１０】そして、本ホトマスクにおいてチップパタ
ーン3aと3bとを照合するのは次の理由による。即ち、第
１のレチクルからチップパターン3aを形成する際に、レ
チクル上に異物が付着していると、その異物も投影され
てチップパターン3aが欠陥の有るものとなる。然も、そ
の異物がステップ・アンド・レピートの間に移動するこ
とがないので、形成されたチップパターン3aは、すべて
が同一の欠陥を持つことになる。一方、第２のレチクル
からチップパターン3bを形成する際に同様な異物付着が
あても、その付着位置が第１のレチクルと同じになるこ
とは殆ど有り得ない。
ーン3aと3bとを照合するのは次の理由による。即ち、第
１のレチクルからチップパターン3aを形成する際に、レ
チクル上に異物が付着していると、その異物も投影され
てチップパターン3aが欠陥の有るものとなる。然も、そ
の異物がステップ・アンド・レピートの間に移動するこ
とがないので、形成されたチップパターン3aは、すべて
が同一の欠陥を持つことになる。一方、第２のレチクル
からチップパターン3bを形成する際に同様な異物付着が
あても、その付着位置が第１のレチクルと同じになるこ
とは殆ど有り得ない。
【００１１】このことから、チップパターン3aと3bとの
照合において、両パターンが合致しない際には、チップ
パターン3a，3bの少なくとも一方に欠陥があることにな
り、合致した際には、第１及び第２のレチクルの何れに
も上述の異物付着がなくて、チップパターン3aと3bの両
方が無欠陥であることになる。
照合において、両パターンが合致しない際には、チップ
パターン3a，3bの少なくとも一方に欠陥があることにな
り、合致した際には、第１及び第２のレチクルの何れに
も上述の異物付着がなくて、チップパターン3aと3bの両
方が無欠陥であることになる。
【００１２】そして、照合に用いた３個のチップパター
ン3aが無欠陥であれば他のチップパターン3aも無欠陥で
あると見て良いので、全不良検査は、上記３個宛の照合
で終了し、欠陥有りと判定した際にホトマスクを不良と
する。このことから、複数のチップパターンの中で主体
をなすチップパターン3aを主パターンとすれば、チップ
パターン3bは主パターン（チップパターン3a）に対する
照合用パターンとなっている。いうまでもなくチップパ
ターン3bは、照合用パターンであるといえども、ウエー
ハへの露光時に有効に使用される。なお、照合用パター
ン（チップパターン3b）の数は、１個であっても良い
が、複数にすることにより検査の信頼性を高めることが
できる。
ン3aが無欠陥であれば他のチップパターン3aも無欠陥で
あると見て良いので、全不良検査は、上記３個宛の照合
で終了し、欠陥有りと判定した際にホトマスクを不良と
する。このことから、複数のチップパターンの中で主体
をなすチップパターン3aを主パターンとすれば、チップ
パターン3bは主パターン（チップパターン3a）に対する
照合用パターンとなっている。いうまでもなくチップパ
ターン3bは、照合用パターンであるといえども、ウエー
ハへの露光時に有効に使用される。なお、照合用パター
ン（チップパターン3b）の数は、１個であっても良い
が、複数にすることにより検査の信頼性を高めることが
できる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のホト
マスクは、製造の際に、チップパターン3a及び3bを上述
のように配置する即ち個々の中心位置Aa及びAbを上記格
子点Ｂに合致させて配置するので、全不良検査の際に、
図２のようにチップパターン3b（照合用パターン）と3a
（主パターン）とを照合するべきところを、ともすれ
ば、図３に斜線を施して示したようにチップパターン3a
同士（主パターン同士）を照合してしまう場合が生ず
る。それは、図３で照合対象となるチップパターン3a同
士の間隔（主パターン同士の間隔）が、図２で照合対象
となるチップパターン3bと3aの間隔（照合用パターンと
主パターンの間隔）と一致しており、全不良検査が異常
なく実行されるからである。
マスクは、製造の際に、チップパターン3a及び3bを上述
のように配置する即ち個々の中心位置Aa及びAbを上記格
子点Ｂに合致させて配置するので、全不良検査の際に、
図２のようにチップパターン3b（照合用パターン）と3a
（主パターン）とを照合するべきところを、ともすれ
ば、図３に斜線を施して示したようにチップパターン3a
同士（主パターン同士）を照合してしまう場合が生ず
る。それは、図３で照合対象となるチップパターン3a同
士の間隔（主パターン同士の間隔）が、図２で照合対象
となるチップパターン3bと3aの間隔（照合用パターンと
主パターンの間隔）と一致しており、全不良検査が異常
なく実行されるからである。
【００１４】そして、チップパターン3a同士が照合され
ると、先に述べた説明から明らかなように、チップパタ
ーン3aは欠陥が有っても無欠陥と判定されて、その欠陥
により不良であるホトマスクが良品と認識されてしま
う。このことは、そのホトマスクを用いて多数の半導体
装置を不良に製造してしまう事態を招く。
ると、先に述べた説明から明らかなように、チップパタ
ーン3aは欠陥が有っても無欠陥と判定されて、その欠陥
