JP2000133575A - 重ね合わせ検査マークを備える半導体装置 - Google Patents
重ね合わせ検査マークを備える半導体装置Info
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本番パターンと重ね合わせ検査マークのパタ
ーンとが段差を有して形成される場合にも、許容測定誤
差内で重ね合わせ測定が行える重ね合わせ検査マークを
有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 ライン状の２層目の重ね合わせ検査マー
クのパターン２の幅を、ライン状の２層目の本番パター
ン１の幅より、０．８５μｍ〜１．０μｍの範囲で大き
くする。これにより、パターン転写時に、収差に起因し
て、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２と、２
層目の本番パターン１とに生じる位置ずれ量の相違を、
重ね合せ測定において許容できる範囲にできる。また、
２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２と、２層目
の本番パターン１とが、段差（最大でも上下０．６μｍ
ずつ）を有して形成される場合にも、焦点深度（１．２
μｍ）を確保することが可能となる。
ーンとが段差を有して形成される場合にも、許容測定誤
差内で重ね合わせ測定が行える重ね合わせ検査マークを
有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 ライン状の２層目の重ね合わせ検査マー
クのパターン２の幅を、ライン状の２層目の本番パター
ン１の幅より、０．８５μｍ〜１．０μｍの範囲で大き
くする。これにより、パターン転写時に、収差に起因し
て、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２と、２
層目の本番パターン１とに生じる位置ずれ量の相違を、
重ね合せ測定において許容できる範囲にできる。また、
２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２と、２層目
の本番パターン１とが、段差（最大でも上下０．６μｍ
ずつ）を有して形成される場合にも、焦点深度（１．２
μｍ）を確保することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、重ね合わせ検査マ
ークに関し、特に、半導体装置の製造工程におけるリソ
グラフィ工程の重ね合わせ精度を測定するために用いる
重ね合わせ検査マークに関するものである。
ークに関し、特に、半導体装置の製造工程におけるリソ
グラフィ工程の重ね合わせ精度を測定するために用いる
重ね合わせ検査マークに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造工程におけ
る２つのリソグラフィ工程間の重ね合わせ精度を測定す
る方法として、各リソグラフィ工程において本番パター
ンと同一のマスクを用いて同時に重ね合わせ検査マーク
のパターンを形成し、重ね合わせ検査マークのパターン
の重ね合わせ精度により、本番パターンの重ね合わせ精
度を測定する方法が用いられている。以下、図１０〜図
１５を用いて従来の重ね合わせ検査マークを説明する。
る２つのリソグラフィ工程間の重ね合わせ精度を測定す
る方法として、各リソグラフィ工程において本番パター
ンと同一のマスクを用いて同時に重ね合わせ検査マーク
のパターンを形成し、重ね合わせ検査マークのパターン
の重ね合わせ精度により、本番パターンの重ね合わせ精
度を測定する方法が用いられている。以下、図１０〜図
１５を用いて従来の重ね合わせ検査マークを説明する。
【０００３】従来の重ね合わせ検査マークは、図１０に
示すように、本番パターン１０１を形成する回路領域１
１１の横に配置されたスクライブライン領域１１２に配
置されている。また、図１１に示すように、１層目の本
番パターン１０５ａと１層目の重ね合わせ検査マークの
パターン１０５ｂとは、スクライブライン領域１１２の
溝１１０により段差を隔てて設けられている。また、２
層目の本番パターン１０１は、１層目の本番パターン１
０５ａの上に設けられ、２層目の重ね合わせ検査マーク
のパターン１０２は、１層目の重ね合せ検査マークのパ
ターン１０５ｂの上に、２層目の本番パターン１０１と
平行な部分を有するように４角形の４辺をライン状にし
て設けられている。
示すように、本番パターン１０１を形成する回路領域１
１１の横に配置されたスクライブライン領域１１２に配
置されている。また、図１１に示すように、１層目の本
番パターン１０５ａと１層目の重ね合わせ検査マークの
パターン１０５ｂとは、スクライブライン領域１１２の
溝１１０により段差を隔てて設けられている。また、２
層目の本番パターン１０１は、１層目の本番パターン１
０５ａの上に設けられ、２層目の重ね合わせ検査マーク
のパターン１０２は、１層目の重ね合せ検査マークのパ
ターン１０５ｂの上に、２層目の本番パターン１０１と
平行な部分を有するように４角形の４辺をライン状にし
て設けられている。
【０００４】上記のような重ね合わせ検査マークにおい
ては、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２
の幅は、２層目の本番パターン１０１の幅と無関係に形
成されているため、パターン形成時の、収差による位置
ずれ量が相違する。そのため、マスクパターンにおける
それぞれの相対的位置と異なる相対的位置関係を有して
２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２と２層
目の本番パターン１０１とが形成される現象が生じる。
以下、この現象について説明する。
ては、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２
の幅は、２層目の本番パターン１０１の幅と無関係に形
成されているため、パターン形成時の、収差による位置
ずれ量が相違する。そのため、マスクパターンにおける
それぞれの相対的位置と異なる相対的位置関係を有して
２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２と２層
目の本番パターン１０１とが形成される現象が生じる。
以下、この現象について説明する。
【０００５】通常、マスクを通過した光は、マスクの開
口を通過した後は、それぞれの開口の大きさにあわせて
所定の回折角を有して進行する。そのため、マスクによ
り形成されたパターンのそれぞれは、透過光の回折角分
だけずれて形成されるという現象、すなわち、収差によ
る位置ずれ現象が生じる。
