TW490732B - Method of analyzing factor responsible for errors in wafer pattern, and apparatus for producing photolithographic mask - Google Patents

Description

490732 五 發明說明（1) 【發明所屬之技術領域』 本發明是有關晶圓圖案誤、， 用罩幕之製造裝置，特別=主因解析方法和照相製版 引起的晶圓圖案誤差和其他2 ;區分並檢測罩幕圖案誤差 因角午析方法，及滿足用於本古口造成的晶圓圖案誤差的主 。 、万法的製造罩幕之製造裝置 【習知之技術】 "在半導體裝置的製造過程 簡稱為罩幕），將晶圓圖 ’用照相製版用罩幕（以下 半導體晶圓上的晶圓圖案中、，到半導體晶圓上。轉印在 引起的誤差（以下稱為/罩’匕含了由罩幕圖案的誤差所 幕圖案誤差外的諸如因分步起的誤差”）’及由於除罩 層厚度及分辨性能的離散性等縮裝置的像差’和抗姓 ，，其他原因造成的誤差”）。寺原口造成的誤差（以下稱為 【淼明所欲解決之課題】 因是有益的導：：上要ί解晶圓圖案產生誤差的主 用以區分並其第1目的在於提供 主因解析方法。 7 /、他原因k成的祆差的 方 二―、弟2目的在於提供適宜實施上述主因解析 法’且可谷易地製造罩幕之製造裝置。 【解決問題之手P】

I 五、發明說明（2) 申請專利範圍第1項所記載 、 IS1 & Μ曰m m & 备明，是一種在半導體晶

圓上死^成的日日0圖幸所誤莫AA 述特徵·· 茶所3是的主因解析方法。它具有下 在蝕刻室的第1位置上設置第i 利用上述第1罩幕進杆蝕列π α罩幕之v驟’ .u t)] ^ ^ 0進仃j xj形成罩幕圖案的步驟； 在蝕刻至的苐2位置上設置第2 利用上述第2罩幕進行蝕刻彤/幕之乂驟，及 ^ 0 y退仃蝕川形成罩幕圖案的步驟； 又’上达第2位置异脾卜祕结1 «η 署，#卜、+、& s #將边弟罩幕設置在上述第1位 置’使上迷第1罩幕之一都公4 重複區域的位置； ^和上述第2罩幕之-部分構成 摄罩幕進订曝光處理，在半導體晶圓上形成1 攝影區的晶圓圖案的步驟； 使用上述第2罩暮+ ρ π M s π π A秦進曝先處理在半導體晶圓上形成1攝 影區的晶圓圖案的步驟；及 Μ 5 3十ίι第2罩幕形成的1攝影區中對應於上述重複區域 ΪΪΪ么複區域）的晶圓圖案尺寸，和用上述第2罩 幕形成的1攝影區中對應於μ、+、 π &曰π @ & 迹重複區域的區域（第2重複 ΛΑ , ^ , 二 以比較，區分並檢測由罩幕圖案 差引起的尺寸差和由其他眉+ 申請專利範圍第2項所記m的尺寸差的步驟。 第！項之晶圓圖案誤差之主為申請專利範圍 徵： 王因解析方法，並具有下述特 上述第1重複區域，包含位於 攝影區中央位置的第1區，及位 / ^ 〉、 及位於攝影區四周位置的第2

\\312\2d-code\90-01\89121905.ptd 第7頁 490732 五、發明說明（3) 區， 上述第2重複區域，包含位於使用上述第2罩幕形成的1 攝影區四周位置的第3區，及位於攝影區中央位置的第4 ' 區， 區分並檢測尺寸差的上述步驟，包含檢測出上述第1區 和上述第4區均含有的晶圓圖案的尺寸差，以作為上述罩 幕圖案差引起的尺寸差的步驟，及 從上述第1區和第2區均含有的晶圓圖案尺寸差中，減去 所檢測出的由上述罩幕圖案差引起的尺寸差的測量值，而 得出由上述其他原因引起的尺寸差的步驟。 4 申請專利範圍第3項所記載的發明，係為申請專利範圍 第1項之晶圓圖案誤差之主因解析方法，並具有下述特 徵： 使用上述第2罩幕形成1攝影區的晶圓圖案的步驟，包含 確定上述第2罩幕安裝角度，使得在上述第1重複區域的1 攝影區内的位置，和在上述第2重複區域的1攝影區内的位 置一致的步驟； 上述第1重複區域，包含用上述第1罩幕形成的1攝影區 處於中央位置的第1區，及位於攝影區四周位置的第2區； 上述第2重複區域，包含用上述第2罩幕形成的1攝影區 〇 處於四周位置的第3區，及位於攝影區中央位置的第4區； 區分並檢測尺寸差的上述步驟，包含檢測出上述第2區 和上述第3區均含有的晶圓圖案的尺寸差，作為上述罩幕 -圖案差引起的尺寸差的步驟，及

89121905.ptd 第8頁 490732 五、發明說明（4) 從上述第1區和上述第2區均含有的晶圓圖案的尺寸差， 減去作為上述罩幕圖案差引起的尺寸差的測量值，而得出 由上述其他原因引起的尺寸差的步驟。 - 申請專利範圍第4項所記載的發明，係為申請專利範圍 第1或3項之晶圓圖案誤差之主因解析方法，並具有下述特 徵： 上述晶圓圖案的尺寸比較，是在半導體晶圓上曝光的抗 蝕層經顯像結束後立即實施者。 申請專利範圍第5項所記載的發明，是在照相製版用罩 幕上進行蝕刻，形成罩幕圖案的罩幕製造裝置，其具有下f 述特徵： 含有進行上述蝕刻用的蝕刻室；及 將罩幕保持在上述蝕刻室内部的罩幕台； 上述罩幕台，可將罩幕保持在第1位置和第2位置上， 上述第2位置，若將罩幕設置在上述第1位置上，則該罩 幕之一部分和設置在上述第2位置的罩幕之一部分構成重 疊的區域。 申請專利範圍第6項所記載的發明，是申請專利範圍第5 項之照相製版用罩幕之製造裝置，其具有下述特徵： 上述罩幕台為可在上述第1位置和上述第2位置之間移動❶ 者。 申請專利範圍第7項所記載的發明，是申請專利範圍第5 或6項之照相製版用罩幕之製造裝置，其具有下述特徵： - 上述第1位置和上述第2位置，係設定成使得設置在上述

89121905.ptd 第9頁 490732 五、發明說明（5) 第1位置上的罩幕中央位置上的區域，和設置在上述第2位 置上的罩幕中央位置上的區域，均為含於上述重複的區域 内者。 【發明之實施形態】 下面，參照圖說明該發明的實施形態。對各圖中相同的 要素標注相同的元件編號，省略重複的說明。 (實施形態1) 圖1為顯示用以說明本發明實施形態1的主因解析方法的 流程圖。在本實施形態的方法中，如圖1所示，首先執行 步驟1 0 0的處理。 在步驟1 0 0，第1罩幕，係置於照相製版用罩幕之製造裝 置中。 圖2是在上述步驟1 0 0中使用的製造裝置1 0的蝕刻室1 2的 平面圖。製造裝置10是為了在罩幕上形成所期望的罩幕圖 案而對罩幕進行蝕刻用的裝置。如圖2所示那樣，在蝕刻 室12的内部，配置了裝載罩幕用的罩幕台12。在罩幕台12 上，形成對應於罩幕大小的凹部，罩幕嵌入凹部被置於罩 幕台1 2上。 圖2中實線顯示的形狀顯示位於蝕刻室1 2中央位置的罩 幕台14，和置於它上面的第1罩幕16。中心標記18顯示第1 罩幕1 6的中心。而圖2中虛線顯示的形狀顯示移動到規定 位置的罩幕台1 4 ’和置於它上面的第2罩幕2 0。中心標記2 2 顯示第2罩幕2 0的中心。這樣，製造裝置1 0可以使罩幕台 1 4在#刻室1 2内部移動。

