JPS604219A - マスク検査方法 - Google Patents
マスク検査方法Info
- Publication number
- JPS604219A JPS604219A JP11313183A JP11313183A JPS604219A JP S604219 A JPS604219 A JP S604219A JP 11313183 A JP11313183 A JP 11313183A JP 11313183 A JP11313183 A JP 11313183A JP S604219 A JPS604219 A JP S604219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- inspected
- defect
- judging
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造１稈などで使われるマスク
の検査方法に関する。
の検査方法に関する。
マスクのピンホール、傷、汚れなどの欠陥全検査する方
法としては、コンビーータによる設計データとの比較、
隣接する２チツプの間の比較、等々の手法による自動検
査ｉ＠が広く用いられている。しかし、これらの従来の
検査方法では、半導体装置製造上、実質的に害のない欠
陥をもつマスクまでも全て不良と判定するので、歩留り
的に甚だ不経済であった。特に、近年の高密度、高集積
化の半導体装置の製造において、これに用いるマスクも
、細密高精度のものが必要となり、それに伴なって、マ
スク価格も上昇しているので、マスクの歩留り向上は、
製造コスト低減に大きく寄与できるものである。
法としては、コンビーータによる設計データとの比較、
隣接する２チツプの間の比較、等々の手法による自動検
査ｉ＠が広く用いられている。しかし、これらの従来の
検査方法では、半導体装置製造上、実質的に害のない欠
陥をもつマスクまでも全て不良と判定するので、歩留り
的に甚だ不経済であった。特に、近年の高密度、高集積
化の半導体装置の製造において、これに用いるマスクも
、細密高精度のものが必要となり、それに伴なって、マ
スク価格も上昇しているので、マスクの歩留り向上は、
製造コスト低減に大きく寄与できるものである。
本発明の目的は、半導体装置製造の上で、実質的に何ら
の影響なくして、検査歩留りだけが向上できるマスクの
検査方法を提供するにある。
の影響なくして、検査歩留りだけが向上できるマスクの
検査方法を提供するにある。
本発明方法は、被検査マスクの欠陥存在位置を検出し、
同一セット内の別工程で使用する他のマスクパターンと
前記被検査マスクの欠陥位置との間の位置関係を検査し
、前記被検査マスクの良否を判定するものである。
同一セット内の別工程で使用する他のマスクパターンと
前記被検査マスクの欠陥位置との間の位置関係を検査し
、前記被検査マスクの良否を判定するものである。
つぎに本発明方法を実施例により説明する。
第１図は本発明方法を実施するための検査装首のブロッ
ク図である。第１図において、被検査マスク１と、同一
セット内の別工程で用いる判定用マスク２け同−ＸＹス
テージ３に位置合セシテセットされる。
ク図である。第１図において、被検査マスク１と、同一
セット内の別工程で用いる判定用マスク２け同−ＸＹス
テージ３に位置合セシテセットされる。
被検査マスク１は光源４で照明され光学系５全通して、
設計データ６と比較判定回路装置７で検査される。次に
、検査終了後の判定の際は、検出した欠陥をモニタ１ｏ
に映し出すと同時に、判定用マスク３の同一箇所が光源
８．光学系９全通して、モニタ１０に重ね合せて映し出
される。
設計データ６と比較判定回路装置７で検査される。次に
、検査終了後の判定の際は、検出した欠陥をモニタ１ｏ
に映し出すと同時に、判定用マスク３の同一箇所が光源
８．光学系９全通して、モニタ１０に重ね合せて映し出
される。
第２図はその時のモニタ１ｏ上の映像の一例を示したも
のである。図において、１１は被検査マスクのパターン
、１２は判定用マスクのパターンである。また、１３．
１４が前述の検査で検出された欠陥であるみここで、被
検査マスク１に存在する欠陥が、判定用マスク？のパタ
ーン内部にある場合は、この欠陥は、被試験用マスクお
よび判定用マスクを用いる半導体装置製造の上で、実質
的には害にならないということがあらかじめ判っている
ので、若し、欠陥１３のみであるならば、被検査マスク
１け不良とせずに良品と判定する。
のである。図において、１１は被検査マスクのパターン
、１２は判定用マスクのパターンである。また、１３．
１４が前述の検査で検出された欠陥であるみここで、被
検査マスク１に存在する欠陥が、判定用マスク？のパタ
ーン内部にある場合は、この欠陥は、被試験用マスクお
よび判定用マスクを用いる半導体装置製造の上で、実質
的には害にならないということがあらかじめ判っている
ので、若し、欠陥１３のみであるならば、被検査マスク
