JP2001166456A - ウェハパターン誤差の要因解析方法および写真製版用マスクの製造装置 - Google Patents
ウェハパターン誤差の要因解析方法および写真製版用マスクの製造装置Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はウェハパターン誤差の要因解析方法
に関し、マスクパターンに起因する誤差と、他の要因に
よる誤差とを区別して検出することを目的とする。 【解決手段】 第１マスク１６をエッチング室１２の第
１位置でエッチングしてマスクパターンを形成する。第
２マスク２０をエッチング室１２の第２位置でエッチン
グしてマスクパターンを形成する。第１マスク１６を使
った露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショット領
域のウェハパターンを形成する。第２マスク２０を使っ
た露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショット領域
のウェハパターンを形成する。第１マスクを使って形成
したウェハパターンの寸法と、第２マスクを使って形成
したウェハパターンの寸法とを比較して、マスクパター
ンの差に起因する寸法差と、その他の要因に起因する寸
法差とを区別して検出する。
に関し、マスクパターンに起因する誤差と、他の要因に
よる誤差とを区別して検出することを目的とする。 【解決手段】 第１マスク１６をエッチング室１２の第
１位置でエッチングしてマスクパターンを形成する。第
２マスク２０をエッチング室１２の第２位置でエッチン
グしてマスクパターンを形成する。第１マスク１６を使
った露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショット領
域のウェハパターンを形成する。第２マスク２０を使っ
た露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショット領域
のウェハパターンを形成する。第１マスクを使って形成
したウェハパターンの寸法と、第２マスクを使って形成
したウェハパターンの寸法とを比較して、マスクパター
ンの差に起因する寸法差と、その他の要因に起因する寸
法差とを区別して検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハパターン誤
差の要因解析方法および写真製版用マスクの製造装置に
係り、特に、マスクパターンの誤差の起因するウェハパ
ターンの誤差と、他の要因によるウェハパターンの誤差
とを区別して検出するための要因解析方法、およびその
方法に用いるマスクの製造に好適な製造装置に関する。
差の要因解析方法および写真製版用マスクの製造装置に
係り、特に、マスクパターンの誤差の起因するウェハパ
ターンの誤差と、他の要因によるウェハパターンの誤差
とを区別して検出するための要因解析方法、およびその
方法に用いるマスクの製造に好適な製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、写真製版用
マスク（以下、単に「マスク」と称す）を用いて半導体
ウェハ上にウェハパターンを転写する処理が行われる。
半導体ウェハに転写されるウェハパターンには、マスク
パターンに含まれている誤差による誤差（以下、「マス
クに起因する誤差」と称す）、および、ステッパーの収
差、或いはレジストの膜厚や解像性のばらつきなど、マ
スクパターンの誤差を除く他の要因による誤差（以下、
「他の要因による誤差」と称す）が重畳する。
マスク（以下、単に「マスク」と称す）を用いて半導体
ウェハ上にウェハパターンを転写する処理が行われる。
半導体ウェハに転写されるウェハパターンには、マスク
パターンに含まれている誤差による誤差（以下、「マス
クに起因する誤差」と称す）、および、ステッパーの収
差、或いはレジストの膜厚や解像性のばらつきなど、マ
スクパターンの誤差を除く他の要因による誤差（以下、
「他の要因による誤差」と称す）が重畳する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置の開発を促
進するうえでは、ウェハパターンに生ずる誤差の発生要
因を知ることが有益である。しかし、従来は、マスクパ
ターンに起因する誤差と、他の要因による誤差との比率
がどの程度であるかを把握することが困難であった。
進するうえでは、ウェハパターンに生ずる誤差の発生要
因を知ることが有益である。しかし、従来は、マスクパ
ターンに起因する誤差と、他の要因による誤差との比率
がどの程度であるかを把握することが困難であった。
【０００４】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、マスクパターンに起因する誤差
と、他の要因による誤差とを区別して検出するための要
因解析方法を提供することを第１の目的とする。また、
本発明は、上記の要因解析方法の実施に適したマスクを
容易に製造することのできる製造装置を提供することを
第２の目的とする。
めになされたもので、マスクパターンに起因する誤差
と、他の要因による誤差とを区別して検出するための要
因解析方法を提供することを第１の目的とする。また、
本発明は、上記の要因解析方法の実施に適したマスクを
容易に製造することのできる製造装置を提供することを
第２の目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体ウェハに形成されるウェハパターンに含まれる誤
差の発生要因を解析する方法であって、第１マスクをエ
ッチング室の第１位置にセットするステップと、前記第
１マスクをエッチングしてマスクパターンを形成するス
テップと、第２マスクをエッチング室の第２位置にセッ
トするステップと、前記第２マスクをエッチングしてマ
スクパターンを形成するステップとを備え、前記第２位
置は、前記第１マスクが前記第１位置にセットされてい
るとしたら前記第１マスクの一部と前記第２マスクの一
部とが重複領域となるような位置であり、前記第１マス
クを使った露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショ
ット領域のウェハパターンを形成するステップと、前記
第２マスクを使った露光処理を行うことで半導体ウェハ
に１ショット領域のウェハパターンを形成するステップ
と、前記第１マスクを使って形成した１ショット領域の
中で前記重複領域に対応する領域（第１重複領域）に含