89121905.ptd 第10頁 五、發明說明（6) 在圖2中，罩幕台14，，係配置在第〗罩幕16和第2罩幕2〇 之間所形成之重複區域的位置上者，更具體而言，罩幕a 14,具有如下配置··第！罩幕ί6的中心18 口 部"奥言之，第2罩幕20的中心22重疊以二 角/。下面將圖2中罩幕台14的位置稱為"第】位置"，將圖 公中罩幕台14’的位置稱為"第2位置”。在上述步驟1〇〇中， 弟1罩幕16被設置在位於第1位置的罩幕台Η上。 在步驟102，在位於第！位置上的罩幕:14上，對第u 蝕刻結束後，將第1罩幕16從罩幕台14上 幕1 6施以|虫刻 取出。 第2罩幕2 0設置於移動到第2位置上的罩 在步驟1 0 4，將 幕台1 4 ’上。 在步驟106，在罩篡，卜斜笛贫 部；条Γ餘刻氣體分佈等在钱刻室12❼ 在第1罩幕1 6和第2罩=:::的设定條件下進行蝕刻 起的罩幕圖案的：^幕2°上仍會形成因蝕刻條件離散而3 圖3(a)為顯示第】罩幕16和蝕刻 圖。而，圖3〔 h、炎扣 ’、千之間關係的原理 原理圖。纟示第2罩幕20和餘刻條件之間關係的 餘刻區域。而區二 ==24是大致處於餘刻室1 2中央έ & ^ , 哎26疋偏離蝕刻室12中 .〇 ^ μ 角方向位置上的蝕刻區域。 中央處’於圖2左上 決定蝕刻速率&欠 、皆、牛由蝕刻室内部的位置而定。因此 490732 五、發明說明⑺ " ----- ί ^施形態中，位於第1罩幕16中央位置的區域24和第2 的位於圖3 (b)的右下角的區域“上，因分佈相同 相同1相同的蝕刻效果。因此，在這些區域24中，以大致 罝i T、精度形成罩幕圖案。同樣，在本實施形態中，第1 . 的位於圖3 (a)左上角的區域26和位於第2罩幕20 ^位置的區域2 6，因分佈相同而達到相同的蝕刻效果。 在乂些區域26中，也以大致相同的精度形成罩幕圖 ^驟用第i罩幕16進行半導體晶圓的曝光處理及 本先的半導體晶圓上的抗蝕層的顯像處理。 =為顯示利用*通過第！ $幕16對半導體晶圓28進行曝 的示意《。此種曝光處理採用眾所周知的分步重複 ==置進行。該分步重複精縮裝置以例如5 : i的比率將 2圖案縮小並轉印到半導體晶圓上。可是，纟用分步重 :精縮裝置轉印罩幕圖案的過程中，纟晶圓圖宰上重最了 =重複精縮裳置像差等原因引起的誤差（以下稱為，且像 ^引J的誤差”。此外’在抗蝕層顯像形成晶圓圖案的 過程中在晶圓圖案上還重疊了抗蝕層的膜厚離散性 引起的誤差（以下稱為”抗蝕層膜厚引起的誤差 =引起的誤差的大小大致是單—地取決於曝光用光所 ^匕、路從。因此，包含在以1攝影區轉印的區域（以下 稱為π 1攝影區"）的圖案上，像差影響的重疊誤差的分佈 通常幾乎是恒定的。此外，抗蝕層的膜厚大致取決於在半 導體晶圓上的位置。因此，由於像差及抗蝕層膜厚離散性

490732 五、發明說明（8) 原因引起的重疊於晶圓圖案上的誤差 差）的大小，大致取決於兮曰圓円安产/ 原因引起的誤 及该攝衫區在半導體晶圓内的位置。 置 下面參照圖5更具體地說明上述關係。 圖5 U)為顯示用第丨罩幕16在半導體晶圓規定位 轉印的1攝影區。而圖5 (b)為顯示用第2罩幕2q Μ 晶圓的相同位置上轉印的1攝影區。 圖5 (a )中以元件編號30顯示的區域對應於第i罩幕 的區域2 4。因此，在該區域3 〇中形成的晶圓圖案的精度， 反映了區域24的罩幕圖案精度。而圖5 (a )中以元件、=號 3 2顯示的區域，對應於第1罩幕1 6的區域2 6。因此，在該 區域32中形成的晶圓圖案的精度反映了區域26的罩幕圖案 精度。以下將這些區域3 0、3 2分別稱為”第1區3 〇 ’，及”第2 區 32π。 此外，圖5 ( b )中以元件編號3 4顯示的區域對應於第2 罩幕20的區域24。因此，在該區域34中形成的晶圓圖案的 精度’反映了區域24的罩幕圖案精度。而圖5 (b)中以元 件編號36顯示的區域，對應於第2罩幕20的區域26。因 此，在該區域36中形成的晶圓圖案的精度，反映了區域2 6 的罩幕圖案精度。以下將這些區域3 4、3 6分別稱為π第3區 34π 和”第4 區36，1 。 由其他原因引起的重疊在晶圓圖案上誤差的大小，如上 所述，取決於該晶圓圖案在1攝影區内的位置，和該1攝影 區在半導體晶圓上的位置。因此，在圖5 (a)所示的第1

89121905.ptd 第13頁 490732 五、發明說明（9) 區3 〇中形成的晶圓圖案和在圖5 ( b )所示的第4區3 6中形 成的晶圓圖案中，由於其他原因引起的誤差是相同程度大 小的。 在步驟11 2，把如上述第1區3 〇和第4區3 6那樣的，由其 他原因引起的誤差相同，而由罩幕圖案引起的誤差不同的 兩個區域作為物件，進行晶圓圖案的尺寸比較。晶圓圖案 的尺寸是在設計值相等者之間進行比較。

上述比較結果得到的尺寸差可認為是罩幕圖案差引起的 晶圓圖案的尺寸差ALM，更具體地說，是區域24的罩幕圖 案和區域26的罩幕圖案之差引起的晶圓圖案尺寸差。 在步驟114可求出在步驟112中作為比較物件的兩個晶圓 圖案的尺寸差，其數值被測出為罩幕圖案差引起的尺寸差 △ LM。例如，根據上述步驟丨丨2的比較，確認尺寸差為 20nm 時，ALM 得出為20nm。 在圖 區内的 以不同 生因區 認為在 生由其 不同的 在步 於同一 圖案引 5 (a )中所示的第i區3〇和第2區32，它們在1攝影 位置彼，不同。因此，其他原因引起的誤差將分別 的大小豐加在這些區域内形成的晶圓圖案中。還產 域24和區域26之差造成的尺寸差△』。目此，可以 第1區30的晶圓圖案和在第2區32的晶圓圖案上，產

他原因引起的不同的誤差△[〇和由罩幕圖案引起的 誤差兩者之和的尺寸差△⑶+ 。 驟11 6，把如上所沭沾铱彳 汀11的弟1區30和第2區32那樣，屬 攝衫£的、由其他馬、生 土 u 原因仏成的誤差不同，而由罩幕 起的決至也不同的Λp 兩個£作為物件，進行尺寸比

89121905.ptd 第14頁 4VU/32 五、發明說明（10) ^^ -- 較。晶圓圖案的尺寸在設計值相等者之間- J免彳丁比齡。 在步額δ可求出在步驟J J 6中作為比較物件的兩個晶圓 圖案的尺寸差，其尺寸差被測出為ALO +LM。例如，根據 上述步驟116的比較，確認尺寸差為5〇nm時，得出alo + △ LM為5 0nm。於是，用從該檢測值+ alm中減去上述 步驟11 4中求得的來求出由其他原因引起的誤差所產 生的尺寸差ALO。例如，ALM為20nm時，得出由其他原因 引起的誤差ALO為3Onm。當上述一系列的處理一旦結束， 這次處理迴圈就結束了。 如上所述’若採用本實施形態的主因解析法，則能區分 並檢測出因罩幕圖案誤差而產生的晶圓圖案誤差，及除罩 幕圖案誤差外由分步重複精縮裝置的像差等其他原因產生 ^ 3吳差。因此，如果採用本實施形態的主因解析方法，則 可正確地掌握獲得期望的圖案精度的關鍵，從而有效地促 進半導體裝置的開發。 ⑶f上述實施形態中，將包含在使用第1罩幕1 6形成的1攝 :區（圖5 (a))中的第1區3〇，和包含在使用第2罩幕2〇 ^ ^的1攝影區（圖5 ( b ))中的第4區3 6進行比較，求出 圖案誤差造成的尺寸差^LM，然而本發明並不只限於 。下面，參照圖6，說明其他的例子。 、 圖6 ( a )為顯示用第1罩幕丨6轉印在半導體晶圓規定位 將ΐ的1攝影區的晶圓圖案的示意圖。而圖6 ( b )為顯示 導^曰罩^幕20旋轉180。安裝在分步重複精縮裝置上，在半 月且日日圓的同一位置上轉印的1攝影區的晶圓圖案的示意

89121905 第15頁 490732 五、發明說明（π) 圖。 在將第2罩幕20旋轉180°安裝在分步重複精縮裝置上 時，在對應圖6 ( a )中第1區3 0的位置上形成第4區3 6 (參 照圖6 ( b ))，同時在對應圖6 ( a )中第2區3 2的位置上 形成第3區3 4 (參照圖6 (b))。因此，在這種場合下可由 第1區30和第4區36的比較求出ALM，也可由第2區32和第3 區34的比較求出ALM。

此外，在上述貫施形恶中，在將第1罩幕1 6和第2罩幕2 ( 的中心包含在重複區域内的情況下，將它們進行蝕刻（参 照圖2 )，而本發明並不只限於此。也就是說，在將兩個> 罩幕中的一個旋轉180。安裝在分步重複精縮裝置上時， 即使兩個罩幕之中心不包含在重複區域内，也可執 施形態的主因解析方法。 貝 和ΐ2外罝上上述/施形態、t ’為了容易地形成第1罩幕16 :弟2罩口幕20 ’製造裝置的罩幕台做成可移動的，而本發 亚不/、限於此。也就是說’如果能將罩幕 :的第i罩幕16的位置和第2罩幕2。的位置上，那：固2^ ’置10的罩幕台也可以是固定式的。 ’ 【發明之效果】

由於本發明具有如上所述 效果。 义扪円合口此取得如下所示白《 根據申請專利範圍第1項的 曝光處理和利用第2罩幕之曝 小的晶圓圖案。在這些1攝影 發明’能通過利用第1罩幕之 光處理，分別形成1攝影區大 區中包含了在1攝影區内相互

490732 五、發明說明（12) 位置相同而對應精度不同的罩幕圖案區。用比較這些區内 晶圓圖案尺寸的方法，求出因罩幕圖案差引起的晶圓圖案 的尺寸差。此外，在各個1攝影區中包含了相互位置不同 且對應精度不同的罩幕圖案區。用比較這些區内晶圓圖案 尺寸的方法，求出罩幕圖案差引起的尺寸差和其他原因造 成的尺寸差的總計值。然後，從該總計值中減去罩幕圖案 差引起的尺寸差，就可以得出其他原因造成的尺寸差。 根據申請專利範圍第2項的發明，第1區和第4區同時位 於1攝影區的中央。因此，其他原因造成的誤差以相同的 程度疊加在這些區的晶圓圖案上。於是，利用比較包含在 兩者之内的晶圓圖案的尺寸的方法，就可精確地得出由於 罩幕圖案差引起的尺寸差。此外，在本發明中，在第1區 的晶圓圖案和第2區的晶圓圖案上，重疊了綜合罩幕圖案 差引起的尺寸差和其他原因造成的尺寸差。因此從該尺寸 差中減去罩幕圖案差引起的尺寸差，就可精確地求得其他 原因造成的尺寸差。 根據申請專利範圍第3項的發明，適當地設定第2罩幕之 安裝角度就可使在1攝影區内的第2區和第3區的位置一 致。因此，根據本發明，與申請專利範圍第2項相同，能 夠精確地求得由罩幕圖案差引起的尺寸差和由其他原因造 成的尺寸差。 根據申請專利範圍第4項的發明，晶圓圖案的比較，在 抗蝕層顯像後立即進行。這時晶圓圖案上產生誤差的原因 可限定為只是罩幕圖案的誤差，伴隨圖案轉印產生的誤差

89121905.ptd 第17頁 490732 五、發明說明（13) 及伴隨抗蝕層顯像產生的誤差。因此，根據本發明，可以 _ 精確地進行晶圓圖案誤差的主因解析。 根據申請專利範圍第5項的發明，可以容易地進行第1位 _ 置上罩幕之钱刻和第2位置上罩幕之#刻。 根據申請專利範圍第6項的發明，由於能夠通過罩幕台 的移動來改換第1位置和第2位置，因此可極容易地製造兩 個罩幕。 根據申請專利範圍第7項的發明，可以製造兩個罩幕使 它們的中央位置區域成為重複區域。 【元件編號之說明】 着> 10 製造裝置 12 蝕刻室 14 ，14， 罩幕台 16 第1罩幕 20 第2罩幕 24 > 26 第1罩幕和第2罩幕上的區域 28 半導體晶圓 30 1攝影區内的第1區 32 1攝影區内的第2區 34 1攝影區内的第3區 36 1攝影區内的第4區

89121905.ptd 第18頁 490732 圖式簡單說明 圖1為說明本發明實施形態1的晶圓圖案誤差的主因解析 方法的流程圖。 圖2為用於實施形態1的解析方法的第1罩幕和第2罩幕製 -造的合適製造裝置的平面圖。 圖3 (a )、（ b)為顯示用於實施形態1的解析方法的第1罩 幕和第2罩幕之罩幕圖案分佈的示意圖。 圖4為說明第1罩幕之罩幕圖案轉印工程的示意圖。 圖5 (a )、（ b)為使用實施形態1的解析方法中的第1罩幕 和第2罩幕，在半導體晶圓上形成1攝影區的一個例子。 圖6 (a )、（ b)為使用實施形態1的解析方法的第1罩幕和 第2罩幕，在半導體晶圓上形成1攝影區的另一個例子。

