JPH06232229A - 欠陥検査方法及びその装置 - Google Patents
欠陥検査方法及びその装置Info
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- JPH06232229A JPH06232229A JP1720793A JP1720793A JPH06232229A JP H06232229 A JPH06232229 A JP H06232229A JP 1720793 A JP1720793 A JP 1720793A JP 1720793 A JP1720793 A JP 1720793A JP H06232229 A JPH06232229 A JP H06232229A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクレチクル等の欠陥検査方法に関し、自
動的にマスクレチクル等の欠陥を検出し、その欠陥が集
積回路の特性上支障となる欠陥か否かを判定して、人手
による顕微鏡検査の負担を軽減する。 【構成】 マスクレチクル等の基板上の回路パターンを
他の回路パターンまたは設計データと比較して欠陥を検
出し、下記のように欠陥の周囲の回路パターンを参照し
て、この欠陥の集積回路の特性に与える支障の有無を判
定する。ａ検査対象と比較対象の回路パターンの画像デ
ータ上に欠陥を中心として大きい第１のサイズの枠を設
定し、一方の枠内が真白または真黒であれば孤立欠陥と
判定する。ｂこの条件が成立しないとき、枠を第２のサ
イズまで小さくし、枠の一辺が真白（黒）から真黒
（白）に変化すれば微細パターン近傍の欠陥と判定す
る。ｃ枠を第２のサイズまで小さくしたとき、枠の一辺
が、真白または真黒から、白黒混在に変化すれば微細パ
ターン近傍の欠陥と判定する。
動的にマスクレチクル等の欠陥を検出し、その欠陥が集
積回路の特性上支障となる欠陥か否かを判定して、人手
による顕微鏡検査の負担を軽減する。 【構成】 マスクレチクル等の基板上の回路パターンを
他の回路パターンまたは設計データと比較して欠陥を検
出し、下記のように欠陥の周囲の回路パターンを参照し
て、この欠陥の集積回路の特性に与える支障の有無を判
定する。ａ検査対象と比較対象の回路パターンの画像デ
ータ上に欠陥を中心として大きい第１のサイズの枠を設
定し、一方の枠内が真白または真黒であれば孤立欠陥と
判定する。ｂこの条件が成立しないとき、枠を第２のサ
イズまで小さくし、枠の一辺が真白（黒）から真黒
（白）に変化すれば微細パターン近傍の欠陥と判定す
る。ｃ枠を第２のサイズまで小さくしたとき、枠の一辺
が、真白または真黒から、白黒混在に変化すれば微細パ
ターン近傍の欠陥と判定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路装置を製造す
る工程において、フォトプロセスに用いるマスクレチク
ル等の欠陥検査方法及びその装置に関する。近年、集積
回路が大規模化、高集積化されるにともない、マスクレ
チクルの高品質化と短納期化が要求されている。そのた
めには、マスクレチクル検査の信頼性の向上と、検査に
要する時間の短縮を図ることが必要になった。
る工程において、フォトプロセスに用いるマスクレチク
ル等の欠陥検査方法及びその装置に関する。近年、集積
回路が大規模化、高集積化されるにともない、マスクレ
チクルの高品質化と短納期化が要求されている。そのた
めには、マスクレチクル検査の信頼性の向上と、検査に
要する時間の短縮を図ることが必要になった。
【０００２】
【従来の技術】従来のマスクレチクルの欠陥検査装置で
は、微細な回路パターンの近傍に生じると集積回路の特
性に支障を生じる微小な欠陥でも検出することができる
欠陥検出感度でマスクレチクル全面を検査し、検出され
た欠陥はそれがどの位置であってもすべて欠陥としてメ
モリに記憶されていた。
は、微細な回路パターンの近傍に生じると集積回路の特
性に支障を生じる微小な欠陥でも検出することができる
欠陥検出感度でマスクレチクル全面を検査し、検出され
た欠陥はそれがどの位置であってもすべて欠陥としてメ
モリに記憶されていた。
【０００３】そして、欠陥を有するものとして記憶され
たマスクレチクルは後に抽出され、メモリに記憶されて
いる欠陥の態様と、その周囲の回路パターンを顕微鏡に
よって観察して、この欠陥が集積回路の特性に支障を生
じるか否かを判定し、集積回路の特性に支障を生じない
欠陥を有するマスクレチクルはそのまま良品とし、補修
できるパターンの欠損をリフトオフ、ＦＩＢ等によって
補充し、補修できるパターンの橋絡をＦＩＢ等によって
除去して良品とし、補修不可能な欠陥を有するマスクレ
チクルは不合格品としていた。
たマスクレチクルは後に抽出され、メモリに記憶されて
いる欠陥の態様と、その周囲の回路パターンを顕微鏡に
よって観察して、この欠陥が集積回路の特性に支障を生
じるか否かを判定し、集積回路の特性に支障を生じない
欠陥を有するマスクレチクルはそのまま良品とし、補修