により不良であるホトマスクが良品と認識されてしま
う。このことは、そのホトマスクを用いて多数の半導体
装置を不良に製造してしまう事態を招く。
【００１５】そこで本発明は、マトリクス状に配置され
た同一な複数のチップパターンを有して等倍露光に用い
るホトマスクに関し、全不良検査を的確に行うことがで
きるようにする製造方法及びホトマスクの提供を目的と
する。
た同一な複数のチップパターンを有して等倍露光に用い
るホトマスクに関し、全不良検査を的確に行うことがで
きるようにする製造方法及びホトマスクの提供を目的と
する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるホトマスクの製造方法は、マトリクス
状に配置された同一な複数のチップパターンを有して等
倍露光に用いるホトマスクを製造するに際して、該複数
のチップパターンの中の一部を除くチップパターンは、
第１のレチクルを用いてステップ・アンド・レピートの
投影により形成し、該一部のチップパターンは、第１の
レチクルと同一パターンを有する第２のレチクルを用い
て該ステップ・アンド・レピートの位置から位置をずら
した投影により形成して、全不良検査の際には、照合す
る二つのチップパターンの一方として、該一部のチップ
パターンの前記位置をずらした投影による位置ずれを利
用して、該一部のチップパターンを選択することを特徴
としている。
に、本発明によるホトマスクの製造方法は、マトリクス
状に配置された同一な複数のチップパターンを有して等
倍露光に用いるホトマスクを製造するに際して、該複数
のチップパターンの中の一部を除くチップパターンは、
第１のレチクルを用いてステップ・アンド・レピートの
投影により形成し、該一部のチップパターンは、第１の
レチクルと同一パターンを有する第２のレチクルを用い
て該ステップ・アンド・レピートの位置から位置をずら
した投影により形成して、全不良検査の際には、照合す
る二つのチップパターンの一方として、該一部のチップ
パターンの前記位置をずらした投影による位置ずれを利
用して、該一部のチップパターンを選択することを特徴
としている。
【００１７】そしてその製造方法において、前記一部の
チップパターンの前記位置をずらした投影による位置ず
れの大きさは、該チップパターンの周縁がスクライブラ
イン領域に食い込まない範囲となし、然も、当該ホトマ
スクを用いて露光するウエーハ上に形成されるプローブ
テスト時の触針バッドの外径より小さく、且つ、前記全
不良検査において識別できる最小寸法より大きくするこ
とを特徴としている。
チップパターンの前記位置をずらした投影による位置ず
れの大きさは、該チップパターンの周縁がスクライブラ
イン領域に食い込まない範囲となし、然も、当該ホトマ
スクを用いて露光するウエーハ上に形成されるプローブ
テスト時の触針バッドの外径より小さく、且つ、前記全
不良検査において識別できる最小寸法より大きくするこ
とを特徴としている。
【００１８】また、本発明によるホトマスクは、マトリ
クス状に配置された同一な複数のチップパターンを有し
て等倍露光に用いるホトマスクであって、該複数のチッ
プパターンの中の一部を除くチップパターンは、中心位
置が前記マトリクスを構成する二次元格子の格子点に合
致し、該一部のチップパターンは、周縁がスクライブラ
イン領域に食い込まない範囲で、中心位置が該二次元格
子の格子点からずれていることを特徴としている。
クス状に配置された同一な複数のチップパターンを有し
て等倍露光に用いるホトマスクであって、該複数のチッ
プパターンの中の一部を除くチップパターンは、中心位
置が前記マトリクスを構成する二次元格子の格子点に合
致し、該一部のチップパターンは、周縁がスクライブラ
イン領域に食い込まない範囲で、中心位置が該二次元格
子の格子点からずれていることを特徴としている。
【００１９】
【作用】上述の構成におけるチップパターンを従来例と
対比すると、上記一部を除くチップパターンがチップパ
ターン3a（主パターン）に該当し、上記一部のチップパ
ターンがチップパターン3b（照合用パターン）に該当す
る。
対比すると、上記一部を除くチップパターンがチップパ
ターン3a（主パターン）に該当し、上記一部のチップパ
ターンがチップパターン3b（照合用パターン）に該当す
る。
【００２０】そして従来例で全不良検査を的確に行うこ
とができない原因は、先に述べたように、全不良検査で
照合しようとする二つのチップパターンの間隔即ち照合
用パターンと主パターンの間隔が、主パターン同士の間
隔と一致したことである。
とができない原因は、先に述べたように、全不良検査で
照合しようとする二つのチップパターンの間隔即ち照合
用パターンと主パターンの間隔が、主パターン同士の間
隔と一致したことである。
【００２１】これに対して本発明の製造方法において
は、照合用パターンとなる上記一部のチップパターンを
従来例の位置より位置ずれさせて形成するので、全不良
検査の際に、照合する二つのチップパターンの一方が照
合用パターンであるか否かを、上記位置ずれに伴う上記
間隔の差により明確に識別することができる。従って、
全不良検査を的確に行うことができるようになる。