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Claims (1)

1. ----- 六、申請專利範圍 晶圓上ί曰，曰Ξ Ξ案誤差之主因解析方法’係形成於半導體 • ^ 共特徵為： =ί #第1位置上言史1第1 $幕之步驟； 在兹刻室Γ第罩9幕進行姓刻形成罩幕圖案的步驟； 利用上述』C設置第2罩幕之步驟；及 又，上诚楚ο罩幕進行蝕刻形成罩幕圖案的步驟； 置，使上述是將上述第1軍幕設置在上述第1位 重複區域的位置罩幕之一部分和上述第2罩幕之一部分構成 使用上述第1 f _ 攝影區的晶圓圖案的步if先處理’在半導體晶圓上形成1 使用上述第2罩蓋、* — /$ 影區的晶圓圖案的步处理在半導體晶圓上形成1攝 把用卜述第1星墓 , 的區域（第1重複區：二Π區中對應於上述重複區域 幕形成的1攝影區中以：;曰=案尺寸，和用上述第2罩 區域）的晶圓圖宰尺十二μ击重硬區域的區域（第2重複 差起::寸並= 法，其中：i :广重圍第匚1:之晶圓圖案誤差之主因解析方 第2區； 乐L及位於攝影區四周位置的 土二第2重稷區域’包含位於使用上述第 攝衫區四周位置的第3區，及位於攝影區中央位置的成第:1 \\312\2d-code\90-01\89121905.ptd 第20頁 490732 六、申請專利範圍 區， 區分並檢測尺寸差的上述步驟’包含檢測出上述弟1區 和上述第4區均含有的晶圓圖案的尺寸差，以作為上述罩 幕圖案差引起的尺寸差的步驟，及 從上述第1區和第2區均含有的晶圓圖案尺寸差中，減去 所檢測出的由上述罩幕圖案差引起的尺寸差的測量值，而 得出由上述其他原因引起的尺寸差的步驟。 3. 如申請專利範圍第1項之晶圓圖案誤差之主因解析方 法，其中使用上述第2罩幕形成1攝影區的晶圓圖案的步 驟，包含確定上述第2罩幕安裝角度，使得在上述第1重複 區域的1攝影區内的位置，和在上述第2重複區域的1攝影 區内的位置一致的步驟； 上述第1重複區域，包含用上述第1罩幕形成的1攝影區 處於中央位置的第1區，及位於攝影區四周位置的第2區； 上述第2重複區域，包含用上述第2罩幕形成的1攝影區 處於四周位置的第3區，及位於攝影區中央位置的第4區； 區分並檢測尺寸差的上述步驟，包含檢測出上述第2區 和上述第3區均含有的晶圓圖案的尺寸差，作為上述罩幕 圖案差引起的尺寸差的步驟，及 從上述第1區和上述第2區均含有的晶圓圖案的尺寸差， 減去作為上述罩幕圖案差引起的尺寸差的測量值，而得出 由上述其他原因引起的尺寸差的步驟。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之晶圓圖案誤差之 主因解析方法，其中上述晶圓圖案的尺寸比較，是在半導 89121905.ptd 第21頁 490732 案號 89121905 月 曰 修正 9L 4〇 _參正I 六、申請專利範圍 /e修·正1 體晶圓上曝光的抗蝕層經顯像結束後立即實施^。 卜_古 5. —種照相製版用罩幕之製造裝置，係在照相製ϋί 幕上進行蝕刻藉以形成罩幕圖案者，其特徵為： 含有進行上述蝕刻用的蝕刻室；及 將罩幕保持在上述I虫刻室内部的罩幕台； 上述罩幕台，可將罩幕保持在第1位置和第2位置上， 上述第2位置，若將罩幕設置在上述第1位置上，則該罩 幕之一部分和設置在上述第2位置的罩幕之一部分構成重 疊的區域。 6 ·如申請專利範圍第5項之照相製版用罩幕之製造裝 4，其中上述罩幕台係可在上述第1位置和上述第2位置之 間移動者。 7 ·如申請專利範圍第5或6項之照相製版用罩幕之製造裝 !，其中上述第1位置和上述第2位置，係設定成使得設置 在上述第1位置上的罩幕中央位置上的區域，和設置在上 述第2位置上的罩幕中央位置上的區域，均為含於上述重 複的區域内者。

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