できるパターンの欠損をリフトオフ、ＦＩＢ等によって
補充し、補修できるパターンの橋絡をＦＩＢ等によって
除去して良品とし、補修不可能な欠陥を有するマスクレ
チクルは不合格品としていた。
【０００４】図６は、マスクレチクルの自動検査装置の
概略説明図である。この図において、１は光源、２はマ
スクレチクル基板、２1 ，２2 は回路パターン、３1 ，
３2 はレンズ系、４1 ，４2 は受光素子、５は信号処理
回路、６は画像メモリ、７は欠陥検出回路、８は欠陥判
定回路、９は欠陥メモリである。
概略説明図である。この図において、１は光源、２はマ
スクレチクル基板、２1 ，２2 は回路パターン、３1 ，
３2 はレンズ系、４1 ，４2 は受光素子、５は信号処理
回路、６は画像メモリ、７は欠陥検出回路、８は欠陥判
定回路、９は欠陥メモリである。
【０００５】この図によってマスクレチクルの自動検査
装置の概略を説明する。同じ回路パターン２1 ，２2 が
連続的に形成されているマスクレチクル基板２の下に光
源１を配置し、光源１から放出される光が回路パターン
２1 ，２2 の回路パターンの同一部分を透過する光をレ
ンズ系３1 ，３2 によって集光して光像とし、この光像
の明暗を受光素子４1 ，４2 によって電気信号に変換
し、信号処理回路５によって位置ずれ調整等の信号処理
をして画像メモリ６に蓄積し、この画像メモリ６の情報
から欠陥検出回路７によって所定の大きさを超える微細
な欠陥を検出し、従来の検査方法では欠陥をもつマスク
レチクルは全て欠陥メモリ９に記憶させていた。そし
て、前記のように、欠陥をもつマスクレチクルは全て人
手による顕微鏡検査に付されていた。
装置の概略を説明する。同じ回路パターン２1 ，２2 が
連続的に形成されているマスクレチクル基板２の下に光
源１を配置し、光源１から放出される光が回路パターン
２1 ，２2 の回路パターンの同一部分を透過する光をレ
ンズ系３1 ，３2 によって集光して光像とし、この光像
の明暗を受光素子４1 ，４2 によって電気信号に変換
し、信号処理回路５によって位置ずれ調整等の信号処理
をして画像メモリ６に蓄積し、この画像メモリ６の情報
から欠陥検出回路７によって所定の大きさを超える微細
な欠陥を検出し、従来の検査方法では欠陥をもつマスク
レチクルは全て欠陥メモリ９に記憶させていた。そし
て、前記のように、欠陥をもつマスクレチクルは全て人
手による顕微鏡検査に付されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】集積回路装置の製造に
用いるマスクチクルの場合、同じ大きさの欠陥、例えば
５倍レチクル上で１μｍ以下の欠陥であっても、欠陥が
ある場所によって、ステッパーで露光するときに、欠陥
のある位置とステッパーの解像度によって、集積回路装
置の回路に影響を生じて特性に致命的な欠陥を生じる場
合と、欠陥が特性上問題にならない場合がある。
用いるマスクチクルの場合、同じ大きさの欠陥、例えば
５倍レチクル上で１μｍ以下の欠陥であっても、欠陥が
ある場所によって、ステッパーで露光するときに、欠陥
のある位置とステッパーの解像度によって、集積回路装
置の回路に影響を生じて特性に致命的な欠陥を生じる場
合と、欠陥が特性上問題にならない場合がある。
【０００７】さらに具体的にいえば、ある程度の大きさ
の欠陥であっても、それが大きな回路パターンの中に存
在する孤立欠陥である場合は、集積回路装置の特性上問
題とならないが、微細な回路パターン中に存在する欠陥
は、それが１μｍ以下の寸法の微細な欠陥であっても、
そのマスクレチクルを用いて露光する場合にパターン異
常を発生する。
の欠陥であっても、それが大きな回路パターンの中に存
在する孤立欠陥である場合は、集積回路装置の特性上問
題とならないが、微細な回路パターン中に存在する欠陥
は、それが１μｍ以下の寸法の微細な欠陥であっても、
そのマスクレチクルを用いて露光する場合にパターン異
常を発生する。
【０００８】従来のマスクレチクルの検査方法において
は、マスクレチクルの全面にわたって、マスクレチクル
上で最も微細な回路パターンの部分で問題となる大きさ
の欠陥を検出する感度で欠陥を検出しているため、欠陥
の検出数が実際に支障を生じる欠陥の数に比べて著しく
多くなるという問題がある。そして、欠陥が検出された
全てのマスクレチクルについて、実際に支障を生じる欠
陥であるか否かを人手によって顕微鏡を通して確認して
いるため、検査に時間がかかり、作業ミスの原因にもな
っていた。
は、マスクレチクルの全面にわたって、マスクレチクル
上で最も微細な回路パターンの部分で問題となる大きさ
の欠陥を検出する感度で欠陥を検出しているため、欠陥
の検出数が実際に支障を生じる欠陥の数に比べて著しく
多くなるという問題がある。そして、欠陥が検出された
全てのマスクレチクルについて、実際に支障を生じる欠
陥であるか否かを人手によって顕微鏡を通して確認して
いるため、検査に時間がかかり、作業ミスの原因にもな
