KR100263323B1 - 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법 - Google Patents

Abstract

반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정 방법에 관해 개시된다. 개시된 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법은 회절광을 이용한 정렬장치로 웨이퍼가 장착된 웨이퍼 스테이지의 기준판에 새겨진 정렬마크 및 정렬 패턴에 대해 정렬을 수행하는 1단계와, 웨이퍼 스테이지를 소정 위치로 이동시켜 CCD 카메라를 이용한 정렬장치로 상기 1단계에서 얻은 정렬마크 및 정렬패턴의 위치 정보를 확인하는 2단계와, 상기 웨이퍼 스테이지를 1단계의 위치로 이동시켜 회절광을 이용한 정렬장치로 동일한 정렬을 수행하는 3단계와, 상기 웨이퍼 스테이지를 2단계의 위치로 이동시켜 CCD 카메라를 이용한 정렬장치로 동일한 정렬을 수행하며 정렬마크 및 정렬패턴의 위치 정보를 얻는 4단계와, 상기 2단계와 4단계에서 얻어진 정렬마크 및 정렬패턴의 위치정보의 차이값을 비교하여 회절광을 이용한 정렬장치의 정밀도를 구하는 5단계를 포함하여 된 것을 특징으로 한다. 이로써, 웨이퍼의 정렬을 위해 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하고 정렬마크를 노광시키며 현상시키는 과정이 불필요하게 되어 공정이 단순해지는 이점이 있다.

Description

반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법

본 발명은 반도체 장비의 노광장비의 정렬 정밀도 측정 방법에 관한 것으로서, 특히, 노광장비에서 투영렌즈를 통하여 레티클에 새겨진 회로 패턴이 웨이퍼 척 또는 웨이퍼에 옮겨져 기록될 때 각 층의 회로패턴의 위치가 정밀하게 측정되는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법에 관한 것이다.

반도체 노광장비에서 웨이퍼에 노광되는 다층의 여러 회로 패턴들은 상하층이 서로 정확히 중첩되어야 하는데, 이와 같은 이유로 웨이퍼의 위치를 검출하기 위한 정렬장치를 반드시 필요로 한다.

정렬장치를 이용하여 정렬이 수행된 후, 상하 패턴들이 얼마나 정밀하게 중첩되었는지를 측정하고 이를 근거로 정렬장치의 정렬정밀도에 이격거리값을 부여하여 중첩 정렬 정밀도를 높이게 된다.

통상적으로, 반도체 노광장비에서 중첩되는 회로패턴들을 정밀하게 정렬하기 위한 정렬 정밀도 측정장치는 웨이퍼에 중첩 노광된 특수한 패턴들의 위치를 측정하기 위하여 현미경등과 같은 측정기구가 이용되었다. 따라서, 이를 위해서는 필수적으로 웨이퍼에 감광물질을 도포하는 과정, 소정 패턴을 웨이퍼에 노광하는 과정 및, 노광된 웨이퍼를 현상하는 과정등과 같은 복잡한 과정들을 거쳐야 했다. 즉, 감광된 물질이 도포된 웨이퍼가 노광장비에서 노광이 되고, 노광된 웨이퍼는 노광장비에서 분리된 후, 또 다시 노광장비에 장착된다. 장착된 웨이퍼는 정렬장치에 의해 정렬되고 그 결과값이 산출된다. 산출된 결과값에 따라 웨이퍼의 위치가 보정된 후, 두 번째 층이 노광된다. 그 후 현상과정을 거쳐 중첩 노광된 패턴을 현미경등과 같은 장치로 정렬정밀도를 측정하게 된다.

그런데, 상기한 종래의 정렬 정밀도 측정 방법은 포토레지스트 도포과정과, 노광과정 및, 현상과정 등과 같은 복잡한 과정을 거쳐야 하는 문제점이 있다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 포토레지스트 도포과정과 노광과정 및 현상과정이 필요없도록 그 방법이 단순화된 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법을 제공함에 그 목적이 있다.

도 1은 반도체 노광장비에 사용되는 정렬장치를 도시한 개략적인 도면이다.