口を通過した後は、それぞれの開口の大きさにあわせて
所定の回折角を有して進行する。そのため、マスクによ
り形成されたパターンのそれぞれは、透過光の回折角分
だけずれて形成されるという現象、すなわち、収差によ
る位置ずれ現象が生じる。
【０００６】そのため、マスクに形成された開口パター
ンを通過する光が、太いラインを通過する場合と細いラ
インを通過する場合とで回折角が異なることにより、本
番パターンの太さと重ね合わせ検査マークのパターンの
太さとに相違があれば、重ね合わせ検査マークのパター
ンと本番パターンとの収差による位置ずれ量にも相違が
生じる。この収差による位置ずれ量の相違により、本番
パターンと重ね合わせ検査マークのパターンとはそれぞ
れの重ね合わせのずれ量に差が生じる。これが収差によ
る位置ずれ量の相違による影響である。
ンを通過する光が、太いラインを通過する場合と細いラ
インを通過する場合とで回折角が異なることにより、本
番パターンの太さと重ね合わせ検査マークのパターンの
太さとに相違があれば、重ね合わせ検査マークのパター
ンと本番パターンとの収差による位置ずれ量にも相違が
生じる。この収差による位置ずれ量の相違により、本番
パターンと重ね合わせ検査マークのパターンとはそれぞ
れの重ね合わせのずれ量に差が生じる。これが収差によ
る位置ずれ量の相違による影響である。
【０００７】そこで、この収差による位置ずれ量の相違
による影響を防止するため、図１２および図１３に示す
ような、ライン状の本番パターンの幅とライン状の重ね
合わせ検査マークのパターンの幅とを同じにする重ね合
わせ検査マークのパターンが用いられている。この場
合、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２の
幅は、２層目の本番パターン１０１の幅と同一の幅に形
成されているため、それぞれの収差による位置ずれ量が
同一になり、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン
１０２と２層目の本番パターン１０１とが、マスクに形
成された開口パターンと相対的に同じ間隔を有して形成
される。
による影響を防止するため、図１２および図１３に示す
ような、ライン状の本番パターンの幅とライン状の重ね
合わせ検査マークのパターンの幅とを同じにする重ね合
わせ検査マークのパターンが用いられている。この場
合、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２の
幅は、２層目の本番パターン１０１の幅と同一の幅に形
成されているため、それぞれの収差による位置ずれ量が
同一になり、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン
１０２と２層目の本番パターン１０１とが、マスクに形
成された開口パターンと相対的に同じ間隔を有して形成
される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記図１２および図１
３に示したような場合において、２層目の重ね合わせ検
査マークのパターン１０２が形成されている１層目の重
ね合わせ検査マークのパターン１０５ｂの表面の高さ
と、２層目の本番パターン１０１が形成されている１層
目の本番パターン１０５ａの表面の高さとが同一に形成
されていたため、焦点深度の問題を考慮する必要がなか
った。
３に示したような場合において、２層目の重ね合わせ検
査マークのパターン１０２が形成されている１層目の重
ね合わせ検査マークのパターン１０５ｂの表面の高さ
と、２層目の本番パターン１０１が形成されている１層
目の本番パターン１０５ａの表面の高さとが同一に形成
されていたため、焦点深度の問題を考慮する必要がなか
った。
【０００９】しかしながら、図１４および図１５に示す
ように、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０
２が形成されている１層目の重ね合わせ検査マークのパ
ターン１０５ｂの表面の高さと、２層目の本番パターン
１０１が形成されている１層目の重ね合せ検査マークの
パターン１０５ａの表面の高さとが異なって形成されて
いる場合、その高さの差を補うだけの焦点深度が確保で
きない、すなわち、焦点が合わず、精確に２層目の重ね
合せ検査マークのパターン１０２が形成できないという
問題が生じる。
ように、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０
２が形成されている１層目の重ね合わせ検査マークのパ
ターン１０５ｂの表面の高さと、２層目の本番パターン
１０１が形成されている１層目の重ね合せ検査マークの
パターン１０５ａの表面の高さとが異なって形成されて
いる場合、その高さの差を補うだけの焦点深度が確保で
きない、すなわち、焦点が合わず、精確に２層目の重ね
合せ検査マークのパターン１０２が形成できないという
問題が生じる。
【００１０】通常の設計では、２層目の重ね合わせ検査
マークのパターン１０２が形成されている１層目の重ね
合わせ検査マークのパターン１０５ｂの表面の高さと、
２層目の本番パターン１０１が形成されている１層目の
本番パターン１０５ａの表面の高さとの差は、最大でも
上下それぞれ０．６μｍ程度である。そのため、焦点深
度を１．２μｍ程度より大きく確保できるようにすれ
ば、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２が
形成されている１層目の重ね合わせ検査マークのパター
ン１０５ｂの表面の高さと、２層目の本番パターン１０
１が形成されている１層目の本番パターン１０５ａの表
面の高さとの差がある場合にも、焦点が合った状態でパ
ターン形成を行うことができる。
マークのパターン１０２が形成されている１層目の重ね
合わせ検査マークのパターン１０５ｂの表面の高さと、
２層目の本番パターン１０１が形成されている１層目の
本番パターン１０５ａの表面の高さとの差は、最大でも
上下それぞれ０．６μｍ程度である。そのため、焦点深
度を１．２μｍ程度より大きく確保できるようにすれ
ば、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２が
形成されている１層目の重ね合わせ検査マークのパター
ン１０５ｂの表面の高さと、２層目の本番パターン１０
１が形成されている１層目の本番パターン１０５ａの表
面の高さとの差がある場合にも、焦点が合った状態でパ
ターン形成を行うことができる。
【００１１】この焦点深度を大きくする方法として、２
層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２の幅を、