っていた。
【０００９】本発明は、図６のマスクレチクルの検査過
程において、欠陥検出回路７の次に、欠陥判定回路８を
付加することによって、マスクレチクルの実際に支障と
なる欠陥だけを迅速に自動的に検査する手段を提供する
ことを目的とする。なお、本発明は、集積回路の製造に
用いるマスクレチクルの回路パターンの検査だけでな
く、印刷配線基板上の回路パターン等一般的に回路パタ
ーンの検査にも適用することができる。
程において、欠陥検出回路７の次に、欠陥判定回路８を
付加することによって、マスクレチクルの実際に支障と
なる欠陥だけを迅速に自動的に検査する手段を提供する
ことを目的とする。なお、本発明は、集積回路の製造に
用いるマスクレチクルの回路パターンの検査だけでな
く、印刷配線基板上の回路パターン等一般的に回路パタ
ーンの検査にも適用することができる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる欠陥検査
方法及びその装置においては、基板上の回路パターンを
他の回路パターンと比較することによって欠陥を検出
し、該欠陥の周囲の回路パターンを参照することによっ
て該欠陥の回路の特性に与える支障の有無を判定する。
方法及びその装置においては、基板上の回路パターンを
他の回路パターンと比較することによって欠陥を検出
し、該欠陥の周囲の回路パターンを参照することによっ
て該欠陥の回路の特性に与える支障の有無を判定する。
【００１１】この場合、基板上の回路パターンを比較す
る他の回路パターンとして、該基板上に形成されている
同種の回路パターン、または、該基板とは別の基板上に
形成されている標準回路パターンを用いることができ、
また、基板上の回路パターンを比較する他の回路パター
ンとして、回路パターンの設計データ自体を用いること
ができる。
る他の回路パターンとして、該基板上に形成されている
同種の回路パターン、または、該基板とは別の基板上に
形成されている標準回路パターンを用いることができ、
また、基板上の回路パターンを比較する他の回路パター
ンとして、回路パターンの設計データ自体を用いること
ができる。
【００１２】また、この場合、検査対象であるマスクレ
チクル基板上の回路パターンと、これと比較する他の回
路パターンの画像データ上に、両回路パターンが一致し
ない部分として検出された欠陥を中心として第１のサイ
ズの枠を設定し、該枠の内側の画像データの一方が真白
または真黒であるか否かにより、該欠陥が孤立欠陥であ
るか、回路パターンのエッジ部あるいはエッジ近傍の欠
陥であるかを判定することができる。
チクル基板上の回路パターンと、これと比較する他の回
路パターンの画像データ上に、両回路パターンが一致し
ない部分として検出された欠陥を中心として第１のサイ
ズの枠を設定し、該枠の内側の画像データの一方が真白
または真黒であるか否かにより、該欠陥が孤立欠陥であ
るか、回路パターンのエッジ部あるいはエッジ近傍の欠
陥であるかを判定することができる。
【００１３】また、この場合、検出された欠陥を中心と
する第１のサイズの枠の内側が回路パターンの一部が存
在するため真白または真黒にならず、枠を第２のサイズ
まで小さくした結果、枠の一辺が真白から真黒に、また
は、真黒から真白に変化するとき、該欠陥が微細な回路
パターン部の欠陥であると判定することができる。
する第１のサイズの枠の内側が回路パターンの一部が存
在するため真白または真黒にならず、枠を第２のサイズ
まで小さくした結果、枠の一辺が真白から真黒に、また
は、真黒から真白に変化するとき、該欠陥が微細な回路
パターン部の欠陥であると判定することができる。
【００１４】また、この場合、検出された欠陥を中心と
する第１のサイズの枠の内側が回路パターンの一部が存
在するため真白または真黒にならず、枠を第２のサイズ
まで小さくした結果、第１のサイズの枠の一辺が真白、
または、真黒であり、第２のサイズの枠の一辺に白と黒
が混在するとき、該欠陥が微細な回路パターン部の欠陥
であると判定することができる。
する第１のサイズの枠の内側が回路パターンの一部が存
在するため真白または真黒にならず、枠を第２のサイズ
まで小さくした結果、第１のサイズの枠の一辺が真白、
または、真黒であり、第２のサイズの枠の一辺に白と黒
が混在するとき、該欠陥が微細な回路パターン部の欠陥
であると判定することができる。
【００１５】また、この場合、検出された欠陥が微小な
孤立欠陥であるか、微細な回路パターン部の欠陥である
かを判定し、微小な孤立欠陥であれば欠陥として記憶さ
せず、微細な回路パターン部においては微細な欠陥でも
欠陥として記憶させることができる。
孤立欠陥であるか、微細な回路パターン部の欠陥である
かを判定し、微小な孤立欠陥であれば欠陥として記憶さ
せず、微細な回路パターン部においては微細な欠陥でも
欠陥として記憶させることができる。
【００１６】
【作用】図１は、本発明のマスクレチクル等の欠陥検査
方法の流れ図である。図２は、本発明の孤立欠陥の判定