도 2는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정에 사용되는 정렬패턴들을 도시한 도면이다.

도 3은 도 2의 정렬패턴에 대응되는 정렬마크들을 도시한 도면이다.

도 4는 도 2와 도 3의 정렬마크와 패턴들이 결합된 형태를 도시한 도면이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 >

1...레티클 2...투영렌즈

3...웨이퍼 4...웨이퍼 척

5...웨이퍼 스테이지 6, 7...웨이퍼 스테이지 구동장치

8...기준판 9...회절광을 이용한 정렬장치

10...CCD 카메라를 이용한 정렬장치

11, 12...컴퓨터 13...모니터

21x, 21y...정렬마크 22x, 22y...버어니어 패턴

23...십자패턴 24x, 24y...쉐브론 패턴

32x, 32y...버어니어 스케일 33...십자마크

34x, 34y...쉐브론 마크

42x, 42y...버어니어 패턴과 버어니어 스케일이 합쳐진 형태

43...십자마크와 십자패턴이 합쳐진 형태

44x, 44y...쉐브론 마크와 쉐브론 패턴이 합쳐진 형태

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 회절광을 이용한 정렬장치로 웨이퍼가 장착된 웨이퍼 스테이지의 기준판에 새겨진 정렬마크 및 정렬패턴에 대해 정렬을 수행하는 1단계와, 웨이퍼 스테이지를 소정 위치로 이동시켜 CCD 카메라를 이용한 정렬장치로 상기 1단계에서 얻은 정렬마크 및 정렬패턴의 위치 정보를 확인하는 2단계와, 상기 웨이퍼 스테이지를 1단계의 위치로 이동시켜 회절광을 이용한 정렬장치로 동일한 정렬을 수행하는 3단계와, 상기 웨이퍼 스테이지를 2단계의 위치로 이동시켜 CCD 카메라를 이용한 정렬장치로 동일한 정렬을 수행하며 정렬마크 및 정렬패턴의 위치 정보를 얻는 4단계와, 상기 2단계와 4단계에서 얻어진 정렬마크 및 정렬패턴의 위치정보의 차이값을 비교하여 회절광을 이용한 정렬장치의 정밀도를 구하는 5단계를 포함하여 된 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법의 실시예를 상세히 설명한다. 도 1은 반도체 노광장비에 사용되는 정렬장치를 도시한 개략적인 도면이다.

반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법에는 두가지 종류의 정렬장치가 사용된다. 한가지는 웨이퍼 상면에 새겨진 정렬마크에 입사된 정렬광이 정렬마크에 의해 회절되는데 이 회절된 광을 검출하여 웨이퍼의 위치를 측정함으로써 정렬을 수행하는 정렬장치이고, 다른 한가지는 CCD 카메라를 이용하여 정렬을 수행하는 정렬장치이다.

회절광을 이용한 정렬장치는 웨이퍼의 상면에 새겨진 회절격자 구조의 정렬마크에 정렬광을 입사시킨후, 정렬마크에 의해 회절된 광을 검출한다. 이렇게 검출된 신호는 신호처리 과정을 거쳐 웨이퍼의 위치신호로 얻어진다.

그리고, CCD 카메라를 이용한 정렬장치는 웨이퍼에 새겨진 정렬마크가 광학계를 거쳐 웨이퍼의 위치신호로 얻어진다.

본 발명에 따른 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법은 상기한 두가지 정렬장치가 사용된다. 도 1을 참조하면, 상기 두 개의 정렬장치 즉, 회절광을 이용한 정렬장치(9)와 CCD 카메라를 이용한 정렬장치(10)는 웨이퍼(3)의 상방에 마련되며, 수치 계산을 하는 컴퓨터(11)(12)와 각각 연결된다. 특히, 상기 CCD 카메라를 이용한 정렬장치(10)는 컴퓨터(12)와 연결된 모니터(13)를 구비한다. 또한, 웨이퍼(3)의 상방에는 레티클(1)이 위치하며, 레티클(1)의 하방으로 레티클(1)의 형상을 웨이퍼(3)에 투사시키는 투영렌즈(2)가 설치된다. 웨이퍼(3)의 하면에는 웨이퍼(3)를 고정시키는 웨이퍼 척(4)이 있으며, 웨이퍼의 척(4)의 하면에는 웨이퍼 척(4)을 지지하는 웨이퍼 스테이지(5)가 마련된다. 또한, 웨이퍼 스테이지(5)의 측면에는 웨이퍼 스테이지(5)를 구동하는 웨이퍼 스테이지 구동부(6)(7)가 설치된다. 그리고, 상기한 각각의 정렬장치에 부착된 광학계의 구조는 일반적인 구조이므로 생략되었다.

