JPH011232A - パタ−ン重ね合わせ精度測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造において各工程間のパタ
ーン重ね合わせ精度を測定する方法蕃こ関するものであ
る。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造に当って、各工程間のパターンの重ね
合わせ精度の測定方法蟲こついては従来より種々の方法
が考案され、また、実際に適用されている。例えば、バ
ーニア法がある。この方法は２つの工程の各々番こピン
チの異なるパターンを入れておき、どの部分が重なって
いるかを調べることによって、工程間蕃ことのぐらいズ
レがあるかがわかる。しかし、この方法では検査に時間
がかかり、また、精度的にも期待できない。更に、工程
間の重ね合わせを行６ために以前の工程で形成された専
用パターン（以ドアライメントマータと称す）を自動的
に検出する方法か一般的である。第２図はこのマーク検
出を利用して、２つの工程間の位置合わせズレを測定す
る方法を説明するための断面図である。第１の工程で半
導体基板【１）の表面１こ形成された第１のアライメン
トマーク（２）の上を含めて全上面に第２の工程で加工
されるべき被加工部材層（３）を形成し、その上に感光
性高分子材料（レジスト）の膜（４）を形成し、このレ
ジスト膜（４）Ｉこ第２の工程用の第２のアライメント
マーク（５）が形成される。

この第２のアライメントマーク（５）は最上面番こある
ので、その位置検出は当然精度よくできる。それに対し
て、第１の工程で形成された第１のアライメントマーク
（２］はその段差故に、マーク（２）の上層の被加工部
材層（３）とレジスト膜（４）とからなる被覆層がマー
ク（２）の周辺で非対称番こなり、その位置検出には見
掛は上の誤差を伴いやすい。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のアライメントマーク位置を検出して重ね合わせ精
度を求める方法では、以前の（第１の）工程で形成した
アライメントマークの位置検出時に誤差を生じやすいと
いろ問題点があった。

この発明は、上記の従来広の欠点を解消するため蚤こな
されたもので、第１の工程で形成された第１のアライメ
ントマークを誤差な（検出し、第１の工程での第２のア
ライメントマークとの関係位置をｎ度よ（測定できる方
法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係るパターン重ね合わせｎ１度測定方法では
、第１の工程でｇｔのアライメントマークを形成した後
１こ、その上部を、アライメ／ト時−〇使用する照射線
を透過させる膜でお２い、　、ｆｉ）つその膜の上部が
平坦であるよう昏こするものである。

〔作用〕

この発明では、第１のアライメントマークの上部が平坦
であるＸ１ｌ）ら、その上盛ことのようｆヨ膜が形成さ
れようとも、その上部は平坦で、マーク検出時に従来広
のような誤差が生じない。

〔発明の実施例〕

第１図はこの発明の一実施状況を示す断面図で。

（２ａ）は半導体基板（１）１こ第１の工程で凹形蚤こ
形成されたａｔのアライメントマークで、　（６）はア
ライメント光を透過させる材料の薄膜で、マーク段差１
こ応じて上面が平坦番こなるように膜厚を選ぶ。（５）
は現第２の工程で形成されたレジスト膜（４）での第２
のアライメントマークである。

第１図における＠ｌ及び第２のアライメントマーク（２
ａ）及びｆ５）を１例えばＨｅ　−Ｎｅレーザ光でスキ
ャンさせて、マーク段差部Ｄ）らの散乱光を検出するこ
とによって、２つのマーク（２ｉ）　、　（５）の相対
位置、即ち重ね合わせズレを測定することができる。

しかも、第１の工程で形成された第１の・７−り（２ａ
）の上部は平坦である刀）ら、レジスト被覆の非対称性
薔こよる見かけ上のスレ等の誤検出はすく。

精度良い測定が可能である。

また、第１図の実施例では、レーザ光スキャンによるア
ライメントマーク検出方式を例≦ことって説明したが、
勿論他の７ライメントマ一ク＝出方式についても同様の
効果が期待できる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明昏こよれば＠ｌの工程で形成さ
ｎたアライメントマーク上部を平坦≦こするよう基こし
たので、そのマーク位置を正確纏こ検出することにより
、精度よく重ね合わせズレの測定ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の実施状況を示す断面図、
第２図は従来のパターン重ね合わせ精度測定方法の実施
状況を示すｆｒ面図である。 図に右いて、（１）は半導体基板、（ｋ）は第１のアラ
イメントマーク、（４）はレジスト＋　（５）は第２の
アライメントマーク、（６）は透明部材である。 なお１図中同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体装置の製造の第１の工程において形成され
   る第１のアライメントマークの上を、重ね合わせ時に用
   いる照射光を透過する透明部材からなり上面が平坦な膜
   で覆い、 その後の第２の工程において、更に上層に形成される第
   ２のアライメントマークと上記第１のアライメントマー
   クとを上記照射光で検出して、上記第１及び第２の工程
   のパターンの重ね合わせ精度を測定することを特徴とす
   るパターン重ね合わせ精度測定方法。
2. （２）第１のアライメントマークは凹形に形成されるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン重
   ね合わせ精度測定方法。