方法説明図であり、（Ａ）は検査対象、（Ｂ）は比較対
象を示している。図３は、微細パターン部の欠陥の判定
方法説明図（１）であり、（Ａ），（Ａ 1 ）は検査対
象、（Ｂ），（Ｂ1 ）は比較対象を示している。図４
は、微細パターン部の欠陥の判定方法説明図（２）であ
り、（Ａ），（Ａ 1 ）は検査対象、（Ｂ），（Ｂ1 ）は
比較対象を示している。図５は、微細パターン部以外の
パターン近傍の欠陥の判定方法説明図であり、（Ａ），
（Ａ1 ）は検査対象、（Ｂ），（Ｂ1 ）は比較対象を示
している。これらの図によって本発明をマスクレチクル
の欠陥検査方法に適用した場合を説明する。
方法の流れ図である。図２は、本発明の孤立欠陥の判定
方法説明図であり、（Ａ）は検査対象、（Ｂ）は比較対
象を示している。図３は、微細パターン部の欠陥の判定
方法説明図（１）であり、（Ａ），（Ａ 1 ）は検査対
象、（Ｂ），（Ｂ1 ）は比較対象を示している。図４
は、微細パターン部の欠陥の判定方法説明図（２）であ
り、（Ａ），（Ａ 1 ）は検査対象、（Ｂ），（Ｂ1 ）は
比較対象を示している。図５は、微細パターン部以外の
パターン近傍の欠陥の判定方法説明図であり、（Ａ），
（Ａ1 ）は検査対象、（Ｂ），（Ｂ1 ）は比較対象を示
している。これらの図によって本発明をマスクレチクル
の欠陥検査方法に適用した場合を説明する。
【００１７】ａ 比較するマスクレチクルの回路パター
ンあるいは設計データと、検査対象であるマスクレチク
ルの回路パターンを比較して、両回路パターンの不一致
点（差）によって欠陥Ｄを検出する。その欠陥Ｄを中心
とする、検査対象であるマスクレチクルの回路パターン
と比較対象であるマスクレチクルの回路パターンの画像
データを取り出す。
ンあるいは設計データと、検査対象であるマスクレチク
ルの回路パターンを比較して、両回路パターンの不一致
点（差）によって欠陥Ｄを検出する。その欠陥Ｄを中心
とする、検査対象であるマスクレチクルの回路パターン
と比較対象であるマスクレチクルの回路パターンの画像
データを取り出す。
【００１８】ｂ 検査対象であるマスクレチクルの回路
パターンと比較対象であるマスクレチクルの回路パター
ンの画像データに、検出された欠陥Ｄを中心にして設計
ルールによって決まる大きい第１のサイズの枠を発生さ
せる。そして、図２に示されているように、欠陥Ｄが黒
で、比較対象である回路パターンの画像データの枠の内
部が真白である場合と、欠陥Ｄが白で、比較対象である
回路パターンの枠の内部が真黒である場合は、この第１
の枠の中に回路パターンが存在しないから、この欠陥Ｄ
を孤立欠陥であると判定する。
パターンと比較対象であるマスクレチクルの回路パター
ンの画像データに、検出された欠陥Ｄを中心にして設計
ルールによって決まる大きい第１のサイズの枠を発生さ
せる。そして、図２に示されているように、欠陥Ｄが黒
で、比較対象である回路パターンの画像データの枠の内
部が真白である場合と、欠陥Ｄが白で、比較対象である
回路パターンの枠の内部が真黒である場合は、この第１
の枠の中に回路パターンが存在しないから、この欠陥Ｄ
を孤立欠陥であると判定する。
【００１９】この場合は、欠陥Ｄがある限度で微細（例
えば１μｍ以下）であれば露光時にフォトレジスト膜に
転写されず集積回路装置の特性に支障を生じないから、
孤立欠陥が検出されても欠陥メモリ９（図６参照）に記
憶させない。欠陥Ｄがある限度より大きい場合は、孤立
欠陥であっても露光時にフォトレジスト膜に転写され集
積回路装置の特性に支障を生じるから欠陥メモリ９（図
６参照）に記憶させる。
えば１μｍ以下）であれば露光時にフォトレジスト膜に
転写されず集積回路装置の特性に支障を生じないから、
孤立欠陥が検出されても欠陥メモリ９（図６参照）に記
憶させない。欠陥Ｄがある限度より大きい場合は、孤立
欠陥であっても露光時にフォトレジスト膜に転写され集
積回路装置の特性に支障を生じるから欠陥メモリ９（図
６参照）に記憶させる。
【００２０】ｃ この比較対象である回路パターンの第
１のサイズの枠の内部が真白か真黒でない場合は、回路
パターンがこの枠内に存在することになるから、この欠
陥Ｄは孤立欠陥でないと判定して、枠を第２のサイズま
で小さくする。
１のサイズの枠の内部が真白か真黒でない場合は、回路
パターンがこの枠内に存在することになるから、この欠
陥Ｄは孤立欠陥でないと判定して、枠を第２のサイズま
で小さくする。
【００２１】ｄ 大きい第１のサイズの枠から小さい第
２のサイズの枠に小さくするとき、欠陥Ｄの近傍の回路
パターンによって、図３に示されているように、欠陥Ｄ
が黒で、枠の一辺が、真白から真黒に、または、欠陥Ｄ
が白で、枠の一辺が、真黒から真白に変化した場合は、
近傍に存在する回路パターンの影響であるから微細な回
路パターン部近傍の欠陥であると判定する。この場合
は、ある限度以上の微細な欠陥Ｄは集積回路装置の特性
に支障を生じる恐れがあるから欠陥メモリ９（図６参
照）に欠陥ありとして記憶させる。