２層目の本番パターン１０１の幅より大きくすることが
考えられる。この方法によれば、２層目の重ね合わせ検
査マークのパターン１０２を形成するためのマスクの開
口幅を、２層目の本番パターン１０１を形成するための
マスクの開口幅より大きくすることにより、２層目の重
ね合わせ検査マークのパターン１０２を形成するための
マスクの開口を通過する光の回折角を小さくする。これ
により、光の基板面に対して入射する角度がより垂直に
近づき、焦点深度が大きくなる。
層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０２の幅を、
２層目の本番パターン１０１の幅より大きくすることが
考えられる。この方法によれば、２層目の重ね合わせ検
査マークのパターン１０２を形成するためのマスクの開
口幅を、２層目の本番パターン１０１を形成するための
マスクの開口幅より大きくすることにより、２層目の重
ね合わせ検査マークのパターン１０２を形成するための
マスクの開口を通過する光の回折角を小さくする。これ
により、光の基板面に対して入射する角度がより垂直に
近づき、焦点深度が大きくなる。
【００１２】しかしながら、焦点深度を大きく確保する
ために、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０
２の幅を、２層目の本番パターン１０１の幅より大きく
し過ぎると、上記収差による位置ずれ量の相違による影
響が大きくなる。そのため、収差に起因する位置ずれ量
の相違によるパターン形成時の形成誤差がある場合に
も、重ね合せ検査測定時に、重ね合せ検査測定における
許容測定誤差の範囲内で重ね合せ検査測定が行え、か
つ、重ね合わせ検査マーク形成時に、焦点深度が十分確
保できる状態で重ね合わせ検査マークのパターンが形成
できるように、２層目の重ね合わせ検査マークのパター
ン１０２の幅を、２層目の本番パターン１０１の幅より
大きくしなければならない。
ために、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン１０
２の幅を、２層目の本番パターン１０１の幅より大きく
し過ぎると、上記収差による位置ずれ量の相違による影
響が大きくなる。そのため、収差に起因する位置ずれ量
の相違によるパターン形成時の形成誤差がある場合に
も、重ね合せ検査測定時に、重ね合せ検査測定における
許容測定誤差の範囲内で重ね合せ検査測定が行え、か
つ、重ね合わせ検査マーク形成時に、焦点深度が十分確
保できる状態で重ね合わせ検査マークのパターンが形成
できるように、２層目の重ね合わせ検査マークのパター
ン１０２の幅を、２層目の本番パターン１０１の幅より
大きくしなければならない。
【００１３】ここで、重ね合わせのずれ量の許容測定誤
差について説明する。通常、0. 2μｍ〜１．０μｍ程度
のライン状の本番パターンの場合、重ね合わせのずれ量
の許容測定誤差の規格数値は６０ｎｍである。すなわ
ち、全ての測定誤差を合わせて、６０ｎｍ以下にしなけ
ればならない。この測定誤差を生じさせるものとして
は、露光装置に起因する測定誤差、ウェハに起因する測
定誤差および光の収差に起因する位置ずれ量の相違によ
るパターン形成時の形成誤差が考えられる。この許容測
定誤差６０ｎｍのうち、露光装置（ステッパ）のオフセ
ット、回転および倍率に起因する測定誤差は２５ｎｍ程
度であり、ウェハ成分に起因する測定誤差は、３０ｎｍ
程度である。したがって、収差による位置ずれ量の相違
によるパターン形成時の形成誤差は、５ｎｍ以下に押さ
えなければならない。
差について説明する。通常、0. 2μｍ〜１．０μｍ程度
のライン状の本番パターンの場合、重ね合わせのずれ量
の許容測定誤差の規格数値は６０ｎｍである。すなわ
ち、全ての測定誤差を合わせて、６０ｎｍ以下にしなけ
ればならない。この測定誤差を生じさせるものとして
は、露光装置に起因する測定誤差、ウェハに起因する測
定誤差および光の収差に起因する位置ずれ量の相違によ
るパターン形成時の形成誤差が考えられる。この許容測
定誤差６０ｎｍのうち、露光装置（ステッパ）のオフセ
ット、回転および倍率に起因する測定誤差は２５ｎｍ程
度であり、ウェハ成分に起因する測定誤差は、３０ｎｍ
程度である。したがって、収差による位置ずれ量の相違
によるパターン形成時の形成誤差は、５ｎｍ以下に押さ
えなければならない。
【００１４】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、本番パターンと重ね合
わせ検査マークのパターンとが段差を有して形成される
場合にも、許容測定誤差内で重ね合わせ測定が行える重
ね合わせ検査マークを有する半導体装置を提供すること
である。
されたものであり、その目的は、本番パターンと重ね合
わせ検査マークのパターンとが段差を有して形成される
場合にも、許容測定誤差内で重ね合わせ測定が行える重
ね合わせ検査マークを有する半導体装置を提供すること
である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
の重ね合わせ検査マークを備える半導体装置は、半導体
装置のリソグラフィ工程において、リソグラフィ工程間
の重ね合わせの誤差を測定するための重ね合わせ検査マ
ークを備える半導体装置であって、本番パターンと重ね
合せ検査マークのパターンとの同方向の幅の差は、パタ
ーン転写時の収差に起因する、本番パターンと重ね合わ
せ検査マークのパターンとの位置ずれ量の相違が所定の
値以下になるように設定され、重ね合わせ検査マークの
本番パターンと同方向の幅が、本番パターンと重ね合わ
せ検査マークのパターンとの基板上の高低差を見込んだ
焦点深度を確保されるように、本番パターンの幅よりも
所定の値以上大きくなるように設定されている。
の重ね合わせ検査マークを備える半導体装置は、半導体
装置のリソグラフィ工程において、リソグラフィ工程間
の重ね合わせの誤差を測定するための重ね合わせ検査マ
ークを備える半導体装置であって、本番パターンと重ね
合せ検査マークのパターンとの同方向の幅の差は、パタ
ーン転写時の収差に起因する、本番パターンと重ね合わ
せ検査マークのパターンとの位置ずれ量の相違が所定の
値以下になるように設定され、重ね合わせ検査マークの
本番パターンと同方向の幅が、本番パターンと重ね合わ
せ検査マークのパターンとの基板上の高低差を見込んだ
焦点深度を確保されるように、本番パターンの幅よりも
所定の値以上大きくなるように設定されている。
【００１６】このような構造にすることにより、パター
ン転写時の収差に起因する、本番パターンと重ね合わせ
検査マークのパターンとの位置ずれ量の相違を所定の値
以下にすることができる。また、本番パターンと重ね合
せ検査マークのパターンとの基板上の高低差を見込んだ