１け不良とせずに良品と判定する。
この判定に使用する判定用マスクは、該半導体装置製造
における数段階のマスクエ稈の相互関係から容易に選定
される。
における数段階のマスクエ稈の相互関係から容易に選定
される。
このように、被検査マスク１け、例えば欠陥１３のみで
あったとしても、従来であれば当然不良と判定されるの
に対し、本発明方法によれば、例え欠陥１３があったと
しても、欠陥１４がなければ、実質的には半導体装置製
造上影響ないものとして良品と判定され、それだけ検査
歩留りが上り、マスク費用の軽減が得られる。
あったとしても、従来であれば当然不良と判定されるの
に対し、本発明方法によれば、例え欠陥１３があったと
しても、欠陥１４がなければ、実質的には半導体装置製
造上影響ないものとして良品と判定され、それだけ検査
歩留りが上り、マスク費用の軽減が得られる。
なお、上側は、欠陥の検出に設計データとの比較検査に
ついて説明したが、隣接する２チツプを比較する検査で
も全く同様に適用できるのはいうまでもない。
ついて説明したが、隣接する２チツプを比較する検査で
も全く同様に適用できるのはいうまでもない。
第１図は本発明の一実施例の検査方法を説明するための
検査装置のブロック図、第２図は第１図のモニタ上の映
像を示す図である。 １・・・・・・被検査マスク、２・・・・・・判定用マ
スク、３・・・°°・ＸＹステージ、４．８・・・・・
・光源、５，９・・・・・・光学系、６・・・・・・設
計データ、７・・・・・・比較回路装置、１０・・・・
・・モニタ、１１・・・・・・被検査マスクのパターン
、１２・・・・・・判定用マスクのパターン、１３．１
４・・・・・・マスクの欠陥。 厘ｔ １ ・ 代理人 弁理士 内 原 、 日。
検査装置のブロック図、第２図は第１図のモニタ上の映
像を示す図である。 １・・・・・・被検査マスク、２・・・・・・判定用マ
スク、３・・・°°・ＸＹステージ、４．８・・・・・
・光源、５，９・・・・・・光学系、６・・・・・・設
計データ、７・・・・・・比較回路装置、１０・・・・
・・モニタ、１１・・・・・・被検査マスクのパターン
、１２・・・・・・判定用マスクのパターン、１３．１
４・・・・・・マスクの欠陥。 厘ｔ １ ・ 代理人 弁理士 内 原 、 日。
Claims (1)
- 被検査マスク上の欠陥存在位置を検出し、同一セット内
の別工程で使用する他のマスクパターンと前記被検査マ
スクの欠陥位置との間の位置関係を検査し、前記被検査
マスクの良否を判定することを特徴とするマスク検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11313183A JPS604219A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11313183A JPS604219A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604219A true JPS604219A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14604327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11313183A Pending JPS604219A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | マスク検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604219A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008180667A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 金属箔張り積層板の外観検査方法及び外観検査装置 |
| KR200487097Y1 (ko) | 2017-06-14 | 2018-08-03 | 주식회사 승신 | 소방차용 조명기구의 회전장치 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP11313183A patent/JPS604219A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008180667A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 金属箔張り積層板の外観検査方法及び外観検査装置 |
| KR200487097Y1 (ko) | 2017-06-14 | 2018-08-03 | 주식회사 승신 | 소방차용 조명기구의 회전장치 |
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