まれるウェハパターンの寸法と、前記第２マスクを使っ
て形成した１ショット領域の中で前記重複領域に対応す
る領域（第２重複領域）に含まれるウェハパターンの寸
法とを比較することにより、マスクパターンの差に起因
する寸法差と、その他の要因に起因する寸法差とを区別
して検出するステップと、を含むことを特徴とするもの
である。
半導体ウェハに形成されるウェハパターンに含まれる誤
差の発生要因を解析する方法であって、第１マスクをエ
ッチング室の第１位置にセットするステップと、前記第
１マスクをエッチングしてマスクパターンを形成するス
テップと、第２マスクをエッチング室の第２位置にセッ
トするステップと、前記第２マスクをエッチングしてマ
スクパターンを形成するステップとを備え、前記第２位
置は、前記第１マスクが前記第１位置にセットされてい
るとしたら前記第１マスクの一部と前記第２マスクの一
部とが重複領域となるような位置であり、前記第１マス
クを使った露光処理を行うことで半導体ウェハに１ショ
ット領域のウェハパターンを形成するステップと、前記
第２マスクを使った露光処理を行うことで半導体ウェハ
に１ショット領域のウェハパターンを形成するステップ
と、前記第１マスクを使って形成した１ショット領域の
中で前記重複領域に対応する領域（第１重複領域）に含
まれるウェハパターンの寸法と、前記第２マスクを使っ
て形成した１ショット領域の中で前記重複領域に対応す
る領域（第２重複領域）に含まれるウェハパターンの寸
法とを比較することにより、マスクパターンの差に起因
する寸法差と、その他の要因に起因する寸法差とを区別
して検出するステップと、を含むことを特徴とするもの
である。
【０００６】請求項２記載の発明は、請求項１記載のウ
ェハパターン誤差の要因解析方法であって、前記第１重
複領域は、前記第１マスクを使って形成した１ショット
領域の中央に位置する第１領域と、その角に位置する第
２領域とを含み、前記第２重複領域は、前記第２マスク
を使って形成した１ショット領域の角に位置する第３領
域と、その中央に位置する第４領域とを含み、寸法差を
区別して検出する前記ステップは、前記第１領域と前記
第４領域とに共通して含まれるウェハパターンの寸法差
を、前記マスクパターンの差に起因する寸法差として検
出するステップと、前記第１領域と前記第２領域とに共
通して含まれるウェハパターンの寸法差から、前記マス
クパターンの差に起因する寸法差として検出された値を
減じることにより、前記その他の要因に起因する寸法差
を検出するステップと、を含むことを特徴とするもので
ある。
ェハパターン誤差の要因解析方法であって、前記第１重
複領域は、前記第１マスクを使って形成した１ショット
領域の中央に位置する第１領域と、その角に位置する第
２領域とを含み、前記第２重複領域は、前記第２マスク
を使って形成した１ショット領域の角に位置する第３領
域と、その中央に位置する第４領域とを含み、寸法差を
区別して検出する前記ステップは、前記第１領域と前記
第４領域とに共通して含まれるウェハパターンの寸法差
を、前記マスクパターンの差に起因する寸法差として検
出するステップと、前記第１領域と前記第２領域とに共
通して含まれるウェハパターンの寸法差から、前記マス
クパターンの差に起因する寸法差として検出された値を
減じることにより、前記その他の要因に起因する寸法差
を検出するステップと、を含むことを特徴とするもので
ある。
【０００７】請求項３記載の発明は、請求項１記載のウ
ェハパターン誤差の要因解析方法であって、前記第２マ
スクを使って１ショット領域のウェハパターンを形成す
るステップは、前記第１重複領域の１ショット領域内で
の位置と、前記第２重複領域の１ショット領域内での位
置とが一致するように、前記第２マスクの取り付け角度
を決定するステップを含み、前記第１重複領域は、前記
第１マスクを使って形成した１ショット領域の中央に位
置する第１領域と、その角に位置する第２領域とを含
み、前記第２重複領域は、前記第２マスクを使って形成
した１ショット領域の角に位置する第３領域と、その中
央に位置する第４領域とを含み、寸法差を区別して検出
する前記ステップは、前記第２領域と前記第３領域とに
共通して含まれるウェハパターンの寸法差を、前記マス
クパターンの差に起因する寸法差として検出するステッ
プと、前記第１領域と前記第２領域とに共通して含まれ
るウェハパターンの寸法差から、前記マスクパターンの
差に起因する寸法差として検出された値を減じることに
より、前記その他の要因に起因する寸法差を検出するス
テップと、を含むことを特徴とするものである。
ェハパターン誤差の要因解析方法であって、前記第２マ
スクを使って１ショット領域のウェハパターンを形成す
るステップは、前記第１重複領域の１ショット領域内で
の位置と、前記第２重複領域の１ショット領域内での位
置とが一致するように、前記第２マスクの取り付け角度
を決定するステップを含み、前記第１重複領域は、前記
第１マスクを使って形成した１ショット領域の中央に位
置する第１領域と、その角に位置する第２領域とを含
み、前記第２重複領域は、前記第２マスクを使って形成
した１ショット領域の角に位置する第３領域と、その中
央に位置する第４領域とを含み、寸法差を区別して検出
する前記ステップは、前記第２領域と前記第３領域とに
共通して含まれるウェハパターンの寸法差を、前記マス
クパターンの差に起因する寸法差として検出するステッ
プと、前記第１領域と前記第２領域とに共通して含まれ
るウェハパターンの寸法差から、前記マスクパターンの
差に起因する寸法差として検出された値を減じることに
より、前記その他の要因に起因する寸法差を検出するス
テップと、を含むことを特徴とするものである。
【０００８】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
何れか１項記載のウェハパターン誤差の要因解析方法で
あって、前記ウェハパターンの寸法の比較は、半導体ウ
ェハ上で露光されたレジストの現像が終了した直後に行
われることを特徴とするものである。
何れか１項記載のウェハパターン誤差の要因解析方法で
あって、前記ウェハパターンの寸法の比較は、半導体ウ
ェハ上で露光されたレジストの現像が終了した直後に行
われることを特徴とするものである。
【０００９】請求項５記載の発明は、写真製版用マスク
にエッチングに施してマスクパターンを形成するマスク
の製造装置であって、前記エッチングを行うためのエッ
チング室と、前記エッチング室の内部でマスクを保持す
るためのマスク台とを備え、前記マスク台は、前記マス
クを、第１位置と第２位置とに保持することができ、前
記第２位置は、前記第１位置にマスクセットされている
としたら、そのマスクの一部と前記第２の位置にセット
されるマスクの一部とが重複領域となるような位置であ
ることを特徴とするものである。
にエッチングに施してマスクパターンを形成するマスク
の製造装置であって、前記エッチングを行うためのエッ
チング室と、前記エッチング室の内部でマスクを保持す
るためのマスク台とを備え、前記マスク台は、前記マス
クを、第１位置と第２位置とに保持することができ、前
記第２位置は、前記第１位置にマスクセットされている
としたら、そのマスクの一部と前記第２の位置にセット
されるマスクの一部とが重複領域となるような位置であ
ることを特徴とするものである。
【００１０】請求項６記載の発明は、請求項５記載の写
真製版用マスクの製造装置であって、前記マスク台は、
前記第１位置と前記第２位置との間で移動することがで
きることを特徴とするものである。
真製版用マスクの製造装置であって、前記マスク台は、
前記第１位置と前記第２位置との間で移動することがで
きることを特徴とするものである。
【００１１】請求項７記載の発明は、請求項５または６
記載の写真製版用マスクの製造方法であって、前記第１
位置および前記第２位置は、前記第１位置にセットされ
るマスクの中央に位置する領域と、前記第２位置にセッ
トされるマスクの中央に位置する領域とが、何れも前記
重複領域に含まれるように設定されていることを特徴と
するものである。
記載の写真製版用マスクの製造方法であって、前記第１
位置および前記第２位置は、前記第１位置にセットされ
るマスクの中央に位置する領域と、前記第２位置にセッ
トされるマスクの中央に位置する領域とが、何れも前記
重複領域に含まれるように設定されていることを特徴と
するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
【００１３】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１の要因解析方法の流れを説明するためのフローチャ
ートを示す。本実施形態の方法では、図１に示すよう
に、先ずステップ１００の処理が実行される。ステップ
１００では、写真製版用マスクの製造装置に、第１マス
クがセットされる。
態１の要因解析方法の流れを説明するためのフローチャ
ートを示す。本実施形態の方法では、図１に示すよう
に、先ずステップ１００の処理が実行される。ステップ
１００では、写真製版用マスクの製造装置に、第１マス
クがセットされる。
【００１４】図２は、上記ステップ１００で使用される
製造装置１０のエッチング室１２の平面図である。製造
装置１０は、マスク上に所望のマスクパターンを形成す
べく、マスクをエッチングするための装置である。エッ
チング室１２の内部には、図２に示すように、マスクを
載せるためのマスク台１２が配置されている。マスク台
１２には、マスクの大きさに応じた凹部が形成されてお
り、マスクは、その凹部に勘合されるようにマスク台１
２上にセットされる。
製造装置１０のエッチング室１２の平面図である。製造
装置１０は、マスク上に所望のマスクパターンを形成す
べく、マスクをエッチングするための装置である。エッ
チング室１２の内部には、図２に示すように、マスクを
載せるためのマスク台１２が配置されている。マスク台
１２には、マスクの大きさに応じた凹部が形成されてお
り、マスクは、その凹部に勘合されるようにマスク台１
２上にセットされる。
【００１５】図２中に実線で示す形状は、エッチング室
１２の中央部に位置するマスク台１４と、その上にセッ
トされている第１マスク１６を示す。中心マーク１８
は、その第１マスク１６の中心を示している。また、図
２中に一点鎖線で示す形状は、所定の位置まで移動した
マスク台１４′と、その上にセットされている第２マス
ク２０を示す。中心マーク２２は、その第２マスク２０
の中心を示している。このように、製造装置１０は、マ
スク台１４をエッチング室１２の内部で移動させること
ができる。
１２の中央部に位置するマスク台１４と、その上にセッ
トされている第１マスク１６を示す。中心マーク１８
は、その第１マスク１６の中心を示している。また、図
２中に一点鎖線で示す形状は、所定の位置まで移動した
マスク台１４′と、その上にセットされている第２マス
ク２０を示す。中心マーク２２は、その第２マスク２０
の中心を示している。このように、製造装置１０は、マ
スク台１４をエッチング室１２の内部で移動させること
ができる。
【００１６】図２において、マスク台１４′は、第１マ
スク１６と、第２マスク２０とに重複領域が形成される
ような位置に配置されている。より具体的には、マスク
台１４′は、第１マスク１６の中心１８が第２マスク２
０の角部と重なるように、換言すると、第２マスク２０
の中心２２が第１マスク１６の角部と重なるように配置
されている。以下、図２におけるマスク台１４の位置を
「第１位置」と、また、図２におけるマスク台１４′の
位置を「第２位置」と、それぞれ称す。上記ステップ１
００では、第１位置に配置されたマスク台１４の上に、
第１マスク１６がセットされる。
スク１６と、第２マスク２０とに重複領域が形成される
ような位置に配置されている。より具体的には、マスク
台１４′は、第１マスク１６の中心１８が第２マスク２
０の角部と重なるように、換言すると、第２マスク２０
の中心２２が第１マスク１６の角部と重なるように配置
されている。以下、図２におけるマスク台１４の位置を
「第１位置」と、また、図２におけるマスク台１４′の
位置を「第２位置」と、それぞれ称す。上記ステップ１
００では、第１位置に配置されたマスク台１４の上に、
第１マスク１６がセットされる。
【００１７】ステップ１０２では、第１位置に配置され
たマスク台１４の上で、第１マスク１６がエッチングさ
れる。エッチングが終了すると、マスク台１４上から第
１マスク１６が取り出される。
たマスク台１４の上で、第１マスク１６がエッチングさ
れる。エッチングが終了すると、マスク台１４上から第
１マスク１６が取り出される。
【００１８】ステップ１０４では、第２位置まで移動し
たマスク台１４′の上に第２マスク２０がセットされ
る。
たマスク台１４′の上に第２マスク２０がセットされ
る。
【００１９】ステップ１０６では、マスク台１４′の上
で第２マスク２０がエッチングされる。エッチングが終
了すると、マスク台１４′上から第２マスク２０が取り
出される。
で第２マスク２０がエッチングされる。エッチングが終
了すると、マスク台１４′上から第２マスク２０が取り
出される。
【００２０】エッチングガスの分布など、エッチングレ
ートを決める条件は、エッチング室１２の内部において
必ずしも均一ではない。このため、同じ設定条件でエッ
チングを行っても、第１マスク１６や第２マスクの面上
には、エッチング条件のばらつきに起因するマスクパタ
ーンの誤差が形成される。
ートを決める条件は、エッチング室１２の内部において
必ずしも均一ではない。このため、同じ設定条件でエッ
チングを行っても、第１マスク１６や第２マスクの面上
には、エッチング条件のばらつきに起因するマスクパタ
ーンの誤差が形成される。
【００２１】図３（ａ）は、第１マスク１６とエッチン
グ条件との関係を表す概念図を示す。また、図３（ｂ）
は、第２マスク２０とエッチング条件との関係を表す概
念図を示す。これらの図において、領域２４は、エッチ
ング室１２のほぼ中央でエッチングされる領域である。
また、領域２６は、エッチング室１２の中央から、図２
における左上角の方向にずれた位置でエッチングされる
領域である。
グ条件との関係を表す概念図を示す。また、図３（ｂ）
は、第２マスク２０とエッチング条件との関係を表す概
念図を示す。これらの図において、領域２４は、エッチ
ング室１２のほぼ中央でエッチングされる領域である。
また、領域２６は、エッチング室１２の中央から、図２
における左上角の方向にずれた位置でエッチングされる
領域である。
【００２２】エッチングのレートを決める条件は、エッ
チング室１２の内部における位置に応じて決定される。
従って、本実施形態では、第１マスク１６の中央に位置
する領域２４と、第２マスク１８の、図３（ｂ）におけ
る右下角に位置する領域２４とには、同じ分布でエッチ
ングの効果が及ぶ。このため、それらの領域２４には、
ほぼ同じ精度でマスクパターンが形成される。同様に、
本実施形態では、第１マスク１６の、図３（ａ）におけ
る右上角に位置する領域２６と、第２マスク１８の中央
に位置する領域２４とには、同じ分布でエッチングの効
果が及ぶ。このため、それらの領域２６にも、ほぼ同じ
精度でマスクパターンが形成される。
チング室１２の内部における位置に応じて決定される。
従って、本実施形態では、第１マスク１６の中央に位置
する領域２４と、第２マスク１８の、図３（ｂ）におけ
る右下角に位置する領域２４とには、同じ分布でエッチ
ングの効果が及ぶ。このため、それらの領域２４には、
ほぼ同じ精度でマスクパターンが形成される。同様に、
本実施形態では、第１マスク１６の、図３（ａ）におけ
る右上角に位置する領域２６と、第２マスク１８の中央
に位置する領域２４とには、同じ分布でエッチングの効
果が及ぶ。このため、それらの領域２６にも、ほぼ同じ
精度でマスクパターンが形成される。
【００２３】ステップ１０８では、第１マスク１６を用
いて半導体ウェハを露光する処理、および半導体ウェハ
上で露光されたレジストを現像する処理が行われる。
いて半導体ウェハを露光する処理、および半導体ウェハ
上で露光されたレジストを現像する処理が行われる。
【００２４】図４は、半導体ウェハ２８が第１マスク１
６を通過した光により露光される状態を示す概念図であ
る。このような露光処理は、ステッパーと呼ばれる公知
の装置により行われる。ステッパーは、例えば５：１の
比率でマスクパターンを縮小して半導体ウェハ上に転写
する。ところで、ステッパーによりマスクパターンが転
写される過程では、ウェハパターンに、ステッパーの収
差等に起因する誤差（以下、「収差による誤差」と称
す）が重畳する。また、レジストが現像されてウェハパ
ターンが形成される過程では、ウェハパターンに、レジ
ストの膜厚ばらつきなどに起因する誤差（以下、「レジ
スト膜厚による誤差」と称す）が重畳する。
６を通過した光により露光される状態を示す概念図であ
る。このような露光処理は、ステッパーと呼ばれる公知
の装置により行われる。ステッパーは、例えば５：１の
比率でマスクパターンを縮小して半導体ウェハ上に転写
する。ところで、ステッパーによりマスクパターンが転
写される過程では、ウェハパターンに、ステッパーの収
差等に起因する誤差（以下、「収差による誤差」と称
す）が重畳する。また、レジストが現像されてウェハパ
ターンが形成される過程では、ウェハパターンに、レジ
ストの膜厚ばらつきなどに起因する誤差（以下、「レジ
スト膜厚による誤差」と称す）が重畳する。
【００２５】収差による誤差の大きさは、露光用の光の
通過経路に応じてほぼ一義的に決定される。従って、１
ショットで転写される領域（以下、「１ショット領域」
と称す）に含まれるパターンに、収差の影響で重畳する
誤差の分布は、常にほぼ一定となる。また、レジストの
膜厚は、半導体ウェハ上の位置に応じてほぼ決定され
る。従って、収差やレジスト膜厚のばらつきに起因して
ウェハパターンに重畳する誤差（他の要因による誤差）
の大きさは、そのウェハパターンの１ショット領域内で
の位置、および、その１ショット領域の半導体ウェハ内
での位置に応じてほぼ決定される。
通過経路に応じてほぼ一義的に決定される。従って、１
ショットで転写される領域（以下、「１ショット領域」
と称す）に含まれるパターンに、収差の影響で重畳する
誤差の分布は、常にほぼ一定となる。また、レジストの
膜厚は、半導体ウェハ上の位置に応じてほぼ決定され
る。従って、収差やレジスト膜厚のばらつきに起因して
ウェハパターンに重畳する誤差（他の要因による誤差）
の大きさは、そのウェハパターンの１ショット領域内で
の位置、および、その１ショット領域の半導体ウェハ内
での位置に応じてほぼ決定される。
【００２６】以下、上述した関係を、図５を参照してよ
り具体的に説明する。図５（ａ）は、第１マスク１６を
用いて半導体ウェハ上の所定位置に転写された１ショッ
ト領域を示す。また、図５（ｂ）は、第２マスク２０を
用いて半導体ウェハ上の同じ位置に転写された１ショッ
ト領域を示す。
り具体的に説明する。図５（ａ）は、第１マスク１６を
用いて半導体ウェハ上の所定位置に転写された１ショッ
ト領域を示す。また、図５（ｂ）は、第２マスク２０を
用いて半導体ウェハ上の同じ位置に転写された１ショッ
ト領域を示す。
【００２７】図５（ａ）中に符号３０を付して表す領域
は、第１マスク１６の領域２４に対応している。従っ
て、その領域３０に形成されるウェハパターンの精度に
は、領域２４のマスクパターン精度が反映される。ま
た、図５（ａ）中に符号３２を付して表す領域は、第１
マスク１６の領域２６に対応している。従って、その領
域３２に形成されるウェハパターンの精度には、領域２
６のマスクパターン精度が反映される。以下、それらの
領域３０，３２を、それぞれ「第１領域３０」および
「第２の領域３２」と称す。
は、第１マスク１６の領域２４に対応している。従っ
て、その領域３０に形成されるウェハパターンの精度に
は、領域２４のマスクパターン精度が反映される。ま
た、図５（ａ）中に符号３２を付して表す領域は、第１
マスク１６の領域２６に対応している。従って、その領
域３２に形成されるウェハパターンの精度には、領域２
６のマスクパターン精度が反映される。以下、それらの
領域３０，３２を、それぞれ「第１領域３０」および
「第２の領域３２」と称す。
【００２８】また、図５（ｂ）中に符号３４を付して表
す領域は、第２マスク２０の領域２４に対応している。
従って、その領域３４に形成されるウェハパターンの精
度には、領域２４のマスクパターン精度が反映される。
図５（ｂ）中に符号３６を付して表す領域は、第２マス
ク２０の領域２６に対応している。従って、その領域３
６に形成されるウェハパターンの精度には、領域２６の
マスクパターン精度が反映される。以下、それらの領域
３４，３６を、それぞれ「第３領域３４」および「第４
の領域３６」と称す。
す領域は、第２マスク２０の領域２４に対応している。
従って、その領域３４に形成されるウェハパターンの精
度には、領域２４のマスクパターン精度が反映される。
図５（ｂ）中に符号３６を付して表す領域は、第２マス
ク２０の領域２６に対応している。従って、その領域３
６に形成されるウェハパターンの精度には、領域２６の
マスクパターン精度が反映される。以下、それらの領域
３４，３６を、それぞれ「第３領域３４」および「第４
の領域３６」と称す。
【００２９】ウェハパターンに重畳する他の要因による
誤差の大きさは、上記の如く、そのウェハパターンの１
ショット領域内での位置と、その１ショット領域の半導
体ウェハ内での位置とに応じて決定される。従って、図
５（ａ）に示す第１領域３０に形成されるウェハパター
ンと、図５（ｂ）に示す第４領域３６に形成されるウェ
ハパターンとには、他の要因による誤差が同程度に形成
される。
誤差の大きさは、上記の如く、そのウェハパターンの１
ショット領域内での位置と、その１ショット領域の半導
体ウェハ内での位置とに応じて決定される。従って、図
５（ａ）に示す第１領域３０に形成されるウェハパター
ンと、図５（ｂ）に示す第４領域３６に形成されるウェ
ハパターンとには、他の要因による誤差が同程度に形成
される。
【００３０】ステップ１１２では、上述した第１領域３
０と第４領域３６のように、他の要因による誤差が同一
であり、かつ、マスクパターンによる誤差が非同一であ
る２つの領域を対象として、ウェハパターンの寸法比較
が行われる。尚、ウェハパターンの寸法は、設計値の等
しいもの同士を比較するものとする。
０と第４領域３６のように、他の要因による誤差が同一
であり、かつ、マスクパターンによる誤差が非同一であ
る２つの領域を対象として、ウェハパターンの寸法比較
が行われる。尚、ウェハパターンの寸法は、設計値の等
しいもの同士を比較するものとする。
【００３１】上記の比較の結果得られた寸法差は、マス
クパターンの差に起因するウェハパターンの寸法差ΔL
M、より具体的には、領域２４のマスクパターンと領域
２６のマスクパターンとの差に起因するウェハパターン
の寸法差と考えることができる。
クパターンの差に起因するウェハパターンの寸法差ΔL
M、より具体的には、領域２４のマスクパターンと領域
２６のマスクパターンとの差に起因するウェハパターン
の寸法差と考えることができる。
【００３２】ステップ１１４では、ステップ１１２で比
較対象とされた２つのウェハパターンの寸法差が求めら
れ、その値がマスクパターンの差に起因する寸法差ΔLM
として検出される。例えば、上記ステップ１１２の比較
により２０nmの寸法差が認められた場合は、ΔLMが２０
nmとして検出される。
較対象とされた２つのウェハパターンの寸法差が求めら
れ、その値がマスクパターンの差に起因する寸法差ΔLM
として検出される。例えば、上記ステップ１１２の比較
により２０nmの寸法差が認められた場合は、ΔLMが２０
nmとして検出される。
【００３３】図５（ａ）に示す第１領域３０と第２領域
３２とは、１ショット領域内での位置が互いに相違して
いる。このため、それらの領域内に形成されるウェハパ
ターンには、他の要因による誤差が、それぞれ異なる大
きさで重畳する。また、それら２つの領域３０，３２に
形成されるウェハパターンには、領域２４と領域２６の
差に起因する寸法差ΔLMも生じている。従って、第１領
域３０のウェハパターンと、第２領域３２のウェハパタ
ーンとには、他の要因による誤差の違いΔLOとマスクパ
ターンによる誤差の違いΔLMとを合わせた寸法差ΔLO＋
ΔLMが生じていると考えられる。
３２とは、１ショット領域内での位置が互いに相違して
いる。このため、それらの領域内に形成されるウェハパ
ターンには、他の要因による誤差が、それぞれ異なる大
きさで重畳する。また、それら２つの領域３０，３２に
形成されるウェハパターンには、領域２４と領域２６の
差に起因する寸法差ΔLMも生じている。従って、第１領
域３０のウェハパターンと、第２領域３２のウェハパタ
ーンとには、他の要因による誤差の違いΔLOとマスクパ
ターンによる誤差の違いΔLMとを合わせた寸法差ΔLO＋
ΔLMが生じていると考えられる。
【００３４】ステップ１１６では、上述した第１領域３
０と第２領域３２のように、同じ１ショット領域に属
し、他の要因による誤差が非同一であり、かつ、マスク
パターンによる誤差が非同一である２つの領域を対象と
して、ウェハパターンの寸法比較が行われる。尚、ウェ
ハパターンの寸法は、設計値の等しいもの同士を比較す
るものとする。
０と第２領域３２のように、同じ１ショット領域に属
し、他の要因による誤差が非同一であり、かつ、マスク
パターンによる誤差が非同一である２つの領域を対象と
して、ウェハパターンの寸法比較が行われる。尚、ウェ
ハパターンの寸法は、設計値の等しいもの同士を比較す
るものとする。
【００３５】ステップ１１８では、ステップ１１６で比
較対象とされた２つのウェハパターンの寸法差が求めら
れ、その寸法差がΔLO＋ΔLMとして検出される。例え
ば、上記ステップ１１６の比較により５０nmの寸法差が
認められた場合は、ΔLO＋ΔLMが５０nmとして検出され
る。そして、その検出値ΔLO＋ΔLMから、上記ステップ
１１４の処理で求めたΔLMを減じることで、他の要因に
よる誤差に起因する寸法差ΔLOを求める。ΔLMが例えば
２０nmである場合は、他の要因による誤差ΔLOが３０nm
と検出される。上述した一連の処理が終了すると、今回
の処理サイクルが終了する。
較対象とされた２つのウェハパターンの寸法差が求めら
れ、その寸法差がΔLO＋ΔLMとして検出される。例え
ば、上記ステップ１１６の比較により５０nmの寸法差が
認められた場合は、ΔLO＋ΔLMが５０nmとして検出され
る。そして、その検出値ΔLO＋ΔLMから、上記ステップ
１１４の処理で求めたΔLMを減じることで、他の要因に
よる誤差に起因する寸法差ΔLOを求める。ΔLMが例えば
２０nmである場合は、他の要因による誤差ΔLOが３０nm
と検出される。上述した一連の処理が終了すると、今回
の処理サイクルが終了する。
【００３６】上述の如く、本実施形態の要因解析方法に
よれば、マスクパターンの誤差に起因してウェハパター
ンに発生する誤差と、ステッパの収差など、マスクパタ
ーンの誤差を除く他の要因により発生する誤差とを区別
して検出することができる。このため、本実施形態の要
因解析方法を用いれば、所望のパターン精度を得るうえ
での問題点を正確に把握することができ、半導体装置の
開発を有効に促進させることができる。
よれば、マスクパターンの誤差に起因してウェハパター
ンに発生する誤差と、ステッパの収差など、マスクパタ
ーンの誤差を除く他の要因により発生する誤差とを区別
して検出することができる。このため、本実施形態の要
因解析方法を用いれば、所望のパターン精度を得るうえ
での問題点を正確に把握することができ、半導体装置の
開発を有効に促進させることができる。
【００３７】ところで、上記の実施形態では、第１マス
ク１６を使って形成した１ショット領域（図５（ａ））
に含まれる第１領域３０と、第２マスク２０を使って形
成した１ショット領域（図５（ｂ））に含まれる第４領
域３６とを比較してマスクパターンの誤差に起因する寸
法差ΔLMを求めることとしているが、本発明はこれに限
定されるものではない。以下、図６を参照して、他の例
について説明する。
ク１６を使って形成した１ショット領域（図５（ａ））
に含まれる第１領域３０と、第２マスク２０を使って形
成した１ショット領域（図５（ｂ））に含まれる第４領
域３６とを比較してマスクパターンの誤差に起因する寸
法差ΔLMを求めることとしているが、本発明はこれに限
定されるものではない。以下、図６を参照して、他の例
について説明する。
【００３８】図６（ａ）は、第１マスク１６を用いて半
導体ウェハ上の所定位置に転写した１ショット分のウェ
ハパターンの概念図を示す。また、図６（ｂ）は、第２
マスク２０を１８０°回転させてステッパーに装着した
うえで、半導体ウェハ上の同一位置に転写した１ショッ
ト分のウェハパターンの概念図を示す。
導体ウェハ上の所定位置に転写した１ショット分のウェ
ハパターンの概念図を示す。また、図６（ｂ）は、第２
マスク２０を１８０°回転させてステッパーに装着した
うえで、半導体ウェハ上の同一位置に転写した１ショッ
ト分のウェハパターンの概念図を示す。
【００３９】第２マスク２０を１８０°回転させてステ
ッパーに装着する場合は、図６（ａ）における第１領域
３０に対応する位置に、第４領域３６（図６（ｂ）参
照）が形成されると共に、図６（ａ）における第２領域
３２に対応する位置に、第３領域３４（図６（ｂ）参
照）が形成される。従って、この場合は、第１領域３０
と第４領域３６とを比較することによりΔLMを求めても
よいが、第２領域３２と第３領域３４とを比較すること
によりΔLMを求めてもよい。
ッパーに装着する場合は、図６（ａ）における第１領域
３０に対応する位置に、第４領域３６（図６（ｂ）参
照）が形成されると共に、図６（ａ）における第２領域
３２に対応する位置に、第３領域３４（図６（ｂ）参
照）が形成される。従って、この場合は、第１領域３０
と第４領域３６とを比較することによりΔLMを求めても
よいが、第２領域３２と第３領域３４とを比較すること
によりΔLMを求めてもよい。
【００４０】また、上記の実施形態では、第１マスク１
６と第２マスク２０とを、それらの中心が重複領域に含
まれるような位置関係でエッチングする（図２参照）こ
ととしているが、本発明はこれに限定されるものではな
い。すなわち、本実施形態の要因解析方法は、２つのマ
スクの一方を１８０°回転させてステッパーに装着する
場合には、２つのマスクの中心が重複領域に含まれてい
なくても実行することができる。
６と第２マスク２０とを、それらの中心が重複領域に含
まれるような位置関係でエッチングする（図２参照）こ
ととしているが、本発明はこれに限定されるものではな
い。すなわち、本実施形態の要因解析方法は、２つのマ
スクの一方を１８０°回転させてステッパーに装着する
場合には、２つのマスクの中心が重複領域に含まれてい
なくても実行することができる。
【００４１】また、上位の実施形態では、第１マスク１
６と第２マスク２０の形成を容易とするため、製造装置
１０のマスク台１４を移動可能としているが、本発明は
これに限定されるものではない。すなわち、図２に示す
第１マスク１６の位置、および第２マスク２０の位置に
マスクを固定できるものであれば、製造装置１０のマス
ク台は固定式であってもよい。
６と第２マスク２０の形成を容易とするため、製造装置
１０のマスク台１４を移動可能としているが、本発明は
これに限定されるものではない。すなわち、図２に示す
第１マスク１６の位置、および第２マスク２０の位置に
マスクを固定できるものであれば、製造装置１０のマス
ク台は固定式であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に示すような効果を奏する。請求項１
記載の発明によれば、第１マスクを用いた露光処理と、
第２マスクを用いた露光処理とにより、それぞれ１ショ
ット領域分のウェハパターンを形成することができる。
それらの１ショット領域の中には、１ショット領域内で
の位置が互いに同じであり、かつ、精度の異なるマスク
パターンに対応する領域が含まれている。それらの領域
内のウェハパターンの寸法を比較することで、マスクパ
ターンの差に起因するウェハパターンの寸法差が求ま
る。また、それぞれの１ショット領域の中には、互いに
位置が異なり、かつ、精度の異なるマスクパターンに対
応する領域が含まれている。それらの領域内のウェハパ
ターンの寸法を比較することで、マスクパターンの差に
起因する寸法差と、その他の要因による寸法差との合計
値が求まる。そして、その合計値から、マスクパターン
の差に起因する寸法差を減じれば、その他の要因による
寸法差を検出することができる。
ているので、以下に示すような効果を奏する。請求項１
記載の発明によれば、第１マスクを用いた露光処理と、
第２マスクを用いた露光処理とにより、それぞれ１ショ
ット領域分のウェハパターンを形成することができる。
それらの１ショット領域の中には、１ショット領域内で
の位置が互いに同じであり、かつ、精度の異なるマスク
パターンに対応する領域が含まれている。それらの領域
内のウェハパターンの寸法を比較することで、マスクパ
ターンの差に起因するウェハパターンの寸法差が求ま
る。また、それぞれの１ショット領域の中には、互いに
位置が異なり、かつ、精度の異なるマスクパターンに対
応する領域が含まれている。それらの領域内のウェハパ
ターンの寸法を比較することで、マスクパターンの差に
起因する寸法差と、その他の要因による寸法差との合計
値が求まる。そして、その合計値から、マスクパターン
の差に起因する寸法差を減じれば、その他の要因による
寸法差を検出することができる。
【００４３】請求項２記載の発明によれば、第１領域と
第４領域とは、共に１ショット領域の中央に位置してい
る。このため、それらの領域のウェハパターンには、そ
の他の要因による誤差は、同程度に重畳している。従っ
て、両者に含まれるウェハパターンの寸法を比較するこ
とで、マスクパターンの差による寸法差を精度良く検出
することができる。また、本発明において、第１領域の
ウェハパターンと第２領域のウェハパターンとには、マ
スクパターンの差による寸法差と、その他の要因による
寸法差とを合わせた寸法差が重畳している。従って、そ
の寸法差からマスクパターンの差による寸法差を減じる
ことで、その他の要因による寸法差を精度良く求めるこ
とができる。
第４領域とは、共に１ショット領域の中央に位置してい
る。このため、それらの領域のウェハパターンには、そ
の他の要因による誤差は、同程度に重畳している。従っ
て、両者に含まれるウェハパターンの寸法を比較するこ
とで、マスクパターンの差による寸法差を精度良く検出
することができる。また、本発明において、第１領域の
ウェハパターンと第２領域のウェハパターンとには、マ
スクパターンの差による寸法差と、その他の要因による
寸法差とを合わせた寸法差が重畳している。従って、そ
の寸法差からマスクパターンの差による寸法差を減じる
ことで、その他の要因による寸法差を精度良く求めるこ
とができる。
【００４４】請求項３記載の発明によれば、第２のマス
クの取り付け角度を適切に設定することで、１ショット
領域内における第２領域の位置と第３領域の位置とを一
致させることができる。このため、本発明によれば、請
求項２の場合と同様に、マスクパターンの差による寸法
差と、その他の要因による寸法差とを精度良く求めるこ
とができる。
クの取り付け角度を適切に設定することで、１ショット
領域内における第２領域の位置と第３領域の位置とを一
致させることができる。このため、本発明によれば、請
求項２の場合と同様に、マスクパターンの差による寸法
差と、その他の要因による寸法差とを精度良く求めるこ
とができる。
【００４５】請求項４記載の発明によれば、ウェハパタ
ーンの比較がレジストの現像直後に行われる。この場
合、ウェハパターンに誤差を生じさせる原因を、マスク
パターンの誤差、パターン転写に伴う誤差、およびレジ
ストの現像に伴う誤差だけに限定することができる。こ
のため、本発明によれば、ウェハパターン誤差の要因解
析を精度良く行うことができる。
ーンの比較がレジストの現像直後に行われる。この場
合、ウェハパターンに誤差を生じさせる原因を、マスク
パターンの誤差、パターン転写に伴う誤差、およびレジ
ストの現像に伴う誤差だけに限定することができる。こ
のため、本発明によれば、ウェハパターン誤差の要因解
析を精度良く行うことができる。
【００４６】請求項５記載の発明によれば、第１位置に
おけるマスクのエッチングと、第２位置におけるマスク
のエッチングとを、容易に行うことができる。
おけるマスクのエッチングと、第２位置におけるマスク
のエッチングとを、容易に行うことができる。
【００４７】請求項６記載の発明によれば、マスク台を
移動させることにより第１位置と第２位置とを代えるこ
とができるため、２つのマスクを極めて容易に製造する
ことができる。
移動させることにより第１位置と第２位置とを代えるこ
とができるため、２つのマスクを極めて容易に製造する
ことができる。
【００４８】請求項７記載の発明によれば、２つのマス
クを、それらの中央に位置する領域が重複領域となるよ
うに製造することができる。
クを、それらの中央に位置する領域が重複領域となるよ
うに製造することができる。
【図１】 本発明の実施の形態１のウェハパターン誤差
の要因解析方法を説明するためのフローチャートであ
る。
の要因解析方法を説明するためのフローチャートであ
る。
【図２】 実施の形態１の解析方法に用いる第１および
第２マスクの製造に好適な製造装置の平面図である。
第２マスクの製造に好適な製造装置の平面図である。
【図３】 実施の形態１の解析方法に用いる第１および
第２マスクのマスクパターンの分布を表す概念図であ
る。
第２マスクのマスクパターンの分布を表す概念図であ
る。
【図４】 第１マスクのマスクパターンを転写する工程
を説明するための概念図である。
を説明するための概念図である。
【図５】 実施の形態１の解析方法に用いる第１および
第２マスクを使って半導体ウェハ上に形成された１ショ
ット領域の１例である。
第２マスクを使って半導体ウェハ上に形成された１ショ
ット領域の１例である。
【図６】 実施の形態１の解析方法に用いる第１および
第２マスクを使って半導体ウェハ上に形成された１ショ
ット領域の他の例である。
第２マスクを使って半導体ウェハ上に形成された１ショ
ット領域の他の例である。
１０ 製造装置、 １２ エッチング室、 １４、
１４′ マスク台、１６ 第１マスク、 ２０ 第２
マスク、 ２４、２６ 第１または第２マスク上の領
域、 ２８ 半導体ウェハ、 ３０ １ショット領
域内の第１領域、 ３２ １ショット領域内の第２領
域、 ３４ １ショット領域内の第３領域、 ３６
１ショット領域内の第４領域。
１４′ マスク台、１６ 第１マスク、 ２０ 第２
マスク、 ２４、２６ 第１または第２マスク上の領
域、 ２８ 半導体ウェハ、 ３０ １ショット領
域内の第１領域、 ３２ １ショット領域内の第２領
域、 ３４ １ショット領域内の第３領域、 ３６
１ショット領域内の第４領域。
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウェハに形成されるウェハパター
ンに含まれる誤差の発生要因を解析する方法であって、 第１マスクをエッチング室の第１位置にセットするステ
ップと、 前記第１マスクをエッチングしてマスクパターンを形成
するステップと、 第２マスクをエッチング室の第２位置にセットするステ
ップと、 前記第２マスクをエッチングしてマスクパターンを形成
するステップとを備え、 前記第２位置は、前記第１マスクが前記第１位置にセッ
トされているとしたら前記第１マスクの一部と前記第２
マスクの一部とが重複領域となるような位置であり、 前記第１マスクを使った露光処理を行うことで半導体ウ
ェハに１ショット領域のウェハパターンを形成するステ
ップと、 前記第２マスクを使った露光処理を行うことで半導体ウ
ェハに１ショット領域のウェハパターンを形成するステ
ップと、 前記第１マスクを使って形成した１ショット領域の中で
前記重複領域に対応する領域（第１重複領域）に含まれ
るウェハパターンの寸法と、前記第２マスクを使って形
成した１ショット領域の中で前記重複領域に対応する領
域（第２重複領域）に含まれるウェハパターンの寸法と
を比較することにより、マスクパターンの差に起因する
寸法差と、その他の要因に起因する寸法差とを区別して
検出するステップと、 を含むことを特徴とするウェハパターン誤差の要因解析
方法。 - 【請求項２】 前記第１重複領域は、前記第１マスクを
使って形成した１ショット領域の中央に位置する第１領
域と、その角に位置する第２領域とを含み、 前記第２重複領域は、前記第２マスクを使って形成した
１ショット領域の角に位置する第３領域と、その中央に
位置する第４領域とを含み、 寸法差を区別して検出する前記ステップは、 前記第１領域と前記第４領域とに共通して含まれるウェ
ハパターンの寸法差を、前記マスクパターンの差に起因
する寸法差として検出するステップと、 前記第１領域と前記第２領域とに共通して含まれるウェ
ハパターンの寸法差から、前記マスクパターンの差に起
因する寸法差として検出された値を減じることにより、
前記その他の要因に起因する寸法差を検出するステップ
と、 を含むことを特徴とする請求項１記載のウェハパターン
誤差の要因解析方法。 - 【請求項３】 前記第２マスクを使って１ショット領域
のウェハパターンを形成するステップは、前記第１重複
領域の１ショット領域内での位置と、前記第２重複領域
の１ショット領域内での位置とが一致するように、前記
第２マスクの取り付け角度を決定するステップを含み、 前記第１重複領域は、前記第１マスクを使って形成した
１ショット領域の中央に位置する第１領域と、その角に
位置する第２領域とを含み、 前記第２重複領域は、前記第２マスクを使って形成した
１ショット領域の角に位置する第３領域と、その中央に
位置する第４領域とを含み、 寸法差を区別して検出する前記ステップは、 前記第２領域と前記第３領域とに共通して含まれるウェ
ハパターンの寸法差を、前記マスクパターンの差に起因
する寸法差として検出するステップと、 前記第１領域と前記第２領域とに共通して含まれるウェ
ハパターンの寸法差から、前記マスクパターンの差に起
因する寸法差として検出された値を減じることにより、
前記その他の要因に起因する寸法差を検出するステップ
と、 を含むことを特徴とする請求項１記載のウェハパターン
誤差の要因解析方法。 - 【請求項４】 前記ウェハパターンの寸法の比較は、半
導体ウェハ上で露光されたレジストの現像が終了した直
後に行われることを特徴とする請求項１乃至３の何れか
１項記載のウェハパターン誤差の要因解析方法。 - 【請求項５】 写真製版用マスクにエッチングに施して
マスクパターンを形成するマスクの製造装置であって、 前記エッチングを行うためのエッチング室と、 前記エッチング室の内部でマスクを保持するためのマス
ク台とを備え、 前記マスク台は、前記マスクを、第１位置と第２位置と
に保持することができ、 前記第２位置は、前記第１位置にマスクセットされてい
るとしたら、そのマスクの一部と前記第２の位置にセッ
トされるマスクの一部とが重複領域となるような位置で
あることを特徴とする写真製版用マスクの製造装置。 - 【請求項６】 前記マスク台は、前記第１位置と前記第
２位置との間で移動することができることを特徴とする
請求項５記載の写真製版用マスクの製造装置。 - 【請求項７】 前記第１位置および前記第２位置は、前
記第１位置にセットされるマスクの中央に位置する領域
と、前記第２位置にセットされるマスクの中央に位置す
る領域とが、何れも前記重複領域に含まれるように設定
されていることを特徴とする請求項５または６記載の写
真製版用マスクの製造方法。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP34733699A JP2001166456A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | ウェハパターン誤差の要因解析方法および写真製版用マスクの製造装置 |
| US09/576,437 US6487711B1 (en) | 1999-12-07 | 2000-05-22 | Method of analyzing factor responsible for errors in wafer pattern, and apparatus for producing photolithographic mask |
| DE10050068A DE10050068A1 (de) | 1999-12-07 | 2000-10-10 | Verfahren zum Analysieren eines für Fehler in Wafermustern verantwortlichen Faktors und Vorrichtung zum Herstellen von photolithographischen Masken |
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| JP34733699A JP2001166456A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | ウェハパターン誤差の要因解析方法および写真製版用マスクの製造装置 |
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