焦点深度を確保することができる。そのため、本番パタ
ーンと重ね合わせ検査マークのパターンとが段差を有し
て形成される場合においても、重ね合わせ検査マーク形
成時に、焦点深度を十分に確保した状態で重ね合わせ検
査マークが形成できるため、精確な重ね合わせ検査マー
クが形成できる。また、収差による位置ずれ量の相違が
許容形成誤差の範囲内で、重ね合せ検査マークを形成で
きるため、重ね合せ検査測定時に、許容測定誤差の範囲
内で、重ね合わせ検査測定をすることができる。
ン転写時の収差に起因する、本番パターンと重ね合わせ
検査マークのパターンとの位置ずれ量の相違を所定の値
以下にすることができる。また、本番パターンと重ね合
せ検査マークのパターンとの基板上の高低差を見込んだ
焦点深度を確保することができる。そのため、本番パタ
ーンと重ね合わせ検査マークのパターンとが段差を有し
て形成される場合においても、重ね合わせ検査マーク形
成時に、焦点深度を十分に確保した状態で重ね合わせ検
査マークが形成できるため、精確な重ね合わせ検査マー
クが形成できる。また、収差による位置ずれ量の相違が
許容形成誤差の範囲内で、重ね合せ検査マークを形成で
きるため、重ね合せ検査測定時に、許容測定誤差の範囲
内で、重ね合わせ検査測定をすることができる。
【００１７】請求項２に記載の本発明の重ね合わせ検査
マークを備える半導体装置は、請求項１に記載の重ね合
せ検査マークを備える半導体装置において、本番パター
ンが、０．２μｍ〜１．０μｍの範囲の幅を有するライ
ン状であり、重ね合せ検査マークのパターンが、ライン
状の本番パターンの幅より０．０８５μｍ〜０．１μｍ
だけ大きい幅を有するライン状である。
マークを備える半導体装置は、請求項１に記載の重ね合
せ検査マークを備える半導体装置において、本番パター
ンが、０．２μｍ〜１．０μｍの範囲の幅を有するライ
ン状であり、重ね合せ検査マークのパターンが、ライン
状の本番パターンの幅より０．０８５μｍ〜０．１μｍ
だけ大きい幅を有するライン状である。
【００１８】通常、ラインサイズごとに収差による位置
ずれ量は固有の値を示し、ライン状の重ね合せ検査マー
クのパターンの幅と、ライン状の本番パターンの幅とが
決まれば、それぞれのパターンの収差による位置ずれ量
の差が決まる。そこで、上記のように、ライン状の重ね
合せ検査マークのパターンの幅と、ライン状の本番パタ
ーンの幅とが０．１μｍ以下の差であるような数値範囲
に設定することにより、ライン状の本番パターンの幅が
０．２μｍ〜１．０μｍの範囲で、ラインサイズと収差
による位置ずれ量との関係から、収差による位置ずれ量
の相違を許容形成誤差（５ｎｍ）以下にすることができ
る。
ずれ量は固有の値を示し、ライン状の重ね合せ検査マー
クのパターンの幅と、ライン状の本番パターンの幅とが
決まれば、それぞれのパターンの収差による位置ずれ量
の差が決まる。そこで、上記のように、ライン状の重ね
合せ検査マークのパターンの幅と、ライン状の本番パタ
ーンの幅とが０．１μｍ以下の差であるような数値範囲
に設定することにより、ライン状の本番パターンの幅が
０．２μｍ〜１．０μｍの範囲で、ラインサイズと収差
による位置ずれ量との関係から、収差による位置ずれ量
の相違を許容形成誤差（５ｎｍ）以下にすることができ
る。
【００１９】また、ラインサイズごとに焦点深度は固有
の値を示し、ラインサイズが大きくなるにしたがって焦
点深度は大きくなる。そこで、上記のように、ライン状
の重ね合せ検査マークのパターンの幅を、ライン状の本
番パターンの幅より０．０８５μｍ以上大きくなるよう
に設定することにより、ラインサイズと焦点深度との関
係から、本番パターンの表面と重ね合わせ検査マークの
パターンの表面との間に段差（最大でも上下に０．０６
μｍずつ）がある場合にも、焦点深度（１．２μｍ）を
十分に確保することが可能となる。
の値を示し、ラインサイズが大きくなるにしたがって焦
点深度は大きくなる。そこで、上記のように、ライン状
の重ね合せ検査マークのパターンの幅を、ライン状の本
番パターンの幅より０．０８５μｍ以上大きくなるよう
に設定することにより、ラインサイズと焦点深度との関
係から、本番パターンの表面と重ね合わせ検査マークの
パターンの表面との間に段差（最大でも上下に０．０６
μｍずつ）がある場合にも、焦点深度（１．２μｍ）を
十分に確保することが可能となる。
【００２０】請求項３に記載の本発明の重ね合わせ検査
マークを備える半導体装置は、請求項１に記載の重ね合
せ検査マークを備える半導体装置において、本番パター
ンは、開口幅が０．３μｍ〜１．０μｍの範囲の開口幅
を有するホール状であり、重ね合せ検査マークのパター
ンは、ホール状の本番パターンの開口幅より０．１μｍ
以下の範囲で大きい開口幅を有するホール状である。
マークを備える半導体装置は、請求項１に記載の重ね合
せ検査マークを備える半導体装置において、本番パター
ンは、開口幅が０．３μｍ〜１．０μｍの範囲の開口幅
を有するホール状であり、重ね合せ検査マークのパター
ンは、ホール状の本番パターンの開口幅より０．１μｍ
以下の範囲で大きい開口幅を有するホール状である。
【００２１】通常、ホールサイズごとに収差による位置
ずれ量は固有の値を示し、ホール状の重ね合せ検査マー
クのパターンの開口幅と、ホール状の本番パターンの開
口幅とが決まれば、それぞれのパターンの収差による位
置ずれ量の差が決まる。そこで、上記のように、ホール
状の重ね合わせ検査マークの開口幅とホール状の本番パ
ターンの開口幅との差を０．１μｍ以下の数値範囲に設
定することにより、ホール状の本番パターンの開口幅が
０．３μｍ〜１．０μｍの範囲で、ホールサイズと収差
の位置ずれ量との関係から、収差による位置ずれ量の相
違を許容形成誤差（５ｎｍ）以下にすることができる。
ずれ量は固有の値を示し、ホール状の重ね合せ検査マー
クのパターンの開口幅と、ホール状の本番パターンの開
口幅とが決まれば、それぞれのパターンの収差による位
置ずれ量の差が決まる。そこで、上記のように、ホール
状の重ね合わせ検査マークの開口幅とホール状の本番パ
ターンの開口幅との差を０．１μｍ以下の数値範囲に設
定することにより、ホール状の本番パターンの開口幅が
０．３μｍ〜１．０μｍの範囲で、ホールサイズと収差
の位置ずれ量との関係から、収差による位置ずれ量の相
違を許容形成誤差（５ｎｍ）以下にすることができる。
【００２２】また、ホールサイズごとに焦点深度は固有
の値を示し、ホールサイズが大きくなるにしたがって焦
点深度は大きくなる。そこで、上記のように、ホール状
の重ね合せ検査マークのパターンの開口幅をホール状の
本番パターンの開口幅より大きく設定することにより、
ホールサイズと焦点深度との関係から、ホール状の本番
パターンの表面と重ね合わせ検査マークのパターンの表
面との間に段差（最大でも上下に０．０６μｍずつ）が
ある場合にも、焦点深度（１．２μｍ）が十分にとれる
ようにすることが可能となる。
の値を示し、ホールサイズが大きくなるにしたがって焦
点深度は大きくなる。そこで、上記のように、ホール状
の重ね合せ検査マークのパターンの開口幅をホール状の
本番パターンの開口幅より大きく設定することにより、
ホールサイズと焦点深度との関係から、ホール状の本番
パターンの表面と重ね合わせ検査マークのパターンの表
面との間に段差（最大でも上下に０．０６μｍずつ）が
ある場合にも、焦点深度（１．２μｍ）が十分にとれる
ようにすることが可能となる。
【００２３】なお、開口幅とは、ホールパターンが円形
の場合は、円の直径であり、ホールパターンが四角形の
場合は、１辺の長さである。
の場合は、円の直径であり、ホールパターンが四角形の
場合は、１辺の長さである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２５】（実施の形態１）本発明の実施の形態１の
重ね合わせ検査マークを図１〜図５を用いて説明する。
本実施の形態の重ね合わせ検査マークは、図１および図
２に示すように、半導体基板５上の、ライン状の本番パ
ターン１を形成する回路領域１１の横に配置されたスク
ライブライン領域１２に、４角形の４辺をライン状にし
て配置されている。
重ね合わせ検査マークを図１〜図５を用いて説明する。
本実施の形態の重ね合わせ検査マークは、図１および図
２に示すように、半導体基板５上の、ライン状の本番パ
ターン１を形成する回路領域１１の横に配置されたスク
ライブライン領域１２に、４角形の４辺をライン状にし
て配置されている。
【００２６】また、１層目の本番パターン５ａと１層目
の重ね合わせ検査マークのパターン５ｂとは、スクライ
ブライン領域１２の溝１０により段差を隔てて設けられ
ている。また、２層目の本番パターン１は、１層目の本
番パターン５ａの上に設けられ、２層目の重ね合わせ検
査マークのパターン２は、１層目の重ね合せ検査マーク
のパターン５ｂの上に設けられている。
の重ね合わせ検査マークのパターン５ｂとは、スクライ
ブライン領域１２の溝１０により段差を隔てて設けられ
ている。また、２層目の本番パターン１は、１層目の本
番パターン５ａの上に設けられ、２層目の重ね合わせ検
査マークのパターン２は、１層目の重ね合せ検査マーク
のパターン５ｂの上に設けられている。
【００２７】この２層目の本番パターン１の幅は０．２
μｍ、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の幅
は０．２９μｍであり、２層目の重ね合わせ検査マーク
のパターン２の幅は、２層目の重ね合せ検査マークのパ
ターン１の幅よりも０．０９μｍだけ大きくなってい
る。また、２層目の本番パターン１が設けられている１
層目のパターン５ａの表面と、２層目の重ね合わせ検査
マークのパターン２が設けられている１層目の重ね合わ
せ検査マークのパターン５ｂの表面とは、その高さが
０．６μｍだけ異なっている。
μｍ、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の幅
は０．２９μｍであり、２層目の重ね合わせ検査マーク
のパターン２の幅は、２層目の重ね合せ検査マークのパ
ターン１の幅よりも０．０９μｍだけ大きくなってい
る。また、２層目の本番パターン１が設けられている１
層目のパターン５ａの表面と、２層目の重ね合わせ検査
マークのパターン２が設けられている１層目の重ね合わ
せ検査マークのパターン５ｂの表面とは、その高さが
０．６μｍだけ異なっている。
【００２８】この場合、図３に示している、収差による
位置ずれ量とラインサイズとの関係から分かるように、
２層目の本番パターン１と２層目の重ね合わせ検査マー
クのパターン２とは、パターン転写後における収差によ
る位置ずれ量が、それぞれ約１５ｎｍおよび約１１ｎｍ
であり、その差は、約４ｎｍである。したがって、２層
目の重ね合わせ検査マークのパターン２の幅を、２層目
の本番パターン１の幅よりも０．０９μｍだけ大きくす
ることにより、収差によるずれ量の相違を許容形成誤差
（５ｎｍ）以下にできることが分かる。
位置ずれ量とラインサイズとの関係から分かるように、
２層目の本番パターン１と２層目の重ね合わせ検査マー
クのパターン２とは、パターン転写後における収差によ
る位置ずれ量が、それぞれ約１５ｎｍおよび約１１ｎｍ
であり、その差は、約４ｎｍである。したがって、２層
目の重ね合わせ検査マークのパターン２の幅を、２層目
の本番パターン１の幅よりも０．０９μｍだけ大きくす
ることにより、収差によるずれ量の相違を許容形成誤差
（５ｎｍ）以下にできることが分かる。
【００２９】このとき、一般に、図３に示すように、２
層目の本番パターン１の幅が０．２〜１．０μｍの範囲
でどうのような値をとっても、２層目の本番パターン１
の幅と、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の
幅との差が、０．１μｍ以下である場合は、収差による
ずれ量の相違が許容形成誤差（５ｎｍ）以下となる。
層目の本番パターン１の幅が０．２〜１．０μｍの範囲
でどうのような値をとっても、２層目の本番パターン１
の幅と、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の
幅との差が、０．１μｍ以下である場合は、収差による
ずれ量の相違が許容形成誤差（５ｎｍ）以下となる。
【００３０】また、図４に示すように、２層目の重ね合
わせ検査マークのパターン２の幅は０．２９μｍである
ため、焦点深度は１．３μｍ程度となる。その結果、２
層目の本番パターン１が設けられている１層目の本番パ
ターン５ａの表面と、重ね合わせ検査マークの２層目の
パターン２が設けられている１層目の重ね合わせ検査マ
ークのパターン５ｂの表面とは、その高さが０．６μｍ
だけ異なっていても、必要な焦点深度（１．２μｍ）を
確保することが可能となるため、パターン転写時に、そ
れぞれのパターンは、精確に形成される。
わせ検査マークのパターン２の幅は０．２９μｍである
ため、焦点深度は１．３μｍ程度となる。その結果、２
層目の本番パターン１が設けられている１層目の本番パ
ターン５ａの表面と、重ね合わせ検査マークの２層目の
パターン２が設けられている１層目の重ね合わせ検査マ
ークのパターン５ｂの表面とは、その高さが０．６μｍ
だけ異なっていても、必要な焦点深度（１．２μｍ）を
確保することが可能となるため、パターン転写時に、そ
れぞれのパターンは、精確に形成される。
【００３１】このとき、通常、必要とされる焦点深度
（１．２μｍ）を確保することが可能となる、２層目の
重ね合わせ検査マークのパターン２の幅は、図４に示す
ように、０．２８５μｍ以上である。
（１．２μｍ）を確保することが可能となる、２層目の
重ね合わせ検査マークのパターン２の幅は、図４に示す
ように、０．２８５μｍ以上である。
【００３２】したがって、重ね合わせ検査マークと本番
パターンとの関係を上記のような数値範囲にすることに
より、２層目の本番パターンが０．２μｍ〜１．０μｍ
の範囲である場合に、２層目の本番パターン１と重ね合
せ検査マーク２との幅の差を０．１μｍ以下にすれば、
重ね合わせ検査マークと本番パターンとを形成するとき
の、収差による位置ずれ量の相違を許容形成誤差（５ｎ
ｍ）以下にすることができる。また、２層目の重ね合せ
検査マーク２の幅を、２層目の本番パターン１よりも
０．０８５μｍ以上大きくすれば、焦点深度（１．２μ
ｍ）を確保することが可能となる。その結果、重ね合せ
検査マークと本番パターンとが通常の段差（最大でも上
下０．６μｍずつ）を有していても、焦点深度を確保す
ることが可能となるとともに、パターン転写後に収差に
よる位置ずれ量の相違を生じても、許容できる範囲の形
成誤差の範囲の重ね合わせ検査マークとなる。
パターンとの関係を上記のような数値範囲にすることに
より、２層目の本番パターンが０．２μｍ〜１．０μｍ
の範囲である場合に、２層目の本番パターン１と重ね合
せ検査マーク２との幅の差を０．１μｍ以下にすれば、
重ね合わせ検査マークと本番パターンとを形成するとき
の、収差による位置ずれ量の相違を許容形成誤差（５ｎ
ｍ）以下にすることができる。また、２層目の重ね合せ
検査マーク２の幅を、２層目の本番パターン１よりも
０．０８５μｍ以上大きくすれば、焦点深度（１．２μ
ｍ）を確保することが可能となる。その結果、重ね合せ
検査マークと本番パターンとが通常の段差（最大でも上
下０．６μｍずつ）を有していても、焦点深度を確保す
ることが可能となるとともに、パターン転写後に収差に
よる位置ずれ量の相違を生じても、許容できる範囲の形
成誤差の範囲の重ね合わせ検査マークとなる。
【００３３】なお、図５に示すように、複数の２層目の
ライン状の本番パターン１の太さがそれぞれ異なる場合
は、それぞれの２層目のライン状の本番パターン１のう
ち最も厳しい精度が要求される２層目のライン状の本番
パターン１の幅に対して０．０８５μｍ〜０．１μｍの
範囲で、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の
幅を大きくすれば、他のライン状の本番パターンについ
ても、許容できる範囲の測定誤差で、重ね合わせ測定を
することができる。
ライン状の本番パターン１の太さがそれぞれ異なる場合
は、それぞれの２層目のライン状の本番パターン１のう
ち最も厳しい精度が要求される２層目のライン状の本番
パターン１の幅に対して０．０８５μｍ〜０．１μｍの
範囲で、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の
幅を大きくすれば、他のライン状の本番パターンについ
ても、許容できる範囲の測定誤差で、重ね合わせ測定を
することができる。
【００３４】（実施の形態２）本発明の実施の形態２の
重ね合せ検査マークを図６〜図９を用いて説明する。本
実施の形態の重ね合せ検査マークは、図６および図７に
示すように、実施の形態１のライン状の重ね合せ検査マ
ークを、ホール状の本番パターンに合わせて、所定の間
隔を有するホール状の重ね合わせ検査マークで形成した
場合である。この２層目の本番パターン１の径は０．３
μｍ、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の径
は０．３５μｍであり、２層目の重ね合わせ検査マーク
のパターン２の径は、２層目の本番パターン１の径より
も０．０５μｍだけ大きくなっている。
重ね合せ検査マークを図６〜図９を用いて説明する。本
実施の形態の重ね合せ検査マークは、図６および図７に
示すように、実施の形態１のライン状の重ね合せ検査マ
ークを、ホール状の本番パターンに合わせて、所定の間
隔を有するホール状の重ね合わせ検査マークで形成した
場合である。この２層目の本番パターン１の径は０．３
μｍ、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の径
は０．３５μｍであり、２層目の重ね合わせ検査マーク
のパターン２の径は、２層目の本番パターン１の径より
も０．０５μｍだけ大きくなっている。
【００３５】この場合、図８に示している、収差による
位置ずれ量とホールサイズとの関係から分かるように、
２層目の本番パターン１と２層目の重ね合わせ検査マー
クのパターン２とは、パターン転写時の収差による位置
ずれ量が、それぞれ約１０ｎｍおよび約６ｎｍであり、
その差は、約４ｎｍである。したがって、収差による位
置ずれ量の相違は、許容形成誤差（５ｎｍ）以下とな
る。その結果、収差による位置ずれ量の相違は、２層目
の重ね合わせ検査マークのパターン２の開口幅が、２層
目の本番パターン１の幅よりも０．０５μｍだけ大きく
なっていても、許容形成誤差の範囲となる。
位置ずれ量とホールサイズとの関係から分かるように、
２層目の本番パターン１と２層目の重ね合わせ検査マー
クのパターン２とは、パターン転写時の収差による位置
ずれ量が、それぞれ約１０ｎｍおよび約６ｎｍであり、
その差は、約４ｎｍである。したがって、収差による位
置ずれ量の相違は、許容形成誤差（５ｎｍ）以下とな
る。その結果、収差による位置ずれ量の相違は、２層目
の重ね合わせ検査マークのパターン２の開口幅が、２層
目の本番パターン１の幅よりも０．０５μｍだけ大きく
なっていても、許容形成誤差の範囲となる。
【００３６】このとき、一般に、収差による位置ずれ量
の差が５ｎｍ以下となるのは、図８に示すように、２層
目の本番パターン１の開口幅が０．３〜１．０μｍの範
囲でどうのような値をとっても、２層目の本番パターン
１の開口幅と、２層目の重ね合わせ検査マークのパター
ン２の開口幅との差が、０．１μｍ以下である場合に成
り立つ。
の差が５ｎｍ以下となるのは、図８に示すように、２層
目の本番パターン１の開口幅が０．３〜１．０μｍの範
囲でどうのような値をとっても、２層目の本番パターン
１の開口幅と、２層目の重ね合わせ検査マークのパター
ン２の開口幅との差が、０．１μｍ以下である場合に成
り立つ。
【００３７】また、図９に示すように、重ね合わせ検査
マークの２層目のパターン２の径は０．３５μｍである
ため、焦点深度は１．６μｍ程度となる。このとき、必
要となる焦点深度（１．２μｍ）とることが可能とな
る、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の径
は、０．２８５μｍ以上である。
マークの２層目のパターン２の径は０．３５μｍである
ため、焦点深度は１．６μｍ程度となる。このとき、必
要となる焦点深度（１．２μｍ）とることが可能とな
る、２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の径
は、０．２８５μｍ以上である。
【００３８】したがって、２層目の重ね合せ検査マーク
のパターン２の径を、２層目の本番パターン１の径より
０．１μｍ以下の範囲で大きくすれば、重ね合せ検査マ
ークと本番パターンとを形成した後の収差によるずれ量
の相違を許容形成誤差（５ｎｍ）以下にすることができ
る。
のパターン２の径を、２層目の本番パターン１の径より
０．１μｍ以下の範囲で大きくすれば、重ね合せ検査マ
ークと本番パターンとを形成した後の収差によるずれ量
の相違を許容形成誤差（５ｎｍ）以下にすることができ
る。
【００３９】また、ホール状のパターンの焦点深度
（１．２μｍ）を確保するためには、ホール状のパター
ンの径が０．２８５μｍ以上あればよいため、２層目の
重ね合せ検査マークのパターン２の径を、２層目の本番
パターン１の径（０．３μｍ）より大きくすれば、必要
焦点深度（１．２μｍ）を確保することが可能となる。
その結果、通常の段差（０．６μｍ）を有していても、
焦点深度を確保することが可能な状態で重ね検査マーク
のパターンを形成でき、また、重ね合わせ検査マークの
形成誤差を、収差による位置ずれ量の相違が生じた場合
にも、許容形成誤差の範囲となる。
（１．２μｍ）を確保するためには、ホール状のパター
ンの径が０．２８５μｍ以上あればよいため、２層目の
重ね合せ検査マークのパターン２の径を、２層目の本番
パターン１の径（０．３μｍ）より大きくすれば、必要
焦点深度（１．２μｍ）を確保することが可能となる。
その結果、通常の段差（０．６μｍ）を有していても、
焦点深度を確保することが可能な状態で重ね検査マーク
のパターンを形成でき、また、重ね合わせ検査マークの
形成誤差を、収差による位置ずれ量の相違が生じた場合
にも、許容形成誤差の範囲となる。
【００４０】また、複数のホール状のパターンの径の大
きさがそれぞれ異なる場合は、それぞれのホール状のパ
ターンのうち最も厳しい精度が要求されるホール状のパ
ターンに対して０．１μｍ以下の範囲で重ね合わせ検査
マークの幅を大きくすれば、他のホール状のパターンに
ついても、許容できる範囲の重ね合せ測定誤差となる、
重ね合わせ検査マークを形成することができる。
きさがそれぞれ異なる場合は、それぞれのホール状のパ
ターンのうち最も厳しい精度が要求されるホール状のパ
ターンに対して０．１μｍ以下の範囲で重ね合わせ検査
マークの幅を大きくすれば、他のホール状のパターンに
ついても、許容できる範囲の重ね合せ測定誤差となる、
重ね合わせ検査マークを形成することができる。
【００４１】なお、今回開示された実施の形態はすべて
の点で例示であって、制限的なものではないと考えられ
るべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。
の点で例示であって、制限的なものではないと考えられ
るべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。
【００４２】
【発明の効果】請求項１に記載の本発明の重ね合わせ検
査マークを備える半導体装置によれば、収差に起因す
る、本番パターンと重ね合わせ検査マークのパターンと
のパターン転写時の位置ずれ量の相違を所定の値以下に
抑制することができる。また、本番パターンと重ね合わ
せ検査マークのパターンとが段差を有して設けられる場
合にも焦点深度を確保することができる。
査マークを備える半導体装置によれば、収差に起因す
る、本番パターンと重ね合わせ検査マークのパターンと
のパターン転写時の位置ずれ量の相違を所定の値以下に
抑制することができる。また、本番パターンと重ね合わ
せ検査マークのパターンとが段差を有して設けられる場
合にも焦点深度を確保することができる。
【００４３】請求項２に記載の本発明の重ね合わせ検査
マークを備える半導体装置によれば、０．２μｍ〜１．
０μｍの幅のラインパターンに応じて形成される重ね合
わせ検査マークにおいて、収差による位置ずれ量の相違
を許容形成誤差（５ｎｍ）以下にすることができ、か
つ、本番パターンと重ね合わせ検査マークとに段差を有
して形成される場合にも、焦点深度（１．２μｍ）が十
分に確保される。
マークを備える半導体装置によれば、０．２μｍ〜１．
０μｍの幅のラインパターンに応じて形成される重ね合
わせ検査マークにおいて、収差による位置ずれ量の相違
を許容形成誤差（５ｎｍ）以下にすることができ、か
つ、本番パターンと重ね合わせ検査マークとに段差を有
して形成される場合にも、焦点深度（１．２μｍ）が十
分に確保される。
【００４４】請求項３に記載の本発明の重ね合わせ検査
マークを備える半導体装置によれば、０．３μｍ〜１．
０μｍの開口幅のホールパターンに応じて形成されるホ
ールパターンの重ね合わせ検査マークにおいて、収差に
よる位置ずれ量の相違を許容形成誤差（５ｎｍ）以下に
することができ、かつ、本番パターンと重ね合わせ検査
マークとが段差を有して形成される場合にも、焦点深度
（１．２μｍ）が十分に確保される。
マークを備える半導体装置によれば、０．３μｍ〜１．
０μｍの開口幅のホールパターンに応じて形成されるホ
ールパターンの重ね合わせ検査マークにおいて、収差に
よる位置ずれ量の相違を許容形成誤差（５ｎｍ）以下に
することができ、かつ、本番パターンと重ね合わせ検査
マークとが段差を有して形成される場合にも、焦点深度
（１．２μｍ）が十分に確保される。
【図１】 実施の形態１の、本番パターンと重ね合わせ
検査マークのパターンとを示す平面図である。
検査マークのパターンとを示す平面図である。
【図２】 実施の形態１の、本番パターンと重ね合わせ
検査マークのパターンとを示す断面図である。
検査マークのパターンとを示す断面図である。
【図３】 収差による位置ずれ量とラインサイズとの関
係を示すグラフを表す図である。
係を示すグラフを表す図である。
【図４】 焦点深度とラインサイズとの関係を示すグラ
フを表す図である。
フを表す図である。
【図５】 実施の形態１の他の例の、本番パターンと重
ね合わせ検査マークのパターンとを示す平面図である。
ね合わせ検査マークのパターンとを示す平面図である。
【図６】 実施の形態２の、本番パターンと重ね合わせ
検査マークのパターンとを示す平面図である。
検査マークのパターンとを示す平面図である。
【図７】 実施の形態２の、本番パターンと重ね合わせ
検査マークのパターンとを示す断面図である。
検査マークのパターンとを示す断面図である。
【図８】 収差による位置ずれ量の相違とホールサイズ
との関係を示すグラフを表す図である。
との関係を示すグラフを表す図である。
【図９】 焦点深度とホールサイズとの関係を示すグラ
フを表す図である。
フを表す図である。
【図１０】 従来の、本番パターンと重ね合わせ検査マ
ークのパターンとのライン幅が異なる場合を示す平面図
である。
ークのパターンとのライン幅が異なる場合を示す平面図
である。
【図１１】 従来の、本番パターンと重ね合わせ検査マ
ークのパターンとのライン幅が異なる場合を示す断面図
である。
ークのパターンとのライン幅が異なる場合を示す断面図
である。
【図１２】 従来の、本番パターンと重ね合わせ検査マ
ークのパターンとのライン幅が同一の場合を示す平面図
である。
ークのパターンとのライン幅が同一の場合を示す平面図
である。
【図１３】 従来の、本番パターンと重ね合わせ検査マ
ークのパターンとのライン幅が同一の場合を示す断面図
である。
ークのパターンとのライン幅が同一の場合を示す断面図
である。
【図１４】 従来の、本番パターンと重ね合わせ検査マ
ークのパターンとが、同一の幅で、形成された位置の高
さが異なる場合を示す平面図である。
ークのパターンとが、同一の幅で、形成された位置の高
さが異なる場合を示す平面図である。
【図１５】 従来の、本番パターンと重ね合わせ検査マ
ークのパターンとが、同一の幅で、形成された位置の高
さが異なる場合を示す断面図である。
ークのパターンとが、同一の幅で、形成された位置の高
さが異なる場合を示す断面図である。
１ ２層目の本番パターン、２ ２層目の重ね合わせ検
査マークのパターン、５ 半導体基板、５ａ １層目の
本番パターン、５ｂ １層目の重ね合わせ検査マークの
パターン、１０ 溝。
査マークのパターン、５ 半導体基板、５ａ １層目の
本番パターン、５ｂ １層目の重ね合わせ検査マークの
パターン、１０ 溝。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置のリソグラフィ工程におい
て、リソグラフィ工程間の重ね合わせの誤差を測定する
ための重ね合わせ検査マークを備える半導体装置であっ
て、 本番パターンと重ね合わせ検査マークのパターンとの同
方向の幅の差が、 パターン転写時の収差に起因する、前記本番パターンと
前記重ね合わせ検査マークのパターンとの位置ずれ量の
相違が許容される値以下になるように設定され、 前記重ね合わせ検査マークの前記本番パターンと同方向
の幅が、 前記本番パターンと前記重ね合わせ検査マークのパター
ンとの基板上の高低差を見込んだ焦点深度が確保される
ように、前記本番パターンの幅よりも所定の値以上大き
く設定された、重ね合わせ検査マークを備える半導体装
置。 - 【請求項２】 前記本番パターンが、０．２μｍ〜１．
０μｍの範囲の幅を有するライン状であり、 前記重ね合せ検査マークのパターンが、前記ライン状の
本番パターンの幅より０．０８５μｍ〜０．１μｍだけ
大きい幅を有するライン状である、請求項１に記載の重
ね合わせ検査マークを備える半導体装置。 - 【請求項３】 前記本番パターンが、０．３μｍ〜１．
０μｍの範囲の開口幅を有するホール状であり、 前記重ね合せ検査マークのパターンが、前記ホール状の
本番パターンの開口幅より０．１μｍ以下の範囲で大き
い開口幅を有するホール状である、請求項１に記載の重
ね合わせ検査マークを備える半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30539598A JP4132298B2 (ja) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 重ね合わせ検査マークを備える半導体装置 |
| US09/271,449 US6479904B1 (en) | 1998-10-27 | 1999-03-18 | Semiconductor device with registration accuracy measurement mark |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30539598A JP4132298B2 (ja) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 重ね合わせ検査マークを備える半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133575A true JP2000133575A (ja) | 2000-05-12 |
| JP2000133575A5 JP2000133575A5 (ja) | 2005-12-15 |
| JP4132298B2 JP4132298B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
ID=17944614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30539598A Expired - Fee Related JP4132298B2 (ja) | 1998-10-27 | 1998-10-27 | 重ね合わせ検査マークを備える半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6479904B1 (ja) |
| JP (1) | JP4132298B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101204918B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2012-11-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 소자의 오버레이 버니어 및 이를 이용한 반도체소자의 형성 방법 |
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|---|---|---|---|---|
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| US6803668B2 (en) * | 2002-11-22 | 2004-10-12 | International Business Machines Corporation | Process-robust alignment mark structure for semiconductor wafers |
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