JPH02224318A - 半導体製造工程における位置合せ方法 - Google Patents
半導体製造工程における位置合せ方法Info
- Publication number
- JPH02224318A JPH02224318A JP1047780A JP4778089A JPH02224318A JP H02224318 A JPH02224318 A JP H02224318A JP 1047780 A JP1047780 A JP 1047780A JP 4778089 A JP4778089 A JP 4778089A JP H02224318 A JPH02224318 A JP H02224318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- patterns
- radius
- mask
- base substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はフォトリソグラフィ工程におけるマスクパター
ンの位置合せ照合を改善した半導体製造工程における位
置合せ方法に関する。
ンの位置合せ照合を改善した半導体製造工程における位
置合せ方法に関する。
［従来の技術］
半導体装置の製造方法におけるフォトリングラフィ工程
においては、下地基板のパターンとフォトリソグラフィ
工程におけるマスクパターンとを位置合せし、照合する
必要がある。
においては、下地基板のパターンとフォトリソグラフィ
工程におけるマスクパターンとを位置合せし、照合する
必要がある。
従来、この種の技術としては第５図に示すように、正方
形又は類似の形状を有する下地基板のパターンつと、同
様に正方形又は類似の形状を有するフォトレジストパタ
ーン１０とを組み合せて、下地基板のパターン９とフォ
トリソグラフィ工程のマスクパターン１０とのズレを表
すか、又は、第６図に示すように複数個の長方形パター
ンを所定のピッチで配列した下地基板のパターン１１と
、同様に長方形状ではあるがピッチが異なるフォトレジ
ストパターン１２とを組み合せることにより、位置合せ
のズレ量を直読できるようにしたものがある。
形又は類似の形状を有する下地基板のパターンつと、同
様に正方形又は類似の形状を有するフォトレジストパタ
ーン１０とを組み合せて、下地基板のパターン９とフォ
トリソグラフィ工程のマスクパターン１０とのズレを表
すか、又は、第６図に示すように複数個の長方形パター
ンを所定のピッチで配列した下地基板のパターン１１と
、同様に長方形状ではあるがピッチが異なるフォトレジ
ストパターン１２とを組み合せることにより、位置合せ
のズレ量を直読できるようにしたものがある。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述した従来の位置合せ方法は、以下に
示すような欠点がある。
示すような欠点がある。
先ず、Ｘ方向及びＹ方向のズレが別々に表されるため、
位置合せの良否判定を一目でできないので位置合せ作業
が煩雑である。
位置合せの良否判定を一目でできないので位置合せ作業
が煩雑である。
また、下地基板パターン９，１１とフォトリソグラフィ
工程のマスクパターン１０．１２との間隙で位置合せの
ズレ量を読みとるため、各種の工程を経て下地パターン
が不鮮明になってしまった場合には、良否判定が困難に
なる。
工程のマスクパターン１０．１２との間隙で位置合せの
ズレ量を読みとるため、各種の工程を経て下地パターン
が不鮮明になってしまった場合には、良否判定が困難に
なる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
視認性が優れていて、−目で位置合せの良否判定を行う
ことができ、また下地パターンが不鮮明になっても容易
に判定することができる半導体製造工程における位置合
せ方法を提供することを目的とする。
視認性が優れていて、−目で位置合せの良否判定を行う
ことができ、また下地パターンが不鮮明になっても容易
に判定することができる半導体製造工程における位置合
せ方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る半導体製造工程における位置合せ方法は、
下地基板のパターンとフォトリソグラフィ工程における
マスクパターンとを照合して基板とマスクとの間の位置
合せを行う半導体製造工程における位置合せ方法におい
て、下地基板のパターンとして半径が相互に異なり中心
間が所定間隔で離隔した２つの円形パターンを使用し、
マスクパターンとして前記下地基板パターンと異なる半
径を有し前記所定間隔で離隔した２つの円形パターンを
使用し、前記下地基板のパターンの少なくとも一方と、
これに対応するマスクパターンとはその半径差が位置合
せの余裕に設定されていることを特徴とする。
下地基板のパターンとフォトリソグラフィ工程における
マスクパターンとを照合して基板とマスクとの間の位置
合せを行う半導体製造工程における位置合せ方法におい
て、下地基板のパターンとして半径が相互に異なり中心
間が所定間隔で離隔した２つの円形パターンを使用し、
マスクパターンとして前記下地基板パターンと異なる半
径を有し前記所定間隔で離隔した２つの円形パターンを
使用し、前記下地基板のパターンの少なくとも一方と、
これに対応するマスクパターンとはその半径差が位置合
せの余裕に設定されていることを特徴とする。
［作用］
本発明においては、下地基板に形成された１対の円形パ
ターンと、フォトリソグラフィ工程で使用されるマスク
に形成された１対の円形パターンとは、夫々中心間距離
が同一であるので、下地基板とマスクとが正確に位置合
せされた場合には下地基板パターンとマスクパターンと
が相互に同心円状に重なる。
ターンと、フォトリソグラフィ工程で使用されるマスク
に形成された１対の円形パターンとは、夫々中心間距離
が同一であるので、下地基板とマスクとが正確に位置合
せされた場合には下地基板パターンとマスクパターンと
が相互に同心円状に重なる。
そして、少なくとも一方の下地基板パターンとそれに対
応するマスクパターンとは所定の余裕と８致する半径差
を有しているから、半径が小さい方の円形パターンが半
径が大きい方の円形パターンからはみ出た場合には両者
のズレが前記余裕より大きくなったことがわかり、位置
合せが不良であると判定される。一方、小径円形パター
ンが大径円形パターン内に納まっている場合は、前記余
裕の範囲内で基板とマスクとの位置合せが良好であると
判定される。
応するマスクパターンとは所定の余裕と８致する半径差
を有しているから、半径が小さい方の円形パターンが半
径が大きい方の円形パターンからはみ出た場合には両者
のズレが前記余裕より大きくなったことがわかり、位置
合せが不良であると判定される。一方、小径円形パター
ンが大径円形パターン内に納まっている場合は、前記余
裕の範囲内で基板とマスクとの位置合せが良好であると
判定される。
従って、本発明においては、−目で位置合せの良否を判
定することができ、円形パターンを使用することにより
、それが不鮮明になった場合でも、従来方法に比して判
定が容易になる。
定することができ、円形パターンを使用することにより
、それが不鮮明になった場合でも、従来方法に比して判
定が容易になる。
［実施例］
第１図は本発明の第１の実施例方法にて使用するパター
ンを示す模式図である。下地基板のパターン１．２は半
径が夫々ｒｌ＋ｒ２の円形パターンであり、その中心は
所定間隔ｄで離隔している。
ンを示す模式図である。下地基板のパターン１．２は半
径が夫々ｒｌ＋ｒ２の円形パターンであり、その中心は
所定間隔ｄで離隔している。
また、フォトレジストのパターン、即ち、フォトリング
ラフィ工程のマスクパターン３，４は同様に円形パター
ンであり、その半径はいずれもｒ３である。このパター
ン３．４の半径ｒ３は下記不等式（１）に示すようにパ
ターン１．２の半径ｒｌｉｒ２の中間の値を有する。
ラフィ工程のマスクパターン３，４は同様に円形パター
ンであり、その半径はいずれもｒ３である。このパター
ン３．４の半径ｒ３は下記不等式（１）に示すようにパ
ターン１．２の半径ｒｌｉｒ２の中間の値を有する。
ｒｌ ＜ｒ３ ＜ｒ２ ・・・（１）そ
して、このパターン３，４も相互に前記所定間隔ｄで離
隔している。従って、第２図（ａ）に示すように、下地
基板とフォトリソグラフィのマスクとが正確に位置合せ
された場合には、パターン１とパターン３とが、またパ
ターン２とパターン４とが夫々同心円状に重なる。この
場合に半径の差（ｒ３ ｒｌ又はｒ２ ｒ、）か位置
合せの余裕を示している。
して、このパターン３，４も相互に前記所定間隔ｄで離
隔している。従って、第２図（ａ）に示すように、下地
基板とフォトリソグラフィのマスクとが正確に位置合せ
された場合には、パターン１とパターン３とが、またパ
ターン２とパターン４とが夫々同心円状に重なる。この
場合に半径の差（ｒ３ ｒｌ又はｒ２ ｒ、）か位置
合せの余裕を示している。
ｒ３が（ｒｔ 十ｒ２ ）／２である場合は、ｒ。
−ｒｌ −ｒ２−ｒ３であり、各対のパターンで同一の
余裕が設定されたことになる。
余裕が設定されたことになる。
本実施例方法においては、マスクパターン３゜４と下地
パターン１．２とが正確に一致した場合には、第２図（
ａ）に示すように、両パターンは相互に同心円状に重な
る。一方、第２図（ｂ）に示すようにマスクと下地基板
とに若干ズレが生じている場合でも、下地パターン１が
フォトレジストパターン３に含まれ、フォトレジストパ
ターン４が下地パターン２に含まれている場合には、前
述の余裕の範囲で位置合せを良と判定する。しかし、第
２図（ｃ）に示すように、マスクと下地基板との間のズ
レが大きくて、パターン１がパターン３からはみ出し、
またパターン４がパターン２からはみ出している場合に
は、位置合せを不良と判定する。
パターン１．２とが正確に一致した場合には、第２図（
ａ）に示すように、両パターンは相互に同心円状に重な
る。一方、第２図（ｂ）に示すようにマスクと下地基板
とに若干ズレが生じている場合でも、下地パターン１が
フォトレジストパターン３に含まれ、フォトレジストパ
ターン４が下地パターン２に含まれている場合には、前
述の余裕の範囲で位置合せを良と判定する。しかし、第
２図（ｃ）に示すように、マスクと下地基板との間のズ
レが大きくて、パターン１がパターン３からはみ出し、
またパターン４がパターン２からはみ出している場合に
は、位置合せを不良と判定する。
このように、位置合せの判定を２組の同心円状に配置し
たパターンにより行っているため、ズレの方向がいずれ
の場合であっても、そのズレを極めて迅速に判定するこ
とができる。また、下地パターンが不鮮明であっても、
２組のパターンで判定しているため、従来方法に比して
判断が容易である。
たパターンにより行っているため、ズレの方向がいずれ
の場合であっても、そのズレを極めて迅速に判定するこ
とができる。また、下地パターンが不鮮明であっても、
２組のパターンで判定しているため、従来方法に比して
判断が容易である。
なお、半径差ｒ３−ｒｌ又はｒ３−ｒ３ 、即ち余裕は
コンタクトマスク露光の場合には、１．０μｍ程度であ
り、ステップアンドリピート露光の場合には、０．３μ
ｍ程度である。また、半径ｒ３の大きさは例えば４０μ
ｍにすればよいが、この数値自体は位置合せの目的に応
じて種々変更設定すればよいことは勿論である。
コンタクトマスク露光の場合には、１．０μｍ程度であ
り、ステップアンドリピート露光の場合には、０．３μ
ｍ程度である。また、半径ｒ３の大きさは例えば４０μ
ｍにすればよいが、この数値自体は位置合せの目的に応
じて種々変更設定すればよいことは勿論である。
第３図は本発明の第２の実施例にて使用するパターンを
示す模式図である。下地基板のパターン５．６は夫々ｒ
４＋’５の半径を有し、フォトレジストのパターン７．
８は夫々ｒ６＋ ｒ７の半径を有する。
示す模式図である。下地基板のパターン５．６は夫々ｒ
４＋’５の半径を有し、フォトレジストのパターン７．
８は夫々ｒ６＋ ｒ７の半径を有する。
これらの半径ｒ４．ｒ５．ｒ６．ｒ７は下記不等式（２
）にて示す大小関係を有する。
）にて示す大小関係を有する。
ｒ４ ＞ｒ６ 、ｒ５ ＞ｒフ ・・
・（２）そして、パターン５，６の中心間距離と、パタ
ーン７．８の中心間距離とは等しい、このため、マスク
と下地基板とが正確に位置合せされた場合には、第４図
（ａ）に示すように、パターン５とパターン７とが、ま
たパターン６とパターン８とが同心円状に配置される。
・（２）そして、パターン５，６の中心間距離と、パタ
ーン７．８の中心間距離とは等しい、このため、マスク
と下地基板とが正確に位置合せされた場合には、第４図
（ａ）に示すように、パターン５とパターン７とが、ま
たパターン６とパターン８とが同心円状に配置される。
この場合に、一方のパターン６とパターン８との間の半
径差ｒ５−１”７と他方のパターン５とパターン７との
間の半径差ｒ４−ｒ５とは前者の方が小さくなるように
設定されている。そして、この小さい方の半径差ｒ５゜
−ｒ７が所定の位置合せの余裕に設定されている。
径差ｒ５−１”７と他方のパターン５とパターン７との
間の半径差ｒ４−ｒ５とは前者の方が小さくなるように
設定されている。そして、この小さい方の半径差ｒ５゜
−ｒ７が所定の位置合せの余裕に設定されている。
本実施例においては、第４図（ｂ）に示すように、重ね
合せに若干のズレが生じてもパターン８がパターン６内
に納まり、ズレ量が位置合せの余裕以下である場合は、
位置合せが良と判定する。
合せに若干のズレが生じてもパターン８がパターン６内
に納まり、ズレ量が位置合せの余裕以下である場合は、
位置合せが良と判定する。
一方、第４図（Ｃ）に示すように、パターン８がパター
ン６からはみ出している場合は、そのズレが位置合せの
余裕より大きいので、位置合せが不良と判定される。
ン６からはみ出している場合は、そのズレが位置合せの
余裕より大きいので、位置合せが不良と判定される。
本実施例においては、半径差ｒ４−ｒ６が余裕（ｒｓ
ｒ７）より大きいので、第４図（Ｃ）に示すように、
半径’４＋ ｒ６の夫々のパターン５゜７の周縁が重な
るような場合には、そのズレが余裕より大きいことは明
らかである。従って、この実施例では、ある程度以上重
ね合せがズレな場合の不良の判定が容易になる。
ｒ７）より大きいので、第４図（Ｃ）に示すように、
半径’４＋ ｒ６の夫々のパターン５゜７の周縁が重な
るような場合には、そのズレが余裕より大きいことは明
らかである。従って、この実施例では、ある程度以上重
ね合せがズレな場合の不良の判定が容易になる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、下地基板のパターンとフ
ォトリソグラフィ工程のマスクパターンとの位置合せの
照合に、半径が異なる円形パターンの組み合せを使用し
、その半径の差により位置合せの余裕を示すことによっ
て、視認性が良く、−目で位置合せの良否の判定が可能
となる。また、円形パターンを使用するので、下地基板
のパターンが不鮮明な場合でも従来に比して判定が容易
になるという効果がある。
ォトリソグラフィ工程のマスクパターンとの位置合せの
照合に、半径が異なる円形パターンの組み合せを使用し
、その半径の差により位置合せの余裕を示すことによっ
て、視認性が良く、−目で位置合せの良否の判定が可能
となる。また、円形パターンを使用するので、下地基板
のパターンが不鮮明な場合でも従来に比して判定が容易
になるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例にて使用するパターンを
示す模式図、第２図（ａ）乃至（ｃ）はその動作を説明
するための模式図、第３図は本発明の第２の実施例にて
使用するパターンを示す模式図、第４図（ａ）乃至（ｃ
）はその動作を説明するための模式図、第５図及び第６
図は従来の位置合せ用パターンを示す模式図である。 １．２，５，６，９．１１ ；下地基板のパターン、３
，４．７，８，１０，１２．フォトレジストのマスクパ
ターン
示す模式図、第２図（ａ）乃至（ｃ）はその動作を説明
するための模式図、第３図は本発明の第２の実施例にて
使用するパターンを示す模式図、第４図（ａ）乃至（ｃ
）はその動作を説明するための模式図、第５図及び第６
図は従来の位置合せ用パターンを示す模式図である。 １．２，５，６，９．１１ ；下地基板のパターン、３
，４．７，８，１０，１２．フォトレジストのマスクパ
ターン
Claims (1)
- （１）下地基板のパターンとフォトリソグラフィ工程に
おけるマスクパターンとを照合して基板とマスクとの間
の位置合せを行う半導体製造工程における位置合せ方法
において、下地基板のパターンとして半径が相互に異な
り中心間が所定間隔で離隔した２つの円形パターンを使
用し、マスクパターンとして前記下地基板パターンと異
なる半径を有し前記所定間隔で離隔した２つの円形パタ
ーンを使用し、前記下地基板のパターンの少なくとも一
方と、これに対応するマスクパターンとはその半径差が
位置合せの余裕に設定されていることを特徴とする半導
体製造工程における位置合せ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047780A JPH02224318A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体製造工程における位置合せ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1047780A JPH02224318A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体製造工程における位置合せ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224318A true JPH02224318A (ja) | 1990-09-06 |
Family
ID=12784887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1047780A Pending JPH02224318A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体製造工程における位置合せ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02224318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373844A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Seiko Instruments Inc | 合わせずれ測定方法 |
| CN102520593A (zh) * | 2012-01-06 | 2012-06-27 | 汕头超声印制板公司 | 一种曝光机的对位验证方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5491058A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS61177725A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1047780A patent/JPH02224318A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5491058A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-19 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS61177725A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Hitachi Ltd | マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373844A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Seiko Instruments Inc | 合わせずれ測定方法 |
| CN102520593A (zh) * | 2012-01-06 | 2012-06-27 | 汕头超声印制板公司 | 一种曝光机的对位验证方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02224318A (ja) | 半導体製造工程における位置合せ方法 | |
| KR20010039990A (ko) | 노광장치에서의 마스크와 워크의 위치맞춤 방법 | |
| JP2000133575A (ja) | 重ね合わせ検査マークを備える半導体装置 | |
| KR100271125B1 (ko) | 정렬마크를 갖는 마스크 및 이를 이용한 마스크간 정렬도 측정방법 | |
| JPH1195407A (ja) | フォトマスク | |
| KR100255087B1 (ko) | 더미셀이 형성된 스테퍼용 레티클 | |
| JPS59108318A (ja) | １チツプレテイクルマスクの検査方法 | |
| JPH0387013A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2513540Y2 (ja) | アライメント測定装置 | |
| JPS5897047A (ja) | マスクの検定方法 | |
| JPS61177725A (ja) | マスク合わせ精度目視判定用パタ−ン | |
| US6730528B1 (en) | Mask set for measuring an overlapping error and method of measuring an overlapping error using the same | |
| KR100192171B1 (ko) | 반도체 소자의 오버레이 버어니어와 그것의 형성방법 및 검사방법 | |
| JPH01228128A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP2000294493A (ja) | フォトマスクの位置合わせ方法と位置合わせユニット | |
| JPH04587B2 (ja) | ||
| KR0131262B1 (ko) | 포토 마스크 제작 방법 | |
| JPH05175093A (ja) | ウエハ内位置表示を付したチップの製造方法 | |
| KR0143345B1 (ko) | 정렬마크 형성방법 | |
| JPH06273947A (ja) | 露光装置及び露光工程におけるアライメント方法 | |
| JPH03282546A (ja) | レチクル | |
| JPH02154101A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH02106745A (ja) | フォトマスクおよびフオトマスク測定方法 | |
| JPH08262690A (ja) | レチクルおよびこれを用いたマスク位置合わせ精度判定方法 | |
| JPH03137646A (ja) | 縮小投影露光装置用レチクル |