JPH03137646A - 縮小投影露光装置用レチクル - Google Patents
縮小投影露光装置用レチクルInfo
- Publication number
- JPH03137646A JPH03137646A JP1276815A JP27681589A JPH03137646A JP H03137646 A JPH03137646 A JP H03137646A JP 1276815 A JP1276815 A JP 1276815A JP 27681589 A JP27681589 A JP 27681589A JP H03137646 A JPH03137646 A JP H03137646A
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- JP
- Japan
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- pattern
- reticle
- registering
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 241000234435 Lilium Species 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造工程で用いられる縮小投
影露光装置用レチクルに関する。
影露光装置用レチクルに関する。
従来、縮小投影露光装置により半導体基板上に転写され
たレチクルのパターンの位置ずれを検出する際には、一
連の製造工程に使用する各レチクル内に目合せ精度測定
用のパターンを設けていた。このパターンは半導体集積
回路の所定の動作には寄与しないので、通常レチクルに
形成される素子用のパターンの周辺に、１〜数ホトレジ
スト工程につき１つ置かれていた。
たレチクルのパターンの位置ずれを検出する際には、一
連の製造工程に使用する各レチクル内に目合せ精度測定
用のパターンを設けていた。このパターンは半導体集積
回路の所定の動作には寄与しないので、通常レチクルに
形成される素子用のパターンの周辺に、１〜数ホトレジ
スト工程につき１つ置かれていた。
すなわち、第５図に示すように、ウェーハ１上に投影露
光されたパターン２の周辺部には、第６図に示すような
Ｘ方向目金せパターン３Ａからなる測定用パターン３と
Ｙ方向目金せパターン４Ａからなる測定用パターン４が
設けられていた。
光されたパターン２の周辺部には、第６図に示すような
Ｘ方向目金せパターン３Ａからなる測定用パターン３と
Ｙ方向目金せパターン４Ａからなる測定用パターン４が
設けられていた。
しかしながら、上述した従来の目合せ精度の測定用パタ
ーンでは、１露光工程につきレチクル内パターンの１ケ
所での位置ずれしか検出できないので、投影されるパタ
ーンが大きいときは、測定用パターンのある位置ではず
れが微小でも、その他の場所では製造上許容されないず
れが生じ、半導体装置の製造歩留を低下させるという欠
点がある。
ーンでは、１露光工程につきレチクル内パターンの１ケ
所での位置ずれしか検出できないので、投影されるパタ
ーンが大きいときは、測定用パターンのある位置ではず
れが微小でも、その他の場所では製造上許容されないず
れが生じ、半導体装置の製造歩留を低下させるという欠
点がある。
本発明の縮小投影露光装置用レチクルは、半導体基板上
に転写されるパターンを有する縮小投影露光装置用レチ
クルにおいて、転写されるパターンと半導体基板上に既
に形成されているパターンとの位置ずれを検出する為の
測定用パターンを複数の位置に形成したものである。
に転写されるパターンを有する縮小投影露光装置用レチ
クルにおいて、転写されるパターンと半導体基板上に既
に形成されているパターンとの位置ずれを検出する為の
測定用パターンを複数の位置に形成したものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための露光さ
れたパターンを有するウェーハの平面図、第２図（ａ）
、（ｂ）は第１図における露光されたパターンの周辺の
Ａ部及びＢ部の拡大図である。
れたパターンを有するウェーハの平面図、第２図（ａ）
、（ｂ）は第１図における露光されたパターンの周辺の
Ａ部及びＢ部の拡大図である。
ウェーハ１上に縮小投影露光されるレチクルのパターン
の周辺部Ａ、ＢにはＸ方向百合せパターン３Ａを有する
Ｘ方向測定用パターン３と、Ｙ方向百合せパターン４Ａ
を有するＹ方向測定用パターン４とが組み合されて形成
されている。そして、これらの測定用パターンがウェー
ハ１上に露光された場合は、前工程で形成されなＸ方向
百合せパターン３ＢとＹ方向百合せパターン４Ｂとにそ
れぞれ一部が重なるようになっている。
の周辺部Ａ、ＢにはＸ方向百合せパターン３Ａを有する
Ｘ方向測定用パターン３と、Ｙ方向百合せパターン４Ａ
を有するＹ方向測定用パターン４とが組み合されて形成
されている。そして、これらの測定用パターンがウェー
ハ１上に露光された場合は、前工程で形成されなＸ方向
百合せパターン３ＢとＹ方向百合せパターン４Ｂとにそ
れぞれ一部が重なるようになっている。
目ずれの程度として前工程でウェーハ上に既に作られて
いるパターン３Ｂ、４Ｂの中央に、現工程の測定用パタ
ーン３Ａ、４Ａが合っている場合が目ずれのない時であ
る。測定パターンの２本口及び４木目が合っているとき
が目ずれの許可限度であるとすると、第２図（ａ）、（
ｂ）におけるＸ方向測定パターン３は何れも許容内であ
るのでＸ方向に関しては合格であるが、Ｙ方向について
は第２図（ａ）におけるＹ方向測定用パターン４は許容
以上にずれているのでホトレジスト工程の再工事が必要
であることが判定できる。
いるパターン３Ｂ、４Ｂの中央に、現工程の測定用パタ
ーン３Ａ、４Ａが合っている場合が目ずれのない時であ
る。測定パターンの２本口及び４木目が合っているとき
が目ずれの許可限度であるとすると、第２図（ａ）、（
ｂ）におけるＸ方向測定パターン３は何れも許容内であ
るのでＸ方向に関しては合格であるが、Ｙ方向について
は第２図（ａ）におけるＹ方向測定用パターン４は許容
以上にずれているのでホトレジスト工程の再工事が必要
であることが判定できる。
第３図は本発明の第２の実施例を説明するための露光さ
れたパターンを有するウェーハの平面図、第４図（ａ）
、（ｂ）は第３図における露光されたパターンの周辺の
Ｃ，Ｅ及びり、Ｆ部の拡大図である。
れたパターンを有するウェーハの平面図、第４図（ａ）
、（ｂ）は第３図における露光されたパターンの周辺の
Ｃ，Ｅ及びり、Ｆ部の拡大図である。
第１の実施例ではＸ、Ｙ方向の測定用パターンが組み合
わされて一辺に置かれていたが、本箱２の実施例では、
Ｘ方向測定用パターン３は対向する２辺Ｃ，ＨにＹ方向
測定用パターン４は対向する２辺り、Ｆにそれぞれ置か
れている。
わされて一辺に置かれていたが、本箱２の実施例では、
Ｘ方向測定用パターン３は対向する２辺Ｃ，ＨにＹ方向
測定用パターン４は対向する２辺り、Ｆにそれぞれ置か
れている。
このように構成された第２の実施例では、各方向のレチ
クル内位置ずれの差を最も離れた２辺でチエツク可能な
ので、最も有効に位置ずれの検出が可能である。
クル内位置ずれの差を最も離れた２辺でチエツク可能な
ので、最も有効に位置ずれの検出が可能である。
以上説明したように本発明は、縮小投影露光されるレチ
クル内の複数の位置に目合せ精度検出用の測定用パター
ンを形成することにより、ルチクル内でおこる目合せず
れを減少させることができるため、半導体装置の製造歩
留りを向上させることができるという効果がある。
クル内の複数の位置に目合せ精度検出用の測定用パター
ンを形成することにより、ルチクル内でおこる目合せず
れを減少させることができるため、半導体装置の製造歩
留りを向上させることができるという効果がある。
図、第２図（ａ）、（ｂ）は第１図におけるＡ部及びＢ
部の拡大図、第３図は本発明の第２の実施例を説明する
ための露光されたパターンを有するウェーハの平面図、
第４図（ａ）、（ｂ）は第３図におけるＣ、Ｅ部及びり
、Ｆ部の拡大図、第５図は従来例を説明するための露光
されたパターンを有するウェーハの平面図、第６図は第
５図におけるＧ部の拡大図である。
部の拡大図、第３図は本発明の第２の実施例を説明する
ための露光されたパターンを有するウェーハの平面図、
第４図（ａ）、（ｂ）は第３図におけるＣ、Ｅ部及びり
、Ｆ部の拡大図、第５図は従来例を説明するための露光
されたパターンを有するウェーハの平面図、第６図は第
５図におけるＧ部の拡大図である。
１・・・ウェーハ ２・・・露光されたパターン、３・
・・Ｘ方向測定用パターン、４・・・Ｙ方向測定パター
ン。
・・Ｘ方向測定用パターン、４・・・Ｙ方向測定パター
ン。
Claims (1)
- 半導体基板上に転写されるパターンを有する縮小投影
露光装置用レチクルにおいて、転写されるパターンと半
導体基板上に既に形成されているパターンとの位置ずれ
を検出する為の測定用パターンを複数の位置に形成した
ことを特徴とする縮小投影露光装置用レチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276815A JPH03137646A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 縮小投影露光装置用レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276815A JPH03137646A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 縮小投影露光装置用レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03137646A true JPH03137646A (ja) | 1991-06-12 |
Family
ID=17574778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1276815A Pending JPH03137646A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 縮小投影露光装置用レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03137646A (ja) |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP1276815A patent/JPH03137646A/ja active Pending
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