２のサイズの枠に小さくするとき、欠陥Ｄの近傍の回路
パターンによって、図３に示されているように、欠陥Ｄ
が黒で、枠の一辺が、真白から真黒に、または、欠陥Ｄ
が白で、枠の一辺が、真黒から真白に変化した場合は、
近傍に存在する回路パターンの影響であるから微細な回
路パターン部近傍の欠陥であると判定する。この場合
は、ある限度以上の微細な欠陥Ｄは集積回路装置の特性
に支障を生じる恐れがあるから欠陥メモリ９（図６参
照）に欠陥ありとして記憶させる。
【００２２】ｅ 大きい第１のサイズの枠から小さい第
２のサイズの枠に小さくするとき、欠陥Ｄの近傍の回路
パターンによって、図４に示されるように、大きい第１
のサイズの枠の一辺が真黒か真白であり、小さい第２の
サイズの枠の一辺が白黒混在する場合は、微細な回路パ
ターン部の欠陥であると判定する。この場合は、ある限
度以上の微細な欠陥は集積回路装置の特性に支障を生じ
る恐れがあるから欠陥メモリ９（図６参照）に欠陥あり
として記憶させる。
２のサイズの枠に小さくするとき、欠陥Ｄの近傍の回路
パターンによって、図４に示されるように、大きい第１
のサイズの枠の一辺が真黒か真白であり、小さい第２の
サイズの枠の一辺が白黒混在する場合は、微細な回路パ
ターン部の欠陥であると判定する。この場合は、ある限
度以上の微細な欠陥は集積回路装置の特性に支障を生じ
る恐れがあるから欠陥メモリ９（図６参照）に欠陥あり
として記憶させる。
【００２３】これとは逆に、大きい第１のサイズの枠か
ら小さい第２のサイズの枠に小さくするとき、欠陥Ｄの
近傍の回路パターンによって、図５に示されるように、
枠の一辺が、真白から真黒に、または、真黒から真白に
変化しなかった場合で、大きい枠の一辺が真黒か真白で
なく、小さい枠の一辺が真黒か真白である場合は、検出
された欠陥を、微細な回路パターン部以外の回路パター
ン近傍の欠陥でないと判定する。この場合は、欠陥が集
積回路装置の特性に支障を生じないから欠陥メモリ９
（図６参照）に記憶させない。
ら小さい第２のサイズの枠に小さくするとき、欠陥Ｄの
近傍の回路パターンによって、図５に示されるように、
枠の一辺が、真白から真黒に、または、真黒から真白に
変化しなかった場合で、大きい枠の一辺が真黒か真白で
なく、小さい枠の一辺が真黒か真白である場合は、検出
された欠陥を、微細な回路パターン部以外の回路パター
ン近傍の欠陥でないと判定する。この場合は、欠陥が集
積回路装置の特性に支障を生じないから欠陥メモリ９
（図６参照）に記憶させない。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を先に本発明の作用を
説明する際に説明した図１、図２、図３、図４、図５、
図６を参照して説明する。 第１過程（図６参照） 検査対象である回路パターン２1 と比較対象である回路
パターン２2 が形成されたマスクレチクル基板２の下に
光源１を配置し、光源１から放出される光が回路パター
ン２1 を透過する光をレンズ系３1 によって集光し、受
光素子４1 によって電気信号に変換し、信号処理回路５
によって検査対象の画像データにして画像メモリ６にビ
ットマップとして記憶させる。また、光源１から放出さ
れる光が比較対象である回路パターン２2 を透過する光
をレンズ系３2 によって集光し、受光素子４2 によって
電気信号に変換し、信号処理回路５によって比較対象の
画像データにして画像メモリ６にビットマップとして記
憶させる。
説明する際に説明した図１、図２、図３、図４、図５、
図６を参照して説明する。 第１過程（図６参照） 検査対象である回路パターン２1 と比較対象である回路
パターン２2 が形成されたマスクレチクル基板２の下に
光源１を配置し、光源１から放出される光が回路パター
ン２1 を透過する光をレンズ系３1 によって集光し、受
光素子４1 によって電気信号に変換し、信号処理回路５
によって検査対象の画像データにして画像メモリ６にビ
ットマップとして記憶させる。また、光源１から放出さ
れる光が比較対象である回路パターン２2 を透過する光
をレンズ系３2 によって集光し、受光素子４2 によって
電気信号に変換し、信号処理回路５によって比較対象の
画像データにして画像メモリ６にビットマップとして記
憶させる。
【００２５】第２過程（図６参照） 画像メモリ６に蓄積されている検査対象の画像データと
比較対象の画像データを欠陥検出回路７によって比較す
ることによって、所定の大きさを超える欠陥Ｄを検出す
る。比較対象が同じマスクレチクル基板２に形成されて
いる他の回路パターンである場合は、回路パターンが一
致しない部分を取敢えず欠陥とする。比較対象が標準回
路パターンあるいは設計データである場合は、標準回路
パターンに一致しない検査対象のパターンの部分が欠陥
である。
比較対象の画像データを欠陥検出回路７によって比較す
ることによって、所定の大きさを超える欠陥Ｄを検出す
る。比較対象が同じマスクレチクル基板２に形成されて
いる他の回路パターンである場合は、回路パターンが一