は、照合用パターンとなる上記一部のチップパターンを
従来例の位置より位置ずれさせて形成するので、全不良
検査の際に、照合する二つのチップパターンの一方が照
合用パターンであるか否かを、上記位置ずれに伴う上記
間隔の差により明確に識別することができる。従って、
全不良検査を的確に行うことができるようになる。
【００２２】そして、上記位置ずれの大きさを上記構成
にすれば、ウエーハのプローブテスト及びチップスクラ
イブを通常の通りに行うことができて、半導体装置の製
造工程を従来の形態から変更する必要がない。
にすれば、ウエーハのプローブテスト及びチップスクラ
イブを通常の通りに行うことができて、半導体装置の製
造工程を従来の形態から変更する必要がない。
【００２３】また、本発明のホトマスクは、上記製造方
法によって得られるものである。
法によって得られるものである。
【００２４】
【実施例】以下本発明の実施例について図１のホトマス
クの部分平面図を用いて説明する。全図を通し同一符号
は同一対象物を示す。
クの部分平面図を用いて説明する。全図を通し同一符号
は同一対象物を示す。
【００２５】図１において、このホトマスクは、従来例
を説明した図２のホトマスクと比較すると、マスク基板
１上におけるスクライブライン領域４，チップ領域２及
びチップパターン3aの配置が同じであり、チップパター
ン3bのみが位置をずらして配置してある。即ち、チップ
パターン3aの中心位置Aaが先に述べた格子点Ｂ（チップ
領域２の中心位置）に合致し、チップパターン3bの中心
位置Abが格子点Ｂから位置ずれしている。
を説明した図２のホトマスクと比較すると、マスク基板
１上におけるスクライブライン領域４，チップ領域２及
びチップパターン3aの配置が同じであり、チップパター
ン3bのみが位置をずらして配置してある。即ち、チップ
パターン3aの中心位置Aaが先に述べた格子点Ｂ（チップ
領域２の中心位置）に合致し、チップパターン3bの中心
位置Abが格子点Ｂから位置ずれしている。
【００２６】即ち、チップパターン3aは、従来例と同様
に、１チップ分の拡大パターンを有する第１のレチクル
を用いてステップ・アンド・レピートの投影により形成
するが、チップパターン3bは、第１のレチクルと同一パ
ターンを有する第２のレチクルを用いて、上記ステップ
・アンド・レピートの位置から位置をずらした投影によ
り形成する。
に、１チップ分の拡大パターンを有する第１のレチクル
を用いてステップ・アンド・レピートの投影により形成
するが、チップパターン3bは、第１のレチクルと同一パ
ターンを有する第２のレチクルを用いて、上記ステップ
・アンド・レピートの位置から位置をずらした投影によ
り形成する。
【００２７】その際、チップパターン3bの上記位置をず
らした投影による位置ずれの大きさは、チップパターン
3bの周縁がスクライブライン領域４に食い込まない範囲
となし、然も、このホトマスクを用いて露光するウエー
ハ上に形成されるプローブテスト時の触針パッバの外径
より小さく、且つ、先に述べた全不良検査において識別
できる最小寸法より大きくする。その大きさの具体的な
寸法は例えば10μm 程度である。
らした投影による位置ずれの大きさは、チップパターン
3bの周縁がスクライブライン領域４に食い込まない範囲
となし、然も、このホトマスクを用いて露光するウエー
ハ上に形成されるプローブテスト時の触針パッバの外径
より小さく、且つ、先に述べた全不良検査において識別
できる最小寸法より大きくする。その大きさの具体的な
寸法は例えば10μm 程度である。
【００２８】そして、全不良検査では、照合する二つの
チップパターンの一方としてチップパターン3bを選択
し、他方として図上に斜線を施した従来例の場合と同じ
位置のチップパターン3aを用いる。その際は、照合する
二つのチップパターンの間隔の検査装置への設定を、従
来例の場合から上記位置ずれの分だけ変化させておく。
チップパターンの一方としてチップパターン3bを選択
し、他方として図上に斜線を施した従来例の場合と同じ
位置のチップパターン3aを用いる。その際は、照合する
二つのチップパターンの間隔の検査装置への設定を、従
来例の場合から上記位置ずれの分だけ変化させておく。
【００２９】この全不良検査でたまたま先に述べた図３
のようにチップパターン3a同士を照合する状態となった
際には、そのチップパターン3a同士の間隔が検査装置に
設定した間隔と異なるので、全不良検査の実行によりチ
ップパターン3bと3aとが照合されていないことが明らか
に判る。
のようにチップパターン3a同士を照合する状態となった
際には、そのチップパターン3a同士の間隔が検査装置に
設定した間隔と異なるので、全不良検査の実行によりチ
ップパターン3bと3aとが照合されていないことが明らか
に判る。
【００３０】このことから、上記一方のチップパターン
としてチップパターン3bを確実に選択することができ
て、チップパターン3aに欠陥が有ってもホトマスクを良
と認識してしまうという従来例の場合に犯した誤認を防
止することができる。このことは、上記誤認が原因とな
って多数の半導体装置を不良に製造するという事態の発
生を防止する。
としてチップパターン3bを確実に選択することができ
て、チップパターン3aに欠陥が有ってもホトマスクを良
と認識してしまうという従来例の場合に犯した誤認を防
止することができる。このことは、上記誤認が原因とな
って多数の半導体装置を不良に製造するという事態の発
生を防止する。
【００３１】然も、このホトマスクは、チップパターン
3bの位置がずれているとはいえその位置ずれの大きさか
らして、ウエーハのプローブテスト及びチップスクライ
ブを通常の通りに行うことができて、半導体装置の製造
工程を従来の形態から変更する必要がない。
3bの位置がずれているとはいえその位置ずれの大きさか
らして、ウエーハのプローブテスト及びチップスクライ
ブを通常の通りに行うことができて、半導体装置の製造
工程を従来の形態から変更する必要がない。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
トリクス状に配置された同一な複数のチップパターンを
有して等倍露光に用いるホトマスクに関し、全不良検査
を的確に行うことができ、更には、半導体装置の製造工
程を従来の形態から変更する必要がないようにするホト
マスクの製造方法及びホトマスクが提供されて、上記全
不良検査の誤認による半導体装置の製造歩留り低下を防
止させる効果がある。
トリクス状に配置された同一な複数のチップパターンを
有して等倍露光に用いるホトマスクに関し、全不良検査
を的確に行うことができ、更には、半導体装置の製造工
程を従来の形態から変更する必要がないようにするホト
マスクの製造方法及びホトマスクが提供されて、上記全
不良検査の誤認による半導体装置の製造歩留り低下を防
止させる効果がある。
【図１】 実施例を説明するためのホトマスクの部分平
面図
面図
【図２】 従来例を説明するためのホトマスクの部分平
面図
面図
【図３】 従来例の問題点説明図
１ マスク基板 ２ チップ領域 3a チップパターン（主パターン） 3b チップパターン（照合用パターン） ４ スクライブライン領域 Aa チップパターン（主パターン）の中心位置 Ab チップパターン（照合用パターン）の中心位置 Ｂ 二次元格子の格子点（チップ領域の中心位置）
Claims (3)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された同一な複数の
チップパターンを有して等倍露光に用いるホトマスクを
製造するに際して、 該複数のチップパターンの中の一部を除くチップパター
ン(3a)は、第１のレチクルを用いてステップ・アンド・
レピートの投影により形成し、 該一部のチップパターン(3b)は、第１のレチクルと同一
パターンを有する第２のレチクルを用いて該ステップ・
アンド・レピートの位置から位置をずらした投影により
形成して、 全不良検査の際には、照合する二つのチップパターンの
一方として、該一部のチップパターン(3b)の前記位置を
ずらした投影による位置ずれを利用して、該一部のチッ
プパターン(3b)を選択することを特徴とするホトマスク
の製造方法。 - 【請求項２】 前記一部のチップパターン(3b)の前記位
置をずらした投影による位置ずれの大きさは、該チップ
パターン(3b)の周縁がスクライブライン領域(4) に食い
込まない範囲となし、然も、当該ホトマスクを用いて露
光するウエーハ上に形成されるプローブテスト時の触針
バッドの外径より小さく、且つ、前記全不良検査におい
て識別できる最小寸法より大きくすることを特徴とする
請求項１記載のホトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 マトリクス状に配置された同一な複数の
チップパターンを有して等倍露光に用いるホトマスクで
あって、 該複数のチップパターンの中の一部を除くチップパター
ン(3a)は、中心位置(Aa)が前記マトリクスを構成する二
次元格子の格子点(B)に合致し、 該一部のチップパターン(3b)は、周縁がスクライブライ
ン領域(4)に食い込まない範囲で、中心位置(Ab)が該二
次元格子の格子点(B) からずれていることを特徴とする
ホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25485991A JPH0594002A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | ホトマスクの製造方法及びホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25485991A JPH0594002A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | ホトマスクの製造方法及びホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594002A true JPH0594002A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17270836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25485991A Withdrawn JPH0594002A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | ホトマスクの製造方法及びホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594002A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015179289A (ja) * | 2015-06-15 | 2015-10-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25485991A patent/JPH0594002A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015179289A (ja) * | 2015-06-15 | 2015-10-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4849313A (en) | Method for making a reticle mask | |
| US4343877A (en) | System for design and production of integrated circuit photomasks and integrated circuit devices | |
| EP0061536B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having improved alignment marks and alignment marks for said method | |
| US6610448B2 (en) | Alignment method, overlay deviation inspection method and photomask | |
| TWI520172B (zh) | 用於晶圓遮罩臨界尺寸、圖案位移及覆層測量與控制之標靶與方法 | |
| KR0156422B1 (ko) | 반도체장치 제조용 레티클 | |
| CN109828440B (zh) | 基于衍射的套刻标识以及套刻误差测量方法 | |
| US4442188A (en) | System for specifying critical dimensions, sequence numbers and revision levels on integrated circuit photomasks | |
| US7008731B2 (en) | Method of manufacturing a photomask and method of manufacturing a semiconductor device using the photomask | |
| JPH07231022A (ja) | パターン重ね合せ精度測定マークの製造法 | |
| US8778779B2 (en) | Semiconductor device and a method for producing semiconductor device | |
| JPH09166866A (ja) | フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置 | |
| US4343878A (en) | System for providing photomask alignment keys in semiconductor integrated circuit processing | |
| US6357131B1 (en) | Overlay reliability monitor | |
| JPS5968928A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0594002A (ja) | ホトマスクの製造方法及びホトマスク | |
| JP5533204B2 (ja) | レチクル、および半導体装置の製造方法 | |
| JP2663623B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2564440B2 (ja) | ウエハ内位置表示を付したチップの製造方法 | |
| KR960002287B1 (ko) | 정렬/노광장치의 스텝핑 정밀도 측정방법 | |
| JP2001035776A (ja) | 半導体装置の製造方法及びレチクル | |
| JPH0258777B2 (ja) | ||
| JPS588132B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
| JPS5919318A (ja) | 転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスク | |
| CN115704991A (zh) | 测试光罩和半导体工艺方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |