JPS61177725A - マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン - Google Patents
マスク合わせ精度目視判定用パタ−ンInfo
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- JPS61177725A JPS61177725A JP60016511A JP1651185A JPS61177725A JP S61177725 A JPS61177725 A JP S61177725A JP 60016511 A JP60016511 A JP 60016511A JP 1651185 A JP1651185 A JP 1651185A JP S61177725 A JPS61177725 A JP S61177725A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ホトリソグラフィ技術による製造工程で、相
前後する露光工程におけるホトマスクの位置合わせが的
確に行われていたか否かを、簡便に目視（顕微鏡使用を
含む）により判定できるようにしたマスク合わせ精度目
視判定用パターンに関する。
前後する露光工程におけるホトマスクの位置合わせが的
確に行われていたか否かを、簡便に目視（顕微鏡使用を
含む）により判定できるようにしたマスク合わせ精度目
視判定用パターンに関する。
周知の如（、今日、集積回路などの半導体素子や其の他
の精密加工部品の製造に、ホトリソグラフィ技術が応用
されている。その製造工程では、ホトマスクを用いて露
光、現像作業を行って、被泗工物たとえば半導体ウェー
ハの表面のホトレジスト膜に所望のパターンを形成させ
、このパターンを利用して被加工物表面を加工する。
の精密加工部品の製造に、ホトリソグラフィ技術が応用
されている。その製造工程では、ホトマスクを用いて露
光、現像作業を行って、被泗工物たとえば半導体ウェー
ハの表面のホトレジスト膜に所望のパターンを形成させ
、このパターンを利用して被加工物表面を加工する。
ある製品の製造に用いるホトマスクの種類は、通常数枚
から時に十数枚にも及び、しかも、これらのホトマスク
は、それぞれ、対象被加工物に対して、サブμｍの桁の
精度で正しく位置決めされていなければ、所望の品質の
製品は得られない。
から時に十数枚にも及び、しかも、これらのホトマスク
は、それぞれ、対象被加工物に対して、サブμｍの桁の
精度で正しく位置決めされていなければ、所望の品質の
製品は得られない。
そのため、従来から、相前後する工程のマスク位置合わ
せ精度の良否判定を簡便に行う方法が、種々、提案され
実用されて来た。
せ精度の良否判定を簡便に行う方法が、種々、提案され
実用されて来た。
場合によっては、本来セル加工に用いるパターンを直接
精密に検査して、ホトマスクの位置合わせ精度、すなわ
ち各セルの重ね合わせた加工用パターンの出来上がりの
精度を検査することも行われるが、簡便にホトマスクの
位置合わせ精度の良否判別を行うのには、この目的に専
用の小数個所に配置した特別なセルパターンをホトマス
クに設置した方が都合が良い、第２図は、従来から用い
られていた、ホトマスク位置合わせ精度の良否判定専用
のパターンの一例を示す。図中、Ｂは先に露光して形成
された基準層マスクによるパターンで、Ａが後から露光
して形成された合わせ層マスクによるパターンである。
精密に検査して、ホトマスクの位置合わせ精度、すなわ
ち各セルの重ね合わせた加工用パターンの出来上がりの
精度を検査することも行われるが、簡便にホトマスクの
位置合わせ精度の良否判別を行うのには、この目的に専
用の小数個所に配置した特別なセルパターンをホトマス
クに設置した方が都合が良い、第２図は、従来から用い
られていた、ホトマスク位置合わせ精度の良否判定専用
のパターンの一例を示す。図中、Ｂは先に露光して形成
された基準層マスクによるパターンで、Ａが後から露光
して形成された合わせ層マスクによるパターンである。
第２図に示す状態は、基準層マスクと合わせ層マスクの
位置合わせが正しく理想的に行われた場合のものである
。マスク合わせの良否判定は、このパターンを用いる場
合、合わせ層マスクのパターンＡが、基準層マスクのパ
ターンＢのスペース（パターンＢの内外二つの正方形の
間の場所）のセンタよりも外側にはみ出していれば、不
良と判定する。
位置合わせが正しく理想的に行われた場合のものである
。マスク合わせの良否判定は、このパターンを用いる場
合、合わせ層マスクのパターンＡが、基準層マスクのパ
ターンＢのスペース（パターンＢの内外二つの正方形の
間の場所）のセンタよりも外側にはみ出していれば、不
良と判定する。
しかし、上記の判定用パターンは、ホトマスクの位置合
わせずれを、Ｘ方向、Ｙ方向に分解して判定するもので
あるのに対し、実際の位置合わせずれは、通常、これら
両方向のずれを合成したものであって、いずれの方向単
独の値よりも大きく、正確な合成ずれ量の値を把握でき
ない、また、合わせずれの方向を知ることが出来ないた
め、検査結果を露光作業に反映させて、マスク位置合わ
せ精度を向上させるのにも通していない。
わせずれを、Ｘ方向、Ｙ方向に分解して判定するもので
あるのに対し、実際の位置合わせずれは、通常、これら
両方向のずれを合成したものであって、いずれの方向単
独の値よりも大きく、正確な合成ずれ量の値を把握でき
ない、また、合わせずれの方向を知ることが出来ないた
め、検査結果を露光作業に反映させて、マスク位置合わ
せ精度を向上させるのにも通していない。
マスク合わせずれの良否判定用パターンには、上記のも
のの他、多数の種類のものが提案されているが、実用的
、簡便という見地からは余り便利なものは無かった。
のの他、多数の種類のものが提案されているが、実用的
、簡便という見地からは余り便利なものは無かった。
本発明の目的は、極めて簡便に、正確なマスク合わせず
れ量および合わせずれの方向を知ることが出来、不良品
の検出は勿論、露光作業の修正、改善にも役立つマスク
合わせ精度目視判定用パターンを提供することにある。
れ量および合わせずれの方向を知ることが出来、不良品
の検出は勿論、露光作業の修正、改善にも役立つマスク
合わせ精度目視判定用パターンを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、先に露光
する基準層マスクと其の後に露光する合わせ層マスクの
相対応する所定の位置に夫々円環状パターンを設け、そ
の大きさを、一方のマスクに設けた円環パターンの中心
径を他方のマスクに設けた円環パターンの中心径よりも
良否判定限界に応じて定めた値だけ大きくして、被加工
物上に重ね合わせて形成された百円環状パターンの同心
円状態からのずれの程度を目視してマスク合わせ精度の
良否を判定するようにした０円環状パターンを用いるの
で、マスク合わせずれの方向がどの方向であっても正確
に方向が判り、ずれ量も、−見してほぼ其の大きさが判
定され、かつ良否の限界は極めて正確に検知することが
出来、しかもパターン自体の形状が簡単なので極めて見
易い、さらには、パターンが円環なのでパターンの細り
、太すの影響を無視でき、正確な合わせ判定が可能であ
る。
する基準層マスクと其の後に露光する合わせ層マスクの
相対応する所定の位置に夫々円環状パターンを設け、そ
の大きさを、一方のマスクに設けた円環パターンの中心
径を他方のマスクに設けた円環パターンの中心径よりも
良否判定限界に応じて定めた値だけ大きくして、被加工
物上に重ね合わせて形成された百円環状パターンの同心
円状態からのずれの程度を目視してマスク合わせ精度の
良否を判定するようにした０円環状パターンを用いるの
で、マスク合わせずれの方向がどの方向であっても正確
に方向が判り、ずれ量も、−見してほぼ其の大きさが判
定され、かつ良否の限界は極めて正確に検知することが
出来、しかもパターン自体の形状が簡単なので極めて見
易い、さらには、パターンが円環なのでパターンの細り
、太すの影響を無視でき、正確な合わせ判定が可能であ
る。
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明実施例を示し、
第１図（ａ）は僅かなずれは認められるが、十分規格限
界内にある良品の場合、第１図（ｂ）はずれ量が規格限
度ぎりぎりではあるが一応合格とする場合、第１図（ｃ
）はずれ量が規格以上に大きく不良と判定される場合を
示している。
第１図（ａ）は僅かなずれは認められるが、十分規格限
界内にある良品の場合、第１図（ｂ）はずれ量が規格限
度ぎりぎりではあるが一応合格とする場合、第１図（ｃ
）はずれ量が規格以上に大きく不良と判定される場合を
示している。
なお、マスクに第１図（ｄ）に示すような完全に円い円
環状パターンを形成することが困難ならば、第１図（ｅ
）に示すような非常に辺数の多い正多角形で代用するこ
とが出来る。
環状パターンを形成することが困難ならば、第１図（ｅ
）に示すような非常に辺数の多い正多角形で代用するこ
とが出来る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ホトリソグラフィ
技術による製造工程で相前後する露光工程におけるホト
マスクの位置合わせが的確に行われていたか否かを、極
めて簡便に目視（顕微鏡使用を含む）により判定でき、
ずれの方向、ずれの大きさなども、手段が簡便なのにも
かかわらず、はぼ正確に検知できる。
技術による製造工程で相前後する露光工程におけるホト
マスクの位置合わせが的確に行われていたか否かを、極
めて簡便に目視（顕微鏡使用を含む）により判定でき、
ずれの方向、ずれの大きさなども、手段が簡便なのにも
かかわらず、はぼ正確に検知できる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明実施例において
夫々被加工品が十分規格に適合する場合、規格限度ぎり
ぎりの場合、規格外の場合を示す図、第１図（ｄ）、（
ｅ）は本発明に係る判定用パターンの実質上間等な代替
パターンの説明図、第２図は従来から用いられていたマ
スク位置合わせ精度の良否判定専用のパターンの一例を
示す図である。 Ａ、Ｃ−合わせ層マスクのパターン、 Ｂ、Ｄ第 １
図 （ｔ） （ｅ） 第 ２ 図
夫々被加工品が十分規格に適合する場合、規格限度ぎり
ぎりの場合、規格外の場合を示す図、第１図（ｄ）、（
ｅ）は本発明に係る判定用パターンの実質上間等な代替
パターンの説明図、第２図は従来から用いられていたマ
スク位置合わせ精度の良否判定専用のパターンの一例を
示す図である。 Ａ、Ｃ−合わせ層マスクのパターン、 Ｂ、Ｄ第 １
図 （ｔ） （ｅ） 第 ２ 図
Claims (1)
- ホトリソグラフィ技術により、順次、複数種類のホト
マスクによる露光、現像作業を行い、その都度、被加工
物表面のホトレジスト膜に形成させたパターンを利用し
て、所望の加工を行う製造工程において、相前後する２
露光工程におけるホトマスク合わせ精度の良否を判定す
るために、先に露光する基準層マスクと其の後に露光す
る合わせ層マスクの相対応する所定の位置に夫々円環状
パターンを設け、その大きさを、一方のマスクに設けた
円環パターンの中心径を他方のマスクに設けた円環パタ
ーンの中心径よりも良否判定限界に応じて定めた値だけ
大きくして、被加工物上に重ね合わせて形成された両円
環状パターンの同心円状態からのずれの程度を目視して
マスク合わせ精度の良否を判定するようにしたことを特
徴とするマスク合わせ精度目視判定用パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016511A JPS61177725A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016511A JPS61177725A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177725A true JPS61177725A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11918291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60016511A Pending JPS61177725A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177725A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224318A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Nec Corp | 半導体製造工程における位置合せ方法 |
| JPH02260518A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Nec Corp | アライメントパターン |
| JP2002373844A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Seiko Instruments Inc | 合わせずれ測定方法 |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP60016511A patent/JPS61177725A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224318A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Nec Corp | 半導体製造工程における位置合せ方法 |
| JPH02260518A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Nec Corp | アライメントパターン |
| JP2002373844A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Seiko Instruments Inc | 合わせずれ測定方法 |
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