상기한 정렬장치에 의하면, 레티클(1)에 새겨진 회로패턴이 투영렌즈(2)를 통하여 웨이퍼척(4)의 상면에 고정된 웨이퍼(3)에 옮겨 기록된다. 이때, 각층의 회로패턴이 중첩되게 기록되므로 각 층의 회로패턴의 위치가 정렬장치에 의해 정밀하게 측정되어야 한다. 즉, 한 층의 회로 패턴이 웨이퍼(3)에 옮겨져 기록된 후, 다음 층의 회로 패턴이 웨이퍼(3)에 중첩 노광될 때 정렬장치(9)를 이용하여 정렬이 수행됨으로써 상하층의 회로 패턴이 서로 정밀하게 중첩되도록 한다.

상기한 상하층의 회로 패턴이 정밀하게 중첩되도록 하기 위하여, 먼저, 웨이퍼 스테이지(5)의 임의의 위치에 고정된 웨이퍼 또는 기준판(8) 상면에 도 2에 도시된 정렬마크(21x)(21y)를 새긴다. 상기 정렬마크(21x)(21y)는 정사각형의 모양을 가진 마크인 것이 바람직하다. 기준판(8)에 새겨진 정렬마크(21x)(21y)는 회절광원으로부터 조사된 광을 회절시키게 하고, 회절된 광은 회절광 방식을 이용한 정렬장치(9)에 입력되어 정렬이 수행된다. 그러나, 회절광을 이용한 정렬장치(9)는 노광장비마다 고유한 형태 및 기능을 가지고 있고 정렬마크의 구조도 정렬장치에 따라 달라지므로 본 발명에서는 이를 구체적으로 한정시키지 않는다. 정렬장치(9)에 의해 얻어진 수치는 컴퓨터(11)에 입력되고 처리되며, 결과적으로 정렬마크(21x)(21y)의 위치가 산출된다. 이후, CCD 카메라를 이용한 정렬장치(10)로 상기 기준판(8)의 위치가 검증된다. CCD 카메라가 이용될 때에는 기준판(8)에 새겨진 버니어 패턴(22x)(22y)과, 쉐브론 패턴(24x)(24y) 및 십자패턴(23)등을 정렬마크로서 사용하게 된다. 기준판(8)에 상기 패턴들을 새길 때 각 정보에 대한 상대적인 위치정보는 이미 알 수 있으므로 먼저 회절광 방식의 정렬장치(9)로 정렬이 수행된 후, 각 패턴들의 위치가 CCD 카메라를 이용하는 정렬장치 아래에 놓이도록 웨이퍼 스테이지 구동장치(6)(7)를 이용하여 웨이퍼 스테이지(5)를 이동시킨다. 기준판(8)에 버어니어 패턴(22x)(22y)과 쉐브론 패턴(24x)(24y) 및 십자 패턴(23)등이 새겨지며, 이에 대응되는 마크들이 전자적으로 만들어져 CCD 카메라에 결상된 이들 마크들과 상기 패턴들이 비교되어 위치오차 정보를 얻게 된다. 즉, 기준판(8)에 버어니어 패턴이 새겨지면, 전자적인 방식으로 도 3의 버어니어 스케일(32x)(32y)을 만들어 위치를 산출할 수 있게 하거나, 반대로 버니어 스케일(32x)(32y)을 기준판)(8)에 새기고 버어니어 패턴(22x)(22y)을 전자적으로 만들어 위치를 산출할 수 있도록 한다. 쉐브론 패턴(24x)(24y)과 십자패턴(23)도 동일하게 서로 대응되는 마크들이 한 조를 이루도록 구성한다.

버어니어 패턴(24x)(24y)은 수평 버어니어 패턴(22x)과 수직 버어니어 패턴(22y)으로 이루어지는데, 상기 수평 버어니어 패턴(22x)은 수평으로 그은 기준선과, 상기 기준선에 하방으로 직각을 이루면서 소정 간격으로 그어진 다수의 세로선으로 구성된다. 일반적인 자의 눈금과 같은 것이다. 상기 수직 버어니어 패턴(22y)은 수직으로 그어진 기준선과, 이 기준선에 우측으로 직각을 이루면서 소정 간격으로 그어진 다수의 수평선으로 구성된다.

상기 버어니어 패턴(24x)(24y)은 기준판(8)에 새겨지며, CCD 카메라에 의해 읽혀진다. CCD 카메라에 의해 읽혀진 버어니어 패턴(24x)(24y)은 신호처리를 위해 소프트웨어 또는 하드웨어적으로 만들어진 도 3의 버어니어 스케일(32x)(32y)과 비교된다. 비교된 버어니어 스케일(32x)(32y)과 버어니어 패턴(24x)(24y)으로 현재의 웨이퍼 스테이지(5)의 위치가 CCD 카메라를 이용한 정렬장치에 의해 산출된다. 반대로, 기준판(8)에 버어니어 스케일(34x)(34y)이 새겨지고, 버어니어 패턴(24x)(24y)을 하드웨어 또는 소프트웨어적으로 만들어 상기한 방법으로 웨이퍼 스테이지(5)의 위치를 산출해도 된다.

쉐브론 패턴(24x)(24y)을 이용한 정렬방법은 기준판(8)에 새겨진 쉐브론 패턴(24x)(24y)을 CCD 카메라에 결상시킨 후, 전자적으로 그에 대응하는 쉐브론 마크(34x)(34y)를 도 3에 도시된 바와 같이 만들어 상기 쉐브론 패턴(24x)(24y)과 쉐브론 마크(34x)(34y)를 비교하여 현재의 훼이퍼 스테이지(5)의 위치 즉, 기준판(8)에 새겨진 마크의 위치에 대한 정보를 얻게 된다. 이때, 상기 쉐브론 패턴(24x)(24y)은 단부가 연결된 상태에서 소정 각도로 이격된 두 선분과, 이 선분의 외측에 단부가 연결되지 않은 채 상기 두 선분과 같은 각도로 이격된 두 선분으로 이루어진다. 이격방향에 따라 다수개의 쉐브론 패턴(24x)(24y)이 만들어질 수 있다. 상기 쉐브론 패턴(24x)(24y)에 대응되는 쉐브론 마크(34x)(34y)는 단부가 연결되며 소정각도로 이격된 두 선분으로써, 상기 쉐브론 패턴(24x)(24y)의 두 선분의 이격공간에 대응되게 만들어진다. 상기 쉐브론 패턴(24x)(24y)에 따라 그 이격방향이 결정되어 진다.

그리고, 십자패턴(23)가 이용되는 방법은 쉐브론 패턴(24x)(24y)가 이용되는방법과 같이, 기준판(8)에 새겨진 십자패턴(23)을 CCD 카메라에 결상시키고 이에 대응되도록 전자적으로 만들어진 십자마크(33)와 상기 십자패턴(23)이 비교됨으로써 기준판(8)에 대한 정렬마크의 위치가 산출된다.

CCD 카메라에 결상된 정렬마크들은 컴퓨터(12)를 통하여 모니터(13)에 나타난다. 그러므로, 컴퓨터(12)에서 처리된 결과를 통해 웨이퍼 스테이지(5)의 위치정보가 산출될 수 있고, 모니터(13)에 나타난 결과를 눈으로 직접 확인할 수 있다.

상기한 바와 같이 첫 번채 정렬이 수행된 후에 기준판(8)의 위치가 정해지는데, 이 정보는 실제 기준판(8)의 위치정보에 정렬오차를 포함하고 있게 된다. 따라서, 회절광을 이용한 정렬장치(9)로 정렬이 수행된 후, 버어니어 패턴(22x)(22y), 쉐브론 패턴(24x)(24y) 및 십자 패턴(23)등을 통하여 웨이퍼 스테이지(5)의 위치 정보를 얻는다. 그 후, 다시 회절광을 이용한 정렬장치(9)로 정렬이 수행된다. 이렇게 정렬이 수행되면, 원래의 위치에 대한 오차를 포함한 위치 정보를 다시 얻게 된다. 버어니어 패턴(22x)(22y)과 쉐브론 패턴(24x)(24y) 및 십자 패턴(23)을 이용하여 CCD 카메라를 이용한 정렬장치(10)로 위치에 대한 정보를 확인한다. 이때, CCD 카메라를 이용하여 얻어진 위치정보는 첫 번째 정렬을 수행한 후 얻어진 위치정보들과 비교를 하게 되고 이 두 값의 차이는 회절광을 이용한 정렬장치(9)로 정렬을 수행하였을 때의 중첩 정렬 정밀도를 산출하게 된다.

도 4는 도 2의 버어니어 패턴과 쉐브론 패턴 및 십자 패턴이 도 3의 버어니어 마크와 쉐브론 마크 및 십자 마크가 결합된 형태를 각각 도시한 도면이다. 도면을 참조하면, 버어니어 패턴과 버어니어 스케일의 결합된 형태(42x)(42y)에서 버어니어 패턴(22x)(22y)와 버어니어 스케일(32x)(32y)의 어긋난 정도에 따라 정렬 전후의 웨이퍼(3)의 상대적인 위치를 얻게 된다. 십자패턴와 십자마크의 결합된 형태(43)에서는 가운데 위치한 십자패턴(23)과 가장자리에 위치한 십자마크(33)의 거리 변화로 정렬 전후의 웨이퍼(3)의 상대적인 위치 정보를 얻게 된다. 그리고, 쉐브론 패턴과 쉐브론 마크의 결합된 형태(44x)(44y)의 경우에도 서로 짝을 이루는 쉐브론 패턴(24x)(24y)과 쉐브론 마크(34x)(34y)의 이격거리에 따라 정렬 전후의 웨이퍼(3)의 상대적인 위치를 얻게 된다.

본 발명의 다른 실시예로는 도 2에 도시된 버어니어 패턴(22x)(22y)과 쉐브론 패턴(24x)(24y) 및 십자패턴(23)들이 웨이퍼(3)에 새겨져 있을 때 중첩 정렬 정밀도를 구하는 방법으로, 상기 패턴들이 새겨진 웨이퍼(3)가 웨이퍼 스테이지(5)에 장착된 후, 먼저 회절광을 이용한 정렬장치(9)로 정렬을 수행하고, CCD 카메라를 이용하는 정렬장치(10)로 웨이퍼(3)의 위치에 대한 정보를 얻는다. 그 후, 웨이퍼(3)는 분리되었다가 다시 기준판(8) 소정위치에 장착된다. 이렇게 장착된 웨이퍼(3)는 회절광을 이용한 정렬장치(9)로 정렬이 수행되고, CCD 카메라를 이용한 정렬장치(10)로 위치에 대한 정보를 얻는다. 마지막으로 CCD 카메라를 이용한 정렬장치(10)가 얻어낸 웨이퍼(3)의 위치에 대한 정보의 차이가 중첩 정밀도로써 얻어진다. 제1실시예와 다른 점은 기준판(8) 대신에 웨이퍼(3)를 사용하며 웨이퍼(3)가 소정 위치에 고정되지 않고 장착, 분리과정을 거친다는 것이다.

회절광을 이용한 정렬장치(9)로 정렬이 수행된 후, CCD 카메라를 이용한 정렬장치(10)로 웨이퍼(3)의 위치정보를 얻기 위하여 사용되는 정렬마크 및 패턴들은 소프트웨어 또는 하드웨어로 만들어지지 않고 광학계를 구성할 때, 광학계내의 결상면에 필요한 마크 및 패턴을 넣어서 기준판(8) 또는 웨이퍼(3)에 새겨진 정렬마크 및 패턴과 동시에 CCD에 결상시켜 중첩 정렬 정밀도를 얻을 수 있다.

상기 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법은 다음과 같은 효과가 수반된다.

첫째, 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법이 단순해진다.

반도체 기억소자의 경우, 하나의 소자가 구성되기 위해서는 많은 회로패턴들이 중첩 노광되어야 하는데, 이러한 패턴들은 상하층을 구성하고 있는 여러 회로패턴들이 잘 연결되어야 정확한 작동을 하게 된다. 그러므로, 이러한 중첩 정렬 정밀도는 무엇보다도 중요하다. 중첩 정렬 정밀도는 종래의 경우, 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하고, 소정패턴으로 노광하여 현상한후, 그 현상된 마크를 측정함으로써, 정밀성을 판단하게 되므로, 이 방법은 상기한 복잡한 과정을 거치게 된다. 하지만, 본 발명에서는 포토레지스트 도포과정과, 노광과정 및 현상과정 등을 거치지 않고 웨이퍼 또는 웨이퍼 스테이지에 새겨진 기준마크를 비교하여 그 이격거리를 보고 정렬 정밀도를 측정하므로 측정과정이 단순해지는 이점이 있다.

둘째, 정렬 정밀도 측정비용이 절감된다.

본 발명에 따른 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법은 많은 패턴들이 중첩 노광되어야 하는 통상적인 기억소자의 경우에, 기억소자 제조용 웨이퍼 또는 웨이퍼 스테이지에 새겨진 기준 마크들이 비교됨으로써 그 이격거리에 따라 정렬 정밀도가 측정되므로 기존의 정렬장치에서 필요한 포토레지스트 도포기기와, 노광기기 및 현상기기가 불필요하게 되어 측정 비용이 절감된다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.

Claims (7)

1. 회절광을 이용한 정렬장치로 웨이퍼가 장착된 웨이퍼 스테이지의 기준판 또는 웨이퍼에 새겨진 정렬마크 및 정렬패턴에 대해 정렬을 수행하는 1단계와,

   웨이퍼 스테이지를 소정 위치로 이동시켜 CCD 카메라를 이용한 정렬장치로 상기 1단계에서 얻은 정렬마크 및 정렬패턴의 위치 정보를 확인하는 2단계와,

   상기 웨이퍼 스테이지를 1단계의 위치로 이동시켜 회절광을 이용한 정렬장치로 동일한 정렬을 수행하는 3단계와,

   상기 웨이퍼 스테이지를 2단계의 위치로 이동시켜 CCD 카메라를 이용한 정렬장치로 동일한 정렬을 수행하며 정렬마크 및 정렬패턴의 위치 정보를 얻는 4단계와,

   상기 2단계와 4단계에서 얻어진 정렬마크 및 정렬패턴의 위치정보의 차이값을 비교하여 회절광을 이용한 정렬장치의 정밀도를 구하는 5단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 CCD 카메라를 이용한 정렬장치가 버어니어 패턴 및 버어니어 스케일을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정 방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 CCD 카메라를 이용한 정렬장치가 쉐브론 패턴 및 쉐브론 마크를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정 방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 CCD 카메라를 이용한 정렬장치가 십자 마크 및 십자 패턴을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정 방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 CCD 카메라를 이용한 정렬장치가 그 광학계내에 버어니어 패턴 및 버어니어 마크를 삽입하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 CCD 카메라를 이용한 정렬장치가 그 광학계내에 쉐브론 마크 및 쉐브론 패턴을 삽입하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법.
7. 제1항에 있어서,

   상기 CCD 카메라를 이용한 정렬장치가 그 광학계내에 십자마크 및 십자패턴을 삽입하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 노광장비의 정렬 정밀도 측정방법.

Images