致しない部分を取敢えず欠陥とする。比較対象が標準回
路パターンあるいは設計データである場合は、標準回路
パターンに一致しない検査対象のパターンの部分が欠陥
である。
【００２６】第３過程（図１、図２、図６参照） 第２過程において検出した欠陥Ｄを中心とする、検査対
象の回路パターンと、比較対象の回路パターンの画像デ
ータを抽出し、検査対象の回路パターンと比較対象の回
路パターンの画像に、欠陥Ｄを中心として、設計ルール
によって決まる、第１のサイズ、例えば一辺８μｍの大
きい枠を発生させ、図２に示されているように、欠陥が
黒で、比較対象の回路パターンの枠の内部が真白である
場合と、欠陥Ｄが白で、比較対象の回路パターンの枠の
内部が真黒である場合は、この欠陥Ｄは回路パターンの
エッジから離れているとみることができるから、孤立欠
陥であると判定する。
象の回路パターンと、比較対象の回路パターンの画像デ
ータを抽出し、検査対象の回路パターンと比較対象の回
路パターンの画像に、欠陥Ｄを中心として、設計ルール
によって決まる、第１のサイズ、例えば一辺８μｍの大
きい枠を発生させ、図２に示されているように、欠陥が
黒で、比較対象の回路パターンの枠の内部が真白である
場合と、欠陥Ｄが白で、比較対象の回路パターンの枠の
内部が真黒である場合は、この欠陥Ｄは回路パターンの
エッジから離れているとみることができるから、孤立欠
陥であると判定する。
【００２７】孤立欠陥であれば、欠陥がある限度で微細
（例えば１μｍ以下）であれば集積回路装置の特性に支
障を生じないから、欠陥Ｄが検出されても欠陥メモリ９
（図６参照）に蓄積せず、ステッパーの解像度等によっ
て影響を受けるある限度より大きい場合は、孤立欠陥で
あっても集積回路装置の特性に支障を生じる恐れがある
ため欠陥ありとして欠陥メモリ９（図６参照）に記憶さ
せる。
（例えば１μｍ以下）であれば集積回路装置の特性に支
障を生じないから、欠陥Ｄが検出されても欠陥メモリ９
（図６参照）に蓄積せず、ステッパーの解像度等によっ
て影響を受けるある限度より大きい場合は、孤立欠陥で
あっても集積回路装置の特性に支障を生じる恐れがある
ため欠陥ありとして欠陥メモリ９（図６参照）に記憶さ
せる。
【００２８】第４過程（図１、図３、図６参照） この第１のサイズの枠の内部が真白か真黒でない場合は
孤立欠陥でなく、回路パターン近傍の欠陥であると判定
して、欠陥Ｄを中心にしたままで例えば一辺８μｍの第
１のサイズの枠を例えば一辺２μｍの第２のサイズの小
さい枠に小さくする。なお、この枠の大きさは設計ルー
ルによって適宜変更することができる。
孤立欠陥でなく、回路パターン近傍の欠陥であると判定
して、欠陥Ｄを中心にしたままで例えば一辺８μｍの第
１のサイズの枠を例えば一辺２μｍの第２のサイズの小
さい枠に小さくする。なお、この枠の大きさは設計ルー
ルによって適宜変更することができる。
【００２９】第５過程（図１、図３、図６参照） 大きい第１のサイズの枠から小さい第２のサイズの枠に
縮小したとき、欠陥Ｄの近傍の回路パターンによって、
図３に示されているように、欠陥Ｄが黒で、枠の一辺
が、真白から真黒に、または、欠陥Ｄが白で、枠の一辺
が、真黒から真白に変化した場合は、微細な回路パター
ン部の欠陥であると判定する。この場合は、欠陥Ｄが集
積回路装置の特性に支障を生じる恐れがあるから欠陥メ
モリ９（図６参照）に欠陥ありとして記憶させる。
縮小したとき、欠陥Ｄの近傍の回路パターンによって、
図３に示されているように、欠陥Ｄが黒で、枠の一辺
が、真白から真黒に、または、欠陥Ｄが白で、枠の一辺
が、真黒から真白に変化した場合は、微細な回路パター
ン部の欠陥であると判定する。この場合は、欠陥Ｄが集
積回路装置の特性に支障を生じる恐れがあるから欠陥メ
モリ９（図６参照）に欠陥ありとして記憶させる。
【００３０】第６過程（図１、図４、図５、図６参照） 大きい第１のサイズの枠から小さい第２のサイズの枠に
縮小するとき、枠の一辺が、真白から真黒に、または、
真黒から真白に変化しなかった場合で、図４に示される
ように、大きい第１のサイズの枠の一辺が真黒か真白で
あり、小さい第２のサイズの枠の一辺が白黒混在する場
合は、微細な回路パターン部の欠陥であると判定する。
この場合は、欠陥Ｄが集積回路装置の特性に支障を生じ
る恐れがあるから欠陥メモリ９（図６参照）に欠陥あり
として記憶させる。
縮小するとき、枠の一辺が、真白から真黒に、または、
真黒から真白に変化しなかった場合で、図４に示される
ように、大きい第１のサイズの枠の一辺が真黒か真白で
あり、小さい第２のサイズの枠の一辺が白黒混在する場
合は、微細な回路パターン部の欠陥であると判定する。
この場合は、欠陥Ｄが集積回路装置の特性に支障を生じ
る恐れがあるから欠陥メモリ９（図６参照）に欠陥あり
として記憶させる。
【００３１】一方、大きい第１のサイズの枠から小さい
第２のサイズの枠に縮小するとき枠の一辺が、真白から
真黒に、または、真黒から真白に変化しなかった場合
で、大きい枠の一辺が真黒か真白でなく、小さい枠の一
辺が真黒か真白である場合は、微細な回路パターン部以
外の回路パターン近傍の欠陥であると判定する。この場
合は、欠陥が集積回路装置の特性に支障を生じないから
欠陥メモリ９（図６参照）に記憶させない。
第２のサイズの枠に縮小するとき枠の一辺が、真白から
真黒に、または、真黒から真白に変化しなかった場合
で、大きい枠の一辺が真黒か真白でなく、小さい枠の一
辺が真黒か真白である場合は、微細な回路パターン部以
外の回路パターン近傍の欠陥であると判定する。この場
合は、欠陥が集積回路装置の特性に支障を生じないから
欠陥メモリ９（図６参照）に記憶させない。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
マスクレチクルの欠陥のうち、集積回路装置の製造工程
で使用する場合に実際に支障を生じる欠陥だけを検査装
置が自動に判別するため、人手によって顕微鏡検査して
支障を生じる欠陥を判定するための負担が軽減され、検
査時間を短縮し、検査の信頼性を向上することが可能と
なり、スループットの短縮に寄与するところが大きい。
マスクレチクルの欠陥のうち、集積回路装置の製造工程
で使用する場合に実際に支障を生じる欠陥だけを検査装
置が自動に判別するため、人手によって顕微鏡検査して
支障を生じる欠陥を判定するための負担が軽減され、検
査時間を短縮し、検査の信頼性を向上することが可能と
なり、スループットの短縮に寄与するところが大きい。
【図１】本発明のマスクレチクル等の欠陥検査方法の流
れ図である。
れ図である。
【図２】本発明の孤立欠陥の判定方法説明図であり、
（Ａ）は検査対象、（Ｂ）は比較対象を示している。
（Ａ）は検査対象、（Ｂ）は比較対象を示している。
【図３】微細パターン部の欠陥の判定方法説明図（１）
であり、（Ａ），（Ａ1 ）は検査対象、（Ｂ），
（Ｂ1 ）は比較対象を示している。
であり、（Ａ），（Ａ1 ）は検査対象、（Ｂ），
（Ｂ1 ）は比較対象を示している。
【図４】微細パターン部の欠陥の判定方法説明図（２）
であり、（Ａ），（Ａ1 ）は検査対象、（Ｂ），
（Ｂ1 ）は比較対象を示している。
であり、（Ａ），（Ａ1 ）は検査対象、（Ｂ），
（Ｂ1 ）は比較対象を示している。
【図５】微細パターン部以外のパターン近傍の欠陥の判
定方法説明図であり、（Ａ），（Ａ1 ）は検査対象、
（Ｂ），（Ｂ1 ）は比較対象を示している。
定方法説明図であり、（Ａ），（Ａ1 ）は検査対象、
（Ｂ），（Ｂ1 ）は比較対象を示している。
【図６】マスクレチクルの自動検査装置の概略説明図で
ある。
ある。
１ 光源 ２ マスクレチクル基板 ２1 ，２2 回路パターン ３1 ，３2 レンズ系 ４1 ，４2 受光素子 ５ 信号処理回路 ６ 画像メモリ ７ 欠陥検出回路 ８ 欠陥判定回路 ９ 欠陥メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上の回路パターンを他の回路パター
ンと比較することによって欠陥を検出する過程と、該欠
陥の周囲の回路パターンを参照することによって該欠陥
の回路の特性に与える支障の有無を判定する過程を有す
ることを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項２】 検査対象である基板上の回路パターン
と、これと比較する他の回路パターンの画像データ上
に、両回路パターンが一致しない部分として検出された
欠陥を中心として第１のサイズの枠を設定し、該枠の内
側の画像データの一方が真白または真黒であるか否かに
より、該欠陥が孤立欠陥であるか、回路パターンのエッ
ジ部あるいはエッジ近傍の欠陥であるかを判定すること
を特徴とする請求項１に記載された欠陥検査方法。 - 【請求項３】 検出された欠陥を中心とする第１のサイ
ズの枠の内側が回路パターンの一部が存在するため真白
または真黒にならない場合、枠を第２のサイズまで小さ
くし、その結果、枠の一辺が真白から真黒に、または、
真黒から真白に変化すると、該欠陥が微細な回路パター
ン部の欠陥であると判定することを特徴とする請求項２
に記載された欠陥検査方法。 - 【請求項４】 検出された欠陥を中心とする第１のサイ
ズの枠の内側が回路パターンの一部が存在するため真白
または真黒にならない場合、枠を第２のサイズまで小さ
くし、その結果、第１のサイズの枠の一辺が真白、また
は、真黒であり、第２のサイズの枠の一辺に白と黒が混
在すると、該欠陥が微細な回路パターン部の欠陥である
と判定することを特徴とする請求項３に記載された欠陥
検査方法。 - 【請求項５】 基板上の回路パターンを他の回路パター
ンと比較することによって欠陥を検出する画像処理手段
と、該欠陥の周囲の回路パターンを参照することによっ
て該欠陥の回路の特性に与える支障の有無を判定する手
段を具備することを特徴とする欠陥検査装置。 - 【請求項６】 検査対象である基板上の回路パターン
と、これと比較する他の回路パターンの画像データ上
に、両回路パターンが一致しない部分として検出された
欠陥を中心として第１のサイズの枠を設定する手段と、
第１のサイズの枠の内側の画像データの一方が真白また
は真黒であるか否かにより、該欠陥が孤立欠陥である
か、回路パターンのエッジ部あるいはエッジ近傍の欠陥
であるかを判定する手段を具備することを特徴とする請
求項５に記載された欠陥検査装置。 - 【請求項７】 検出された欠陥を中心とする第１のサイ
ズの枠の内側に回路パターンの一部が存在するため真白
または真黒にならない場合、枠を第２のサイズまで小さ
くし、その結果、該枠の一辺が真白から真黒に、また
は、真黒から真白に変化すると、該欠陥が微細な回路パ
ターン部の欠陥であると判定する手段を具備することを
特徴とする請求項６に記載された欠陥検査装置。 - 【請求項８】 検出された欠陥を中心とする第１のサイ
ズの枠の内側に回路パターンの一部が存在するため真白
または真黒にならない場合、第１のサイズの枠の一辺が
真白または真黒であり、第２のサイズの枠の一辺に白と
黒が混在すると、該欠陥が微細回路パターン部の欠陥で
あると判定する手段を具備することを特徴とする請求項
７に記載された欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1720793A JPH06232229A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1720793A JPH06232229A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232229A true JPH06232229A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11937501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1720793A Withdrawn JPH06232229A (ja) | 1993-02-04 | 1993-02-04 | 欠陥検査方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232229A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100270482B1 (ko) * | 1996-03-13 | 2000-12-01 | 아끼구사 나오유끼 | 패턴 검사방법과 검사장치 |
| JP2002323749A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥部ないし修正後の欠陥部の判定方法 |
| JP2009181147A (ja) * | 2009-05-21 | 2009-08-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 描画用基板の供給方法および基板選択装置 |
| CN107256835A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-10-17 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 一种凸块缺陷检测方法 |
| CN111257727A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 侦测wat测试中电弧放电的装置和方法 |
-
1993
- 1993-02-04 JP JP1720793A patent/JPH06232229A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100270482B1 (ko) * | 1996-03-13 | 2000-12-01 | 아끼구사 나오유끼 | 패턴 검사방법과 검사장치 |
| JP2002323749A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥部ないし修正後の欠陥部の判定方法 |
| JP2009181147A (ja) * | 2009-05-21 | 2009-08-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 描画用基板の供給方法および基板選択装置 |
| CN107256835A (zh) * | 2017-06-05 | 2017-10-17 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 一种凸块缺陷检测方法 |
| CN111257727A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 侦测wat测试中电弧放电的装置和方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |