JPH05217845A - アライメント測定用パターン - Google Patents
アライメント測定用パターンInfo
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- JPH05217845A JPH05217845A JP4015893A JP1589392A JPH05217845A JP H05217845 A JPH05217845 A JP H05217845A JP 4015893 A JP4015893 A JP 4015893A JP 1589392 A JP1589392 A JP 1589392A JP H05217845 A JPH05217845 A JP H05217845A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shot
- alignment measurement
- alignment
- measurement pattern
- exposure
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ショット内の１箇所のみでショットの位置を
計測する場合に問題となるウエハやマスクの伸び縮みに
よるアライメント精度の低下を防止し、大きいショット
に対しても高精度のアライメントを達成する。 【構成】 ステップ・アンド・リピード動作により、露
光を行なう露光方法によるアライメント測定用パターン
において、同一ショット内に複数個の同一のアライメン
ト測定用パターン領域１３Ａ，１３Ｂを配置する。
計測する場合に問題となるウエハやマスクの伸び縮みに
よるアライメント精度の低下を防止し、大きいショット
に対しても高精度のアライメントを達成する。 【構成】 ステップ・アンド・リピード動作により、露
光を行なう露光方法によるアライメント測定用パターン
において、同一ショット内に複数個の同一のアライメン
ト測定用パターン領域１３Ａ，１３Ｂを配置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置であるＩ
Ｃ、ＬＳＩの製造方法において、パターン形成を行なう
リソグラフィー工程に関するものであり、その中でも特
に縮小投影露光装置を用いた露光方法に使用されるアラ
イメント測定用パターンに関するものである。
Ｃ、ＬＳＩの製造方法において、パターン形成を行なう
リソグラフィー工程に関するものであり、その中でも特
に縮小投影露光装置を用いた露光方法に使用されるアラ
イメント測定用パターンに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩの製造方法におけるリソグ
ラフィー工程には、従来から等倍投影露光装置や縮小投
影露光装置などが用いられているが、微細パターン形成
が必要な高集積度のＩＣ、ＬＳＩの製造には、高解像力
で、高精度のアライメント能力を持つ縮小投影露光装置
が一般に使用されている。
ラフィー工程には、従来から等倍投影露光装置や縮小投
影露光装置などが用いられているが、微細パターン形成
が必要な高集積度のＩＣ、ＬＳＩの製造には、高解像力
で、高精度のアライメント能力を持つ縮小投影露光装置
が一般に使用されている。
【０００３】縮小投影露光装置は、１５ｍｍ□の露光領
域を有する５：１の縮小率のものが多く製造に使用され
ており、この装置ではその露光領域が通常用いられるウ
エハサイズ（４インチ〜６インチ）よりも小さいため
に、高速でステップ・アンド・リピート動作を行なって
露光を繰り返すことにより、ウエハ全面にＩＣ、ＬＳＩ
のチップを形成している。このような動作をすることに
より、ウエハの全面に数十〜数百個のＩＣ、ＬＳＩのチ
ップが短時間で形成可能となっている。
域を有する５：１の縮小率のものが多く製造に使用され
ており、この装置ではその露光領域が通常用いられるウ
エハサイズ（４インチ〜６インチ）よりも小さいため
に、高速でステップ・アンド・リピート動作を行なって
露光を繰り返すことにより、ウエハ全面にＩＣ、ＬＳＩ
のチップを形成している。このような動作をすることに
より、ウエハの全面に数十〜数百個のＩＣ、ＬＳＩのチ
ップが短時間で形成可能となっている。
【０００４】このような縮小投影露光装置においては、
次のようなアライメント方法が通常採用されている。す
なわち、図３に示すように、一回のステップ・アンド・
リピート動作で露光される領域、つまり斜線部（以下、
ショットと称する）ごとに、Ｘ方向用アライメントマー
ク４、Ｙ方向用アライメントマーク５を各１個ずつ設け
ておき、それを各ショット毎に、あるいは１枚のウエハ
のうちから数ショット〜十数ショットを選び、それらの
各ショット毎にアライメント信号を収集し、それによ
り、各ショットの位置を確定して露光を行なう方法が採
用されている。なお、図３において、１はスクライブラ
イン、２はデバイス領域、３はアライメント測定用パタ
ーン領域である。
次のようなアライメント方法が通常採用されている。す
なわち、図３に示すように、一回のステップ・アンド・
リピート動作で露光される領域、つまり斜線部（以下、
ショットと称する）ごとに、Ｘ方向用アライメントマー
ク４、Ｙ方向用アライメントマーク５を各１個ずつ設け
ておき、それを各ショット毎に、あるいは１枚のウエハ
のうちから数ショット〜十数ショットを選び、それらの
各ショット毎にアライメント信号を収集し、それによ
り、各ショットの位置を確定して露光を行なう方法が採
用されている。なお、図３において、１はスクライブラ
イン、２はデバイス領域、３はアライメント測定用パタ
ーン領域である。
【０００５】ここで、アライメント測定用パターン領域
３は、図５に示すに、Ｘ方向のバーニヤ６、Ｙ方向のバ
ーニヤ７、Ｘ，Ｙ方向のバーニヤ用の合わせズレマーク
８を有し、露光後の補正を行なうようにしている。ま
た、Ｘ方向用アライメントマーク４およびＹ方向用アラ
イメントマーク５は図６に示すように、ライン・アンド
・スペースからなり、露光を行なう前、アライメント信
号を収集し、各ショットの位置を確定する。
３は、図５に示すに、Ｘ方向のバーニヤ６、Ｙ方向のバ
ーニヤ７、Ｘ，Ｙ方向のバーニヤ用の合わせズレマーク
８を有し、露光後の補正を行なうようにしている。ま
た、Ｘ方向用アライメントマーク４およびＹ方向用アラ
イメントマーク５は図６に示すように、ライン・アンド
・スペースからなり、露光を行なう前、アライメント信
号を収集し、各ショットの位置を確定する。
【０００６】この場合、アライメント信号の収集により
求められたショットの位置と、実際のショットの位置と
の間には、さまざまな理由からオフセットが存在してお
り、このオフセットの経時変動等の影響を避けるため、
実際のＩＣ、ＬＳＩの製造の際には、オフセット量の補
正のために、通常次のような方法が採られている。すな
わち、各ショットに１個ずつアライメント測定用パター
ン領域を配置しておき、各製造ロット毎、あるいは数ロ
ット毎、あるいは一定期間毎に、１枚〜数枚のウエハに
ついて、アライメント測定用パターンを用いたオフセッ
ト量の測定、すなわち露光処理を終了したウエハについ
て、アライメントマーク信号の計測により求められたシ
ョットの位置（露光処理により形成されたパターン）と
実際のショットの位置（アライメント計測を行なった下
地パターン）との差の測定を行ない、その結果をオフセ
ット量として、装置に対して補正を行なうことにより、
実際のＩＣ、ＬＳＩの製造に対してオフセットの影響が
少なくなるようにしている。
求められたショットの位置と、実際のショットの位置と
の間には、さまざまな理由からオフセットが存在してお
り、このオフセットの経時変動等の影響を避けるため、
実際のＩＣ、ＬＳＩの製造の際には、オフセット量の補
正のために、通常次のような方法が採られている。すな
わち、各ショットに１個ずつアライメント測定用パター
ン領域を配置しておき、各製造ロット毎、あるいは数ロ
ット毎、あるいは一定期間毎に、１枚〜数枚のウエハに
ついて、アライメント測定用パターンを用いたオフセッ
ト量の測定、すなわち露光処理を終了したウエハについ
て、アライメントマーク信号の計測により求められたシ
ョットの位置（露光処理により形成されたパターン）と
実際のショットの位置（アライメント計測を行なった下
地パターン）との差の測定を行ない、その結果をオフセ
ット量として、装置に対して補正を行なうことにより、
実際のＩＣ、ＬＳＩの製造に対してオフセットの影響が
少なくなるようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣ、
ＬＳＩの高集積化に伴い、上記のアライメント測定方法
では次のような不具合点が出てきた。すなわち、高集積
化に伴ってパターンの微細化が進み、アライメント精度
についての要求が厳しくなってきたこと、及びＤＲＡＭ
等のメモリデバイスに代表されるように、高集積化に伴
ってデバイスサイズが拡大されてきており、それに伴っ
て１ショットの大きさも拡大してきたことにより、ウエ
ハやマスクの伸び縮みによるショット内のアライメント
精度が無視し得ない大きさになってきた。このためショ
ット内の１箇所のみでショットの位置を計測したり、オ
フセットの補正量を測定した結果が、必ずしもショット
全体の位置を反映していないと考えられるようになって
きた。
ＬＳＩの高集積化に伴い、上記のアライメント測定方法
では次のような不具合点が出てきた。すなわち、高集積
化に伴ってパターンの微細化が進み、アライメント精度
についての要求が厳しくなってきたこと、及びＤＲＡＭ
等のメモリデバイスに代表されるように、高集積化に伴
ってデバイスサイズが拡大されてきており、それに伴っ
て１ショットの大きさも拡大してきたことにより、ウエ
ハやマスクの伸び縮みによるショット内のアライメント
精度が無視し得ない大きさになってきた。このためショ
ット内の１箇所のみでショットの位置を計測したり、オ
フセットの補正量を測定した結果が、必ずしもショット
全体の位置を反映していないと考えられるようになって
きた。
【０００８】本発明は、以上述べたようなショット内の
１箇所のみでショットの位置を計測する場合に問題とな
る、ウエハやマスクの伸び縮みによるアライメント精度
の低下を防止し、大きいショットに対しても高精度のア
ライメントを達成することができるアライメント測定用
パターンを提供することを目的とする。
１箇所のみでショットの位置を計測する場合に問題とな
る、ウエハやマスクの伸び縮みによるアライメント精度
の低下を防止し、大きいショットに対しても高精度のア
ライメントを達成することができるアライメント測定用
パターンを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ステップ・アンド・リピード動作によ
り、露光を行なう露光方法によるアライメント測定用パ
ターンにおいて、同一ショット内にアライメント測定用
パターン領域を複数個配置するようにしたものである。
成するために、ステップ・アンド・リピード動作によ
り、露光を行なう露光方法によるアライメント測定用パ
ターンにおいて、同一ショット内にアライメント測定用
パターン領域を複数個配置するようにしたものである。
【００１０】また、前記アライメント測定用パターン領
域は、ショットの周辺に近い部位、または周辺のスクラ
イブライン上に形成するとともに、対角線上にまたは対
角線に近接する位置に対を成して配置するようにしたも
のである。
域は、ショットの周辺に近い部位、または周辺のスクラ
イブライン上に形成するとともに、対角線上にまたは対
角線に近接する位置に対を成して配置するようにしたも
のである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、上記のように、ステップ・ア
ンド・リピート動作を行なう縮小投影露光装置を用いた
露光にあたり、同一のショット内にアライメント測定用
パターンを複数個配置することにより、それによりショ
ットの位置の計測と共に、ショットのマスクに対する伸
縮量も計測することができる。更に、その結果をもと
に、露光位置の補正あるいはショットの伸縮量の補正を
行なった後に、露光を行なう。
ンド・リピート動作を行なう縮小投影露光装置を用いた
露光にあたり、同一のショット内にアライメント測定用
パターンを複数個配置することにより、それによりショ
ットの位置の計測と共に、ショットのマスクに対する伸
縮量も計測することができる。更に、その結果をもと
に、露光位置の補正あるいはショットの伸縮量の補正を
行なった後に、露光を行なう。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すシ
ョット内のアライメント測定用パターンの平面図、図２
は本発明のアライメント測定用パターンを用いて露光を
行なった結果を示す平面図である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すシ
ョット内のアライメント測定用パターンの平面図、図２
は本発明のアライメント測定用パターンを用いて露光を
行なった結果を示す平面図である。
【００１３】図１に示すように、アライメント測定用パ
ターン領域１３Ａ，１３Ｂは同一のショット内に複数個
配設する。例えば、右下隅にアライメント測定用パター
ン領域１３Ａ、左上隅にアライメント測定用パターン領
域１３Ｂとそれぞれ配置する。このようなアライメント
測定用パターン領域の配置は、図に示すように、スクラ
イブライン１１の領域内に、お互いに干渉させることな
く行なうことが可能であり、パターン形成を行なう複数
の工程に対応して並べて配置することも可能である。
ターン領域１３Ａ，１３Ｂは同一のショット内に複数個
配設する。例えば、右下隅にアライメント測定用パター
ン領域１３Ａ、左上隅にアライメント測定用パターン領
域１３Ｂとそれぞれ配置する。このようなアライメント
測定用パターン領域の配置は、図に示すように、スクラ
イブライン１１の領域内に、お互いに干渉させることな
く行なうことが可能であり、パターン形成を行なう複数
の工程に対応して並べて配置することも可能である。
【００１４】上記したように、アライメント測定用パタ
ーン領域１３Ａ，１３Ｂは互いに二重露光されない位置
に設けるようにする。つまり、有効なデバイス領域１２
を広くとるために、スクライブライン１１は隣の露光領
域と共有するようにしているため、アライメント測定用
パターン領域が二重露光されると消えてしまうことにな
る。例えば、図１の斜線部以外のスクライブライン１１
の箇所に設けられると問題である。
ーン領域１３Ａ，１３Ｂは互いに二重露光されない位置
に設けるようにする。つまり、有効なデバイス領域１２
を広くとるために、スクライブライン１１は隣の露光領
域と共有するようにしているため、アライメント測定用
パターン領域が二重露光されると消えてしまうことにな
る。例えば、図１の斜線部以外のスクライブライン１１
の箇所に設けられると問題である。
【００１５】上記したように、このようなアライメント
測定用パターン領域の配置は、図に示すように、スクラ
イブライン１１の領域内に、お互いに干渉させることな
く行なうことが可能であり、パターン形成を行なう複数
の工程に対応して並べて配置することも可能である。な
お、図１において、１１はスクライブライン、１２はデ
バイス領域、１４はＸ方向用アライメントマーク、１５
はＹ方向用アライメントマークであり、図３における従
来と同様のものである。
測定用パターン領域の配置は、図に示すように、スクラ
イブライン１１の領域内に、お互いに干渉させることな
く行なうことが可能であり、パターン形成を行なう複数
の工程に対応して並べて配置することも可能である。な
お、図１において、１１はスクライブライン、１２はデ
バイス領域、１４はＸ方向用アライメントマーク、１５
はＹ方向用アライメントマークであり、図３における従
来と同様のものである。
【００１６】上記のようなアライメント測定用パターン
を使用して行なう本発明による露光方法を以下に説明す
る。まず、Ｘ方向用アライメントマーク１４とＹ方向用
アライメントマーク１５の計測により求めたショットの
位置と、実際のショット位置との間のオフセット量の測
定のため、各製造ロット毎、あるいは数ロット毎に１枚
〜数枚のウエハについて、露光・現象処理によるパター
ニングを行ない、オフセット量（合わせズレのこと）の
測定を行なう。この際、図１に示すように、１ショット
内の複数個のアライメント測定用パターン領域１３Ａ，
１３Ｂを使用し、Ｘ方向、Ｙ方向のオフセット量の測定
を１ショット内の複数点について、１ウエハ内で数ショ
ット〜十数ショットについて行なう。
を使用して行なう本発明による露光方法を以下に説明す
る。まず、Ｘ方向用アライメントマーク１４とＹ方向用
アライメントマーク１５の計測により求めたショットの
位置と、実際のショット位置との間のオフセット量の測
定のため、各製造ロット毎、あるいは数ロット毎に１枚
〜数枚のウエハについて、露光・現象処理によるパター
ニングを行ない、オフセット量（合わせズレのこと）の
測定を行なう。この際、図１に示すように、１ショット
内の複数個のアライメント測定用パターン領域１３Ａ，
１３Ｂを使用し、Ｘ方向、Ｙ方向のオフセット量の測定
を１ショット内の複数点について、１ウエハ内で数ショ
ット〜十数ショットについて行なう。
【００１７】次に、以上によって計測された各々の点に
おけるオフセット量の値を基に、露光処理を行なう製造
ロットのウエハの縮小率を求める。まず、測定を行なっ
たショット内複数個のアライメント測定用パターン領域
から、Ｘ方向に離れた位置にあるもの、あるいはＹ方向
に離れた位置にあるものを対になるように１組、あるい
は複数組選び、それぞれの対の間でオフセット量の差分
を求める。この際、アライメント測定の正負の方向に対
して、正の方向にあるパターンの測定値から負の方向に
あるパターンの測定値の差をとるようにする。次に、求
められた差分を、測定を行なった全ショットについて平
均する。この値を、アライメント測定用パターン領域間
の距離で割り、１を加えることによりショットの伸縮量
が割合として求まる。
おけるオフセット量の値を基に、露光処理を行なう製造
ロットのウエハの縮小率を求める。まず、測定を行なっ
たショット内複数個のアライメント測定用パターン領域
から、Ｘ方向に離れた位置にあるもの、あるいはＹ方向
に離れた位置にあるものを対になるように１組、あるい
は複数組選び、それぞれの対の間でオフセット量の差分
を求める。この際、アライメント測定の正負の方向に対
して、正の方向にあるパターンの測定値から負の方向に
あるパターンの測定値の差をとるようにする。次に、求
められた差分を、測定を行なった全ショットについて平
均する。この値を、アライメント測定用パターン領域間
の距離で割り、１を加えることによりショットの伸縮量
が割合として求まる。
【００１８】次に、製造ロットを処理する際に必要なオ
フセット量を求める。アライメント測定用パターン領域
の配置が、図１のような場合、すなわちパターンがショ
ット周辺に近いスクライブライン上にあり、かつ対角線
上の反対側にお互いが位置している場合には、上記オフ
セット量の算出はショット内の複数位置の測定結果を平
均したもの、図１の配置の場合には、アライメント測定
用パターン領域１３Ａの測定結果とアライメント測定用
パターン領域１３Ｂの測定結果を平均すれば良い。
フセット量を求める。アライメント測定用パターン領域
の配置が、図１のような場合、すなわちパターンがショ
ット周辺に近いスクライブライン上にあり、かつ対角線
上の反対側にお互いが位置している場合には、上記オフ
セット量の算出はショット内の複数位置の測定結果を平
均したもの、図１の配置の場合には、アライメント測定
用パターン領域１３Ａの測定結果とアライメント測定用
パターン領域１３Ｂの測定結果を平均すれば良い。
【００１９】このような算出方法により、ショット中心
におけるオフセット量を求めることができる。この場
合、ショット内のデバイスの配置により、ショット中心
にアライメント測定用パターン領域が配置可能な場合に
は、その位置における測定結果をもって製造ロットのオ
フセット量としても良い。以上により求めたショットの
伸縮量及びオフセット量を使用して縮小光学系の縮小率
及びオフセット量の補正を行なった後、製造ロットの露
光処理を行なう。この時、縮小率の補正はマスクと縮小
投影露光光学系において、光学系とマスクとの距離を微
小量動かすことにより（光学系のマスク側が非テレセン
トリックの場合）、あるいは光学系まわりの気圧を気圧
補正機構により変化させることにより行なうことができ
る。ただし、この際補正機構の補正量に対する縮小率の
変化量は予め調べておく必要がある。
におけるオフセット量を求めることができる。この場
合、ショット内のデバイスの配置により、ショット中心
にアライメント測定用パターン領域が配置可能な場合に
は、その位置における測定結果をもって製造ロットのオ
フセット量としても良い。以上により求めたショットの
伸縮量及びオフセット量を使用して縮小光学系の縮小率
及びオフセット量の補正を行なった後、製造ロットの露
光処理を行なう。この時、縮小率の補正はマスクと縮小
投影露光光学系において、光学系とマスクとの距離を微
小量動かすことにより（光学系のマスク側が非テレセン
トリックの場合）、あるいは光学系まわりの気圧を気圧
補正機構により変化させることにより行なうことができ
る。ただし、この際補正機構の補正量に対する縮小率の
変化量は予め調べておく必要がある。
【００２０】以上述べた２つの方法のどちらかにより、
前記の手順により求めたショットの伸縮量の割合に対応
した縮小率の補正を行なう。オフセット量については、
装置の持っているベースライン補正量に前記手順により
求めたオフセット量を加えることにより補正を行なう。
以上述べた製造ロットの処理時における補正は、以下に
述べる理由によりショット内複数点の測定結果により求
めたショット中心におけるオフセット量のみの補正でも
良い。また上記実施例のようにオフセット量の補正とシ
ョットの伸縮量の補正の両方を行なっても良い。と言う
のは、図４に示した従来方法のようにショット内１箇所
に対してオフセット量の測定を行ない、補正した後、露
光処理を行なった場合、図４においては、アライメント
測定用パターン領域１３Ｂの位置のアライメント測定用
パターンを使用した時の結果を示してあるが、用いたア
ライメント測定用パターン領域１３Ｂのショット内の反
対側で、ウエハあるいはマスクの伸縮の影響が顕著に表
れる。これに対し、ショット中心におけるオフセット量
を、図１におけるアライメント測定用パターン領域１３
Ａ、１３Ｂのアライメント測定用パターンを用いて求
め、その値により補正を行なうことにより、図４のよう
な結果に比べて、アライメント測定用パターン領域１３
Ａの位置、すなわちアライメント測定用パターン領域１
３Ｂの位置の反対側での合わせずれの量を半分に低減で
きる。つまりショットの伸縮の影響がショット全体に分
散するため、見かけ上少なくなる。もちろん、縮小率補
正を行なうことにより、ずれ量をなくした方が良いこと
は言うまでもないが、従来の方法に比べてずれ量が、１
／２にできることは、それだけでも効果は大きい。
前記の手順により求めたショットの伸縮量の割合に対応
した縮小率の補正を行なう。オフセット量については、
装置の持っているベースライン補正量に前記手順により
求めたオフセット量を加えることにより補正を行なう。
以上述べた製造ロットの処理時における補正は、以下に
述べる理由によりショット内複数点の測定結果により求
めたショット中心におけるオフセット量のみの補正でも
良い。また上記実施例のようにオフセット量の補正とシ
ョットの伸縮量の補正の両方を行なっても良い。と言う
のは、図４に示した従来方法のようにショット内１箇所
に対してオフセット量の測定を行ない、補正した後、露
光処理を行なった場合、図４においては、アライメント
測定用パターン領域１３Ｂの位置のアライメント測定用
パターンを使用した時の結果を示してあるが、用いたア
ライメント測定用パターン領域１３Ｂのショット内の反
対側で、ウエハあるいはマスクの伸縮の影響が顕著に表
れる。これに対し、ショット中心におけるオフセット量
を、図１におけるアライメント測定用パターン領域１３
Ａ、１３Ｂのアライメント測定用パターンを用いて求
め、その値により補正を行なうことにより、図４のよう
な結果に比べて、アライメント測定用パターン領域１３
Ａの位置、すなわちアライメント測定用パターン領域１
３Ｂの位置の反対側での合わせずれの量を半分に低減で
きる。つまりショットの伸縮の影響がショット全体に分
散するため、見かけ上少なくなる。もちろん、縮小率補
正を行なうことにより、ずれ量をなくした方が良いこと
は言うまでもないが、従来の方法に比べてずれ量が、１
／２にできることは、それだけでも効果は大きい。
【００２１】なお、図２及び図４において、実線は実際
のショットの外形、破線は露光処理により形成されたシ
ョットの外形を示している。また、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々
の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
のショットの外形、破線は露光処理により形成されたシ
ョットの外形を示している。また、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々
の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、１ショット内に複数のアライメント測定用パタ
ーン領域を配置し、ショット中心のオフセット量及びシ
ョットの伸縮量の割合を算出可能としたので、ショット
の伸び縮みに対して効果的に補正を行なうことができ、
ショットの全面にわたって高精度のアライメント結果を
得ることができる。これは前述したように、ＩＣ、ＬＳ
Ｉの高集積化により拡大したチップサイズのものを製造
する際に、より効果が大きい。すなわちウエハの伸び縮
みの量が同じ場合、ショットの大きさが大きい程、ショ
ットの伸び縮みによる合わせズレ量は大きくなる。
よれば、１ショット内に複数のアライメント測定用パタ
ーン領域を配置し、ショット中心のオフセット量及びシ
ョットの伸縮量の割合を算出可能としたので、ショット
の伸び縮みに対して効果的に補正を行なうことができ、
ショットの全面にわたって高精度のアライメント結果を
得ることができる。これは前述したように、ＩＣ、ＬＳ
Ｉの高集積化により拡大したチップサイズのものを製造
する際に、より効果が大きい。すなわちウエハの伸び縮
みの量が同じ場合、ショットの大きさが大きい程、ショ
ットの伸び縮みによる合わせズレ量は大きくなる。
【００２３】従って、特に高集積のＩＣ、ＬＳＩの製造
の際にアライメント精度の向上を図ることができる。
の際にアライメント精度の向上を図ることができる。
【図１】本発明の実施例を示すショット内のアライメン
ト測定用パターンの平面図である。
ト測定用パターンの平面図である。
【図２】本発明のアライメント測定用パターンによる露
光結果を示す平面図である。
光結果を示す平面図である。
【図３】従来のショット内のアライメント測定用パター
ンの平面図である。
ンの平面図である。
【図４】従来のアライメント測定用パターンによる露光
結果を示す平面図である。
結果を示す平面図である。
【図５】従来のアライメント測定用パターン領域の構成
図である。
図である。
【図６】従来のアライメントマークの構成図である。
１１ スクライブライン １２ デバイス領域 １３Ａ，１３Ｂ アライメント測定用パターン領域 １４ Ｘ方向用アライメントマーク １５ Ｙ方向用アライメントマーク
Claims (2)
- 【請求項１】 ステップ・アンド・リピード動作によ
り、露光を行なう露光方法によるアライメント測定用パ
ターンにおいて、 同一ショット内にアライメント測定用パターン領域を複
数個配置することを特徴とするアライメント測定用パタ
ーン。 - 【請求項２】 前記アライメント測定用パターン領域
は、ショットの周辺に近い部位または周辺のスクライブ
ライン上に形成するとともに、対角線上にまたは対角線
に近接する位置に対を成して配置することを特徴とする
請求項１記載のアライメント測定用パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015893A JPH05217845A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | アライメント測定用パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015893A JPH05217845A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | アライメント測定用パターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217845A true JPH05217845A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11901469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4015893A Withdrawn JPH05217845A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | アライメント測定用パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05217845A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199414A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-07-31 | Sony Corp | 半導体装置製造工程における合わせ誤差測定方法及び露光方法並びに重ね合わせ精度管理方法 |
| US5693439A (en) * | 1992-12-25 | 1997-12-02 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| JP2002246281A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるレチクル並びにウェハ |
| JP2009053716A (ja) * | 2008-11-07 | 2009-03-12 | Renesas Technology Corp | レチクル、露光方法および半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4015893A patent/JPH05217845A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5693439A (en) * | 1992-12-25 | 1997-12-02 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| US6433872B1 (en) | 1992-12-25 | 2002-08-13 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| US6608681B2 (en) | 1992-12-25 | 2003-08-19 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
| JPH09199414A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-07-31 | Sony Corp | 半導体装置製造工程における合わせ誤差測定方法及び露光方法並びに重ね合わせ精度管理方法 |
| JP2002246281A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるレチクル並びにウェハ |
| JP2009053716A (ja) * | 2008-11-07 | 2009-03-12 | Renesas Technology Corp | レチクル、露光方法および半導体装置の製造方法 |
| JP4529099B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2010-08-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | レチクル、露光方法および半導体装置の製造方法 |
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